「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching agent capable of etching a transparent electrically conductive thin film under a mild condition without producing any etching residual dross at all by using an oxalic acid solution.例文帳に追加

透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

A fine hole 29 is formed in the third layer, and an etching solution is fed through the fine hole 29, so that a solution feeding space 39 is formed.例文帳に追加

第３層に細孔２９を形成し、この細孔２９を介してエッチング液を供給し、液供給スペース３９を形成する。 - 特許庁

The ferrous chloride in the solution of the iron salt is oxidized into ferric chloride by the reaction to regenerate an etching solution of ferric chloride.例文帳に追加

この反応により鉄塩溶液中の塩化第一鉄が塩化第二鉄へと酸化され、塩化第二鉄エッチング液が再生される。 - 特許庁

To utilize waste solution containing nitric acid, hexafluoro silicic acid, etc., used for etching or washing electronic parts as a pickling solution for stainless steel.例文帳に追加

電子部品のエッチングや洗浄に用いられた硝酸、ヘキサフルオロケイ酸などを含む廃液をステンレス鋼の酸洗液として利用する。 - 特許庁

The iodine etching solution for etching the noble metal on the semiconductor material comprising both the noble metal and the base metal has an etching rate ratio for the noble metal to the base metal (etching rate of the noble metal/etching rate of the base metal) of ≥0.03.例文帳に追加

貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比（貴金属のエッチングレート／卑金属のエッチングレート）が０．０３以上である、前記エッチング液。 - 特許庁

The etching solution is constituted of a mixture containing HF, HNO3 and H2SO4 preferably.例文帳に追加

前記エッチング処理液は、好ましくはＨＦ、ＨＮＯ_3 およびＨ_2 ＳＯ_4 を含む混合液からなる。 - 特許庁

Then, the needle structure 4 is removed through wet etching by using a TMAH (tetramethylammonium hydroxide) solution (Fig. 1c).例文帳に追加

次に、針状構造４をＴＭＡＨ水溶液によるウェットエッチングで除去する（図１ｃ）。 - 特許庁

The recovered cerium is made into a cerium source of ammonium cerium (IV) nitrate and is reutilized for a chromium etching solution.例文帳に追加

回収したセリウムを、硝酸アンモニウムセリウム（ＩＶ）のセリウム源とし、クロムエッチング液に再利用する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, it is subjected to a wet processing by using the aqueous solution of a phosphoric acid after etching its ferroelectrics film.例文帳に追加

強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁

The etching solution etches in a range of 100-900 angstroms of the insulating layer 68 and 81.例文帳に追加

このエッチング溶液は、絶縁層６８，８１の１００〜９００オングストロームの範囲でエッチングする。 - 特許庁

A higher alcohol is further incorporated in a copper etching solution containing iron(III) chloride and oxalic acid.例文帳に追加

塩化鉄（III）およびシュウ酸を含有する銅エッチング液に、さらに高級アルコールを含有せしめる。 - 特許庁

This etching agent is a solution mixture which is composed of polyethylene glycol, sulfuric acid and hydrogen peroxide water and contains cyclohexylamine.例文帳に追加

シクロヘキシルアミンを含む、ポリエチレングリコールと硫酸と過酸化水素水の混合溶液とする。 - 特許庁

ELECTROLYTIC REGENERATION METHOD FOR COPPER-ETCHING DETERIORATED SOLUTION BY FERRIC CHLORIDE AND ELECTROLYTIC REGENERATOR THEREFOR例文帳に追加

塩化第二鉄による銅エッチング劣化液の電解再生方法及びその電解再生装置 - 特許庁

ETCHANT AND REPLENISHMENT SOLUTION THEREFOR, AND ETCHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING WIRING BOARD USING THE SAME例文帳に追加

エッチング液、その補給液、それらを用いるエッチング方法及び配線基板の製造方法 - 特許庁

In the glass substrate 6 of the active matrix substrate 2, an etching speed by etching solution is lower than that of a glass substrate 7 of the facing substrate 3.例文帳に追加

