「drift distance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

According to the virtual lateral drift computed every time the given distance is traveled, the controller steers a dirigible driving wheel 12.例文帳に追加

そして、コントローラは、所定距離走行毎に求めた仮想横ずれ量に基づいて駆動操舵輪１２を操舵する。 - 特許庁

In the strong field drift layer 6 are formed field concentrating recessed parts 8 for reducing the distance between the surface electrode 7 and the n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

強電界ドリフト層６には、表面電極７とｎ形シリコン基板１との距離を小さくした電界集中用凹部８が形成されている。 - 特許庁

Thus, the distance of accelerating drift electrons 30 becomes the same, and non-uniformity in the speed of the electrons 30 hardly occurs.例文帳に追加

これにより、ドリフトする電子３０が加速される距離が同等になり、電子３０の速度に不均一が生じ難い。 - 特許庁

To provide an ADM (Absolute Distance Meter) measuring accurately a moving target with almost no generation of drift.例文帳に追加

ドリフトをほとんど発生させることなく、動いているターゲットを正確に測定するＡＤＭを提供する。 - 特許庁

I thought of their unfathomable distance, and the slow inevitable drift of their movements out of the unknown past into the unknown future. 例文帳に追加

星までの想像もつかない距離を考え、そしてそれらが未知の過去から未知の未来へとゆっくり不可避に漂いゆくのを考えました。 - H. G. Wells『タイムマシン』

In the case a cavity resonator 33 is a fundamental wave hollow, a distance d2 from the center of a drift tube 32 to the outer peripheral wall 41 of the cavity resonator 33 has a relation of becoming 1.2 to 1.6 fold against the distance d1 from the center of the drift tube 32 to the inner peripheral wall 40 of the cavity resonator 33.例文帳に追加

空胴共振器33が、基本波空胴である場合、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の外周壁41までの距離d2が、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の内周壁40までの距離d1に対して１．２〜１．６倍となる関係を有する。 - 特許庁

The sum of drift distance of the electron and drift distance of the hole is thereby constant regardless of the mutual acting position of radiation and the element, so that radiation energy can be measured with high sensitivity and high resolution by measuring the wave height distribution of output pulse.例文帳に追加

これにより、電子のドリフト距離と正孔のドリフト距離の和が放射線と素子との相互作用位置によらず一定になるので、出力パルスの波高分布を測定することにより、放射線のエネルギーを感度良くしかも高分解能で測定することができる。 - 特許庁

In the case the cavity resonator 33 is a second high harmonic wave hollow, the distance d2 from the center of the drift tube 32 to the outer peripheral wall 41 of the cavity resonator 33 has the relation of becoming 1.1 to 1.25 fold against the distance d1 from the center of the drift tube 32 to the inner peripheral wall 40 of the cavity resonator 33.例文帳に追加

空胴共振器33が、第２高調波空胴である場合、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の外周壁41までの距離d2が、ドリフト管32の中心から空胴共振器33の内周壁40までの距離d1に対して１．１〜１．２５倍となる関係を有する。 - 特許庁

A distance f from the backside of the guard ring 10 to the backside of the drift layer is longer than a distance from the backside of the body region to the backside of the drift layer, and a thickness h of the collector layer in the peripheral region is smaller than a thickness d of the collector layer in the active region.例文帳に追加

ガードリング１０の裏面からドリフト層裏面までの距離ｆがボディ領域の裏面からドリフト層の裏面までの距離よりも長く、周辺領域のコレクタ層の厚みｈが、活性領域のコレクタ層の厚みｄよりも薄い。 - 特許庁

The pre-bunching mechanism for the electron beam irradiation device, wherein a pre-buncher 11 is connected between an electron gun 10 and an accelerating tube 13 for bunching electron beams with high frequencies, includes a drift distance adjusting mechanism 12 provided between the pre-buncher 11 and the accelerating tube 13 for adjusting a drift distance.例文帳に追加

