「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.例文帳に追加

本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.例文帳に追加

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

In each interval among the etching solution vessel 1, the washing treatment vessel 4 and the dipping treatment vessel 5, a conveying device 7 moved by holding the bucket 1 holding the aluminum honeycomb core W so as to be ascendable/descendable and movable, is set and this conveying device 7 is fitted with a clamping means 10 for holding the bucket 3 ascended/descended along a guide rail 9.例文帳に追加

エッチング溶液槽１と洗浄処理槽４とデップ処理槽５との間には、アルミハニカムコアＷを収容した前記バケット３を保持して移送する昇降、かつ移動可能な搬送装置７が設置され、この搬送装置７は、ガイドレール９に沿って昇降するバケット３を保持するクランプ手段１０が取付けられている。 - 特許庁

A pattern for via holes is formed by photo etching on one or both sides of a polyamide film having copper layers on both sides thereof which are bonded without using adhesive, the polyamide is etched by alkali solution with the pattern as a mask to form blind via holes, and then laser is radiated using the pattern as a mask.例文帳に追加

両面に銅層を有し、かつ銅層との接合に接着剤を用いないポリイミドフィルムの片面あるいは両面の銅層に、フォトエッチングによりビア開孔用パターンを形成し、該パターンをマスクとしてアルカリ溶液によるポリイミドエッチングによりブラインドビアホールを形成し、さらに該パターンをマスクとして、レーザーを照射することを特徴とする。 - 特許庁

When a GaAs layer 14 in a laminated structure body 10 made up of the GaAs layer 14 and the other layer 18 is selectively etched by using an etching solution containing citric acid, hydrogen peroxide, and water, an InxAl1-x As layer in contact with the GaAs layer 14 is put between the GaAs layer 14 and the other layer 18.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１４とＧａＡｓ以外の層１８とを具えた積層構造体１０に対して、クエン酸、過酸化水素および水を含むエッチング溶液を用いて、上記のＧａＡｓ層を選択的にエッチングするに当たり、ＧａＡｓ層とＧａＡｓ以外の層との間に、ＧａＡｓ層に接してＩｎ_x Ａｌ_1-x Ａｓ層１６をエッチングストッパ層として設けておく。 - 特許庁

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.例文帳に追加

被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁

A water-repellent film with repellency which has an opening is formed on a surface of a processed layer of the substrate, a watery solution is arranged in the opening to form a mask part, and the processed layer is processed by etching using the mask part as a mask so as to perform the texture process on the substrate efficiently in the easy method without requiring large-scale facilities or placing a load on an environment.例文帳に追加

多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate comprises: a sandblasting step of performing surface treatment by sandblasting on a first surface of a silicon substrate in an as-sliced state, fabricated by slicing a silicon ingot; and a step of performing surface treatment on the silicon substrate using an etching solution containing either or both of hydrofluoric acid and nitric acid after the sandblasting step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の作製方法は、シリコンインゴットをスライスすることにより作製されたアズスライス状態のシリコン基板の第一の面に対して、サンドブラスト処理による表面処理を行うサンドブラスト工程と、前記サンドブラスト工程の後に、前記シリコン基板に対して、フッ酸、硝酸のいずれか１つ以上を含むエッチング溶液による表面処理を行う工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a laminate for an HDD suspension which has sufficient low moisture absorption and wherein dimensional change due to humidity environmental change can be prevented and etching work can be efficiently and reliably carried out by an alkali aqueous solution, in the laminate for the HDD suspension holding heat resistance and dimensional stability by thermal treatment which used to be required.例文帳に追加

従来から要求されてきた耐熱性及び熱処理による寸法安定性を保持したＨＤＤサスペンション用積層体であって、吸湿率が十分に低く、湿度環境変化による寸法変化を十分に防止できるとともに、アルカリ水溶液によって効率よく且つ確実にエッチング加工をすることが可能なＨＤＤサスペンション用積層体を提供すること。 - 特許庁

