「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for regenerating an etching solution in which cuprous chloride contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.例文帳に追加

プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一鉄を酸化剤により塩化第二鉄に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁

The etching method includes a first process (S1) for etching the zinc oxide-based material by a solution containing oxalic acid and a second process (S2) for removing etching residues generated in the first process by using an alkaline solution.例文帳に追加

蓚酸を含有する溶液で酸化亜鉛系材料をエッチングする第１の工程（Ｓ１）と、アルカリ性溶液を用いて、前記第１の工程におけるエッチング残渣を除去する第２の工程（Ｓ２）を有している。 - 特許庁

In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching.例文帳に追加

リセスゲート型のＦＥＴ製造工程において、リセスエッチングプロセス（Ｓ１０５）はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでＧａＡｓの選択エッチング（リセスエッチング（Ｓ１０５））を行う。 - 特許庁

In etching equipment 1, TMAH aqueous solution 3 of 22 wt.% is kept at 80°C in an etching bath 2, and a silicon wafer 6 is dipped and treated by etching.例文帳に追加

エッチング装置１は、エッチング槽２内に２２ｗｔ％のＴＭＡＨ水溶液３を８０℃に保持した状態とし、シリコンウエハ６を浸漬してエッチング処理を行なう。 - 特許庁

For the etching, the oxygen concentration of the acidic aqueous solution 3 put in the etching tanks 1a to 1c is controlled independently by the etching tanks 1a to 1c.例文帳に追加

エッチングを実行するに際しては、エッチング槽１ａ〜１ｃに入った酸性水溶液３の各水素イオン濃度を、それぞれのエッチング槽１ａ〜１ｃで独立して制御する。 - 特許庁

Further, by the relative movement between the panel and the etching solution, the residue formed by etching is rapidly separated from the surface and the etching efficiency can be enhanced.例文帳に追加

またそのパネルとエッチング液間の相対運動により、エッチングで出る残渣を迅速にその表面から分離し、エッチング効率を高める目的を達成するものである。 - 特許庁

In the etching method, cerium (TV) nitrate ammonium is replenished into the etching solution in the process of etching in such a manner that the weight ratio of quadrivalent cerium to hexavalent chromium is controlled to ≥17.例文帳に追加

エッチング中のエッチング液に６価クロムに対する４価セリウムの重量比が１７以上となるように硝酸第二セリウムアンモニウムを補給するエッチング方法。 - 特許庁

To provide an etching method for etching a non-conductive substrate surface, especially a polyamide surface or an ABS plastic surface before a metal layer is formed on the surface; and an etching solution.例文帳に追加

本発明は、金属層の形成の前に、非導電性基板表面のエッチング、特にポリアミドまたはABSプラスチック表面をエッチングするための方法及びエッチング溶液に関する。 - 特許庁

To provide an etching solution having excellent wettability improving effect and excellent antifoaming property in etching, and providing a BM (Black Matrix) free from etching residue, and also to provide a method of manufacturing the BM.例文帳に追加

エッチングの際に、濡れ性向上の効果および消泡性が優れており、エッチング残りのないＢＭが得られるエッチング液およびＢＭの製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF RECOVERING CERIUM NITRATE AMMONIUM FROM CERIUM NITRATE AMMONIUM-CONTAINING ETCHING WASTE SOLUTION例文帳に追加

硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング廃液から硝酸セリウムアンモニウムを回収する方法。 - 特許庁

ETCHING SOLUTION FOR REMOVING OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化膜除去用のエッチング液及びその製造方法と、半導体素子の製造方法 - 特許庁

The etching solution is composed of (1) 99 wt.% or more tripropylene glycol monomethyl ether for the total etching solution, (2) 0.4 wt.% or less water for the total etching solution, (3) hydrogen fluoride, and (4) one or two of amine selected from a group composed of hydroxylamine and ammonia.例文帳に追加

（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、（３）フッ化水素、及び（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミンからなるエッチング液。 - 特許庁

Therefore, when removing a Si single crystal substrate 14 from a multilayered substrate 61, if an etching solution is penetrated between a polyimide 72 and the laminate 60, the etching solution detours around the electrode film 46A before the etching solution reaches the piezoelectric body film 52A.例文帳に追加

そのため、積層基板６１からＳｉ単結晶基板１４を除去する際、エッチング液がポリイミド７２と積層体６０との間に浸入した場合には、そのエッチング液は、圧電体膜５２Ａに到達するまでに電極膜４６Ａを迂回することとなる。 - 特許庁

To provide an ITO etching solution which will not etch molybdenum or cause deposit to stick.例文帳に追加

モリブデンをエッチングせず、かつ析出物が固着しないＩＴＯエッチング溶液を提供する。 - 特許庁

To measure the thickness of a film for a substrate in a real time in an etching device employing treating solution.例文帳に追加

