| 意味 | 例文 |
etching solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1036件
A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.例文帳に追加
ワードライン構造物124は、導電膜108をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン126及び電荷トラッピング膜パターン128は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜106及び電荷トラッピング膜104をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁
A roughened surface is formed by bringing etching solution into contact with aluminum or an aluminum alloy having a surface coating containing (1) at least one metal selected from metals in the first group comprising Sn, Cu, Fe, Ni, Co, Bi, Sb, Ag and Te, and (2) zinc.例文帳に追加
(1)Sn、Cu、Fe、Ni、Co、Bi、Sb、Ag及びTeからなる第一群の金属より選択される少なくとも1種の金属と(2)亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method includes a stage of photoetching of a conductor by using an etching solution composition containing phosphoric acid of 65 to 75 wt.%, nitric acid of 0.5 to 15 wt.%, acetic acid of 2 to 15 wt.%, a potassium compound of 0.1 to 8.0 wt.% and water in the residual quantity.例文帳に追加
導電体を65乃至75重量%のリン酸、0.5乃至15重量%の硝酸、2乃至15重量%の酢酸、0.1乃至8.0重量%のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 - 特許庁
A formation such as an organic layer on each glass substrate is disposed on its inside surface; two of the glass substrates are stuck to each other while sealing the circumference of the formation; thereafter the glass substrates are polished by the etching solution; and then the glass substrates are thinned by a process for opening the circumference sealing.例文帳に追加
ガラス基板上の有機層等の形成物が内面に配置されるとともに、この形成物の外周を封止しつつ2枚のガラス基板を貼り合せた後、ガラス基板をエッチング液で研磨し、次いで、外周封止を開封する工程によりガラス基板を薄型化する。 - 特許庁
The glass substrate is needed to have acid resistance represented by an etching rate of at most 45 nm/min upon contact with a 0.1 wt.% hydrofluoric acid aqueous solution at 50°C for the purpose of maintaining the smoothness (an average surface roughness) Ra of the substrate smaller than 0.3 nm in alkali cleaning after acid treatment.例文帳に追加
酸処理後のアルカリ洗浄において基板の平滑性(表面平均粗さ)をRa<0.3nmに保つためには、耐酸性の指標として、基板用ガラスの温度50℃における0.1重量%フッ酸水溶液によるエッチングレートが45nm/min以下であることが必要である。 - 特許庁
When the laser beam 2 is irradiated from the upper surface of the transparent body 6 in a state that the lower surface of the transparent body 6 comes in contact with the solution 11, the etching treatment of the transparent body 6 is carried out while moving the lens 5 upward as the aperture 13 is developed, to thereby form an aperture 13 such as a through hole.例文帳に追加
透明体6の下面を溶液11に接触させ、透明体6の上面からレーザ光2を照射する場合は、孔13が進展するにつれてレンズ5を上方に移動させながら透明体6をエッチング処理し、貫通孔などの孔13を形成する。 - 特許庁
To provide a method for producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having better etching characteristics, or the like by solving problems associated with the treatment with an acidic aqueous solution prior to the final annealing and the annealing conditions in the conventional method for producing an aluminum material for electrolytic capacitor electrodes.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法における最終焼鈍前の酸水溶液による処理と焼鈍条件に関する問題点を解決し、より優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
By through shafts, printed circuit board support ring assemblies of passive rings, support rings and shaft sleeves are skewered, the printed circuit board support ring assemblies are accommodated to the nozzles of the etching solution tubes, Also, the respective support rings are arranged so as to be sandwiched separately at the upper and lower parts among the respective support rings.例文帳に追加
穿軸により、受動輪、支承輪、支承輪、及び、軸スリーブのプリント回路板支承輪アセンブリを串接し、プリント回路板支承輪アセンブリは腐蝕液スプレイ管のノズルに迎向し、且つ、各支承輪は各支承輪間の上下に隔てて挟置される。 - 特許庁
To provide an apparatus which can be prevented from being broken by the leakage or the splashing of an etchant caused by abnormal decomposition of hydrogen peroxide in the etchant when etching a substrate having a metallic layer containing copper by the etchant containing hydrogen peroxide solution.例文帳に追加
過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。 - 特許庁
To provide a detergent for offset printing exhibiting excellent cleaning performance for ink and paper powders and also having less adverse effect on a printing area in a printing plate and an etching solution by using specific alkylene glycol ether and water at a predetermined ratio as the detergent for offset printing.例文帳に追加