そして、アクティブマトリクス基板２のガラス基板６は、エッチング溶液によりエッチングされる速度が対向基板３のガラス基板７よりも小さい。 - 特許庁

The sheet etching/conveying device is composed of: a frame; a transmission shaft; etching solution spray tubes arrange at both the edges of the frame; and a vertical trasfer mechanism installed by being supported by the frame.例文帳に追加

フレーム、伝動軸、フレーム両端に配置される腐蝕液スプレイ管、及び、フレームに穿架された垂直転送機構から構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the offset-printing plate support comprises the steps of etching an aluminum plate in an alkaline water-solution, electrochemically roughening it in an water-solution containing hydrochloric acid, etching it in an alkaline water-solution, electrochemically roughening it in a water-solution containing hydrochloric acid, and etching it in an alkaline water-solution and subjecting it to an anodic oxidation treatment.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、 １回目の塩酸を含有する水溶液中での電気化学的粗面化処理、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、 ２回目の塩酸を含有する水溶液中での電気化学的粗面化処理、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および 陽極酸化処理をこの順に施す平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

The method for collecting gold from the etching waste comprises the steps of: adding a sulfite solution to a waste liquid of an iodine-based etching solution to reduce iodine, which has been used for etching gold; then adding a metallic powder to reduce gold remaining in the waste liquid; and separating the solid from the liquid.例文帳に追加

金のエッチングに使用した後のよう素系エッチング液の廃液に亜硫酸塩溶液を添加し、よう素を還元した後、金属粉を添加し廃液中の残りの金を還元し、固液分離するエッチング廃液からの金の回収方法。 - 特許庁

After a cleaning operation (first substrate processing) is finished, an etching solution (second processing solution) reserved in the compounding tank is supplied to a processing tank 10 to carry out an etching operation.例文帳に追加

そして、洗浄処理（第１の基板処理）の完了後、調合槽ＣＢに貯留されているエッチング用処理液（第２の処理液）が処理槽１０に供給されてエッチング処理が実行される。 - 特許庁

A method for continuously etching them comprises converting tin (II) generated in the water-soluble solution to tin (IV), by adding an oxidizing agent to the solution, contacting it with oxygen and air, oxidizing it at an anode side with electrolysis, or the like, and etching them.例文帳に追加

連続的にエッチングするには、水溶液中に生じたスズ（II）を酸化剤の添加、酸素や空気との接触、電解で陽極側で酸化させる等により酸化してスズ（IV）に戻してエッチングする。 - 特許庁

In becomes possible to prevent etching of wirings or the like by flowing the cleaning solution in order to reduce the chemical concentration in the cleaning solution down to the low degree of concentration which can prevent etching of wirings or the like on the substrate surface.例文帳に追加

洗浄液中の薬液濃度が基板表面の配線等のエッチングを生じさせない低濃度になるように洗浄液を流すことで配線等のエッチングを防止可能である。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a waste liquid of an etching solution, which can more efficiently remove an Al component and an Mo component in the waste liquid of the etching solution containing phosphoric acid than a conventional method, and to provide a regenerating apparatus therefor.例文帳に追加

リン酸を含むエッチング廃液中のＡｌ成分やＭｏ成分を、従来よりも効率良く除去することができるエッチング廃液の再生方法及び再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching solution that etches a Ni-based multilayered thin-film at a higher etching angle of 60-90 degrees than a conventional one does, has a satisfactory balance between etching rates to each metallic thin film and oxide thin film thereof, which compose the Ni-based multilayered thin-film, and causes little aging of the etching solution, and to provide an etching method.例文帳に追加

