「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A recessed part is formed inside the opening part 22 by anisotropic wet etching, and anisotropic dry etching is applied until the inner surface of the recessed part reaches the substrate surface while using the first passivation layer 20 as an etching stop layer.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングにより、開口部２２の内側に凹部を形成し、第一のパッシベイション層２０をエッチングストップ層として、凹部の内面を基板表面に達するまで異方性ドライエッチングする。 - 特許庁

At the time of the dry etching, the etching termination is detected by a change in emission spectrum intensity of an etching product when the surface of the semiconductor are exposed in the element holes 16b and the region WS.例文帳に追加

ドライエッチング時には、素子孔１６ｂ及び領域ＷＳに半導体表面が露呈される時点をエッチング生成物の発光スペクトル強度の変化からエッチング終点として検出する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which allows low taper angle by employing an inclined structure of two steps or more in the etching sidewall, and simplification of the peeling process after etching.例文帳に追加

本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since the aperture area ratio of the array substrate 3 is enhanced, the change amount of light emission of an etching gas during dry-etching is made high and timing of just-etching can be easily detected by detecting the change amount.例文帳に追加

アレイ基板３の開口面積率が向上するので、ドライエッチング中のエッチングガスの発光の変化量が大きくなり、この変化量を検出することでジャストエッチングのタイミングを容易に検出できる。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of suppressing deterioration in an etching rate caused by the coexistence of an etching gas and a reaction gas for protective film formation, and improving the film deposition rate of the protective film.例文帳に追加

エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching processing apparatus and a processing method capable of sharply facilitating the removal of any residue produced by an etching processing, and of making optimum the surface state of a substance to be processed after the etching processing.例文帳に追加

エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、エッチング処理後の被処理物の表面状態を最適にできるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。 - 特許庁

The heat radiation structure constituted of a recess or a convex part which is independent of crystal orientation can be formed by carrying out dry etching, wet etching, impurity ion injection and wet etching in this order.例文帳に追加

放熱構造は、ドライエッチング、ウエットエッチング、不純物イオンを注入した後ウエットエッチングを行うことで、結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部からなる放熱構造を形成することができる。 - 特許庁

A process for creating a close contact layer is provided with a dry etching step for etching a material for the close contact layer by using an etching gas including at least a hydrogen atom component and a nitrogen atom component.例文帳に追加

本発明は、密着層を作成する工程に、少なくとも水素原子成分及び窒素原子成分を含むエッチングガスにより密着層の材料をエッチングするドライエッチング工程を設ける。 - 特許庁

To provide the etching method of a gallium nitride compound semiconductor, which suppresses an etching rate and etching dispersion by previously introducing O2 gas to etching gas, improves the controllability and the workability of a dry etching rate and can obtain the satisfactory reproducibility of an electric characteristic.例文帳に追加

あらかじめエッチングガスにＯ_2ガスを導入することによりエッチングレートとエッチングばらつきを抑制し、ドライエッチングレートの制御性および作業性を向上させ、かつ良好な電気的特性の再現性を得る為の窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

The transparent substrate 1 of the apertures 3 is subjected to prescribed dry etching by dry etching, etc., and is thus provided with dug parts 4 for phase difference regulation, by which the halftone type phase shift mask 20 with the shading regions is obtained.例文帳に追加

必要に応じて、開口部３の透明基板１をドライエッチング等により所定の深さエッチングして位相差調整用堀り込み部４を設け本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク２０を得る。 - 特許庁

A plurality of holes (h) are formed below the plurality of second openings after the dry etching starts, and the plurality of holes (h) connect with one another at an upper part 42 including at least opening ends as the dry etching is carried on.例文帳に追加

ドライエッチングの開始後、複数の第２の開口のそれぞれの下に複数のホールｈが形成され、ドライエッチングの進行に伴って、複数のホールｈは少なくとも開口端を含む上部４２で互いにつながる。 - 特許庁

An opening 502 is provided to a silicon board 501 by dry etching, and fine through-holes 506 are provided to a lid member 504 by dry etching, and the silicon board 501 and the lid member 504 are joined together through the intermediary of a metal wiring 503.例文帳に追加

