「depth threshold」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A depth condition determinator 40 extracts the whole combinations in which the detection probability exceeds a threshold over the whole depth, and extracts therefrom one combination of the dip and the hanging depth, in which the minimum value of the detection probability relative to the depth becomes maximum.例文帳に追加

深度条件判定器４０は、全深度に亘って探知確率が閾値を超えている組み合わせを全て抽出し、その中から深度に対する探知確率の最小値が最大となる俯角と吊下深度との組み合わせを一つ抽出する。 - 特許庁

A depth-of-field determination part 155 compares a changeover destination zoom position (or a changeover destination focus position) with a threshold of the depth of field registered in a storage part 130 in advance, and determines whether or not the changeover destination zoom position (or the changeover destination focus position) is within the threshold of the depth of field.例文帳に追加

被写界深度判定部１５５が、切替先ズーム位置（または切替先フォーカス位置）とあらかじめ記憶部１３０に登録されている被写界深度の閾値とを比較し、切替先ズーム位置（または切替先フォーカス位置）が被写界深度の閾値内にあるか否かを判定する。 - 特許庁

An artist or a programmer can designate a depth threshold of 1 or larger by an efficient method for executing image gradation, based on a depth within a three-dimensional graphic system.例文帳に追加

三次元グラフックスシステム内において、深度に基づく画像ぼかしを行う効率的な方法によれば、アーティストやプログラマは、１以上の深度閾値を指定することができる。 - 特許庁

The embedded depth of the gate electrode 16 of the lateral MOSFET is determined by measuring the threshold voltage of the lateral MOSFET for evaluation and then the embedded depth of the gate electrode 16 of the vertical MOSFET is evaluated based on the depth thus determined.例文帳に追加

そして、評価用横型ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を測定することにより、横型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極１６の埋め込み深さを求め、それに基づいて、縦型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極１６の埋め込み深さを評価する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with variation in threshold voltage improved by homogenizing the concentration profile in a depth direction of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの深さ方向の濃度プロファイルが均一化され、閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A distance determining part compares the depth on a scanning line of at least one observation site among the plurality of observation sites with a prescribed threshold.例文帳に追加

距離判定部は、前記複数の観測部位のうち少なくとも１つの観測部位の走査線上における深さと所定の閾値とを比較する。 - 特許庁

After the parallax correction data are stored in the RAM 9, the parallax correction data are updated and the parallax of the specific object is adjusted only when the moving amount in the depth direction of the specific object exceeds a threshold (1), and the parallax correction data are not updated when the moving amount in the depth direction of the specific object is equal to or smaller than the threshold (1).例文帳に追加

視差補正データがＲＡＭ９に記憶された後は、特定被写体の奥行き方向の移動量が閾値（１）を超えたときにのみ、この視差補正データを更新して、特定被写体の視差を調節し、特定被写体の奥行き方向の移動量が閾値（１）以下のときには、視差補正データの更新は行わない。 - 特許庁

Furthermore, when a threshold of the pressure change is set not larger than 6.7 Pa, Y is set to be a circumferential velocity, and X is set to be the balance groove depth, the balance correction groove is formed by deciding the groove depth from an equation of 6.7 Pa≥(Y+X-0.0322)/4.1278.例文帳に追加

さらに、圧力変動の閾値を６．７Ｐａ以下とし、Ｙを回転体の周速、Ｘをバランス溝深さとしたとき、６．７Ｐａ≧（Ｙ＋Ｘ−０．０３２２）／４．１２７８の式によりバランス修正溝の溝深さを定めて形成する。 - 特許庁

Further, a browsing image generation part 30 generates a browsing image which inhibits browsing of a pixel whose browsing inhibition depth determination value is smaller than the depth information and the mask determination value is greater than a prescribed threshold value.例文帳に追加

そして、閲覧画像生成部３０が、画像のうち閲覧禁止奥行き判定値が奥行き情報よりも小さい画素で、かつマスク判定値が所定の閾値よりも大きい画素の閲覧を禁止した閲覧画像を生成する。 - 特許庁

If an MTF exceeds a predetermined threshold all over the image height in focusing, it is assumed as a situation that performance for a focus is satisfied, and a predetermined spot in image-formation depth exceeding the threshold is set as the image-formation position of the CCD 33.例文帳に追加

ピント調整では、全像高に渡って、ＭＴＦが所定の閾値を超えていればピントに対する性能を満足しているものとし、閾値を超える結像深度の所定箇所をＣＣＤ３３の結像位置と設定する。 - 特許庁

To provide a technique that reduces off-current of an MISFET, and prevents fluctuation in the threshold voltage Vth by shallowing the junction depth of a source and a drain.例文帳に追加

