「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

At the dry-etching, the flow rate of an etching gas and etching time is adjusted so that the cross-section shape of the trench channel 5 comes to be tapered.例文帳に追加

ドライエッチング時においては、トレンチ溝５の断面形状が順テーパー形状となるように、ドライエッチング時のエッチングガスの流量およびエッチング時間を調節する。 - 特許庁

Next, an etching mask 14 is formed, a part of the p-GaN layer 12 is subjected to dry etching (fig. 1b), and the etching mask 14 is removed after executing SC1, SC2 cleaning (fig. 1c).例文帳に追加

次に、エッチングマスク１４を形成し、ｐ−ＧａＮ層１２の一部をドライエッチングし（図１ｂ）、ＳＣ１、ＳＣ２洗浄を行った後エッチングマスク１４を除去する（図１ｃ）。 - 特許庁

The element isolation film and the buried oxide film 105 are removed through dry etching, the etching blocking film 155 is removed through wet etching and a hole exposing the support substrate is formed.例文帳に追加

素子分離膜及び埋没酸化膜１０５を乾式エッチングで、エッチング阻止膜１５５を湿式エッチングで除去して支持基板を露出させるホールを形成する。 - 特許庁

Next, dry etching is performed to the etching film (ferroelectric material 2) to form the reaction product 9 made from etching gas and the ferroelectric material 2 on the adherent layer 11.例文帳に追加

次いで、被エッチング膜（強誘電体材料２）をドライエッチングして、密着層１１上にエッチングガスと強誘電体材料２との反応生成物９を形成する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of dry etching even for copper or materials containing copper at an enough speed without causing problems such as side etching and surface roughness.例文帳に追加

銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching that can improve etching efficiency at the time when dry etching of resist is performed, can improve working efficiency by shortening an etching time, and can prevent the damage of a processing object and the deterioration of its properties.例文帳に追加

レジストをドライエッチングする際のエッチング効率を向上させることができ、エッチング時間を短縮して作業効率を向上させ、被処理物が損傷したり特性が劣化することを抑制することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The via protective layer 114 consists of a material, where selectivity of the wet etching is about 100 times the selectivity of the wet etching of the dielectric layer 108 or over and the selectivity of the dry etching is equal to the selectivity of the dry etching of, at least, the dielectric layer.例文帳に追加

ビア保護層１１４はウエットエッチングの選択率が誘電体層１０８のウエットエッチングの選択率の約１００倍又はそれ以上で、ドライエッチングの選択率が少なくとも誘電体層１０８のドライエッチングの選択率と等しい材料からなる。 - 特許庁

As etching masks in an etching process on a metal base 1, a permanent dry-film resist is used on one surface, and a removable dry-film resist or noble-metal plating for bonding is used on the other surface.例文帳に追加

金属基材１のエッチング工程で、エッチングマスクとして、片面に永久ドライフィルムレジストを用い、もう一方の面に剥離型ドライフィルムレジスト又はボンディング用の貴金属めっきを用いる。 - 特許庁

To provide a treating device suitable for conveniently and safely treating a dry etching exhaust gas, and a method for treating the dry etching exhaust gas using the treating device.例文帳に追加

本発明の課題は、ドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した処理装置及び当該処理装置を用いたドライエッチング排ガス処理方法を提供することにある。 - 特許庁

A groove (H) transversing the optical waveguide is formed in the wave guide thin film (12) by dry etching, and the groove (H) is dug down in the silicon substrate (11) halfway by dry etching with the wave guide thin film (12) as a mask.例文帳に追加

光導波路を横切る溝(H)をドライエッチングにより導波薄膜(12)に形成し、その導波薄膜(12)をマスクとするドライエッチングによりシリコン基板(11)の途中まで溝(H)を掘り下げる。 - 特許庁

Since it takes 7.5 minutes for the Al2O3 film to be completely removed by dry etching, a RF power supply is turned off to stop the dry etching, whereby the Al2O3 film is left unetched.例文帳に追加

従って、Ａ１_2 Ｏ_3 膜がドライエッチングにより完全に消滅するためには７．５分要するため、この間でＲＦ電源をオフにして、ドライエッチングを停止することによりＡ１_2 Ｏ_3 膜を残す。 - 特許庁