シリコン基板５０１にドライエッチングにより開口部５０２を設け、蓋部材５０４に微細貫通孔５０６をドライエッチングにより加工し、金属配線５０３を介しシリコン基板５０１と蓋部材５０４を接合する。 - 特許庁

After depositing a support medium 41 so as to embed the groove, dry etching of the support medium 41 is carried out so as to form a shape of the element region, and subsequently, dry etching of the second semiconductor layer 12/the first semiconductor layer 11 is carried out.例文帳に追加

この溝を埋め込むようにして、支持体４１を成膜した後、当該支持体４１を素子領域の形にドライエッチし、連続して第２半導体層１２／第１半導体層１１をドライエッチする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a color filter capable of removing easily a photoresist layer after dry etching treatment, and capable of forming a desired color layer pattern, in the manufacturing method for the color filter using dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device exhaust electrode which makes uniform formation of plasma on a wafer and reduces a volume occupied by a process chamber, and the process chamber of a semiconductor device manufacturing dry etching device.例文帳に追加

ウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、また工程チャンバーが占める体積を減らす乾式エッチング装置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーを提供する。 - 特許庁

A dry etching apparatus 11 includes a coil 36 for generating a plasma in a vacuum container 12, and a camera 45 which photoes the image of the surface to be etched of the substrate (1) which generates the plasma and is under processing by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング装置１１は、真空容器１２内にプラズマを発生させるコイル３６と、プラズマが発生してドライエッチングにより加工中である基板（１）の被エッチング面の画像を撮影するカメラ４５を備える。 - 特許庁

When the pattern is formed by dry etching for the carbon nano-tube, metal film or film of material not damaged during dry etching and not damaging the carbon nano-tube during removal is used as a mask.例文帳に追加

また、カーボンナノチューブをドライエッチング法を用いてパターンを形成するに当たり、マスクとして金属膜またはドライエッチング時にダメージを受けない物質であり、除去時にカーボンナノチューブにダメージを与えない物質の膜を用いる。 - 特許庁

To provide a dry etching device in which a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching of the substrate can be removed or reduced efficiently, and to provide a neutralization method of a substrate.例文帳に追加

基板に対するドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を効率的に除去あるいは減少させることができるドライエッチング装置および基板の除電方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a lithography mask by which end detection accuracy in dry etching is enhanced by detecting the end of dry etching by a method different from measurement of an optical characteristic.例文帳に追加

ドライエッチングにおける終点検出を、光学特性の検出とは異なる方法により行うことで、ドライエッチングにおける終点検出精度を向上させるリソグラフィーマスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.例文帳に追加

ゲート電極２１の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素（Ｃｌ）およびフッ素（Ｆ）を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのＡｌに対する選択性によりエッチングストップ層（障壁層１７）でエッチングが停止する。 - 特許庁

A dry etching characteristic evaluating apparatus 11 detects etching end time, based on the light emission strength of plasma light emission wavelength detected by a plasma light emission detecting part 5, and calculates the etching speed and uniformity by an arithmetic part 14 from the etching end time and the film thickness of a film to be etched.例文帳に追加

プラズマ発光検出部５で検出したプラズマ発光波長の発光強度に基づいてエッチング終了時間を検出し、これを被エッチング膜の膜厚とからエッチング速度およびその均一性を演算部１４にて算出する。 - 特許庁

In a dry etching method with an inductive coupling etching unit, an etching gas contains a chlorine gas and an etching step is carried out with a flow rate of chlorine gas of 0.0025 to 0.034 Pa.m3/sec under the atmosphere that doesn't contain an argon gas and nitrogen gas.例文帳に追加

誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m^3／sec以上0.034Pa・m^3／sec以下で当該エッチングを行なう。 - 特許庁

Through second dry etching using the insulating layer 51 and protective film 52 as a mask, a second sidewall 22 is formed.例文帳に追加

絶縁層５１および保護膜５２をマスクとした２回目のドライエッチングにより、第２の側壁２２を形成する。 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR LOW-TEMPERATURE DRY ETCHING AND PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