ソース、ドレインの接合深さを浅くすることにより、ＭＩＳＦＥＴのオフ電流を低減し、また、閾値電圧Ｖｔｈのばらつきを防止する技術を提供する。 - 特許庁

Then the diffusion depth of the base area 35 can be controlled independently of the thickness of the silicon layer 33, so the ON resistance is reducible and the controllability of the threshold voltage is improved.例文帳に追加

そして、シリコン層３３の厚さとは独立にベース領域３５の拡散深さを制御できるため、オン抵抗を低くでき、また、閾値電圧の制御性も向上できる。 - 特許庁

When the periodic stable index value becomes less than a periodic stable index threshold, and the depth stable index value becomes less than a depth stable index threshold according as the testee keeps the stable breathing state, a careless state determination unit 12 determines that the testee is under a careless state on the presupposition that careless state determination conditions are established.例文帳に追加

被験者が安定した呼吸状態を継続することによって、周期安定指標値が周期安定指標閾値未満になり、且つ深度安定指標値が深度安定指標閾値未満になると、漫然状態判定部１２は、漫然状態判定条件の成立を前提として、被験者が漫然状態であると判定する。 - 特許庁

Since impurity concentration in an area from 20 >nm] depth to 100 [nm] from an interface between the gate oxide film 7 and the silicon board 1 being the cause of the unevenness of threshold voltage is lowered, the unevenness of the threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

しきい値電圧のばらつきの原因となるゲート酸化膜７とシリコン基板１との界面から２０〔ｎｍ〕から１００〔ｎｍ〕の深さまでの領域での不純物濃度が低下するから、しきい値電圧のばらつきが抑制されることになる。 - 特許庁

Thus, the impurity diffusion depth variation due to the stress variation in the protective films does not occur and hence the transistor characteristics such as threshold voltage variation does not occur.例文帳に追加

従って、保護膜の応力のばらつきに起因する、不純物の拡散深さのばらつきが発生しなくなり、しきい値電圧のばらつき等のトランジスタ特性のばらつきが生じない。 - 特許庁

The smoke insulation groove 11 is recessed from the upper surface of a landing threshold 9 in such a way that the groove depth gradually becomes deeper from the door stop end toward the door pocket side and the groove extends in the frontage direction.例文帳に追加

遮煙溝１１が乗り場敷居９の上面に、溝深さが戸当たり端から戸袋側に漸次深くなり、かつ間口方向に延在するように凹設されている。 - 特許庁

The dispersion of the threshold voltage in the depression-type lateral MOSFET decreases by that the depth of the pn junction becomes shallow and besides the concentration of the impurities at the surface of the P well becomes low.例文帳に追加

ｐｎ接合深さが浅くなり、かつＰウェル５の表面の不純物濃度が低くなることで、デプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴにおけるしきい値電圧のばらつきが減少する。 - 特許庁

To provide a gate type semiconductor device capable of inhibiting variations in a threshold voltage with respect to variations in a depth of a groove and further to provide its fabricating process.例文帳に追加

溝の深さのばらつきに対して閾値電圧のばらつきを抑制することが可能な溝ゲート型の半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This silicon nitride regions 40 are distributed in the deeper region than the substrate depth for specifying the threshold voltage value from the main surface of Si substrate 31 to the STI end.例文帳に追加

この窒化シリコン領域４０は、Ｓｉ基板３１の主表面からＳＴＩ端におけるＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を決める基板深さより深い領域まで分布する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device enhancing the yield and capable of obtaining a desired threshold voltage by uniforming the etching depth of an opening of a gate forming region in a semiconductor wafer face, and a production method thereof.例文帳に追加

半導体ウエハ面内におけるゲート形成領域の開口部のエッチング深さを均一化して所望の閾値電圧を得ることができ、併せて歩留を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing this semiconductor device for implanting ions into an SOI layer to control a threshold voltage of an MOSFET, the threshold voltage control ions are implanted in a concentration distribution wherein the concentration peak value thereof is positioned in the 10% range of the SOI layer thickness centering the 1/2 depth position of the SOI layer.例文帳に追加

本発明は，ＳＯＩ層にイオンを注入してＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を制御する半導体装置の製造方法であって，しきい値電圧制御イオンを，その濃度ピーク値がＳＯＩ層の１／２深さ位置を中心としてＳＯＩ層厚さの１０％範囲内に位置するような濃度分布で注入する。 - 特許庁

When a CPU load rate and the communication characteristics (band width and communication delay) of the multicast group exceed a threshold, the router Rs updates the number of branches and depth of a multicast tree for distributing packets from the router Rs and starts the reconstruction of the multicast tree.例文帳に追加

