| 意味 | 例文 |
diffusion modelの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 35件
PARAMETER EXTRACTION OF DIFFUSION MODEL例文帳に追加
拡散モデルのパラメータ抽出方法 - 特許庁
A transistor model registration part registers the transistor model on the basis of the diffusion layer length-dependent parameter.例文帳に追加
トランジスタモデル登録部は、拡散層長依存パラメータに基づいてトランジスタモデルを登録する。 - 特許庁
Edge detection is performed in the case of the monostable reaction diffusion model, and area division is performed in the case of the bistable diffusion reaction model.例文帳に追加
単安定系の反応拡散モデルの場合にエッジ検出がなされ、双安定系の拡散反応モデルの場合に領域分割がなされる。 - 特許庁
To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.例文帳に追加
それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁
A reaction diffusion model showing the time development of active factor concentration and suppressive factor concentration is set so as to have either a monostable system and a bistable system, and the luminance value of each pixel configuring an image is input to the reaction diffusion model so that non-linear reaction based on the reaction diffusion model can be performed.例文帳に追加
活性因子濃度及び抑制因子濃度の時間発展を示す反応拡散モデルを単安定系及び双安定系のいずれかになるように設定し、画像を構成する各画素の輝度値をこの反応拡散モデルに入力して反応拡散モデルによる非線形反応を行わせる。 - 特許庁
A basic assumption for the model was that biofilm diffusion limitations were not significant.例文帳に追加
生物膜拡散限界は重要ではないということが,このモデルの基本的な仮定であった。 - 英語論文検索例文集
A basic assumption for the model was that biofilm diffusion limitations were not significant.例文帳に追加
生物膜拡散限界は重要ではないということが,このモデルの基本的な仮定であった。 - 英語論文検索例文集
A basic assumption for the model was that biofilm diffusion limitations were not significant.例文帳に追加
バイオフィルム拡散限界は重要ではないということが,このモデルの基本的な仮定であった。 - 英語論文検索例文集
A basic assumption for the model was that biofilm diffusion limitations were not significant.例文帳に追加
このモデルの基本的な仮定は,生物膜拡散限界が重要ではないということであった。 - 英語論文検索例文集
To provide a diffusion resistance model that enables high-precision, practical simulations, and a parameter extraction method using the model.例文帳に追加
高精度で実用的なシミュレーションを可能にする拡散抵抗モデルと、これを用いたパラメータ抽出方法とを提供することを目的とする。 - 特許庁
The thermal diffusion equation solution part 35 calculates the temperature distribution of the wafer by calculating transitional thermal diffusion of the wafer surface in a lamp heating step based on the model.例文帳に追加
熱拡散方程式解法部35は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。 - 特許庁
Also, the number of transistors included in the diffusion layer resistance model is smaller than the number of resistances arranged in the direction of gate width.例文帳に追加
また、拡散層抵抗モデルに含まれるトランジスタ数は、ゲート幅方向に配置された抵抗の数より少ない。 - 特許庁
The device for simulating diffusion of exhaust gas on the road 1 for simulating the diffusion of exhaust gas on the road is constituted so as to obtain the concentration of the exhaust gas by a detail calculation model using a diffusion parameter and a particle diameter parameter, and includes a parameter setting part 8 for setting a diffusion parameter and an particle diameter parameter.例文帳に追加
道路排ガス拡散シミュレーション装置1は、道路での排ガス拡散をシミュレーションするについて、拡散パラメータと粒子径パラメータを用いる詳細計算モデルにより排ガス濃度を求めるようにしてなり、拡散パラメータと粒子径パラメータの設定を行なうパラメータ設定部8を備える。 - 特許庁
According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加
この方法によれば,従来のFairモデルでは表せなかったSi/SiO_2界面における不純物パイルアップを,点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく(すなわち従来のペア拡散モデルを用いず)表すことが可能となる。 - 特許庁
To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.例文帳に追加
最小寸法(CD)の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁
When the calculated value of the transmission band does not agree with the measured value, a calculation model of the mode diffusion equation is restudied again.例文帳に追加
