「exposure effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To make compensatable the adverse effect of a dimensional difference occurring, when backward scattering electrons generated at the time of electron beam exposure cover light exposure pattern in the vicinity of an EB exposure area, by light exposure pattern formed on a photomask, and to eliminate a need of complicated calculation for plotting the photomask.例文帳に追加

電子ビーム露光時に発生する後方散乱電子が、ＥＢ露光領域に近接する光露光パターンに振りかぶることで生じる寸法差の影響を、フォトマスクに形成する光露光用パターンで補正することができ、且つフォトマスクの描画に際して複雑な計算を必要としない。 - 特許庁

To increase contrast, and resolution, and enlarge the margin of the quantity of exposure, by adjusting the quantity of auxiliary exposure, according to the density of patterns, in a scattering angle limitating system of an electron beam exposure method which performs the proximity effect correction by a ghost method at the same time with pattern exposure.例文帳に追加

ゴースト法による近接効果補正をパターン露光と同時に行う散乱角制限方式電子線露光方法において、パターン密度に応じて補助露光量を調整することにより、コントラストを増大させ、解像度を向上し、露光量マージンを大きくすることにある。 - 特許庁

RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

To obtain a good stereoscopic effect by preventing deviation of imaging conditions such as right and left focused positions/exposure levels.例文帳に追加

左右の合焦位置／露出レベルなどの撮像条件がずれないようにして、良好な立体感が得られるようにする。 - 特許庁

To obtain a higher effect of panning in contrast with length of exposure time set when performing panning.例文帳に追加

流し撮りに際して設定される露光時間の長さに比して、より高い流し撮り撮影の効果が得られるようにする。 - 特許庁

The selected process model is used to perform optical proximity effect correction for the mask pattern for exposure.例文帳に追加

そして、選択したプロセスモデルを用いて、露光用マスクのマスクパターンに対する光近接効果補正を行うようにする。 - 特許庁

Application, etc., for Confirmation by the Minister of Health, Labour and Welfare to the Effect that Workers are not in Danger of Exposure to New Chemical Substances 例文帳に追加

労働者が新規化学物質にさらされるおそれがない旨の厚生労働大臣の確認の申請等 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To clearly photograph a desired object image by excluding the effect by a background light (rear light and excess exposure or the like).例文帳に追加

背景光による影響（逆光、過剰露出など）を排除して所望の被写体像を明瞭に撮影する。 - 特許庁

To remove an adverse effect on an image which may be caused when exposure is performed by a focal plane shutter under a flicker light source.例文帳に追加

フリッカ光源下でフォーカルプレーンシャッタにて露光を行った場合に発生し得る画像への悪影響を除去する。 - 特許庁

To provide an electronic camera that enables the user to clearly understand the effect of automatic shift photographing, by which exposure factor is changed.例文帳に追加

オートシフト撮影においていずれの露出因子を変更したことによる効果であるかが明確に分かるようにする。 - 特許庁

To reduce the effect of scattered rays without increasing an exposure dose in a high-speed photographing X-ray CT scanner.例文帳に追加

高速撮影Ｘ線ＣＴスキャナにおいて、被曝線量を増加させることなく散乱線の影響を軽減すること。 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING PATTERN SHAPE IN CHARGED-PARTICLE RAY EXPOSURE TRANSFER, METHOD FOR DETERMINING RETICLE PATTERN USED FOR CHARGED-PARTICLE RAY EXPOSURE TRANSFER AND METHOD FOR ESTIMATING PARAMETER OF PROXIMITY EFFECT例文帳に追加

荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法、及び近接効果のパラメータの推定方法 - 特許庁

To avoid a decrease in fidelity in a transfer image on a body to be exposed by the influence of an oblique incidence effect for a mask for exposure corresponding to exposure light that enters obliquely.例文帳に追加

斜め入射する露光光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響で被露光体上転写像の忠実性が低下してしまうのを回避する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam aligner which lessens blurs due to the Coulomb effect, without reducing the exposure current, thereby accurately transferring a fine pattern by exposure with a high throughput.例文帳に追加

露光電流を小さくすることなくクーロン効果によるボケを小さくし、微細なパターンを正確にかつスループット良く露光転写することができる荷電粒子線露光装置を提供する。 - 特許庁