従来のエッチング液よりも、ニッケル系薄膜の積層薄膜に対して、そのエッチング角度を６０〜９０度にエッチングすることができ、ニッケル系積層薄膜を構成する各々の金属薄膜およびその酸化物薄膜に対してエッチング速度のバランスがよく、エッチング液の液疲労が少ないエッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

In order to solve the problem, in this invention, in the etching jig for storing the piezoelectric element plate in a basket storing an etching solution and swinging and rotating it, a mesh material of 0.5-0.9 mm by a gap distance is used on at least a part of the etching jig so as to improve the flowability of the etching solution to the etching jig.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄えるカゴの中に、圧電素板を格納し揺動、回転するエッチングジグにおいて、前記エッチングジグに対するエッチング溶液の流れ性を向上するために、前記エッチングジグの少なくとも一部に隙間距離で０．５ｍｍ〜０．９ｍｍのメッシュ材料を用いたことを特徴とするエッチングジグである。 - 特許庁

To obtain an etching agent which is capable of etching a copper film at a high etching rate by a simple chemical etching method of immersing the low-resistance copper film in a static state into an aqueous solution of an inexpensive and easily available reagent when this copper film is used as a wiring material and hardly gives rise to the occurrence of abnormal etching and pattern thinning.例文帳に追加

低抵抗の銅膜を配線材料として用いる場合に、安価で入手容易な試薬の水溶液に静止状態で浸漬するという簡便なケミカルエッチング法により銅膜を高いエッチングレートでエッチングでき、しかも異常エッチングやパターン細りが起こり難いエッチング剤を得る。 - 特許庁

Therefore, when the groove by the etching becomes deeper and liquid pressure becomes difficult to be transmitted to a bottom of the groove by accumulation of the etching solution 4, thickness of the etching controlled coating 5 becomes thin, stabilization of the etching speed is attained, and distribution of amounts of side etching to a depth direction is uniformized, and the anisotropy becomes high.例文帳に追加

よって、エッチングによる溝が深くなってエッチング液４の液溜りにより液圧が溝底まで伝わり難くなったときにエッチング抑制被膜５の厚さを薄くでき、エッチング速度の安定化を図れると共に深さ方向へのサイドエッチング量の分布を均一化でき異方性を高くできる。 - 特許庁

As a central nozzle 5 supplies etching solution to a center of an under surface of the wafer W, the etching solution turns around a peripheral end surface of the wafer W and reaches the upper surface of the wafer W, thereby a solution membrane in contact with the wafer facing surface 45 is formed.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

A silicon wafer is processed with a mixed acid etching solution 2 of nitric acid, hydrofluoric acid, and acetic acid, and when the mixed etching solution 2 is electrolyzed at a potential of 0.3 V to 0.7 V, nitrite ion contained in the solution is linearly and proportionally changed in concentration to an electrolyzing current.例文帳に追加

硝酸、弗酸及び酢酸からなる混酸エッチング液２でシリコンウエハを処理する場合に０．３Ｖ〜０．７Ｖの間の特定電位で電解を行うと液中の亜硝酸イオン濃度は電解電流値に比例して直線的に変化する。 - 特許庁

To solve the problem that etching solution enters between an element separation area and a semiconductor substrate to produce a gap when a semiconductor layer is removed by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングにより半導体層を除去する際、素子分離領域と半導体基板との間にエッチング溶液が入り込み、空隙が生じる。 - 特許庁

A main body 21 of a diffuser 20 is arranged in an etching bath 10 holding an etching solution 12, and air bubbles are generated from a damp gas to perform aeration churning.例文帳に追加

エッチング液１２を保持するエッチング槽１０にディフューザ２０の本体２１を配置し、湿った気体から気泡を発生させて曝気攪拌を行う。 - 特許庁

When the wet etching is performed on the material to be etched, the etching mask is manufactured by using the film forming method deposited from solution like electrolytic plating.例文帳に追加

被エッチング材に対してウェットエッチングを行う際のエッチング用マスクを電解メッキのような溶液中から析出させる成膜方法を用いて作製する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus for uniformizing the flow rate of an etching solution, and to provide a method for manufacturing a circuit board using it.例文帳に追加

