「etching agent」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ETCHING AGENT AND MANUFACTURE OF SUBSTRATE FOR ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 - 特許庁

METHOD FOR TREATING COPPER CHLORIDE-CONTAINING WASTE ETCHING SOLUTION, TREATING AGENT AND METHOD FOR RECOVERING COPPER例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液の処理方法、処理剤及び銅の回収方法 - 特許庁

An aqueous solution containing oxalic acid, hydrochloric, and interfacial active agent is used as an etching liquid (composition of etching liquid for conductor film).例文帳に追加

シュウ酸と、塩酸と、界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HEXAVALENT IRON ION SOLUTION, ETCHING TREATMENT AGENT FOR NONCONDUCTIVE MEMBER, AND METHOD FOR ETCHING NONCONDUCTIVE MEMBER例文帳に追加

六価鉄イオン溶液製造方法及び非導電性部材のエッチング処理剤並びに非導電性部材のエッチング処理方法。 - 特許庁

The insulating layer is selectively eliminated by discharged processing agent (etching gas or etching liquid) to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁

ETCHING AGENT FOR COPPER, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR ELECTRONIC APERTURE USING THE SAME AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

銅のエッチング剤、これを用いた電子機器用基板の製造方法および電子機器 - 特許庁

ETCHING AGENT FOR SEMIADDITIVE, SEMIADDITIVE METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING WIRING BOARD例文帳に追加

セミアディティブ用エッチング剤、これを用いたセミアディティブ方法及び配線基板の製造方法 - 特許庁

This etching agent consists of an aq. soln. contg. potassium peroxymonosulfate monohydrogen and hydrofluoric acid.例文帳に追加

ペルオキソ一硫酸一水素カリウムとフッ酸を含有する水溶液からなるエッチング剤。 - 特許庁

ETCHING AGENT FOR COPPER OR COPPER ALLOY, ITS MANUFACTURING METHOD, REPLENISHING LIQUID, AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE例文帳に追加

銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法 - 特許庁

For example, the MEMS substrate in such an etching chamber can be etched by connecting the chamber to the etching station and exposing the MEMS substrate to an etching agent for etching the MEMS substrate.例文帳に追加

例えば、このようなエッチングチャンバ内のＭＥＭＳ基板は、チャンバをエッチングステーションに接続すること、そして、ＭＥＭＳ基板をエッチングするためにＭＥＭＳ基板をエッチング剤に曝露すること、によりエッチングされ得る。 - 特許庁

To provide an etching agent for smoothening the surface of copper under a mild condition, and to provide an etching method for smoothening the surface.例文帳に追加

穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching agent enabling an amorphous ITO film to be etched under a mild condition without causing etching residue at all.例文帳に追加

非晶質ＩＴＯ膜を、温和な条件下で、エッチング残渣を全く発生せずにエッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

At step (j), etch agent is made to advance into the etching space 105 through the etching hole 14 and to fill the etching space 105, and a recess 13 is formed by etching a substrate 11 in the thickness direction (Z direction) from the surface opposite to the etching space 105.例文帳に追加

工程（ｊ）では、エッチング空間１０５に、エッチングホール１４を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間１５をエッチング剤で満たすようにして、基板１１のエッチング空間１０５に臨む表面から厚み方向（Ｚ方向）にエッチングして凹部１３を形成する。 - 特許庁

The etching and activation of the synthetic substance substrate are simultaneously performed in a solution comprising one or more etching reagents, an etching activation wetting agent, and a hydrochloric acid, and noble metal ion-containing activator.例文帳に追加

一つ以上の腐食剤、腐食活性浸潤剤、塩酸および貴金属イオン含有活性化剤を含む溶液を合成物質基板の腐食と活性化を同時に行う。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a transparent electrically conductive thin film under a mild condition without producing any etching residual dross at all by using an oxalic acid solution.例文帳に追加

透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

Thus, in later etching treatment, an etching agent is intruded into the modified region 7 through the defective region 22b of the oxide film 22, whereby etching is selectively developed along the modified region 7.例文帳に追加

よって、その後のエッチング処理では、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂから改質領域７へエッチング剤が侵入され、改質領域７に沿ってエッチングが選択的に進展される。 - 特許庁

The etching chamber is constituted so as to be moved to an etching station containing a steam or gas phase etching agent source, a purge gas source and/or a vacuum source and to be attached thereto.例文帳に追加

エッチングチャンバは、蒸気又は気相エッチング剤源、パージガス源及び／又は真空源を含むエッチングステーションに移動しそして取り付けることが比較的容易であるように構成される。 - 特許庁