オフセット印刷用洗浄剤として、特定のアルキレングリコールエーテルと、水とを所定割合で用いることにより、インキおよび紙粉の洗浄性に優れるとともに、印刷版における画線部やエッチ液への悪影響が少ないオフセット印刷用洗浄剤を提供する。 - 特許庁
The high dielectric thin film etching agent composition is an aqueous solution containing at least one of organic acids (preferably, oxalic acid, citric acid, malonic acid, succinic acid, acetic acid or propionic acid) or inorganic acid(preferably, sulfuric acid, nitric acid, hydrogen chloride, phosphoric acid or sulfamic acid) and a fluorine compound.例文帳に追加
有機酸(シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。)又は無機酸(硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。)の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁
This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.例文帳に追加
ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材11をレーザで溶接され、コア材11がエッチング液16に浸る時間を制御することにより、コア材11の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁
To provide a photoresist peeling solution easy to handle, excellent in work efficiency and safety, requiring neither troublesome discharge air treatment nor waste liquor treatment and capable of peeling a photoresist film that remains after dry etching and photoresist residue such as a side wall protecting film without causing a problem such as corrosion of a metal.例文帳に追加
取り扱いが容易で作業性、安全性に優れ、煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト膜及び側壁保護膜等のフォトレジスト残渣を金属腐食などの問題もなく剥離することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。 - 特許庁
The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加
本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程11に続いて洗浄工程12を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程13と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程18と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程19とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液100重量%にリン酸30重量%以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁
If the etching solution is formed in a micro granular state, for instance, magnetic adhesive strength to an external magnetic pole is increased to prevent a fall caused by the mutual collision of magnetic polishing material grain when the magnetic polishing material swings as the external magnetic pole flucuates, and this permits effective polishing and decontamination of radioactive contaminant.例文帳に追加
また、それを例えば微小な米粒状にすれば、外部磁極への磁気接着力が増大し、外部磁極の変動に伴う磁性研磨材の揺動の際にその磁性研磨材粒子相互のぶつかりあいによる脱落が防止でき、効果的な研磨や放射性汚染物の除染が可能となる。 - 特許庁
To obtain a metal-etching-inhibiting ultraviolet-curable composition having the ability to form a coating-unevenness-free uniform coating film excellent in resistance to corrosion by an acid etchant, not suffering from the elution of a part of the film-constituting materials into the etchant having a highly elaborate processing accuracy, and being easily released by treatment with an alkali solution.例文帳に追加
酸エッチング液に対して、優れた耐食性があり、塗布ムラのない均一な塗膜形成性を有し、塗膜構成材料の一部がエッチング液に溶出せず、高微細加工精度があり、アルカリ液にて容易に剥離可能である金属エッチング防食用の紫外線硬化性組成物の提供。 - 特許庁
In a method for analyzing the surface layer of the silicon wafer, the analyzing surface of the silicon wafer is made close to and face the liquid surface of the silicon solution made of a mixed liquid of fluorine and nitric acid under normal temperatures so as to etch the surface layer section of the silicon wafer, and the etching liquid is collected for analysis.例文帳に追加
シリコンウェーハの分析面を、フッ酸と硝酸の混合液からなるシリコン溶解液の液面に、常温下で近接させて対面させることによってシリコンウェーハの表層部をエッチングし、そのエッチング液を回収して分析することを特徴とするシリコンウェーハの表層分析方法である。 - 特許庁
To provide an imidazole compound having high solubility to an aqueous organic acid solution, inhibited with the precipitation of the imidazole-based compound caused by the change of pH of treating liquid or volatilization, continuously used stably against the mingling of miscellaneous ions by a printed wiring board or a soft etching treatment and suitable for a surface-treating agent.例文帳に追加
有機酸水溶液に対する溶解性が高く、処理液のpHの変動や蒸発などに起因するイミダゾール系化合物の析出が抑制され、プリント配線板やソフトエッチング処理による雑イオンの混入に対しても安定した継続使用が可能な、表面処理剤に適したイミダゾール化合物を提供する。 - 特許庁
To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.例文帳に追加
