「dry etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A wafer 11, on which a resist pattern 16 is formed, is placed into a dry-etching device, and then dry etching is implemented on an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14, using the resist pattern 16 as an etching mask.例文帳に追加

レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for detecting the end point of etching by which the end point of etching can be detected with high precision and to provide a dry etching system provided with the same apparatus.例文帳に追加

エッチング終点を精度よく検出できるエッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Instead of the wet etching, dry etching with a gas which has a higher etching rate to the adhesives than to the resin mold material can be carried out.例文帳に追加

ウェットエッチングの代わりに、接着剤に対するエッチング率が樹脂型材料に対するエッチング率より大きいガスによるドライエッチングとすることもできる。 - 特許庁

To provide a dry etching device capable of preventing and suppressing the etching of the edge and the rear surface of a wafer and securing the improvement of uniformity of an etching rate in a surface.例文帳に追加

ウエハの端部及び裏面のエッチングを防止抑制し、エッチングレートの面内均一性の向上を確保しうるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor capable of performing desired etching without dependence of the film thickness of an ohmic contact layer or an etching rate during dry etching.例文帳に追加

オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus capable of readily performing etching, whose sectional form is vertical and whose in-plane uniformity is superior, even under various etching conditions.例文帳に追加

多種のエッチング条件下においても、断面形状が垂直で面内均一性の良いエッチングを容易に行なうことができる、ドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of evaluating differences between an etching rate of a dense pattern and etching rates of other parts in a dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにおける、パターンが密な部分のエッチングレートとその他の部分のエッチングレートとの差を評価することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve the planar uniformity of etching when a treatment substrate is enlarged and a treated etching film is formed to a double layer in a dry etching technique.例文帳に追加

ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させる。 - 特許庁

To conduct etching of wafers into uniform sheet by sheet in succession without lowering the throughput, in a sheet type of drying etching device and a dry etching method.例文帳に追加

枚葉式のドライエッチング装置およびドライエッチング方法において、スル−プットを落とさずにウェハのエッチングが一枚づつ連続して一様にできるようにする。 - 特許庁

Further, in a ridge forming process, the second p-type clad layer 6 is removed partially by a first etching process through dry etching and a second etching process through wet etching.例文帳に追加

また、リッジ形成工程において、第２のｐ型クラッド層６を、ドライエッチングによる第１のエッチング工程と、ウェットエッチングによる第２のエッチング工程とにより、部分的に除去する。 - 特許庁

Since the second and fourth surfaces are planar, the application of a microfabrication technology such as dry etching and wet etching is facilitated.例文帳に追加

また、第２、４の面が平面であることから、ドライエッチング、ウエットエッチングのような微細加工技術の適用が容易になる。 - 特許庁

To provide an etching device capable of improving precision in a pattern formed by dry etching using a resist.例文帳に追加

レジストを使用してドライエッチングにより形成されるパターンの精度を高くすることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In a process of forming the micro passage 12A in Fig. 1(c), wet etching may be used instead of anisotropic dry etching.例文帳に追加

なお、図１（ｃ）のマイクロ流路１２Ａを形成する工程では、異方性ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを用いてもよい。 - 特許庁

In dry-etching of the SiC layer 2, a nitrogen-containing gas is added to etching as comprising halogen compound.例文帳に追加

ここで、ＳｉＣ層２のドライエッチングでは、ハロゲン化合物を含むエッチングガスに窒素を含有するガスを添加して行う。 - 特許庁

An end point detector 9 which becomes an etching stopper for the dry etching in pattern-forming the core 3 is formed.例文帳に追加

更に、コア３をパターン形成する際のドライエッチングのエッチングストッパーとなるエンド・ポイント・ディテクター９が形成されている。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a device sheet, by which prescribed dry etching can be exactly performed by fixing the device sheet onto the surface of a substrate in the flat state and peeling after the dry etching can be performed without any trouble and to provide a jig used therefor.例文帳に追加

デバイスシートを基板の表面上に平坦な状態で固定して所要のドライエッチングを正確に行えると共に、係るエッチング後の剥離も支障なく行えるデバイスシートのドライエッチング加工方法およびこれに用いる治具を提供する。 - 特許庁

By the dissolution of the side of the active layer 3, damage by dry etching is removed.例文帳に追加

この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 - 特許庁

After the dry etching is completed, a dipping treatment is executed by a polymer removing liquid to remove a polymer.例文帳に追加

ドライエッチングの終了後、ポリマ除去液で浸漬処理をし、ポリマを除去する。 - 特許庁

Next, the smear 8 is removed with the plasma dry etching process using CF_4 gas or the like.例文帳に追加

次に、ＣＦ_4ガス等を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。 - 特許庁

Residual gas is exhausted from a load lock chamber 6a of a dry etching apparatus 1 by performing the following steps.例文帳に追加

ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。 - 特許庁

A dry etching system (MERIE system) allows dry etching to a chromic half-tone phase shift film.例文帳に追加

金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal device by performing microfabrication of a crystal substrate by dry etching.例文帳に追加