A cell which is frequently used or a cell with a higher effect of reducing the number of shots by performing CP exposure than by performing variable shaped beam exposure is selected as the standard.例文帳に追加

このスタンダードセルには、使用頻度のより高い、あるいは、ＣＰ露光を行なうことにより可変成形ビーム露光を行なった場合よりショット数の削減効果のより高いセルを選択する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern for exposure by which a high accuracy corrected shape can be obtained at a high speed in correction of the optical proximity effect of a mask pattern for exposure.例文帳に追加

露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。 - 特許庁

ESTIMATION METHOD OF PATTERN SHAPE IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE TRANSFER, DECISION METHOD OF RETICLE PATTERN USED FOR PARTICLE BEAM EXPOSURE TRANSFER AND ESTIMATION METHOD OF PARAMETER OF PROXIMITY EFFECT例文帳に追加

荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法、及び近接効果のパラメータの推定方法 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material having less dependence of sensitivity on exposure temperature during scanning exposure while maintaining an effect of reducing high illuminance failure due to a water-soluble iridium compound.例文帳に追加

水溶性イリジウム化合物による高照度不軌の低減効果を維持しつつ走査露光時に感度の露光温度依存性の少ないハロゲン化銀写真感光材料を提供する。 - 特許庁

At formation of a mask for pattern transfer after the step of electron beam exposure, an overcorrection is performed by adding the proximity effect produced at electron beam transfer exposure, using the mask for pattern transfer to the proximity effect correction produced at the formation of the mask for pattern transfer.例文帳に追加

電子線露光工程を経てパターン転写用マスクを作製する際に、パターン転写用マスク作製時の近接効果補正分に、該パターン転写用マスクを使用した電子線転写露光時の近接効果分を上乗せして過剰に補正する。 - 特許庁

METHOD FOR APPROXIMATING EID FUNCTION IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR CORRECTING APPROXIMATION EFFECT AND METHOD FOR DECIDING RETICLE PATTERN例文帳に追加

荷電粒子線露光装置におけるＥＩＤ関数の近似方法、近接効果補正方法、及びレチクルパターンの決定方法 - 特許庁

To provide an exposure controller for a camera capable of enhancing a back light correcting effect in the case of portrait photographing at a telepho to end.例文帳に追加

ＴＥＬＥ端でポートレート撮影をする際に、逆光補正の効果を高めるカメラの露光量制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a whitening skin external preparation having a high skin whitening effect, and a skin external preparation for preventing erythema due to the exposure to ultraviolet rays.例文帳に追加

美白効果の高い美白用皮膚外用剤並びに紫外線暴露による紅斑の予防用の皮膚外用剤の提供。 - 特許庁

To improve an antireflection effect with respect to the exposure light of an antireflection film without increasing the thickness of the antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜の膜厚を大きくすることなく、反射防止膜の露光光に対する反射防止効果を向上させる。 - 特許庁

To provide a proximity effect correcting method wherein, responding to the pattern to be formed on a wafer, its exposure amount (does) can be adjusted.例文帳に追加

ウェハー上のパターンに応じて照射量（ドーズ量）を調整することができる近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam aligner for correcting the proximity effect in the exposure of electron beams with accuracy and at high speed.例文帳に追加

電子ビーム露光における近接効果の補正を精度良くかつ高速に行う電子ビーム露光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a reflection-type mask which has a reduced shadowing effect and is capable of phase shift exposure with sufficient shading frame performance.例文帳に追加

シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光が可能で、十分な遮光枠性能を持つ反射型マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which has an improved effect on a margin for exposure (particularly a margin for the exposure of isolated lines) in the production of a semiconductor device, that is, which is less liable to cause a change of the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which produces an effect of improving a margin for exposure (in particular, a margin for the exposure of isolated lines) in the production of a semiconductor device, that is, ensures a small change in the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an electron beam transfer device which is capable of providing an extensive unit exposure area even when the emittance of an electron gun is relatively low, and reducing a harmful effect caused by the space charge effect.例文帳に追加

電子銃のエミッタンスが比較的低くても単位露光領域を広くできるとともに、空間電荷効果による弊害を低減できる電子線転写装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a wiring pattern whose wiring width and wiring interval are small almost to resolution limits of an exposure device by eliminating influence of proximity effect and micro-loading effect and suppressing resist fall.例文帳に追加