処理液を用いるエッチング装置において、リアルタイムにて基板の膜厚を測定する。 - 特許庁

The surface after etching with the solution is so polished that the surface roughness is 1 nm in RMS.例文帳に追加

水溶液でのエッチング後の表面粗さをＲＭＳで１ｎｍに抑える研磨を行う。 - 特許庁

ETCHING SOLUTION FOR CONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR DISPLAY PANEL USING THE SAME例文帳に追加

導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING INDIUM FROM INDIUM-CONTAINING FERRIC CHLORIDE ETCHING WASTE SOLUTION例文帳に追加

インジウム含有塩化第二鉄エッチング廃液からのインジウムの回収方法とその装置 - 特許庁

ELECTROLYTIC ETCHING SOLUTION FOR TITANIUM BASED METALLIC MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING TITANIUM BASED METALLIC PRODUCT例文帳に追加

チタン系金属材料用電解エッチング液およびチタン系金属製品の製造方法 - 特許庁

Then the residue of etching 11 is removed by using the detergent solution containing a fluoride ion.例文帳に追加

次いでフッ化物イオンを含有する洗浄液を用いてエッチング残渣１１を除去する。 - 特許庁

The etching solution includes phosphorous acid and/or phosphoric acid which has silicon dioxide dissolved therein.例文帳に追加

二酸化ケイ素を溶解した亜リン酸及び／又はリン酸を含んでなるエッチング液を用いる。 - 特許庁

The etching treatment tank 3 is provided with a temperature holding means for holding the temperature of the etching solution in the internal tank 31 at a preliminarily set etching treatment enabling predetermined temperature by the etching solution made to overflow from the internal tank 31, and to flow in the external tank 32.例文帳に追加

このエッチング処理槽３には、内槽３１からオーバフローさせて外槽３２に流入させたエッチング液によって、内槽３１内のエッチング液の温度を予め設定したエッチング処理可能な所定温度に保持する温度保持手段が設けられている。 - 特許庁

To provide an etching simulation method and an etching simulation device where the flow velocity of an etching solution and the concentration of a waste solution on a substrate are predicted, and, additionally, the local flow in the vicinity of a pattern, the progression velocity of etching in a cavity, the shape change thereof or the like are predicted.例文帳に追加

基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

One part of the etching solution after the surface treatment of which is carried out in the etching pot 5 is transferred through a communicating tube 60 to the sub-pot 40, and the etching solution after the recovery treatment is operated in the sub-pot 40 is transferred through the communicating tube 60 to the etching pot 5.例文帳に追加

エッチングポット５での表面処理を行った後のエッチング液の一部が連通管６０を通してサブポット４０に移送され、サブポット４０での再生処理を行った後のエッチング液が連通管６０を通してエッチングポット５に移送される。 - 特許庁

When the material thus formed is subjected to etching operation with use of a KOH aqueous solution, part of the material subjected to the fine machining operation become a projection if the etching solution has a low concentration and becomes a recess if the solution has a high concentration.例文帳に追加

このようにして形成された材料に対してＫＯＨ水溶液でエッチングを行うと、このエッチング溶液の濃度が薄いときには微細機械加工を行った部分が凸部となり、濃いときは凹部となる。 - 特許庁

The plating pretreatment method includes: a first stage etching step of etching the aluminum alloy while making an etching solution having suspended hard particles to flow at a flow rate of 100-150 cm/sec; and the late stage etching step of etching while making the etching solution to flow at the flow rate of 10-50 cm/sec.例文帳に追加

硬質粒子を懸濁させたエッチング液を流速１００〜１５０ｃｍ／秒で流動させてアルミニウム合金のエッチングを行うエッチング前期工程と、前記エッチング前期工程の後、前記エッチング液を流速１０〜５０ｃｍ／秒で流動させてエッチングを行うエッチング後期工程とを含むアルミニウム合金のめっき前処理方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.例文帳に追加

エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁

Then, prior to etching processing, the non-resist region of the rolled aluminum foil exposed in the non-resist section is treated by any water solution selected from a group including a sodium hydroxide water solution, a sodium carbonate water solution, a sodium phosphate water solution, a phosphoric acid water solution, a nitric acid water solution, and a chromic acid water solution.例文帳に追加

その後、エッチング処理前に、非レジスト部において露出している圧延アルミニウム箔の非レジスト部位を、水酸化ナトリウム水溶液，炭酸ナトリウム水溶液，燐酸ナトリウム水溶液，燐酸水溶液，硝酸水溶液及びクロム酸水溶液よりなる群から選ばれた水溶液で処理する。 - 特許庁

In addition, the etching mask is made a cathode electrode at the time of the start of the wet etching or during the wet etching, an anode electrode consisting of a platinum plate in the etching solution is provided, and a stable etching rate is obtained by flowing current between both the electrodes.例文帳に追加

また、ウエットエッチング開始時あるいはウエットエッチング中にエッチングマスクを陰極電極とし、エッチング溶液中に白金の板からなる陽極電極を設け両電極間に電流を流すことにより安定したエッチングレートを得る。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from an acid solution essentially consisting of oxalic acid represented by an etching waste solution.例文帳に追加