電子銃１０と加速管１３の間に、電子ビームを高周波によりバンチングするプリバンチャー１１を接続した電子線照射装置のプリバンチング機構において、プリバンチャー１１と加速管１３の間に、ドリフト距離を調整するドリフト距離調整機構１２を設けたものである。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。 - 特許庁

In matching with the drift of the wavelength of the light irradiated from the light-emitting element 2, a distance measuring control circuit 15 controls the bandpass filter drive section 18 from the wavelength of the light-emitting element 2 that corresponds to the temperature.例文帳に追加

発光素子２から照射する光の波長がドリフトするに合わせて、距離測定制御回路１５は、この温度に対応する発光素子２の波長から、バンドパスフィルタ駆動部１８を制御する。 - 特許庁

This IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) is provided with an insulating region 42 formed so as to be positioned with a predetermined distance from a gate insulating film 34 in an n^--type drift region 24 existing in a clearance between trench gate electrodes 32.例文帳に追加

トレンチゲート電極３２間の間隙に存在するｎ^−型ドリフト領域２４内の、ゲート絶縁膜３４から所定距離を隔てた位置に形成されている絶縁領域４２を備えるＩＧＢＴである。 - 特許庁

Further, a distance from an interface between the N^- drift layer 1 and P^+ base layer 4 to a boundary between the first gate insulating film 11a and second gate insulating film 11b is 2 to 5 μm.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１とＰ^+ベース層４との界面から第１ゲート絶縁膜１１ａと第２ゲート絶縁膜１１ｂとの境界までの距離は２μｍ以上５μｍ以下である。 - 特許庁

On a wall surface 3 of the tunnel 2, a support cylinder body 7 having an insertion hole 6 for the optical fiber 5 is laterally provided at a distance from a swell part 9 of a drift rod body 4.例文帳に追加

トンネル２の壁面３へ、打込棒体４の膨出部９から離れた個所に、光ファイバー５の挿通穴６を有する支持筒体７を横方向に設ける。 - 特許庁

In addition, the distance between the bottom of this trench 13 and the insulating film 2 on the support substrate 1 is made to be 1 μm or more and 75% or less of the thickness of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

そして、このトレンチ１３の底部と支持基板１上の絶縁膜２との距離が、１μｍ以上、かつ、ｎ型ドリフト層３の厚さの７５％以下になるようにする。 - 特許庁

The drift distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the body contact diode region 13 is set shorter than the distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the MOSFET region 14.例文帳に追加

ボディコンタクトダイオード領域１３におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離がＭＯＳＦＥＴ領域１４におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離よりも短く設定してある。 - 特許庁

A clock bias Be and a reception position are calculated from a pseudo distance including a clock bias error output from a GPS receiver 16, and a clock drift D is calculated based on clock bias Be of past n points or Doppler information output from the GPS receiver, and a reference clock bias Bs is estimated by using a regression expression or a Kalman filter based on the calculated clock drift D.例文帳に追加

ＧＰＳ受信機１６から出力されたクロックバイアス誤差を含む疑似距離から、クロックバイアスＢｅ及び受信位置を算出し、過去ｎ点のクロックバイアスＢｅ、またはＧＰＳ受信器から出力されるドップラー情報に基づいてクロックドリフトＤを算出し、算出されたクロックドリフトＤに基づいて、回帰式、またはカルマンフィルタを用いて基準クロックバイアスＢｓを推定する。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

In order to calculate the target value of a regenerative braking force in the drift driving state of a vehicle, the generative braking device of the vehicle calculates a reference regenerative braking force (step S10), and further, calculates a correction value corresponding to the distance between vehicles and a correction value which corresponds to the situation of a road ahead respectively (steps S16 and S20).例文帳に追加

回生制動装置は、惰行運転時に回生制動力の目標値を算出する際、基準となる回生制動力を算出し（ステップＳ１０）、更に、車間距離に応じた補正量と先行きの道路状況に応じた補正量をそれぞれ算出する（ステップＳ１６，Ｓ２０）。 - 特許庁