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁
In the printed wiring board 39, the conductor circuit 31 for a solder pad is constituted of an electroless plating film 25 and an electrolytic plating film 29, a roughened surface 32 which is treated by etching solution containing copper (II) complex and organic acid is disposed, and the solder resist layer 38 is arranged on the roughened surface 32.例文帳に追加
本発明のプリント配線板39は、はんだパッド用導体回路31が、無電解めっき膜25と電解めっき膜29とからなり、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面32を有しており、ソルダーレジスト層38が粗化面32上に設けられている。 - 特許庁
A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加
液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極18およびソース電極19を、n型アモルファスシリコン層32上に成膜されたクロム層をレジストパターン34、35をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物36が沈着する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic EL display panel and a thinning method of a glass substrate for thinning the glass substrate by immersing it in an etching solution without damaging components of the organic EL display panel; and to provide a glass substrate for an organic EL display panel and an organic EL display using these methods.例文帳に追加
有機ELディスプレイパネルの構成部材を損傷させることなく、エッチング液に浸漬してガラス基板を薄型化する有機ELディスプレイパネルの製造方法及びガラス基板の薄型化方法、並びにこれらの方法を使用した有機ELディスプレイパネル用ガラス基板及び有機ELディスプレイの提供。 - 特許庁
The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加
GaAs_xP_1−x(0≦x≦1)基板上に、少なくともGaAs_xP_1−x(0≦x≦1)層および内部にpn接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁
In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined.例文帳に追加
形成方法は、平均粒径が100nm以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が500nm以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。 - 特許庁
The glass substrate for the FPD, on whose substrate a prescribed pattern is formed, is manufactured by forming a coating layer 2 on a part of the surface of a glass substrate 1, then treating the coated glass substrate 1 with an etching solution containing hydrofluoric acid so as to etch the glass surface except the part where the coating layer has been formed, and removing the coating layer.例文帳に追加
ガラス基板1の表面の一部に被覆層2を形成し、フッ酸を含有するエッチング液で処理することにより、被覆層が形成された部分以外のガラスの表面をエッチングし、その後被覆層を除去することにより、基板表面が所定の形状にパターニングされたFPD用ガラス基板を製造する。 - 特許庁
A substrate for electron source forming has a layer 1b containing SiO_2 as a main component on a substrate 1a, wherein the SiO_2 layer has a hardness higher than 5 GPa measured by the nano indentation method at room temperature, or an etching rate not higher than 10 nm/min in the solution containing 0.4 wt% of ammonium hydrogen fluoride at room temperature.例文帳に追加
基板1a上にSiO_2を主成分とする層1bを有し、該SiO_2層の室温におけるナノインデンテーション法により測定される硬度が5GPa以上、あるいは、該SiO_2層の室温における0.4wt%フッ化水素アンモニウム水溶液でのエッチングレートが10nm/min以下であることを特徴とする。 - 特許庁
The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.例文帳に追加
アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との2段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁
InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.例文帳に追加
リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にInGaAsをエッチングすることで、n−InGaAs層102をパターニングしてソースコンタクト層(第1半導体層)112を形成するとともに、チャネル層114の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層114aを形成する。 - 特許庁
Concerning the producing method for a thin film wiring board formed with thin film layers on the baseboard having a VIA for electrically conducting the layers, the void defect existent on the VIA is filled with a conductive member having corrosion resistance in respect to an etching solution and afterwards, the thin film layers are formed on the base.例文帳に追加
層間を電気的に導通させるVIAを有するベース基板に薄膜層を形成した薄膜配線基板の製造方法において、前記VIA上に存在するボイド欠陥を、エッチング溶液に対する耐腐食性を有する導電材により埋めた後、前記ベース基板上に薄膜層を形成する。 - 特許庁
To provide a resin material which hardly decomposes, when it is subjected to chemicals such as an etching solution even if it is semi-cured, serves an insulation layer, is equipped with the wiring that is embedded in a resin sheet at molding and smooth after molding, and provided with a top surface that can be smoothed, and is suitable for fine wiring.例文帳に追加
半硬化の状態でもエッチング液などの薬液に対して、分解が起こらず、絶縁層としての役割を果たし、かつ成形時に配線を樹脂シートに潜り込ませることが可能で、成形後の配線の凹凸が無く、表面の平坦化が可能であり、微細配線に適した樹脂材料を提案する。 - 特許庁