This organic electronic device is manufactured by using: a first process for forming a polymer film from a polymer solution on a first surface of the substrate by casting; a second process for reducing the thickness of the substrate by etching a second surface located on the back side of the first surface of the substrate; and a third process for forming the organic electronic device on the surface of the polymer film formed by casting.例文帳に追加

基板の第一の表面上に高分子溶液から高分子膜をキャスティング成膜する第一工程と、基板の第一の表面の裏側にある第二の表面をエッチングして基板の厚みを薄くする第二工程と、キャスティング成膜した高分子膜の表面に有機電子デバイスを形成する第三工程を用いて有機電子デバイスを製造することとした。 - 特許庁

This etching agent composition for a thin film having high permittivity is HfO_2 and/or HfSiON being an aqueous solution comprising one or more kinds of organic acid selected from oxalic acid, citric acid, malonic acid and succinic acid, or an inorganic acid being sulfuric acid and/or hydrochloric acid, and a fluorine compound being one or more kinds selected from ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride and tetramethylammonium fluoride.例文帳に追加

シュウ酸、クエン酸、マロン酸およびコハク酸から選ばれる１種以上の有機酸または硫酸および/または塩酸である無機酸とフッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選択される１種以上であるフッ素化合物からなる水溶液であるＨｆＯ_２および/またはＨｆＳｉＯＮである高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁

By applying anticorrosion potential to the emitter electrode 116 in a state that this field emission type electron emission element 100 is immersed in the etching solution 160 having a dissolution ratio of the gate electrode 110 to an unnecessary electron emission material 118 is 1:10 or more, the dissolution of the emitter electrode 116 is suppressed, and the unnecessary electron emission material 118 is dissolved and removed.例文帳に追加

ゲート電極１１０と、不要な電子放出材料１１８との溶解比が１対１０以上のエッチング液１６０中に電界放出型電子放出素子１００を浸した状態で、エミッタ電極１１６に防食電位を印加することによって、エミッタ電極１１６の溶解を抑制するとともに、不要な電子放出材料１１８を溶解し、除去する。 - 特許庁

The platinum is worked to the prescribed shape by dry etching the platinum by a gaseous mixture containing rare gas, gaseous SF6 and gaseous Cl2 and after the platinum is worked to the prescribed shape by the method descried above, the mask is treated with an aqueous acidic solution in order to remove the reaction product derived from the platinum and gaseous mixture sticking to the mask.例文帳に追加

希ガス、ＳＦ_6ガス及びＣｌ_2ガスを含む混合ガスにより、白金をドライエッチングして所定の形状に加工することにより、ならびに前記方法により白金を所定の形状に加工した後、マスクに付着した白金及び混合ガス由来の反応生成物を除去するために、酸性水溶液でマスクを処理することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical fiber probe includes steps of: providing an optical fiber having a coaxial core part and a protective layer; exposing the core part by stripping the protective layer of the optical fiber end; forming a probing end part by etching after immersing the exposed core part in an acid solution; and the stage of forming a metallic layer on the surface of the probing end.例文帳に追加

本発明に係る光ファイバー探針の製造方法は、同軸の芯部及び保護層を有する光ファイバーを提供する段階と、前記光ファイバーの一端の前記保護層を除去して、前記芯部を露出させる段階と、前記露出の芯部を酸性溶液に浸漬させてエッチングして、探測端部を形成する段階と、前記探測端部の表面に金属層を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

To obtain an etched product which retains flexibility fit for conveyance by a reel-to-reel system and has stabilized etching sizes and shapes of holes, etc., without impairing the flexibility a patterned resin layer mask when a photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form the patterned resin layer mask and the polyimide film is etched with an alkaline solution.例文帳に追加

ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、アルカリ性液でポリイミドフィルムをエッチングする場合において、樹脂層パターンマスクの可撓性を損わないでリールツーリール方式の搬送等に適した可撓性を保持し、しかも、穴等のエッチング寸法及び形状が安定化したエッチング製品を得ることができるようにする。 - 特許庁