伝送帯域の計算値と実測値とが一致しない場合は、再度モード拡散方程式の計算モデルを再検討する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for setting building data of an air diffusion simulation system capable of easily setting model building shape data suitable for air diffusion simulation without knowledge of air diffusion.例文帳に追加
本発明の目的は、大気拡散の知識がなくても容易に大気拡散シミュレーションに適切なモデル化した建物形状データを設定することができる大気拡散シミュレーション装置の建物データ設定方法および装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a method for quickly extracting suitable parameters from a diffusion model in computer simulation of semiconductor manufacturing process.例文帳に追加
半導体の製造プロセスの計算機シミュレーションでの拡散モデルのパラメータの抽出方法において、適切なパラメータを迅速に抽出することを可能にする。 - 特許庁
A conductivity modulation effect of a low-concentration drain diffusion layer is represented by a variable resistance model (RDD) which has a value varied by a drain voltage and a gate voltage.例文帳に追加
低濃度ドレイン拡散層の伝導率変調効果はドレイン電圧及びゲート電圧で値が変化する可変抵抗モデル(RDD)で表現する。 - 特許庁
To provide a traffic flow managing method capable of highly accurately managing a traffic flow by finding the proper value of a coefficient in a car group diffusion model expression.例文帳に追加
車群拡散モデル式の係数の適正値を求めて、交通流量を高精度に管理することができる交通流量管理方法を提供する。 - 特許庁
The optical characteristics-analyzing system at least comprises a diffusion constant acquisition means 1 for calculating a diffusion constant of a component material composing the optical system, for which the diffusion constant is unknown, an optical system model generating means 2 for generating a numerical analysis model necessary for numerical analysis by a finite element method, and an optical characteristics-calculating means 3 for calculating the optical characteristics.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明に係る光学特性解析システムは、拡散定数が未知である光学系を構成する部品材料の拡散定数を算出する拡散定数取得手段1と、有限要素法による数値解析に必要な数値解析モデルを生成する光学系モデル生成手段2と、光学特性を算出する光学特性算出手段3と、を少なくとも備える。 - 特許庁
The variable resistance model compensates the variance of a voltage in a channel end part adjacent to the low-concentration diffusion layer, which is caused by an influence of not only the gate voltage but also the drain voltage.例文帳に追加
可変抵抗モデルは低濃度ドレイン拡散層に隣接するチャネル端部の電圧がゲート電圧のみならずドレイン電圧の影響も受けて変化することを補償する。 - 特許庁
The device for simulating wafer temperature includes: an element part coverage calculation part 32; an effective emissivity calculation part 33; a model creation part 34 and a thermal diffusion equation solution part 35.例文帳に追加
ウエハ温度シミュレーション装置は、素子部被覆率計算部32と、実効放射率計算部33と、モデル作成部34と、熱拡散方程式解法部35とを具備する。 - 特許庁
Then, the fluid analysis model of the entire stirring part is formed to analyze the change of the toner concentration by using the diffusion coefficient obtained from the particle behavior analysis by the distinct element method.例文帳に追加
次いで、攪拌部全体の流体解析モデルを作成し、個別要素法による粒子挙動解析から求めた拡散係数を用いてトナー濃度変化を解析する。 - 特許庁
An in-core power distribution calculation means calculates the critical eigenvalue, neutron flux distribution and power distribution of in-core, based on a diffusion model by the use of a node average nuclear constant.例文帳に追加
炉内出力分布計算手段は、ノード平均核定数を用いて拡散モデルに基づき、炉心の臨界固有値、中性子束分布、出力分布を計算する。 - 特許庁
A formula showing the reaction diffusion model is expressed with a format including a diffusion term and a reaction term showing the time development of the active factor concentration and the suppressive factor concentration, and a frequency signal and white noise type signal varying with time are added in the reaction term.例文帳に追加
反応拡散モデルを表す式は活性因子濃度及び抑制因子濃度の時間発展を表す拡散項及び反応項を含む形で表され、反応項において時間的に変動する周期信号及びホワイトノイズ形信号が付加されたものである。 - 特許庁
