「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The increasing rate of the current density from the second stage to the last stage is reciprocal to the decreasing rate of the concentration of chlorine ions in the etching solution from the second stage to the last stage.例文帳に追加

また、第二段目から最終段に向けて電流密度を高くしていく比率を第二段目から最終段に向けてエッチング液中の塩素イオンの濃度を低下させる比率の逆数と等しくする。 - 特許庁

The chemical amplification type photoresist composition containing the photosensitive polymer has high etching resistance, is excellent in adhesion characteristics to a lower film and has high wettability to a developing solution.例文帳に追加

本発明による感光性重合体を含む化学増幅型フォトレジスト組成物は耐エッチング性が大きく、下部膜質に対する接着特性に優れているほか、現像液に対する湿潤性が大きい。 - 特許庁

Particularly, by performing an alkali treatment stage before the desorption stage, the ions of the other metal such as tin coexistent in the etching waste solution and indium are separated, and, only the indium can be recovered.例文帳に追加

特に、脱離工程の前にアルカリ処理工程を実施することにより、エッチング廃液中に共存しているスズ等の他の金属イオンとインジウムを分離し、インジウムのみを回収することができる。 - 特許庁

Etching treatment is performed with a chromium acid-free aqueous solution composed of ethylene diamine tetraacetic acid (ETDA-2Na) and water, and, passivation and Zn substitution plating are performed, and successively, tinning is performed.例文帳に追加

エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。 - 特許庁

The silicon wafer etching agent contains an alkaline aqueous solution, which contains diaminopropane tetraacetic acid, the alkali concentration being 30 to 55 mass%.例文帳に追加

本発明は、アルカリ水溶液を含むシリコンウェハーエッチング剤であって、前記アルカリ水溶液は、ジアミノプロパン四酢酸を含有し、かつアルカリ濃度が３０〜５５質量％であるシリコンウェハーエッチング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a coating solution for formation of a low-permittivity insulating coating suitable in a semiconductor formation process including a controlled etching step such as a dual damascene process in a semiconductor device having high integration.例文帳に追加

高集積度の半導体装置において、デュアルダマシン法のようなコントロールエッチング工程を含む半導体形成プロセスにおいて好適な低誘電率絶縁膜形成用塗布液を提供すること。 - 特許庁

Such a treatment includes a dipping method for dipping a capacitor in an acid or alkaline solution, an electrolytic etching method, a sand blasting method for spraying fine sand over the surface of the aluminum case, or the like.例文帳に追加

梨地面２１の処理方法には、酸又はアルカリ性の溶液に浸漬する方法、電解エッチングによる方法、細かい砂をアルミニウムケース１０の表面に吹き付けるサンドブラスト方法などがある。 - 特許庁

To provide a method of commercially manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution which is reduced in iron and nickel content to the level capable of using as an etching agent of silicon wafer at a low cost.例文帳に追加

シリコンウエーハのエッチング剤として使用できるレベルにまで鉄分およびニッケル分を除去した高純度の苛性ソーダ水溶液を、低コストで工業的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Copper taken out from an iron chloride etching waste liquid is dipped into an ammonia aqueous solution with a prescribed concentration to produce a copper-ammonia complex liquid, and thereafter, oxygen is acted on the copper-ammonia complex liquid to produce copper oxide.例文帳に追加

所定濃度のアンモニア水溶液に、塩化鉄エッチング廃液から取出された銅を浸漬して、銅アンモニア錯体液を生成し、その後、銅アンモニア錯体液に酸素を作用させて、酸化銅を生成させる。 - 特許庁

At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of a hafnium oxide- or zirconium oxide-based material, an aqueous solution containing a fluorine compound and organic acid is used as the etchant.例文帳に追加

下層基板上に形成された酸化ハフニウム、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物及び有機酸を含む水溶液を用いる。 - 特許庁

An etching solution for a copper single film or a copper molybdenum film composed of a first additive and a second additive containing a hydrogen peroxide, an organic acid, phosphate, and nitrogen (N), a fluorine compound and deionized water is provided.例文帳に追加

過酸化水素、有機酸、リン酸塩(Phosphate)、窒素(Ｎ)を含む第１添加剤、第２添加剤、フッ素化合物及び脱イオン水を含む銅単一膜または、銅モリブデン膜のエッチング溶液を提供する。 - 特許庁

The etching solution contains a phosphate, a neutral salt, an antiseptic, a rust-preventive and a surface-active agent, wherein the surface-active agent contains an organic sulfonic acid salt and a polyoxyethylene alkyl ether sulfate.例文帳に追加

リン酸塩、中性塩、防腐剤、防錆剤、および、界面活性剤を含有するエッチ液であって、上記の界面活性剤を、有機スルホン酸塩とポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を含有するものとした。 - 特許庁