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.例文帳に追加

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁

The substrate for an electrophotographic photoreceptor is obtained by subjecting the photosensitive layer side surface of an aluminum or aluminum alloy substrate to etching with an acid and/or an alkali, a chemical conversion treatment with an acidic aqueous solution containing a metal salt of titanium or zirconium and an aftertreatment with a silicate solution, and the photosensitive layer side surface of the substrate comprises aluminum, oxygen and titanium, or aluminum, oxygen and zirconium.例文帳に追加

該基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金でありかつ、該基体の感光層側の表面を酸またはアルカリあるいはアルカリと酸の両方を使用してエッチング処理を行った後にチタニウムまたはジルコニウムの金属化合物の金属塩を含有する酸性水溶液で化成処理した後に更にケイ酸塩の溶液にて後処理することを特徴とする電子写真感光体の製造方法、およびこの方法により製造された感光層側の表面にアルミニウム、酸素およびチタニウムまたはアルミニウム、酸素およびジルコニウムを含有する電子写真感光体用基体、並びに該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置。 - 特許庁

The manufacturing method further include a process 3 in which a compound having oxidizing power or the solution of the compound is brought into contact with a modified layer formed by the etching treatment and the modified layer is removed.例文帳に追加

フッ素系ポリマーを含有する樹脂材料から形成された多孔質樹脂基材に、厚み方向に貫通する少なくとも一つの穿孔を形成する工程１；穿孔の内壁面に、アルカリ金属を含有するエッチング液を接触させてエッチング処理する工程２；エッチング処理により生じた変質化層に、酸化力を有する化合物またはその溶液を接触させて、該変質化層を除去する工程３；を含む穿孔された多孔質樹脂基材の製造方法。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including a liquid crystal layer placed between a pair of substrates opposed to each other and pixel electrodes connected to plural data signal lines and scan lines arranged in matrix on at least one of the substrates with switching elements, one of the data signal lines or scan lines are curved in one direction to make the treatment solution for washing or etching gush out to the same direction.例文帳に追加

対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、少なくとも一方の基板上にマトリックス状に並設された複数のデータ信号線と走査信号線とに、スイッチ素子を介して接続された画素電極を有する液晶表示装置の該データ信号線または走査信号線の何れかが一方向に屈曲した構成になっており、その製造方法では洗浄やエッチングなどの処理液を該一方向の同じ方向に噴出する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for separating metal ions and recovering phosphoric acid at high yield from a mixed acid aqueous solution containing the metal ions such as a metal ion-containing mixed acid waste liquid produced from a metal etching process or the like in a semiconductor manufacturing plant or the like using a distillation and extraction means in place of a membrane or an ion exchange treatment which is commonly used as a conventional technique.例文帳に追加

半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属イオン含有混酸廃液のような金属イオンを含有する混酸水溶液から、金属イオンを分離するとともにリン酸を高い収率で回収するにあたり、従来技術では膜処理またはイオン交換処理を行なうのが常識であったが、本発明では発想を全く変えて蒸留、抽出手段を用いた回収方法および装置の提供。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

To provide a metal patterning method performing exposure, development and etching of a circuit pattern after a photocrosslinking resin layer is formed on a substrate and subjected to thinning with an organic alkaline aqueous solution which allows for uniform thinning even of a photocrosslinking resin layer where the photocrosslinking resin has a composition less susceptible to swelling with high productivity, and in-plane uniform and fine metal patterning.例文帳に追加

本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive material superior in sensitivity, developability, etching endurance, heat resistance, and adhesion to a substrate and developable with an aqueous alkaline developing solution and usable for a positive resist for manufacturing the semiconductor integrated circuit and the like by using a copolymer composed essentially of repeating units derived from specified monomers.例文帳に追加

半導体集積回路、液晶表示素子用ＴＦＴ回路等の回路製造用のポジ型レジストとして、アルカリ水溶液からなる現像液によって現像でき、感度、現像性、残膜率、耐熱性、基板との密着性等に優れた感放射線性材料、さらに層間絶縁膜、カラーフィルター保護膜、回路保護膜等の永久膜として、耐熱性、基板との密着性、可視光領域における透明性、耐薬品性、寸法安定性等に優れた感放射線性材料を提供する。 - 特許庁