水晶基板をドライエッチングにより微細加工して水晶デバイスを製造する - 特許庁

METALLIC MASK FOR DRY ETCHING, INK-JET PRINTER HEAD COMPRISING THE SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

ドライエッチング用金属マスク、これを備えたインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 - 特許庁

Further, the slight sagging of the outer periphery is removed by dry etching of next step.例文帳に追加

しかも、外周部の若干の研磨ダレは、次工程のドライエッチングで除去される。 - 特許庁

When the conductive film is dry-etched, an etching condition is selected so that a deposition film is formed in the vicinity of an opening in the recess in the middle of the dry etching.例文帳に追加

導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 - 特許庁

To provide a dry etching method having higher selectivity and causing no breakage of a gate oxide film when dry etching a gate electrode in multistep.例文帳に追加

マルチステップにて行うゲート電極ドライエッチングにおいて、ゲート酸化膜破れの生じないより高選択性を有するドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To control dry etching speed on a film boundary even in the case of the same material.例文帳に追加

同じ材料であっても、膜界面においてドライエッチング速度を制御する事。 - 特許庁

To solve cleaning problems in a dry etching device for treating a high-k/metal gate.例文帳に追加

high-k/メタルゲートを処理するドライエッチング装置における、クリーニングの課題を解決する。 - 特許庁

A photo resist needs to be elaborated in order to carry out accurate dry-etching of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のドライエッチングを精度よく行なうため、フォトレジストに工夫を凝らす。 - 特許庁

Then a process of cleaning a silicon substrate surface by dry etching is carried out (S20).例文帳に追加

次いで、シリコン基板表面をドライエッチによりクリーニングする処理を行う（Ｓ２０）。 - 特許庁

A tray 15 of a dry etching device 1 is provided with substrate storage holes 19A-19D.例文帳に追加

ドライエッチング装置１のトレイ１５は、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄを備える。 - 特許庁

The chamfered part 5b can be formed easily with high precision by performing isotropic dry etching before the spacer 5 is formed by anisotropic dry etching.例文帳に追加

この面取り部５ｂは、スペーサー５を異方性ドライエッチングで形成するのに先立ち、等方性ドライエッチングを実施することで、簡単，高精度に加工することができる。 - 特許庁

Gas containing chain perfluoroalkane whose number of carbons is 5 or 6 is used for dry etching.例文帳に追加

炭素数５または６の鎖状パーフルオロアルキンを含むガスをドライエッチングに用いる。 - 特許庁

The acoustic cavity is formed on a back surface of the silicon substrate 12 by anisotropic dry etching.例文帳に追加

異方性ドライエッチングでシリコン基板１２の背面に音響キャビティーを形成する。 - 特許庁

A trench 6, having a predetermined depth, is formed in the semiconductor substrate 1 by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより半導体基板１に所定深さのトレンチ６を形成する。 - 特許庁

The mesa step is formed by dry-etching using a tapered shape of a resist.例文帳に追加

メサ段差部は、レジストのテーパ形状を利用してドライエッチングを用いて形成する。 - 特許庁

DRY ETCHING PROCESS USING SELECTIVE POLYMER MASK FORMED BY CO GAS例文帳に追加

ＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND DRY ETCHING APPARATUS例文帳に追加

半導体素子の製造方法、半導体基板の加工方法及びドライエッチング装置 - 特許庁

The mask blank 1 comprises a light-shielding film 12 and a resist film 14 layered on a light-transmitting substrate 11, wherein the etching rate of the resist film 14 in dry etching using an etching gas containing a chlorine-based gas is 0.5 time or less as the etching rate of the light-shielding film 12 in the same dry etching.例文帳に追加

透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。 - 特許庁

A dry etcher for dry-etching the membrane comprises a mechanism for exhausting an etching gas flowing in between the membrane and an electrode 12 for etching with the etching gas fed to a stencil mask blank 13.例文帳に追加

メンブレンをドライエッチングする際に用いるドライエッチング装置は、電極１２上にステンシルマスク基板１３を載置し、このステンシルマスク基板にエッチングガスを供給してエッチングを行う際、メンブレンと電極との間に入り込んだエッチングガスを排気する機構を備えている。 - 特許庁

In the process of dry-etching the underside of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is moved to the dry etching region, at least once by using the conveyor belt 22, while the semiconductor wafer 1 is being dry-etched.例文帳に追加

半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

When a plurality of identical objects to be processed are processed by the identical dry etching devices 1 and 2, respectively, a data processing unit 7 detects etching time, respectively required for dry etching by both devices 1 and 2.例文帳に追加

この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。 - 特許庁

Since the dry etching surface of the p-type group III nitride semiconductor 8 is rendered n-type by defects caused by etching, ohmic contact cannot be attained when an electrode is formed on a flat plane subjected to dry etching.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。 - 特許庁

A crystal oscillator 2 is arranged so as to be dry-etched by the dry etching means 1 under the same condition as the etched material 5.例文帳に追加

水晶振動子２を、被エッチング材料５と同一条件でドライエッチング手段１によってエッチングされるように配置する。 - 特許庁