Sound presence probability calculation means inputs an observation logarithm spectrum, a noise average logarithm spectrum and a noise diffusion logarithm spectrum and uses a model of a deterioration sound logarithm spectrum envelope and a model of a harmonic structure to calculate a sound presence probability vector.例文帳に追加
音声存在確率計算手段は観測対数スペクトルと雑音平均対数スペクトルと雑音分散対数スペクトルを入力として、劣化音声対数スペクトル包絡のモデルと調波構造のモデルを用いて音声存在確率ベクトルを計算する。 - 特許庁
A parameter characteristic map 120 stores a characteristics map based on observed results of an initial state (at the time of a new one) on a parameter diffusion coefficient D_s and DC resistance R_a in the cell model formula.例文帳に追加
パラメータ特性マップ120は、電池モデル式中のパラメータ拡散係数D_sおよび直流抵抗R_aについて、初期状態(新品時)における実測結果に基づく特性マップを格納する。 - 特許庁
In a conventional method for acquiring parameters, since a model has been served assuming a transistor in which a p-well is extended to a channel and the lower part of a diffusion layer, the repeatability bas limits.例文帳に追加
従来のパラメータの取得方法は、それまでのチャネル及び拡散層下にまでpウェルが形成されたトランジスタを想定したモデルをそのまま援用したものであるため、再現性に限度がある。 - 特許庁
A numerical value calculation processing part 15 performs the simulation of the diffusion distribution state of the pollutants using numerical value calculation data obtained on the basis of a selected simulation model, a fixed parameter, an analyzing condition and an adjusting parameter.例文帳に追加
数値計算処理部15は選定されたシミュレーションモデル、固定パラメータ、解析条件および調整パラメータに基づいて得られた数値計算データを用いて汚染物質の拡散分布状況のシミュレーションを実行する。 - 特許庁
The instrument is provided with a front eye lens 1 for forming a prescribed power to be applied to the model eye, a diffusion plane 2 located at an image point position relative to the prescribed power in the relationship with the front eye lens 1 for diffusing and reflecting incident light and an aberration adding member 3 for applying a prescribed aberration between the front eye lens 1 and the diffusion plane 2.例文帳に追加
模型眼に与えられるべき所定のパワーを形成する前眼部レンズ1と、前眼部レンズ1との関係で該所定のパワーに対する像点位置に配置され、入射光を拡散及び反射する拡散面2と、前眼部レンズ1と拡散面2との間に所定の収差をあたえる収差付加部材3とを備える。 - 特許庁
It is desired that the model generates and controls the typical reaction diffusion mechanism of autonomous waves by using a fuzzy neural network, and is constituted as a fuzzy circuit architecture to be mounted in the form of an integrated circuit using a VLSICMOS technique.例文帳に追加
そのモデルは、好ましくはファジーニューラルネットワークを用いて自律波の典型的な反応拡散メカニズムを生成し、かつ制御する、VLSICMOS技術を用いる集積回路の形で実装されるファジー回路アーキテクチャとして構成される。 - 特許庁
To manufacture a model which excludes causes such as the mobility, the diffusion and the speed of electrons reducing the reliability of a semiconductor element such as a MOSFET element when the semiconductor element with a more reduced gate size is modeled in order to simulate an electric movement.例文帳に追加
MOSFETのような半導体素子において電気的な動きをシミュレートするために、よりゲート寸法を縮小した素子においてモデル化する場合に信頼性を低下させる電子の移動度、拡散及び速度のような要因を排除したモデルを作製する。 - 特許庁
To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加
転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
This information processor 100 is provided with the first and second underlayer reflection light component calculation parts 104, 111, an internal diffusion reflection light component calculation parts 106, an internal direct reflection light component calculation parts 108, and a surface reflection light component calculation parts 109, for calculating respective components of the reflected light in the first sample pursuant to a model expression.例文帳に追加
情報処理装置100は、第1のサンプルにおける反射光の各成分をモデル式により算出する第1及び第2下層反射光成分算出部104・111、内部拡散反射光成分算出部106、内部直接反射光成分算出部108、表面反射光成分算出部109を備えている。 - 特許庁
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