「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type resist, excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

To solve such a problem that when dry etching is performed after grinding a row bar or a floating plane of a magnetic head slider, conductive smear caused by plastic flow in grinding can be eliminated, while a damage region is formed at an end plane of an intermediate layer of a magneto-resistance effect film, and output is reduced or dielectric strength is reduced.例文帳に追加

ローバーあるいは磁気ヘッドスライダの浮上面研磨加工後に、ドライエッチングを行うと、研磨加工時の塑性流動による導電性スメアを除去することは可能であるが、磁気抵抗効果膜の中間層の端面に損傷領域が形成され、出力の低下或いは絶縁耐圧の低下などの問題が発生する。 - 特許庁

To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加

ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a photosensitive compound capable of maintaining a transparent property even under an exposure light source having ≤193 nm short wave length, excellent in adhering capability to a base plate and not only excellent in wettability toward a developing liquid but also in resistance to dry etching, and a chemically amplifying type photoresist composition.例文帳に追加

本発明は１９３ｎｍ以下の短波長の露光源下でも透明性を維持し、基板に対する付着力に優れ、現像液に対する湿潤性に優れるだけでなく、乾式蝕刻に対する耐性が大きい感光性化合物及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物に関するものである。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When dry etching of a low selection ratio is applied for a polysilicon film 103 as the film to be treated, a light is emitted to the polysilicon film 103, and an interference light is measured as lights reflecting respectively from a boundary between the polysilicon film 103 and a gate oxide film 102 as its base and from the surface of the polysilicon film 103.例文帳に追加

被処理膜であるポリシリコン膜１０３に対する低選択比のドライエッチングにおいて、ポリシリコン膜１０３に光を照射することにより、ポリシリコン膜１０３とその下地であるゲート酸化膜１０２との界面、及びポリシリコン膜１０３の表面のそれぞれからの反射光によって形成される干渉光を測定する。 - 特許庁

The resist composition contains (A) a polymer containing a unit formed by the cleavage of an ethylenic double bond and having a fluorine atom or a fluorine-containing lower alkyl group (a1) and an aromatic group (a2) which imparts dry etching resistance and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.例文帳に追加

本発明は、（Ａ）フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付与する芳香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重結合が開裂して形成される単位を含む重合体、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなるレジスト組成物、並びにそれに用いるレジスト用基材樹脂である。 - 特許庁

Further, by shortening the dry etching time, a pattern of the light shielding film having an excellent sectional shape can be formed.例文帳に追加

透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 - 特許庁

To provide a lactone copolymer resin which is highly transparent to radiation, can solve the problem on how to take a trade-off between resolution and exposure latitude and is suitable as a resin component in a chemical amplification resist to provide the resist with excellent dry etching resistance and pattern figure; and a radiation-sensitive resin composition containing the lactone copolymer resin.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストの樹脂成分として好適なラクトン系共重合樹脂、および当該ラクトン系共重合樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

A patterned Al layer 22 is formed on the surface of a silicon substrate 21 for manufacturing the orifice plate, and the silicon substrate 21 is subjected to dry etching while using an Al layer 22 as a mask, thereby forming a hole 21a serving as a recessed part disposed at the position corresponding to a discharge opening on the surface of the silicon substrate 21 and forming a groove-shaped cut line 21d.例文帳に追加

オリフィスプレートを作製するためのシリコン基板２１の表面に、パターニングされたＡｌ層２２を形成し、Ａｌ層２２をマスクとしてシリコン基板２１のドライエッチングを行うことで、シリコン基板２１の表面における吐出口に対応する位置に配置された、凹部としての穴２１ａ、および溝状の切断ライン２１ｄを形成する。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

To provide a polymer having methylol group and a lactone ring, having a suitable hydrophilicity and hydrophobicity, e.g. on using as a resist material, exhibiting an excellent transparency and dry etching resistance, also excellent in alkali-dissolution property and close adhesion with a substrate, and capable of realizing a high resolution, and a positive resist material using the same.例文帳に追加

適度な親水性及び疎水性を有し、例えば、レジスト材料として用いた場合には、優れた透明性及び耐ドライエッチング性を発揮するとともに、アルカリ溶解性や基板密着性に優れ、高解像性を実現できるメチロール基及びラクトン環を有する重合体、並びに、該重合体を用いたポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

The mask material used in dry etching magnetic materials with mixed gas of carbon monoxide and a compound including nitrogen is characterized in consisting of a metal (either of tantalum, tungsten, zirconium, or hafnium) of which the melting point or the boiling point rises when the material changes into a nitride or a carbide.例文帳に追加