The silicon layer 202 stops dry etching the insulation layer 121 to prevent the damage of the metal silicide layer 124 and also prevents the damage of this layer 124 during its dry etching.例文帳に追加

絶縁層１２１のドライエッチングもシリコン層２０２で停止させて金属シリサイド層１２４のダメージを防止し、金属シリサイド層１２４のドライエッチング時のダメージもシリコン層２０２で防止する。 - 特許庁

Dry etching for forming the trench on the surface on a semiconductor element forming side of the wafer 1 and dry etching for making the entire back surface of the wafer 1 into the thin layer are simultaneously performed in the same atmosphere.例文帳に追加

ウエハー１の半導体素子形成側の表面にトレンチを形成するド ライエッチングと、前記ウエハー１の裏面全面を薄層化するドライエッチング を、同じ雰囲気中で同時に行う。 - 特許庁

When dry etching using etching gas containing at least COF_2 gas is performed, the silicon nitride film 22 can be favorably dry-etched and a channel protection film is formed under the resist film 23.例文帳に追加

そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。 - 特許庁

An in-line film thickness measuring unit M measures the film thickness of a wafer before and after execution of dry etching, and calculates a dry etching time of the process chamber P by setting the measured value as a parameter.例文帳に追加

インライン膜厚測定ユニットＭは、ドライエッチング実行時点の前後においてウェーハの膜厚を測定し、この測定値をパラメータとしてプロセスチャンバーＰのドライエッチング時間を算出する。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold used for imprint by dry etching a substrate 10 made of quartz by using a dry etching apparatus includes the mask forming step of forming an etching mask 20 having a concave and convex pattern on the substrate 10, and the etching step of forming a protective film 30 on a side of the etching mask 20 and for etching the substrate 10 at the same time.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いて石英製の基板１０をドライエッチングすることにより、インプリントに用いるモールドの製造方法において、基板１０に凹凸パターンを有したエッチングマスク２０を形成するマスク形成ステップと、エッチングマスク２０の側壁への保護膜３０の形成と基板１０のエッチングとを同時に行うエッチングステップとを含む。 - 特許庁

Semiconductor layers 111 to 109a are dry-etched using a second photomask 116 while the progression of the dry etching is observed through a second etching monitoring opening portion 118, and the dry etching is stopped in predetermined timing corresponding to disappearance of the first lower clad layer 103.例文帳に追加

第二フォトマスク１１６を用いて半導体層１１１〜１０９ａのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部１１８を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層１０３の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

In the dry etching system 102, a reaction chamber 106 is evacuated by means of a dry pump 112 upon finishing dry etching and a vacuum pressure gauge 108 delivers a measurement start command signal 18 when the pressure drops below a reference level.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０２では、ドライエッチング終了後、ドライポンプ１１２による反応チャンバー１０６の真空引きが行われ、真空圧力計１０８は、圧力が基準値を下回ったとき計測開始指令信号１８を出力する。 - 特許庁

Therefore, the etching amount is reduced, and bowing does not readily occur in the fluid channels 15 even in dry etching for an aspect ratio of R10 to R100.例文帳に追加

よって、エッチング量が小さくなり、アスペクト比がＲ１０〜Ｒ１００のドライエッチングでも、液流路１５にボーイングが発生し難い。 - 特許庁

After a trench 7 has been formed by dry etching, a wet etching treatment is performed using a mixed solution of H2O2 and HF as an etchant.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてトレンチ７が形成された後に、H_2O_2とHFとを含む混合液をエッチャントとして用いて、ウェットエッチングが実行される。 - 特許庁

To permit dry etching inhibiting the amount of pattern shift and obtaining desired etching shapes regardless of the pattern to be formed.例文帳に追加

形成しようとするパターンに関係なく、寸法シフト量を抑制でき且つ所望のエッチング形状が得られるドライエッチングを可能とする。 - 特許庁

To provide a method for ensuring improved etching control in terms of semiconductor fabrication method containing an insulating film dry etching process.例文帳に追加

絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。 - 特許庁

By this anisotropic dry etching, a conical etching residue 6 having an apex made of the crystal defect 4 is left on the surface of the wafer 2.例文帳に追加