To provide a removing solution which does not corrode metals, can inhibit etching of a silicon-containing film of SiO_2, Si_xN_y or the like formed on the surface of a substrate on a practical level, can remove resist residue on a substrate in a short time and is excellent in pH stability during use in a warmed state.例文帳に追加
金属を腐食することなく、且つ基板表面に形成されたSiO_2やSi__xN_yなどのシリコン含有膜の食刻を実用レベルで抑えることが可能であり、短時間で基板上のレジスト残渣物を除去でき、更に加温使用時のpH安定性に優れた剥離液を提供する。 - 特許庁
The etching solution used for the manufacture of the BM contains: at least 15-20 mass% ceric ammonium nitrate (a); 1-8 mass% one or both of nitric acid (b) and perchloric acid (c); and 0.01-0.1 mass% compound (d) expressed by general formula (1).例文帳に追加
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウム(a)を15〜20質量%と、硝酸(b)および過塩素酸(c)のいずれか一方、または両方を1〜8質量%と、一般式(1)で表される化合物(d)を0.01〜0.1質量%とを含有することを特徴とするブラックマトリックスの製造に使用されるエッチング液。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition which enhances resolution/adhesion by high-speed developability (of an unexposed portion) and excellent developer resistance (of an exposed portion), improves dispersibility in a developer, and suppresses foaming of an etching solution, a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加
高速現像性(未露光部)と優れた耐現像液性(露光部)により、解像度・密着性を向上させ、また、現像液における分散性を良好にし、且つ、エッチング液の発泡を抑制する感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供する。 - 特許庁
In the etching method and apparatus, which immerses a substrate into a chemical to dissolve unwanted thin film and ejecting a cleaning solution from a nozzle above a liquid surface of the chemical, when the substrate is moved up to clean the substrate, prior to dried and deposition of particles on the surface of the substrate, thus reducing particle deposition.例文帳に追加
不要薄膜を溶解する薬液に基板を浸漬させた後、基板を上昇させる時に薬液の液面上部のノズルから洗浄液を吐出することにより、パーティクルが基板表面に乾燥固着する前に洗浄することでパーティクル付着を低減するエッチング方法及びエッチング装置。 - 特許庁
The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.例文帳に追加
少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁
After a multiple resist layer 3 having at least two resist layers including a lift-off resist layer 1 as the lowermost layer is exposed, the resist is developed with a solution and subjected to dry etching to remove the extending part 4 of the lift-off resist layer 1 from the projected region of the upper resist layer 2 constituting the multiple resist layer 3.例文帳に追加
最下層がリフトオフ用レジスト層1からなるとともに、少なくとも二層のレジスト層からなる積層レジスト層3を露光したのち、溶液現像し、次いで、前記リフトオフ用レジスト層1の前記積層レジスト層3を構成する上層レジスト層2から投影的にはみ出した部分4をドライエッチングによって除去する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition which is suitable when an exposure light source of ≤160 nm wavelength, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, which exhibits sufficient transparency when a light source of 157 nm is used, and which has various excellent characteristics such as affinity with a developer solution, image forming property and dry etching resistance.例文帳に追加
160nm以下、特にF_2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性、耐ドライエッチング性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
In the surface treatment method for aluminum or an aluminum alloy, in an aqueous solution of an alkali metal salt having a concentration of ≥0.01 mol/L, energizing is performed using an aluminum or aluminum material as an anode in such a manner that voltage is controlled to ≥10 V and electric quantity is controlled to 1.5 to 9.0 A×hr/dm^2, and etching is performed.例文帳に追加
本発明に係るアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法は、濃度0.01mol/L以上のアルカリ金属塩の水溶液中で、アルミニウム又はアルミニウム合金材を陽極として電圧10V以上で電気量1.5〜9.0A・hr/dm^2 を通電し、エッチングすることを特徴とする。 - 特許庁
The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加
ウエハWに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハWにエッチング処理を行うための処理部10と、処理部10にあるウエハWにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部27と、を備える。 - 特許庁
To provide a copper foil for a printed wiring board, which is free of locally eroded recesses on a glossy face side thereof during soft etching processing and is not discolored even by high-temperature treatment at 300°C for 30 minutes and has an excellent solubility in acid solution, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