近接効果やマイクロローディング効果の影響を排除し、レジスト倒れを抑制し、配線幅や配線間隔が露光装置の解像度限界程度に小さい配線パターンを得る。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming device and an exposure potential control method for avoiding an aging exposure causing the increase of start-up time, for example, after resetting when the device is started up and further having a restraining effect not only to the lowering phenomenon of VL by exposure memory but also to density fluctuation caused by the increase of the VL by the exposure memory.例文帳に追加

装置立ち上げ時のリセット後のような立ち上げ時間の増加につながるエージング露光を廃止し、さらに、露光メモリによるＶＬの低下現象だけでなく、露光メモリによるＶＬの増加による濃度変動にも抑制効果を有する画像形成装置及び露光電位制御方法を提供する。 - 特許庁

In the method for the electron beam exposure, exposure is repeated on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask by using an electron beam exposure mask having proximity effect correction openings arranged such that the size of the openings varies periodically at a predetermined ratio in the order of arrangement.例文帳に追加

開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。 - 特許庁

By using the light in the above wavelength region as exposure light, a region having the minimum intensity of light is formed by the phase inversion effect, resulting in a sharper exposure pattern.例文帳に追加

これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。 - 特許庁

To obtain a lighting optical device which can avoid adverse effect of field stop on the image formation and aggravation of light exposure distribution when the lighting optical device is applied to exposure equipment employing a reflective original, for example.例文帳に追加

例えば反射型原板を用いる露光装置に適用されたときに、視野絞りによる結像の悪影響および露光量分布の悪化を回避することのできる照明光学装置。 - 特許庁

To reduce an effect on a production volume by minimizing a downtime of semiconductor exposure equipment without restarting the equipment as a whole when a process of application software is in an abnormal state, in the semiconductor exposure equipment.例文帳に追加

半導体露光装置において、アプリケーションソフトのプロセスが異常状態になった場合に、装置全体を再起動せずに装置のダウンタイムを最低限にし生産量への影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which produces an effect of improving a margin for exposure in the production of a semiconductor device, that is, ensures a small change in the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、露光マージンに対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide an imaging device for making effective use of a battery with a limited capacity by preventing a large current from flowing in zooming during exposure, and obtaining a sufficient zooming effect during exposure.例文帳に追加

露光間ズーム撮影時に大電流が流れることを回避し、容量に制限のある電池を有効に活用するとともに、露光間ズームの効果を十分に得ることができる撮像装置を提供する。 - 特許庁

To reduce effect of a dark current and to improve an S/N of a picked up image in an imaging apparatus provided with an imaging device where an image pickup face is constituted of an image exposure area and a non- exposure area.例文帳に追加

撮像面が画像露光領域と非露光領域から構成された撮像素子を備える撮像装置において、暗電流の影響を低減し、撮像画像のＳ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by the electron beam exposure whereby the graphic deformation due to the proximity effect can be avoided, without needing the dimensional correction of an exposure graphic accompanying complicated simulation calculations.例文帳に追加

煩雑なシミュレーション計算を伴う露光図形の寸法補正を必要とせずに近接効果による図形の歪みを防ぐことができる電子ビーム露光によるパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the effect of reducing the size variation after exposure can be obtained.例文帳に追加

これにより、半導体膜形成後の半導体基板１の反り値が減少し、露光後の寸法ばらつきが減少する効果を得ることができる。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure method and system by which neither proximity effect nor inverted taper shape is produced.例文帳に追加

本発明は、近接効果のなく、かつ逆テーパー状にならない電子ビーム露光方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a lithographic apparatus reducing latent adverse effect of liquid drops remained on a substrate table after light-exposure of a substrate.例文帳に追加

基板の露光後などの基板テーブル上に残された液滴の潜在的な悪影響が低減されるリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁

To reduce an effect which is caused by vibration, logistics and a long-term use on a positioning state of an exposure device with respect to a photosensitive member.例文帳に追加

像担持体に対する露光装置の位置決め状態に与える振動や物流及び長期使用の影響を小さくする。 - 特許庁

To obtain a necessary and sufficient auxiliary light effect with minimum power by radiating the quantity of light by which optimum exposure is obtained for every subject area.例文帳に追加

被写体領域毎に最適露光が得られる光量を照射して最小の電力で必要十分な補助光効果を得る。 - 特許庁