エッチング廃液に代表されるシュウ酸を主成分とする酸溶液からの効率のよいインジウム回収方法を提供する。 - 特許庁

In the peeling solution process 13, etching residue adhered to the insulating film and metal wiring is peeled using, for example, an amine system peeling solution.例文帳に追加

剥離液処理１３では、絶縁膜及びメタル配線に付着したエッチング残渣を例えばアミン系剥離液で剥離する。 - 特許庁

To provide an inkjet ink having resistance to a metal etching solution, peelability by a peeling liquid, or resistance to a plating solution.例文帳に追加

金属エッチング液耐性、剥離液に対する剥離性、又はめっき液耐性を有するインクジェット用インクが求められている。 - 特許庁

Preliminary treatment for etching is applied to a phase transition film by using water, an alkaline solution, an acid solution, or a surfactant.例文帳に追加

相変化膜に対して、水、アルカリ溶液、酸溶液あるいは界面活性剤を用いてエッチングのための前処理を行う。 - 特許庁

The control part 4 causes the acid solution to be discharged from the wet etching tank 111 and causes distilled water to be supplied to the wet etching tank 111.例文帳に追加

制御部４は、ウェットエッチング槽１１１から酸溶液を排出させ、蒸留水をウェットエッチング槽１１１に供給させる。 - 特許庁

After a trench 7 has been formed by dry etching, a wet etching treatment is performed using a mixed solution of H2O2 and HF as an etchant.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてトレンチ７が形成された後に、H_2O_2とHFとを含む混合液をエッチャントとして用いて、ウェットエッチングが実行される。 - 特許庁

Through the treatment of the water solution before etching, melting removal speed during etching is improved, and the end edge of the circuit wire is made clear.例文帳に追加

エッチング処理前の水溶液処理によって、エッチング処理時の溶解除去速度が高められ、回路線端縁が鮮鋭になる。 - 特許庁

It is further rotated at a low speed (about 0-50 rpm), and paddle wet etching is performed while keeping the etching solution on the wafer.例文帳に追加

さらに、低速（約０〜５０ｒｐｍ）で回転し、蝕刻溶液をウエハ上から離脱しないように滞留させてパドル湿式蝕刻を行う。 - 特許庁

To provide a spin etching method capable of preventing a cleaning processing solution to an object to be subjected to spin etching processing from going round the back surface of the object.例文帳に追加

スピンエッチング処理される被処理体への洗浄処理液の裏面回り込みを防止するスピンエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A TiN film 102 of normal temperature formation whose etching resistance to anisotropic etching solution is more excellent than that of a silicon oxide film or the like is used as an etching mask for performing anisotropic etching for a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。 - 特許庁

A vessel (6) holding an etching solution (7) is provided with an ultrasonic vivrating device (10), and the etching solution (7) held in the vessel (6) is vibrated by the device (10).例文帳に追加

エッチング液（７）を収容する容器（６）に超音波振動装置（１０）を設け、該超音波振動装置（１０）により上記容器（６）内に収容したエッチング液（７）を振動させる。 - 特許庁

By using etching liquid comprising the mixed solution of nitric acid and hydrochloric acid and hydrochloride, or the mixed solution of hydrochloric acid and nitrate, Pt and Au deposited on a substrate are removed by etching.例文帳に追加

硝酸と塩酸塩との混合水溶液、もしくは塩酸と硝酸塩との混合水溶液からなるエッチング液を使って、基板に付着したＰｔやＡｕをエッチング除去する。 - 特許庁

The organic film 12 is then cleaned and removed by wet etching with solution of SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide solution), which is a relatively strong oxidant, or by dry etching using hydrogen gas.例文帳に追加

その後、有機膜１２を比較的強い酸化剤であるＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）の溶液によるウェットエッチング、若しくは水素ガスを用いたドライエッチングで洗浄して除去する。 - 特許庁

In the method for regenerating an etching solution in which the double salt of cuprous chloride-hydrochloric acid contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.例文帳に追加

プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一銅・塩酸複塩を酸化剤により塩化第二銅に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁

Next, an etching resist is applied onto the circuit substrate, a circuit pattern is formed by etching with iron chloride solution, unnecessary solder is removed, and two-stepped ends are formed by applying a second resist and by applying the etching with the iron chloride solution.例文帳に追加

次いで回路用基板上にエッチングレジストを塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理をして回路パターンを形成し、不要なろう材を除去し、２回目のレジストを塗布して、塩化鉄溶液でエッチング処理を施して端部を２段とした。 - 特許庁

And, it has a process which makes the graphene sheet exfoliate into an etching solution by wet etching the surface of substrate in contact with the graphene sheet, and a process which sticks the graphene sheet which was exfoliated into the etching solution on an object.例文帳に追加

そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 - 特許庁