To provide an etching agent in which the problem of instability of etch rate is solved by adding an additive for prevention of secular change to an etching agent for a copper lamination film composed of copper or copper/ titanium or the like for a component material for electronic equipment and also to provide a method for manufacturing a base material for electronic equipment by the use of the etching agent.例文帳に追加

本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅／チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A composition for etching constituted, containing fluoride, chloride, and complexing agent, or the a composition for etching constituted, containing silicon fluoride and phosphoric acid is used.例文帳に追加

フッ化物、塩化物、及び錯化剤を含んでなるエッチング用組成物、或いはフッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁

To extremely reduce the amount of water discharge and the amount of waste materials by reusing a used etching treatment agent.例文帳に追加

使用済みエッチング処理剤を再利用し、排水量及び廃棄物量を大幅に削減する。 - 特許庁

METHOD OF SIMULTANEOUSLY TREATING WASTE COPPER ETCHING SOLUTION AND WASTE RESIST SOLUTION AND CHEMICAL AGENT FOR USE THEREIN例文帳に追加

銅エッチング廃液とレジスト廃液を同時に処理する方法及びそれに使用する薬剤 - 特許庁

This etching agent is a solution mixture which is composed of polyethylene glycol, sulfuric acid and hydrogen peroxide water and contains cyclohexylamine.例文帳に追加

シクロヘキシルアミンを含む、ポリエチレングリコールと硫酸と過酸化水素水の混合溶液とする。 - 特許庁

Residues generated when a semiconductor layer is subjected to dry-etching in a semiconductor substrate manufacturing process are removed by the use of a cleaning agent containing an oxidizing agent and a chelating agent.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、半導体層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレ−ト剤とを含有する洗浄剤により除去する。 - 特許庁

The materials for a polishing liquid for a metal, as the materials for preparing the polishing liquid for a metal, include an etching agent for an oxidized metal, an agent capable of forming a protection film, and an agent for assisting the dissolution of the agent capable of forming a protection film.例文帳に追加

金属用研磨液を調製するための材料として、酸化金属溶解剤と、保護膜形成剤と、該保護膜形成剤の溶解補助剤とを含む金属用研磨液材料。 - 特許庁

To obtain an etching agent which is capable of etching a copper film at a high etching rate by a simple chemical etching method of immersing the low-resistance copper film in a static state into an aqueous solution of an inexpensive and easily available reagent when this copper film is used as a wiring material and hardly gives rise to the occurrence of abnormal etching and pattern thinning.例文帳に追加

低抵抗の銅膜を配線材料として用いる場合に、安価で入手容易な試薬の水溶液に静止状態で浸漬するという簡便なケミカルエッチング法により銅膜を高いエッチングレートでエッチングでき、しかも異常エッチングやパターン細りが起こり難いエッチング剤を得る。 - 特許庁

The polishing liquid contains, as an etching agent, an alkanolamine and an etching agent comprising an alkaline compound (excluding an alkanolamine) showing a pH of 11 or more in an aqueous solution state with 0.01 mol/L concentration at 25°C.例文帳に追加

研磨液は、エッチング剤として、アルカノールアミンと、温度２５℃、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌの水溶液のｐＨが１１以上であるアルカリ性化合物（但し、アルカノールアミンを除く）からなるエッチング剤とを含有する。 - 特許庁

An etching agent for use in the patterning step is one which dissolves the conductive layer and does not dissolve the guard metal layer 39, and an etching rate is about 1 to 5 μm/min.例文帳に追加

パターンニング工程で用いるエッチング液は、導体層を溶解しガード金属層３９を溶解しないものであって、エッチングレートが約１〜５μｍ／分である。 - 特許庁

The oxygen forms an area of silicon dioxide by reacting with a silicon surface, and while, the silicon etching agent forms the emission element by etching silicon.例文帳に追加

酸素がシリコン表面と反応して二酸化ケイ素の領域を形成し、その一方でシリコン・エッチング剤がシリコンをエッチングして放出素子を形成する。 - 特許庁

In the etching method, a level difference is formed on a boundary part between the first region and the second region by utilizing a state that the etching rate of Si by the etching agent is higher than that of SiO_2.例文帳に追加

このエッチング方法では、前記エッチング剤によるエッチングレートが、ＳｉＯ_２よりＳｉが高いことを利用して、前記第１の領域と前記第２の領域との境界部に段差を形成する。 - 特許庁

Using a first etching agent having an etching speed to the second semiconductor layer 25 higher than an etching speed to an insulating layer 23, a portion of the second semiconductor layer 25 positioned on the insulating layer 23 is removed by etching.例文帳に追加

第２の半導体層２５に対するエッチング速度が絶縁層２３に対するエッチング速度よりも大きな第１のエッチング剤を用いて、第２の半導体層２５の絶縁層２３の上に位置している部分の一部分をエッチングすることにより除去する。 - 特許庁