この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。 - 特許庁

To increase the uniformity of an etching rate in the plane of a semiconductor substrate when the removal of an insulating film of the substrate is carried out by dry etching.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜除去をドライエッチングで行う場合に、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。 - 特許庁

Then, the group III-V compound semiconductor 16a is subjected to dry etching using the etching mask M, thus forming a plurality of recesses 44.例文帳に追加

次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の凹部４４を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus which is improved so as to increase etching rate and uniformity of a shape.例文帳に追加

エッチングレートや形状の均一性を高めることができるように改良されたドライエッチング装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silica fine structure, such that when a silica layer is subjected to dry etching, etching can be stopped at a desired level.例文帳に追加

シリカ層を乾式エッチングする時、希望する位置でエッチングを停止することのできるシリカ微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming and etching the sacrificial oxide film 14, a damaged layer occurring on the inner wall of the trenches 13 is removed at the time of dry etching.例文帳に追加

犠牲酸化膜１４の形成およびエッチングにより、ドライエッチング時にトレンチ１３の内壁に発生した損傷層が除去される。 - 特許庁

After the dry etching of the surface 9a, an adhesive layer is removed by wet etching and the crystal substrate 9 is peeled off the supporting substrate 11.例文帳に追加

表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。 - 特許庁

Then, a dry etching or a wet etching is applied to the second layer film 130 by using a pattern 150 formed on the resist layer 140 as a mask.例文帳に追加

次に、レジスト層１４０に形成されたパターン１５０をマスクとして第二層膜１３０にドライエッチング、又はウェットエッチングを施す。 - 特許庁

The diffusion barrier film pattern is formed by dry-etching a diffusion barrier film and the seed film pattern is formed by wet-etching a seed film.例文帳に追加

拡散防止膜パターンは拡散防止膜を乾式エッチングして形成され、シード膜パターンはシード膜を湿式エッチングして形成される。 - 特許庁

Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.例文帳に追加

次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁

To control so, for example, the mask is formed by using a resin material and dry etching is performed by using etching gas containing oxygen.例文帳に追加

このように制御するためには、例えばマスクを樹脂材料により形成し、ドライエッチングを酸素を含むエッチングガスを用いて行う。 - 特許庁

A Fresnel lens or a holographic diffuser may be formed on a surface by wet chemical etching or dry etching techniques in conjunction with a lithographic technique.例文帳に追加

フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。 - 特許庁

A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.例文帳に追加

フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁

In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.例文帳に追加

不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁

A dry etching apparatus having a gas introduction section 6 at an upper portion in the etching chamber 2 introduces cleaning gas into the etching chamber 2 and generates plasma in the etching chamber 2 so that the density of plasma 14 increases at an upper portion in the etching chamber 2.例文帳に追加

エッチングチャンバー２内の上部にガス導入部６をもつドライエッチング装置では、エッチングチャンバー２内にクリーニングガスを導入し、エッチングチャンバー２内の上部でプラズマ１４の密度が高くなるようにエッチングチャンバー２にプラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide an etching method in a stacked film structural body capable of efficiently etching a removal part in which a layer suited for dry etching is interposed into a space between layers suited for wet etching, and to provide a wafer used for the etching method.例文帳に追加

ウェットエッチングに適した層の間にドライエッチングに適した層が介在されている除去部を効率よくエッチングすることができる、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which permits stable formation of a low-resistance contact structure.例文帳に追加

低抵抗のコンタクト構造を安定して形成することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

At this moment, a liquid repellant layer 10 is formed like a film on the surface layer of the confining wall 8 by dry etching.例文帳に追加

ここで、ドライエッチングによって、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。 - 特許庁

DRY ETCHING WORKING METHOD AND WORK PIECE AND STRUCTURE USING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加

ドライエッチング加工方法と被加工体およびスピントンネル磁気抵抗効果膜を用いた構造体 - 特許庁

The upper sacrifice layer 34 is removed by dry-etching via the upper through hole 18.例文帳に追加

そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。 - 特許庁

Striped-shaped red patterns 27R are formed on a support member 11 by using a dry etching method.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７Ｒを支持体１１上に形成する。 - 特許庁

Striped-shaped blue patterns 27B are formed on a support member 11 by using a dry etching method.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の青色パターン２７Ｂを支持体１１上に形成する。 - 特許庁