To provide a cleaning solution superior in removing capability for particles comprising alumina particles, silica particles or silicon nitride particles without etching a silicon substrate and a glass substrate, and capable of removing metal contamination.例文帳に追加

シリコン基板およびガラス基板をエッチングせずに、アルミナ粒子、シリカ粒子又は窒化ケイ素粒子からなる粒子の除去能力が高く、金属汚染についても除去することができる洗浄液を開発する。 - 特許庁

The etching solution for the Ni-based thin film formed on a lath substrate comprises ceric ammonium nitrate of 8-12 wt.% and perchloric acid of 5-10 wt.% added to an aqueous medium.例文帳に追加

硝酸第２セリウムアンモニウム８〜１２重量％と、過塩素酸５〜１０重量％とを水性媒体中に含有することを特徴とする、ガラス基板上に形成されたニッケル系薄膜用エッチング液。 - 特許庁

The etching liquid composition for a transparent conductive film is made of a water solution containing an oxalic acid, a chelate compound having two or more phosphoric groups in molecule and a compound having an SO_3 group in molecule.例文帳に追加

シュウ酸、分子中に２個以上のホスホン酸基を有するキレート化合物、及び分子中にＳＯ_３基を有する化合物を含有する水溶液からなる透明導電膜用のエッチング液組成物。 - 特許庁

More preferably, the substrate is rotated at the speed of approximately 100 or 1000 rpm, and the etching solution is fed to the periphery of the substrate substantially in the tangential direction and in the incident direction of 0° to 45° from he surface of the substrate.例文帳に追加

好ましくは、基板は約100rpm乃至約1000rpmで回転させ、エッチング液は基板の周縁部分に実質的に接線方向に、且つ基板の表面から約０°乃至約45°の入射角で送給する。 - 特許庁

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor wafer, wherein both surfaces of the surface and rear of a chamfered semiconductor wafer are lapped over, and then when the wafer is subjected to alkali etching with an alkaline solution, a defect which is generated in the surface of this wafer is removed.例文帳に追加

面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラップし、次に半導体ウェーハをアルカリ性溶液でアルカリエッチングすると、このウェーハ表面に発生していた欠陥が除去される。 - 特許庁

Etching of the SiGe layer with a nitrohydrofluoric acid solution in such a state forms cavities 25 and 27 at the top and bottom of the Si layer 13 in the form in which the Si layer 13 is supported by the support material 22.例文帳に追加

この状態でＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体２２にＳｉ層１３が支持された形でＳｉ層１３の上下に空洞部２５、２７がそれぞれ形成される。 - 特許庁

The barrier metal film 23 is not wet-etched by the silver etching solution, and therefore functions as a mask, so that the reflective film 19 in a region on which the barrier metal film 23 is formed is not wet-etched and remains.例文帳に追加

ここで、バリアメタル膜２３は銀エッチング液によってウェットエッチングされないため、マスクとして機能し、上部にバリアメタル膜２３が形成された領域の反射膜１９はウェットエッチングされずに残る。 - 特許庁

After the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation etching treatment using an aqueous solution containing hydrogen peroxide and acid ammonium bifluoride or oxalic acid, the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation treatment using an aqueous solution containing calcium hydroxide and sodium gluconate, or further subjected to oscillation treatment with a hydrochloric acid aqueous solution to thereby suppress smut precipitation, and the metallic surface condition of the chromium-molybdenum steel can be cleaned.例文帳に追加

過酸化水素と酸性フッ化アンモンまたは蓚酸を含有する水溶液を用いて揺動エッチング処理後、水酸化カリウムとグルコン酸ナトリウムを含有する水溶液を用いて揺動処理することにより、更には塩酸水溶液で揺動処理することによりスマット析出を抑制してクロムモリブデン鋼材の金属表面状態を清浄化することができる。 - 特許庁

After a cell is immersed in a solution, which contains at least one immobilizing agent selected from a group consisting of formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, cacodylic acid and glutaraldehyde, to be immobilized, a surfactant solution and/or an alcohol solution and the cell are mixed/stirred to remove lipid from the cell, and ion etching or ultrasonic treatment is subsequently performed to expose a cell skeleton.例文帳に追加

ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、カコジル酸、グルタールアルデヒドからなる群から選択される少なくとも１つの固定化剤を含む溶液に細胞を浸漬して細胞を固定化した後、界面活性溶液及び／又はアルコール溶液と、細胞とを混合・撹拌して細胞の脂質を除去し、その後イオンエッチング又は超音波処理を行って細胞骨格を露出させる。 - 特許庁

To prevent an increase in a manufacturing cost and an increase in the manufacturing cost in terms of mass production of masks by eliminating the need for fresh addition of a stage for utilizing the vapor of a solution essentially consisting of hydrofluoric acid or the vapor of the hydrofluoric acid after forming recessed parts of shifter parts by dry etching and eliminating the need for respective stages for etching, washing and drying.例文帳に追加