The polishing solution contains an oxidant, a metal oxide dissolving agent, a metal anticorrosive agent, and water, and has an etching rate of 1.0 nm/minute or below at a temperature of 25°C.例文帳に追加

酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、エッチング速度が２５℃で１．０ｎｍ／分以下である研磨液。 - 特許庁

Circuits free of circuit wires are formed on the front face of the package board 1 by etching, and then the resisting agent is removed.例文帳に追加

食刻して、回路ワイヤがない回路をパッケージ基板１の正面につくり、抵抗剤を除く。 - 特許庁

To provide a dry etching agent having less global environmental impact, and a required performance.例文帳に追加

地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。 - 特許庁

When an etching agent is supplied subsequently to the substrate W, the substrate W thus silylated is etched.例文帳に追加

その後、エッチング剤が基板Ｗに供給されることにより、シリル化された基板Ｗがエッチングされる。 - 特許庁

When the etching agent is liquid, gas produced by vaporization of the liquid is also sucked and removed together with the liquid.例文帳に追加

ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 - 特許庁

A microcapsule including an etching agent is disposed in a prescribed position on a surface of a substrate and patterning is performed.例文帳に追加

基板の表面上の所定部位に、エッチング剤を内包するマイクロカプセルを配してパターニングを行った。 - 特許庁

It is preferable that a specific dispersant or solubilizing agent is further incorporated in the resulting copper etching solution.例文帳に追加

かかる銅エッチング液に、さらに特定の分散剤あるいは可溶化剤を含有せしめることが好ましい。 - 特許庁

The invention relates to a functional coating material containing metal powder, an etching agent, a binder and an organic solvent, and a functional coating material containing a diluent in addition to the above components.例文帳に追加

金属粉末、エッチング剤、バインダーおよび有機溶媒を含有する機能性塗料。 - 特許庁

The chemical polishing liquid comprises: an oxidizing agent of etching a metallic material; a film forming agent of forming a corrosion resistant film on the surface of the metal so as to prevent its oxidation caused by the oxidizing agent; and a dissolving agent.例文帳に追加

金属材料を腐食する酸化剤と、金属表面に耐食性被膜を生成させて酸化剤による酸化を防止する被膜形成剤と、溶解剤とを含有する化学研磨液を使用する。 - 特許庁

Because the edge 46a of the reflecting film is covered with the resin constituting the prism 4, it is lost that an etching agent and the reflecting film when performing the isolation contact soon, and the influence from the etching agent stops reaching.例文帳に追加

反射膜の縁４６ａがプリズム４を構成する樹脂によりカバーされるので、素子分離する際のエッチング剤と反射膜が直に接触することがなくなり、エッチング剤からの影響が及ばなくなる。 - 特許庁

The etching agent according to the present invention contains is an etching agent which contains copper salt containing no halogen, and hydrochloric acid and is used for alloy including indium tin oxide alloy (ITO) film, and the hydrochloric acid has a concentration of ≥4.5 mol/liter.例文帳に追加

本発明のエッチング剤は、ハロゲンを含まない銅塩および塩酸を含む、インジウム錫酸化物合金（ＩＴＯ）膜を含む合金のエッチング剤であって、前記塩酸の濃度が４．５モル／リットル以上である。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a Cu film by an easy chemical etching method being a dipping method by rest process in the case that a Cu film of low resistance is used as a wiring material, small in the secular change of the etching grade and capable of preventing the occurrence of a pattern thinning phenomenon caused by the dispersion of the side etching amount of the Cu film.例文帳に追加

低抵抗のＣｕ膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でＣｕ膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Ｃｕ膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。 - 特許庁

This etching method for metal, which employs an aqueous agent solution containing an acid component and an oxidizing component, is characterized by keeping the mol number of the oxidizing agent in the etching solution, larger than the product of the mol number of an etched metal ion generated by the etching and a valence number of the ionized metal.例文帳に追加

酸成分、及び酸化剤成分を含むエッチング水溶液剤を用いた金属のエッチング方法であって、エッチング系内における酸化剤モル数を、エッチングにより生成した被エッチング金属イオンモル数と該金属のイオン化価数との積より大きく保つことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

In this method for manufacturing a display device, a tube is disposed on a region of an insulating layer where an opening is to be formed, and a processing agent (etching gas or etching liquid) is discharged onto the insulating layer.例文帳に追加

チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。 - 特許庁

The method is characterized by etching the surface of the resin substrate with an etching solution including a Pd compound, and then contacting it with an aqueous solution including a reducing agent.例文帳に追加

Ｐｄ化合物を含むエッチング液を用いて樹脂基材表面をエッチング処理した後、還元剤を含む水溶液に接触させることを特徴とする方法。 - 特許庁