低温ドライエッチング用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 - 特許庁

A process of forming via holes 8, 9 on the laminate structure 20 is executed by combining first and second dry etching.例文帳に追加

積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。 - 特許庁

To prevent production of fence-like residue when a level difference shape of two or more steps is formed by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより２段以上の段差形状を形成する場合に、フェンス状の残渣の発生を防止する。 - 特許庁

The nozzle-wafer relative velocity to be given to the dry etching system as a command value is calculated by using these data.例文帳に追加

このデータを用いてドライエッチング装置に指令値として与えるためのノズル・ウェハ相対速度を計算する。 - 特許庁

CHEMICAL AMPLIFICATION-TYPE NEGATIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION FOR LOW-TEMPERATURE DRY ETCHING AND METHOD FOR PHOTORESIST PATTERN FORMATION USING THE SAME例文帳に追加

低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたホトレジストパターン形成方法 - 特許庁

To monitor the generation of a black silicon and its signs in dry etching of a substrate which consists of a silicon series material.例文帳に追加

シリコン系材料からなる基板のドライエッチングにおいてブラックシリコンの発生及びその兆候を監視する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method whose selection ratio for the ground is large and which forms wirings of tapered shapes.例文帳に追加

下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After wet etching the metal film 106, n^+a-Si film 105 and an a-Si film 104 are dry etched.例文帳に追加

金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。 - 特許庁

To realize dry-etching without generation of under-cut, using active seeds generated under atmospheric condition.例文帳に追加

大気圧状態で生成した活性種を用いてアンダーカットを生ずることなくドライエッチングをできるようにする。 - 特許庁

To provide a dissolution suppressant having high dry etching resistance and excellent adherence to an film material.例文帳に追加

乾式食刻に対する耐性が大きく、膜質への接着力に優れた溶解抑制剤を提供する。 - 特許庁

To reduce dispersion of surface treatment (such as etching) in a substrate surface in a dry process using a reactive gas.例文帳に追加

反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減する。 - 特許庁

Therefore, the manufacturing process of the device can be simplified, and the device can be refined by adopting the dry etching.例文帳に追加

そのことで、本発明では、製造工程の簡略化、ドライエッチイングを採用することでの微細化を実現できる。 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

Then the side-wall insulating films and a silicon oxide film are subjected to dry etching by using fluorocarbon-based gas.例文帳に追加

次に、フロロカーボン系のガスを使用して、サイドウォール絶縁膜およびシリコン酸化膜にドライエッチングが施される。 - 特許庁

Thus, the very thin chrome silicide layer 36 can easily and securely be removed by dry etching.例文帳に追加

そして、この極めて薄いクロムシリサイド層３６はドライエッチングにより容易に且つ確実に除去することができる。 - 特許庁

Subsequently, helicon wave dry etching is performed according to the patterns 63-1 and 64-1 to make an ejection nozzle 62.例文帳に追加

この後パターン６４−１及び６３−１に従ってヘリコン波ドライエッチングを行って吐出ノズル６２を穿設する。 - 特許庁

Next, the part which forms the spring 24 suspending the mass part 21 is formed by dry plasma etching in the epitaxial layer.例文帳に追加

次にエピタキシアル層において質量部２１を懸下するばね２４になる部分をドライプラズマエッチングで形成する。 - 特許庁

The dry etching process is carried out by using a chlorine-based gas substantially containing no oxygen.例文帳に追加

前記ドライエッチング処理は、例えば酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理である。 - 特許庁

To provide a method by which a high selection ratio can be obtained in a pattern forming method for a resin film by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。 - 特許庁

The sidewall surfaces of the passages 41 are positioned substantially vertically to the bottom by anisortropic dry etching.例文帳に追加

これらの通路４１の側壁面は、異方性ドライエッチングによって底面に対して略垂直となっている。 - 特許庁

Surface layers of the poly-silicon film 5 and an N-type silicon film 22 are subjected to dry etching with Cl2 or HBr for a predetermined time.例文帳に追加

ポリシリコン膜５及びＮ型シリコン膜２２の表層をＣｌ２やＨＢｒで所定時間ドライエッチングする。 - 特許庁

To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching.例文帳に追加

Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。 - 特許庁