「depth buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Only a toon object among objects in a virtual three-dimensional space is perspectively converted, and image data and depth data of the toon object are written in a processing buffer 163a for each pixel.例文帳に追加

仮想３次元空間に存在するオブジェクトのうちのトゥーンオブジェクトだけを透視変換し、トゥーンオブジェクトの画像データと深度データとを画素毎に処理バッファ１６３ａに書き込む。 - 特許庁

Then, a number of the initial voice packets in the sequence are advantageously time-expanded and played out, thereby increasing the depth of the jitter buffer (and thus the amount of network jitter handled).例文帳に追加

その後、シーケンス内の複数の初期音声パケットが、有利には、時間伸張され、再生出力され、それによって、ジッタ・バッファの深さ（処理されるネットワーク・ジッタ量）を増加させる。 - 特許庁

The rendering order control 101 then compares the display priority of a sprite read from the SAT 100 and the display priority order stored in the depth buffer 103 and, only if reading out a sprite of higher display priority, overwrites the image data in the line buffer 102.例文帳に追加

そして、描画順位制御１０１は、ＳＡＴ１００から読み出したスプライトの表示優先順位とデプスバッファ１０３に格納された表示優先順位とを比較し、表示優先順位がより高いスプライトを読み出した場合にのみ、ラインバッファ１０２の画像データを上書きする。 - 特許庁

If the distance of the pixel data obtained by the performance of a translucent process from the visual point of the virtual camera is not less than a specified depth z, the pixel data after processing is written in the same pixel position as that of the frame buffer 81.例文帳に追加

半透明処理して得られた画素データの疑似カメラ視点からの距離が所定の深度値ｚ以上であれば、処理後の画素データをフレームバッファ８１の同一画素位置に書き込む。 - 特許庁

Subtracting processing for reducing the lightness of a original image in a frame buffer 16 for screen display larger and larger as the image is positioned more and more inside along the depth of the virtual three- dimensional space is performed (3).例文帳に追加

画面表示用のフレームバッファ１６の元画像の明度を仮想三次元空間内の奥行きで、手前側より奥側に位置する画像ほど大きい明度をもって低減する減算処理を行う（３）。 - 特許庁

If an ancestor of a double-bufferedwindow is drawn to with a GC having a subwindow-mode of IncludeInferiors,the effect on the double-buffered window's back buffer depends on the depth of the double-buffered window and the ancestor.例文帳に追加

ダブルバッファのウィンドウの祖先ウィンドウが subwindow モードがIncludeInferiors である GC を使って描画される場合、ダブルバッファウィンドウの背景バッファに対する影響は、ダブルバッファのウィンドウと祖先ウィンドウの深さに依存する。 - XFree86

Since the thermal buffer film 20 reduces the dispersion of cooling temperature over the surface, the temperature over the surface to be etched can be uniformalized, and then the uniformity in etching depth can be improved.例文帳に追加

熱緩衝膜２０は、面内での冷却温度のばらつきを緩和するので、エッチング面での温度分布の均一化を図ることができ、ひいては面内におけるエッチング深さの均一性も向上する。 - 特許庁

For example, a wafer, which is subjected to a prescribed etching process in an etching chamber 1, is temporarily transferred to the orienter chamber A or B, or to the transportation buffer chamber 5 and the etched depth is measured by the film thickness measurement mechanism.例文帳に追加

例えばエッチング室１にて所定のエッチングプロセスを施されたウェハは、一旦オリエンタ室ＡまたはＢ、あるいは搬送バッファ室５に搬送され、膜厚測定機構によりエッチング深さが測定される。 - 特許庁

An arithmetic part 5 executes a hidden surface elimination process to a normal polygon on the basis of a depth value and viewpoint coordinates from a viewpoint coordinate conversion processor 1, and updates a pixel memory 6 and a Z buffer memory 7.例文帳に追加

演算部５は、視点座標変換処理装置１からの視点座標および奥行き値に基づいて、通常ポリゴンに対する隠面消去処理を行い、ピクセルメモリ６とＺバッファメモリ７とを更新する。 - 特許庁

Stereo three-dimensional (3D) left and right views are created from the image depth map using a created stereo Z-buffer based 3D surface recover process and a disparity map which is a function of the geometry of binocular vision.例文帳に追加

立体三次元の(3D)左・右視界が作成されるステレオ、Zバッファに基づく3D表面回復プロセスおよび両眼視覚の幾何学形状の関数である差マップを使用して画像奥行きマップから作成される。 - 特許庁

Although certain buffers of some visuals on some systems may never require repainting (the depth buffer, for example), it is incorrect to write a program assuming that these buffers will not be damaged.例文帳に追加

一部のシステムでは、一部のビジュアルの特定のバッファ(例えばデプスバッファ)は再描画を全く必要としないことがあるが、このようなバッファの内容が壊れないことを前提としてプログラムを書くことは間違いである。 - XFree86

A shock absorber below a car is omitted using a fluid pressure cylinder having buffer action as a driving means, and a frame below the car is omitted by hanging the car by a car longitudinal frame to reduce the depth of the pit.例文帳に追加

緩衝作用のある流体圧シリンダを駆動手段として用いることによって乗りかご下の緩衝器を省略し、かご縦枠で乗りかごを吊り下げることによりかご下枠を省略してピット深さを浅くした。 - 特許庁

In image processing for rendering a three-dimensional virtual space using perspective projection transformation and depth comparison by a Z buffer, firstly, polygons to be rendered in a rendering process are classified into a first-type polygon and a second-type polygon.例文帳に追加