本発明の目的は、エッチング液の流量を均一にすることができるエッチング装置およびそれを用いた回路基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

On the rotary etching processor, a wafer is wetted at first with pure water and an etching solution in order to remove contaminants and a thin film surface layer from the wafer surface.例文帳に追加

主に回転蝕刻プロセッサ上において、先ず純水及び蝕刻溶液でウエハを湿潤させ、ウエハ表面の汚染物及び薄膜表層を除去する。 - 特許庁

The single wafer processing etching device 10 is constituted so as to apply etching on the upper surface 11a of the wafer 11 by supplying etching solution 14 onto the upper surface 11a of the wafer 11, while turning the wafer 11.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、ウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面１１ａをエッチングするように構成される。 - 特許庁

The etching method includes etching the titanium-containing layer in a stacked body having the titanium-containing layer and a layer except the titanium-containing layer, by using the etching solution which includes hydrofluosilicic acid, water and the alcohol having the ether linkage.例文帳に追加

珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 - 特許庁

The desired pattern is formed by performing an etching treatment of the quartz base 120 using a solution in a state that the etching rate of the quartz base 120 and the etching rate of the modified area 400 are different each other.例文帳に追加

石英基板１２０のエッチングレートと、変質領域４００のエッチングレートとが異なる状態において、石英基板１２０を溶液を用いてエッチング処理することで、所望のパターンを形成する。 - 特許庁

Due to this, the acid solution attached to the inner wall of the wet etching tank 111 and to the iron alloy is washed off.例文帳に追加

これにより、ウェットエッチング槽１１１の内壁や鉄合金に付着した酸溶液が洗浄される。 - 特許庁

In this condition, an etching solution 92 is fed to the wafer 28 from a nozzle 94 to etch the wafer 28.例文帳に追加

この状態でウェーハ２８にノズル９４からエッチング液９２を供給し、ウェーハ２８をエッチングする。 - 特許庁

The etching method can include producing an oxidizing substance by electrolyzing a sulfuric acid solution, and producing an etching solution having a prescribed oxidizing species concentration by controlling a produced amount of the produced oxidizing substance, and the produced etching solution is fed to the surface of a workpiece.例文帳に追加

硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 - 特許庁

The ratio of hydrofluoric acid to nitric acid in the etching solution is 0.07≤[HF]wt/[HNO3]wt≤0.59 by weight.例文帳に追加

エッチング液中におけるフッ酸と硝酸の比が、重量比で、０．０７≦［ＨＦ］_wt／［ＨＮＯ_3］_wt≦０．５９を満たす。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISSOLVED SUBSTANCE CONTENT IN LIQUID, AND ETCHING-SOLUTION REPRODUCING SYSTEM例文帳に追加

液体中の溶存物質含有量測定方法及び測定装置、並びに、エッチング液再生システム - 特許庁

To improve peeling property of etching residue, shorten the processing time and reduce the amount of use of the peeling solution.例文帳に追加

エッチング残渣の剥離性の向上、処理時間の短縮、及び剥離液使用量の低減を図る。 - 特許庁

This method comprises etching metallic tin or a tin alloy by contacting a material to be treated with a water-soluble solution including tin (IV) chloride.例文帳に追加

塩化スズ（IV）含有水溶液を被処理材に接触させて金属スズ、スズ合金をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from an indium-containing oxalic-acid etching waste solution.例文帳に追加

インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液からインジウムを効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁

COMPOUND FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST FILM, PHOTORESIST MATERIAL, PHOTORESIST SOLUTION, AND METHOD FOR ETCHING USING THEM例文帳に追加

フォトレジスト用化合物、フォトレジスト膜、フォトレジスト材料、フォトレジスト液、およびこれらを用いるエッチング方法 - 特許庁