圧延銅箔の光沢面側において、ソフトエッチング処理の際、局部的に侵食された凹みが生じることがなく、また300℃、30分の高温処理でも変色を起こさず更に酸溶液に対する溶解性が良好なプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.例文帳に追加
高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁
Surface layers of the 1st and 2nd wafers are subjected to etching collection to a depth of at least 5 μm from wafer surfaces, by using a mixed solution containing hydrofluoric acid and nitric acid respectively to obtain a 1st collected liquid from the 1st wafer and a 2nd collected liquid from the 2nd wafer.例文帳に追加
第1及び第2ウェーハの表層をフッ化水素酸及び硝酸をそれぞれ含む混合溶液によりそれぞれウェーハ表面から少なくとも深さ5μmのエッチング回収を行い、第1ウェーハから回収した第1回収液と第2ウェーハから回収した第2回収液とをそれぞれ得る。 - 特許庁
To provide a composition for preventing plating deposition capable of preventing any deposition of a plating film on the insulating coating part of a plating tool even when using an etching liquid other than the mixture of chromic acid and sulfuric acid, for example, a permanganate aqueous solution, or even when increasing the amount of catalyst deposition.例文帳に追加
クロム酸—硫酸混液以外のエッチング処理液、例えば、過マンガン酸塩水溶液を用いた場合や、触媒付着量を多くした場合であっても、めっき用治具の絶縁性コーティング部分に対するめっき皮膜の析出を防止することが可能なめっき析出阻害用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a resist material, of a chemically amplified type in particular, for use in lithography with a high-energy light source in particular, having a practically sufficient level of etching resistance, excellent in adhesion to a substrate and in affinity with the developing solution, much higher than conventional materials in sensitivity and in resolution performance, and swelling less during the developing process.例文帳に追加
特に高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、実用レベルのエッチング耐性を有し、基板密着性及び現像液親和性に優れ、従来品を大きく上回る感度と解像性を有し、加えて現像時の膨潤の小さいレジスト材料、特に化学増幅型レジスト材料を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加
基板上に形成されたInGaAlP層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記InGaAlP層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring sheet for a back contact type solar cell which consists of a laminate of an insulating substrate and a conductor, and on which a wiring pattern is formed subsequently by photoetching, and which can be used for producing a highly reliable back contact type solar cell module that is not attacked by the etching solution with excellent productivity.例文帳に追加
バックコンタクト型太陽電池用の配線シートが、絶縁性を有する基材と導電体との積層体からなり、その後フォトエッチングにより配線パターンが施される配線シートであって、生産性に優れ、且つ、エッチング液に犯されることがない高信頼性を有するバックコンタクト型太陽電池モジュールを生産することができる配線シートを提供する。 - 特許庁
To provide an antireflection film forming composition, having high power to absorb reflected light and capable of forming an antireflection film which has full resistance, even with respect to a developing solution on which a resist pattern excellent in shape can easily be formed at a high etching rate, even if the antireflection film is made thick and difference in level on a substrate is planarized.例文帳に追加
反射光に対して吸収能が高く、エッチングレートが高く反射防止膜を厚膜にし基板上の段差を平坦化しても形状に優れたレジストパターンが容易に形成でき、かつ現像液に対しても充分な耐性を有する反射防止膜を形成できる反射防止膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁
This cleaning liquid is for cleaning iodine and the iodine compound that remain in the semiconductor device, having the gold electrode or the gold wiring formed by the iodine based etching liquid, and the cleaning liquid is an aqueous solution containing thiosulfate; and this cleaning method uses the cleaning liquid, and the semiconductor device is cleaned by this cleaning method.例文帳に追加
ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 - 特許庁
In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加
分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを10°以上90°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁
The display device has the electrode of the laminated structure in which transparent conductive films are laminated, and as for the electrode, a first transparent conductive film which does not form the residue in the etching using the weak acidic solution serves as the lowermost layer, and a second transparent conductive film with a work function of 5.0 eV or more serves as the uppermost layer.例文帳に追加
本発明の表示装置は、透明導電膜が積層した積層構造の電極を有する表示装置であり、前記電極は、弱酸性溶液を用いたエッチングにおいて残渣を生じない第1の透明導電膜を最下層とし、仕事関数が5.0eV以上の第2の透明導電膜を最上層としていることを特徴としている。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|