透視投影変換およびＺバッファによる深度比較を用いて３次元仮想空間の描画を行う画像処理において、まず、一度の描画処理における描画対象のポリゴンを第１種ポリゴンと第２種ポリゴンに分類する。 - 特許庁

To efficiently extract a hole without using a conductive buffer layer, without requiring a complicated process, without requiring extremely high depth-precision dry etching, and without deteriorating crystalline concerning a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。 - 特許庁

Since AlN is used as a material of the buffer layer 11, pits do not occur in the crystal and variation in crystal orientation is small, even if the depth of the unevenness is 1.2 to 2.5 μm, and the inclination angle of the side surfaces of convex portions is 40 to 80°.例文帳に追加

ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 - 特許庁

The manufacturing method has processes of: forming a silicon substrate 1, the buffer layer 2 formed on the silicon substrate, and a gallium nitride semiconductor layer on top of it; forming a trench of a depth reaching the gallium semiconductor layer by penetrating the silicon substrate and the buffer layer 2 from the back surface of the silicon substrate 1; and embedding a conductive material in the trench.例文帳に追加

シリコン基板１と前記シリコン基板上に形成されたバッファ層２とその上に窒化ガリウム半導体層を形成し、前記シリコン基板１の裏面から前記シリコン基板ならびに前記バッファ層２を貫通して前記窒化ガリウム半導体層に達する深さのトレンチを形成し、このトレンチの中に導電体を埋め込む工程を有する製造方法する。 - 特許庁

A graphic image is prepared for a computer display, together with information on depth of field, by generating the clear image of the scene, generates the blurry image of the scene, generates a z buffer image, and generates an alpha channel RGBA image formed of a clear image, a blurry image, and the alpha blend of the z buffer image data.例文帳に追加

グラフィック画像が、シーンの鮮明な画像を生成し、シーンのぼやけた画像を生成し、さらに、ｚバッファ画像を生成し、鮮明な画策、およびぼやけた画策、およびｚバッファ画像データのアルファブレンドから成るアルファチャンネルＲＧＢＡ画像を生成することにより、コンピュータディスプレイのために、被写界深度情報を伴って作成される。 - 特許庁

On a (0001) surface sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12 with a film of about 20nm in thickness and a GaN layer 13 of about 2μm are subjected to crystal growth to form holes 13a of 1.0μm in depth and of 1.0 to 2.5μm in diameter in the GaN layer 13.例文帳に追加

（０００１）面サファイア基板１１上に、２０ｎｍ程度の膜厚のＧａＮバッファ層１２、２μｍ程度のＧａＮ層１３を結晶成長させ、ＧａＮ層１３に深さ１．０μｍ、１．０〜２．５μｍ径の穴１３ａを形成する。 - 特許庁

A multiplexing section 106 switches the multiplex number and the multiplexing depth confirming to the circuit state and the decided result of the voice/silence decision section 103 when selecting the encoded data to be multiplexed from the encoded data stored in a transmitting buffer section 105.例文帳に追加

多重化部１０６では、送信バッファ部１０５に蓄積された符号化データから多重化する符号化データを選択する際に、回線状態と有音無音判定部１０３の判定結果と従って多重化数と多重化深度を切り替える。 - 特許庁

This flag and contrast value become objects to be subjected to hidden surface elimination by an image memory 14 and a depth buffer 15, and are read by an engine 9, when all the drawings are completed so that glare is generated on a glare circuit 16, depending on the flag and contrast value.例文帳に追加

このフラグやコントラスト値は、画像メモリ１４およびデプスバッファ１５による隠面消去処理の対象となり、すべての描画が完了した時点でエンジン９によって読み出され、フラグおよびコントラスト値の量によってグレアをグレア回路１６で生成する回路 - 特許庁

The arithmetic part 5 executes shadowing only to a coordinate area before a backward-facing shadow polygon behind a forward-facing shadow polygon in a view from a viewpoint on the basis of a comparison result between the found depth value of each the polygon and a Z value stored in the Z buffer memory 7, and updates the pixel memory 6.例文帳に追加

さらに、求めた各ポリゴンの奥行き値とＺバッファメモリ７に格納されたＺ値との比較結果に基づいて、視点から見て裏向き影ポリゴンよりも手前にあり且つ表向き影ポリゴンよりも後ろにある座標領域に対してのみ影付けを行い、ピクセルメモリ６を更新する。 - 特許庁

To provide an optical packet multiplexing apparatus in which a ratio occupied by optical packets after optical packet multiplexing is enlarged and the depth of an optical packet buffer can be extended by providing an optical packet timing adjusting section for aligning heads of optical packets on a pre-stage of an optical packet buffering and multiplexing section.例文帳に追加

光パケットバッファリング兼多重部の前段に、光パケット相互の先頭を揃える光パケットタイミング調整部を設けることにより、光パケット多重後の光パケットの占める割合を大きくするとともに、光パケットバッファの深さを大きくできる光パケット多重装置を提供すること。 - 特許庁

A radial buffer clearance X is provided in a cylindrical internal space 4 substantially airtightly sealed by the floating plunger 2 in the shape of a cylinder with a bottom and the striker 3 and this constitution inverts the movement direction of the striker 3, axially driven by the floating plunger 2, within a range of a penetration depth L.例文帳に追加

有底円筒形状の遊動プランジャ２と打撃子３とによって実質的に気密に封止された円筒内空間４に半径方向緩衝クリアランスＸを設け、これにより、遊動プランジャ２により軸線方向に駆動される打撃子３の運動方向を、貫入深さＬの範囲内で反転させる。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure.例文帳に追加

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。 - 特許庁