ルータＲｓは、ＣＰＵ負荷率及びマルチキャストグループの通信特性（帯域幅、通信遅延）が閾値を超えると、ルータＲｓからパケットを配信するマルチキャストツリーの枝数と深さとを更新して、マルチキャストツリーの再構築を開始する。 - 特許庁

An image information deciding section makes decisions sequentially whether a groove detected at the displacement detecting section is shallower than a preset depth (threshold value) or not (Step S2) and decides that the image information is not written thereat if the groove is shallower than the threshold value (Step S3) otherwise decides that the image information is written thereat (Step S4).例文帳に追加

そして、変位検出部で検出した溝が予め設定された深さ（閾値）以下か否かの判断を画情報判断部で逐次行い（ステップＳ２）、閾値以下の場合には、その部分には画情報は記入されていないと判断し（ステップＳ３）、閾値以上の場合には、その部分に画情報は記入されていると判断する（ステップＳ４）。 - 特許庁

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104.例文帳に追加

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。 - 特許庁

The position control apparatus for carrying out an automatic height control, an automatic tilling depth control and an automatic inclination control has a constitution that when the speed v of the vehicle main body 50 is higher than a fixed threshold value of speed vS, the control precision of the automatic inclination control is relaxed and the threshold value of speed vS is changed depending upon a set height position hS.例文帳に追加

自動高さ制御と自動耕深制御と自動傾き制御とを行うように構成された姿勢制御装置は、車輌本体５０の車速ｖが所定の閾値車速ｖＳより高速の場合には、自動傾き制御の制御精度を緩和させると共に、閾値車速ｖＳを設定高さ位置ｈＳに応じて変更するように構成されている。 - 特許庁

As a result, a device manufactured can have a large quantity of current per unit area of a silicon because it has a threshold voltage and a current density that does not depend on the depth and controlled with accuracy, and also its mesa quantity is extremely high compared with a mesa which can be formed by a conventional technology.例文帳に追加

この結果できたデバイスは、深さに依存せず精度よく制御された閾値電圧と電流密度を有し、かつ従来技術で形成できるメサに比べて、メサ高が極めて高いのでシリコンの単位面積あたり、大電流を有することができる。 - 特許庁

When the depth information indicating the size in differences of distances of the multiple subjects in the photographing screen is large, an image pickup apparatus lowers a threshold value of luminance of the subjects to be photographed by light emission from a stroboscope device and enhances an upper limit of photographic sensitivity that is set when the subjects are photographed without light emission from the stroboscope device.例文帳に追加

撮影画面内の複数の被写体の被写体距離の差の大きさを示す奥行き情報が大きいほど、照明装置を発光させて撮影を行う被写体輝度の閾値を低くし、照明装置を発光させずに撮影する際に設定する撮影感度の上限を高くする。 - 特許庁

In a focus adjustment method of a contrast detection system, when wobbling takes place such that the depth of focus is smaller than a threshold, a drive amplitude of the focus lens when the vibration center of the focus lens 105 is moved is set smaller than that of the focus lens when the vibration center of the focus lens is not moved.例文帳に追加

コントラスト検出方式の焦点調節方法において、焦点深度が閾値よりも小さい場合のウォブリングにおいて、フォーカスレンズ１０５の振動中心を移動する時のフォーカスレンズの駆動振幅は振動中心を移動しない時のフォーカスレンズの駆動振幅よりも小さい。 - 特許庁

In a microcomputer 28, the pleural pressure signal or the depth-of-breathing signal is sampled for a predetermined period of time (time required for determination), so that the degree of agreement between its sampled waveform and a reference pattern for the determination of the sleepiness can be determined, and the driver's sleepiness is determined according to whether or not the degree of the agreement exceeds a threshold.例文帳に追加

そして、マイコン２８において、胸腔内圧信号もしくは呼吸の深さ信号を所定時間（判定必要時間）サンプリングして、そのサンプリング波形と眠気判定用の基準パターンとの一致度を求め、その一致度が閾値を越えているか否かによって、運転者の眠気判定を行う。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

A waveform measuring device 7 is mounted in an auger head or a rod 2, a waveform analyzer 8 is installed on the ground, the waveform of excavating noise or vibration is measured by the waveform measuring device, the frequency of exceeding a preset amplitude threshold is transmitted to the waveform analyzer, and according to the measured waveform, the amplitude distribution is obtained by each unit time or unit depth to analyze the geological and stratum change.例文帳に追加

オーガヘッドまたはロッド２内に波形計測装置７が装着され、地上に波形解析装置８が設置され、前記波形計測装置により掘削音または振動の波形を計測し、設定した振幅しきい値を越えた度数を波形解析装置に伝送し、計測した波形に基づいて単位時間または単位深度毎に振幅分布を求め、地質・地層変化の解析を行う。 - 特許庁