シフター部の凹部をドライエッチングで形成後、新たに、フッ酸を主成分とする溶液の蒸気又はフッ酸蒸気を利用し工程が加わる事になり、エッチング、洗浄、乾燥の各工程が必要になって、製造コストの上昇をきたし、マスク量産性の面で製造コストが高くなる。 - 特許庁

This polyimide film is formed by copolymerizing an acid dianhydride component containing biphenyltetracarboxylic acids and pyromellitic dianhydrides and a diamine component, wherein the polyimide film has the etching speed of ≥0.1μm/min(single side), when a single side of the film is subjected to etching with a 1N potassium hydroxide solution.例文帳に追加

ビフェニルテトラカルボン酸類およびピロメリット酸二無水物類を含む酸二無水物成分と、ジアミン成分を共重合してなるポリイミドフィルムであって、１Ｎ水酸化カリウム溶液でのエッチング速度が、該ポリイミドフィルムの片面につき、０．１μｍ／分（片面）以上であるポリイミドフィルムによって上記課題を解決しうる。 - 特許庁

A substrate provided with a bottom semiconductor film 12 including a lattice constant of which difference from the lattice constant of a semiconductor film 13 is within 10%, as well as including band gap energy smaller than that of the semiconductor film 13, in a bottom layer of an etching region 14 of the semiconductor film 13 is dipped in etching solution.例文帳に追加

半導体膜１３のエッチング領域１４の下層に、半導体膜１３のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有するとともに、半導体膜１３の格子定数との差が１０％以内の格子定数を有する下地半導体膜１２を設けた基板を、エッチング液に浸漬する。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which makes the almost plane surface of polysilicon film contact with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the salient or the protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which contacts the almost plane surface of polysilicon film with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the upheaval or protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁

Even in a case that the liquid supply port 8 is expanded by the unintended etching spread when the liquid supply port 8 is formed by etching a silicon substrate 1, the size or position of the opening 16a of the interlaminar film 16 will not change, and the probe solution flows through the space between the barrier wall 14 and the barrier wall column 15.例文帳に追加

液体供給口８をシリコン基板１のエッチングによって形成する際の、意図せぬエッチングの広がりによって液体供給口８が拡大した場合でも、層間膜１６の開口１６ａの大きさや位置は変わらず、プローブ溶液は障壁１４や障壁柱１５の間を流動する。 - 特許庁

The processing method of semiconductor silicon wafer comprises a polishing process for polishing the surface of semiconductor wafer to the mirror-surface, an evaluation process for evaluating the flatness of a semiconductor wafer polished in the polishing process, an etching process for etching semiconductor wafer determined as defective in the flatness in the evaluation process using an alkali solution, and a re-polishing process for re-polishing the semiconductor wafer which etched in the etching process.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する研磨工程と、この研磨工程において研磨された半導体ウェーハの平坦度を評価する評価工程と、この評価工程により平坦度が不良と判定された半導体ウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程によりエッチングされた半導体ウェーハを再研磨する再研磨工程とを有する半導体ウェーハの加工方法。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁

To obtain the subject new compound which is readily decomposed with an acid, is not dissolved in a basic aqueous solution and improves etching resistance and pattern profile of resist comprising a conventional carboxylic acid derivative as a main component and an additive.例文帳に追加

従来のカルボキシ酸誘導体を主成分及び添加剤として含むレジストの耐エッチング性とパターンプロファイルを向上させるための新規なカルボキシ酸誘導体及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A mask pattern for exposing partly a metallic silicide layer is formed, and the exposed part of the metallic silicide layer is etched in an isotropic way with a first etching solution to form a metallic silicide layer having a shallow groove.例文帳に追加

金属シリサイド層の一部が露出するマスクパターンを形成し、第１蝕刻液を使用して金属シリサイド層の露出した部位を等方性蝕刻して浅い溝が形成された金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive pattern during heating of an etching solution, whereby accurate time when the formation of the conductive pattern having an accurate pattern width is completed becomes available.例文帳に追加

エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist remover which ensures a short removal time, does not leave residue and makes it possible to use a resist excellent in adhesiveness to a metallic substrate, etching solution resistance, heat resistance and bending resistance.例文帳に追加

剥離時間が短くかつ残渣のないレジスト用剥離液を目的とするもので、残渣の問題を伴うことなく、金属基材との接着性、耐エッチング液性、耐熱性、耐屈曲性に優れたレジストの使用を可能ならしめる。 - 特許庁

To provide a display device that has an electrode structure where a residue of a transparent conductive film is not generated even when a weak acid solution such as an oxalic acid is used in etching, the electrode structure being particularly appropriate for an electrode of a light-emitting element.例文帳に追加