一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属（タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか）からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材によって課題を解決した。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a residue removing composition capable of removing residues originating in a resist and/or residues originating in metals such as copper and aluminum remaining after dry etching on a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, an organic EL panel, a printed circuit board or the like, in particular, a wiring board containing titanium and/or titanium alloy without corroding the titanium and/or titanium alloy.例文帳に追加

半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a dry etching device which is equipped with an He cooling mechanism for cooling a glass board 1 and a frame-shaped clamp 2 for pressing and fixing the periphery of the glass board all around from it upper side, the clamp 2 is inclined to be thicker from the inside periphery to outside periphery so that the flow of processing gas may be performed smoothly.例文帳に追加

ガラス基板１を冷却するためのＨｅ冷却機構と、ガラス基板１周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ２を備えたドライエッチング装置において、クランプ２に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。 - 特許庁

To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.例文帳に追加

反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

By arranging a lens structure part 3 formed of a polysilane material on a light-transmissive substrate 2, a selection range of materials constituting the light-transmissive substrate 2 is widened, and the heat-resistance is improved by post-baking, and the lens structure part 3 is formed only by a photoengraving process, dispensing with a dry etching process.例文帳に追加

透光性基板２上に、ポリシラン材料によって形成されたレンズ構造部３を設けることにより、透光性基板２を形成する材料の選択範囲を広くし、ポストベークによって耐熱性を向上させ、ドライエッチングを行うことなく写真製版工程のみでレンズ構造部３を形成することができるようにした。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.例文帳に追加

レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.例文帳に追加

本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.例文帳に追加

本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁

Before a silicon substrate 100 to be a foundation of the lid body 17 is bonded to the body 1, a surface opposed to the one surface of the body 1 as one of the surfaces of the silicon substrate 100 is counterbored by dry etching, whereby, a gap d is opened between a site other than a site to be the lid body 17 of the silicon substrate 100 and one surface of the body 1.例文帳に追加

蓋体１７の基礎となるシリコン基板１００をボディ１に接合する前に、シリコン基板１００の一表面であってボディ１の一表面に対向する表面をドライエッチングで座刳ることにより、シリコン基板１００の蓋体１７となる部位以外の部位とボディ１の一表面との間に隙間ｄを空けている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has high transparency for radiations, has excellent resist fundamental physical properties such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, and pattern formation, and has high resolution performance and small pattern line edge roughness, to provide a polymer capable of being used for the composition, and to provide a new compound used for synthesizing the polymer.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、解像性能が高く、パターンのラインエッジラフネスが小さい感放射線性樹脂組成物、その組成物に利用できる重合体およびこの重合体合成に用いられる新規化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition exhibiting satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, having high dry etching resistance, and excellent in line edge roughness and image forming properties.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、耐ドライエッチング性が高く、ラインエッジラフネス特性に優れ、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 includes, in the surface of a quartz substrate or a glass substrate, a microlens array 8 constituted of a plurality of continuous concave microlenses 11 and an alignment mark 7 formed outside a microlens array region, wherein the microlens array 8 and the alignment mark 7 are simultaneously formed by a transfer method through dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板またはガラス基板の表面内に、連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８と、マイクロレンズアレイ領域外に形成されたアライメントマーク７を有し、マイクロレンズアレイ８及びアライメントマーク７が、ドライエッチングによる転写法で同時に形成されて成る。 - 特許庁

The chemical amplification-type negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching comprises (A) a photoacid generating agent, (B) at least one resin component selected from novolak resins, polyhydroxy styrene resins and acrylic resins, (C) at least one plasticizer selected from acrylic resins and polyvinyl resins, (D) a crosslinking agent and (E) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）光酸発生剤、（Ｂ）ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、およびアクリル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の樹脂成分、（Ｃ）アクリル樹脂およびポリビニル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の可塑剤、（Ｄ）架橋剤、（Ｅ）有機溶剤を含むことを特徴とする低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物。 - 特許庁

The diffraction element with high light utilization efficiency can be achieved by utilizing a crystal transparent substrate 20 with retardation; forming a birefringent film 24 of a polymer liquid crystal on the transparent substrate; forming periodic lattices 27 in the polymer liquid crystal film by photolithographic method and dry etching; and filling the uneven parts of the formed lattices with an isotropic material 28.例文帳に追加

位相差を有する水晶の透明基板２０を使用し、その上に高分子液晶の複屈折性膜２４を形成し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により高分子液晶膜に周期的な格子２７を形成し、形成された格子の凹凸部を等方性材料２８で充填することで高い光利用効率を有する回折素子を実現した。 - 特許庁