「ferroelectric phase」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The natural helix pitch of the ferroelectric liquid crystal in the ferroelectric phase is sufficiently tighter than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer of the device, the ferroelectric liquid crystal has a helical director structure and is not surface-stabilized.例文帳に追加

強誘電相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、素子の強誘電性液晶層の厚みよりも十分短いため、強誘電性液晶はらせん配向ベクトル構造を有し、かつ表面安定化されていない。 - 特許庁

In the ferroelectric phase, as a natural helical pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently tighter than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer in the device, the ferroelectric liquid crystal has a helix orientated vector structure and is not surface-stabilized.例文帳に追加

強誘電相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、素子の強誘電性液晶層の厚みよりも十分短いため、強誘電性液晶はらせん配向ベクトル構造を有し、かつ表面安定化されていない。 - 特許庁

Ecrt' is an electric field required for shifting antiferroelectric materials from an antiferroelectric phase to a ferroelectric phase, Ecrt is an electric field required for returning it from a ferroelectric phase to an antiferroelectric phase.例文帳に追加

Ｅｃｒｔ’は反強誘電体材料を反強誘電相から強誘電相に転移させるのに必要な電界であり、Ｅｃｒｔは強誘電相が反強誘電相に戻る時の電界である。 - 特許庁

To provide a ferroelectric device having a single-phase, high-quality ferroelectric film orientatively grown on a Pt electrode and a method of its formation.例文帳に追加

単相、高品質、Ｐｔ電極上に配向成長した強誘電体膜を有した強誘電体デバイスおよびその形成方法を提供する。 - 特許庁

In another phase of the manufacturing method of the three-dimensional ferroelectric material structure, the dual damasscene of a ferroelectric material capacitor is obtained.例文帳に追加

本発明の別の局面においては、強誘電体キャパシタのデュアルダマシンが提供される。 - 特許庁

To excellently drive an anti-ferroelectric liquid crystal element of which the ferroelectric liquid crystal phase state has memory ability in the state without electric field.例文帳に追加

無電界状態で強誘電性液晶相状態がメモリー性を有する反強誘電性液晶素子を良好に駆動する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric layer contains the steps of forming a first ferroelectric layer 22 on a substrate by a vapor phase method, and forming a second ferroelectric layer 24 on the first ferroelectric layer 22 by a liquid phase method.例文帳に追加

強誘電体層の製造方法は、基体の上方に、気相法によって第１の強誘電体層２２を形成する工程と、第１の強誘電体層２２の上方に、液相法によって第２の強誘電体層２４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

SINGLE PHASE PEROVSKITE FERROELECTRIC FILM ON PLATINUM ELECTRODE, AND METHOD OF ITS FORMATION例文帳に追加

プラチナ電極上の単相ペロブスカイト強誘電体膜およびその形成方法 - 特許庁

In the nematic phase, the natural spiral pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently longer than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 15, therefore, orientation of the ferroelectric liquid crystal layer 15 of the element becomes easy.例文帳に追加

ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層１５の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層１５の配向が容易になる。 - 特許庁

Since the natural helix pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently longer than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer of the device in the nematic phase, the ferroelectric liquid crystal layer of the device is easily arranged.例文帳に追加

ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。 - 特許庁

In the nematic phase, as the natural helical pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently greater than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer to facilitate alignment of the ferroelectric crystal layer in the device.例文帳に追加

ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。 - 特許庁

In the nematic phase, the natural helix pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently greater than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer to facilitate alignment of the ferroelectric liquid crystal layer in the device.例文帳に追加

ネマティック相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、強誘電性液晶層の厚みよりも十分長いため、素子の強誘電性液晶層の配向が容易になる。 - 特許庁

The variable capacitive element using a ferroelectric substance is provided with a ferroelectric layer 21, connected between first and second electrodes 22, 24; the ferroelectric layer 21 has a Perovskite structure that is phase-transformed from cubic crystal to tetragonal phase by compression stress Y that the ferroelectric layer has inside; and by using the ferroelectric layer, the variable capacitive element can be reduced in size.例文帳に追加

本発明は、強誘電体を用いた可変容量素子において、第１及び第２の電極２２、２４の間に接続された強誘電体層２１を備え、前記強誘電体層２１は、自らが内部に持つ圧縮応力Ｙにより立方晶から正方晶へ相変態したペロブスカイト型構造を有することを特徴とする可変容量素子を用いることで、可変容量素子の小型化を実現できるものである。 - 特許庁

In the ferroelectric phase, the natural spiral pitch of the ferroelectric liquid crystal is sufficiently shorter than the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 15 of the element, therefore, the ferroelectric liquid crystal has a spirally oriented vector structure and is not stabilized on the surface.例文帳に追加

強誘電相では、強誘電性液晶の自然のらせんピッチが、素子の強誘電性液晶層１５の厚みよりも十分短いため、強誘電性液晶はらせん配向ベクトル構造を有し、かつ表面安定化されていない。 - 特許庁

The method and device for driving a ferroelectric liquid crystal display panel and the electric field alignment method applied to the same comprise a step of making the temperature of a ferroelectric liquid crystal substance sufficiently lower than a phase transition temperature to impart a smectic C phase to the ferroelectric liquid crystal and a step of applying an electric field to the liquid crystal display panel to align the ferroelectric liquid crystal substance.例文帳に追加