シュウ酸などの弱酸性溶液を用いたエッチングにおいても、透明導電膜の残渣を生じず、特に発光素子の電極として適した電極構造を有する表示装置を提供すること。 - 特許庁

Next, only the largely damaged region of the HfSiON film 15 is selectively removed with the wet-etching process by conducting the cleaning process for about 90 seconds using the aqueous solution of hydrofluoric acid in the concentration of about 5%.例文帳に追加

次に、濃度が５％程度のフッ酸水溶液で９０秒程度の洗浄を行うことにより、ＨｆＳｉＯＮ膜１５のうちダメージが大きく与えられた領域のみが選択的にウェットエッチング除去される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same, having no restriction on pattern layout, on the kind of employed etching solution or the like, and is provided with a bipolar transistor capable of being manufactured by suppressing generation of mesa-shaped abnormalities.例文帳に追加

パターンレイアウトや使用するエッチング液の種類などに制約がなく、メサ形状異常の発生を抑制して製造することができるバイポーラトランジスタを有する半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A composition of an etchant for simultaneously etching the multilayer film having two or more layers including the transparent conductive film and the metal film with one liquid, is a blended solution comprising phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

透明導電膜および金属膜を含む２層または３層以上の積層膜を１液で同時にエッチングするエッチング液組成物であって、りん酸、硝酸および酢酸を配合してなる、前記エッチング液組成物。 - 特許庁

To provide a flexible printed wiring board which produces no undercutting phenomenon at the bottom of a wiring circuit even if a treatment with an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide is carried out, and a copper foil which can prevent any occurrence of the concerned phenomenon.例文帳に追加

硫酸と過酸化水素を含むエッチング液で処理しても、配線回路の底部にアンダーカット現象の発生しないフレキシブルプリント配線板、当該現象の発生防止可能な銅箔の提供を目的とする。 - 特許庁

In the second to last stages, the concentration of chlorine ions in the etching solution is set in a range of 0.10-1.00 mol/L and the current density is set in a range of 10-100 mA/cm^2.例文帳に追加

第二段目から最終段の電解エッチング処理では、エッチング液における塩素イオンの濃度を０．１０〜１．００ｍｏｌ／Ｌの範囲とするとともに、電流密度を１０〜１００ｍＡ／ｃｍ^2の範囲とする。 - 特許庁

To provide a production method of a porous glass in which treatment time can be shortened in selective etching step of a phase separated glass with an acid solution, and remaining and deposition of gel silica in the pores of an obtained porous glass are suppressed.例文帳に追加

分相ガラスの酸溶液による選択エッチングの工程で、処理時間が短縮でき、且つ多孔質の細孔中にゲル状シリカの残留、堆積が抑制された多孔質ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive composition having such a chemical structure as to ensure transparency in the far ultraviolet light region and high dry etching resistance and capable of forming a minute pattern by development with an aqueous alkali developing solution without causing swelling.例文帳に追加

遠紫外光領域で透明、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ち、水性アルカリ現像液で膨潤することなく微細パタンを現像できるネガ型感放射線組成物を提供する。 - 特許庁

After the TiN film 16 is removed, an H_2SO_4 solution is used, for example, to clean the silicon substrate 1 so that the respective etching rates of the tungsten and Co silicide layer 17 become 0.3 nm/min or lower.例文帳に追加

ＴｉＮ膜１６を除去した後、タングステン及びＣｏシリサイド層１７のそれぞれのエッチングレートが０．３ｎｍ／分以下となるように、シリコン基板１に対して例えばＨ_2ＳＯ_4溶液を用い洗浄を行なう。 - 特許庁

The etching solution contains alkali cyanide and an oxidizer, and is used in manufacturing a reflective electrode for a reflection type liquid crystal device having a silver-based thin film containing gold formed on a substrate.例文帳に追加

シアン化アルカリと酸化剤とを含有することを特徴とする、基板上に形成された金含有の銀系薄膜からなる反射型液晶表示装置用反射電極の製造に使用するためのエッチング液。 - 特許庁

The cleaning sequence of the etching residue removing method conducts a first water cleaning process 11, a first drying process 12, a peeling solution process 13, a rinse process 14, a second water cleaning process 15, and a second drying process 16.例文帳に追加

エッチング残渣除去方法の洗浄シーケンスでは、第１の水洗処理１１、第１の乾燥処理１２、剥離液処理１３、リンス処理１４、第２の水洗処理１５、及び、第２の乾燥処理１６を行う。 - 特許庁

To provide a detergent solution and a cleaning method which can effectively remove a resist, a residue of etching, a residue of ashing and particles, while preventing dissolution and the deterioration of the surface of a metal film with low-resistance and a film with low dielectric constant.例文帳に追加

低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。 - 特許庁