本発明に係る強誘電性液晶表示パネルの駆動方法及び装置とこれに適用される電界配向方法は、強誘電性液晶物質の温度を相転移温度以下に充分に低くして前記強誘電性液晶がスメクティックC相を持つようにする段階と、温度を落とす間、前記液晶表示パネルに電界を印加して強誘電性液晶物質を配向する段階とからなる。 - 特許庁

A liquid crystal cell wherein a zigzag defect occurs in the ferroelectric liquid crystal is heated up to a temperature almost reaching the temperature which causes phase transition of the ferroelectric liquid crystal from a smectic C phase to a smectic A phase, and this heating temperature is kept for a certain time and then is gradually reduced to a normal temperature.例文帳に追加

強誘電性液晶にジグザグ欠陥が発生した液晶セルを、強誘電性液晶がスメクティックＣ相からスメクティックＡ相へ相転移する直前の温度まで加熱し、その加熱温度を一定時間保持した後、加熱温度を常温まで徐々に低下させる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric liquid crystal composition which exhibits a phase series of liquid phase (Iso)-cholesteric phase (Ch)-smectic A phase (Sa)- chiral smectic C phase (Sc), has a wide temperature range wherein the Sc phase is exhibited, especially has low crystallization temperature and melting point, and does not crystallize at low temperatures.例文帳に追加

液体相(Iso)−コレステリック相(Ch)−スメクチックA相(S_Ａ)−キラルスメクチックC相(Sc^*)の相系列を示し、Sc^*相を示す温度範囲が広く、特に結晶化温度や融点が低く、低温で結晶化が起こらない強誘電性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

Thus, the ferroelectric film having a specific crystal orientation can be formed, phase transited to a ferroelectric phase without changing the crystal structure by heat treating at a higher temperature than the film forming temperature or the Curie temperature and treating once to a paraelectric phase, and the ferroelectric film in which spontaneous polarization bearing of each domain can be obtained.例文帳に追加

特定の結晶配向を有する強誘電体膜が成膜でき、成膜温度あるいはキュリー温度よりも高温で熱処理して一旦常誘電相とする処理を行うことにより、結晶構造を変えることなく強誘電相へ相転移され、各ドメインの自発分極方位が揃った強誘電体膜を得ることができる。 - 特許庁

To obtain a ferroelectric liquid crystal composition having quick response, low threshold voltage and broad temperature range to exhibit chiral smectic C phase by combining a base liquid crystal composed of plural kinds of non-chiral compounds with a ferroelectric chiral compound.例文帳に追加

Sc*相を示す温度範囲が広く、同時に高速応答性を有し、しかも閾値電圧の低い新たな強誘電性液晶組成物の提供。 - 特許庁

To provide a ferroelectric liquid crystal which exhibits a ferroelectric liquid crystal phase in a wide range of temperature and has a spontaneous polarization values suitable for TFT drive and a large tilt angle for producing a high contrast, and a liquid crystal display prepared therefrom.例文帳に追加

広い温度範囲において強誘電性液晶相を示し、ＴＦＴ駆動に適度な自発分極値と高コントラストを得る大きなチルト角を有する強誘電性液晶、およびそれを用いた液晶表示素子の提供。 - 特許庁

The ferroelectric liquid crystal layer is prepared by curing (polymerizing) the curing type liquid crystal monomer by irradiation of UV rays while substantial DC voltage is applied at a temperature where the liquid crystal has a chiral smectic phase so that the ferroelectric liquid crystal layer is stabilized by a side-chain type polymer liquid crystal.例文帳に追加

強誘電性液晶（ＦＬＣ）セルに光重合性液晶モノマーを数％添加し、電圧を印加しながら紫外光照射をすることにより側鎖型液晶高分子によりＦＬＣを安定化する。 - 特許庁

The ferroelectric liquid crystal display element of a hybrid structure having surface layers with lowered SmA-SmC* phase transition temperature is obtained.例文帳に追加

ＳｍＡ−ＳｍＣ^* 相転移点を降下させた表面層を有するハイブリッド構造の強誘電性液晶表示素子を得る。 - 特許庁

The ferroelectric liquid crystal 12 involves spontaneous polarization, exhibits a chiral smectic C phase, and has ≥40° cone angle.例文帳に追加

強誘電性液晶１２は、自発分極を伴い、カイラルスメクティックＣ相を示し、４０°以上のコーン角を有する。 - 特許庁

The step by which a vapor-phase proton is diffused into the ferroelectric crystal by a vapor-phase proton-exchange process to form a vapor- phase proton-exchange (VPE) waveguide material structure having a step refractive index profile.例文帳に追加

気相陽子が、気相陽子交換加工により強誘電体結晶中に拡散され、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子交換（ＶＰＥ）導波路材構造を形成する工程。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element using a ferroelectric liquid crystal, which takes on a monostable mode of operation by using a material exhibiting a chiral smectic C phase via a smectic A phase in a temperature lowering process as the ferroelectric liquid crystal.例文帳に追加

本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、強誘電性液晶として、降温過程においてスメクチックＡ相を経由してカイラルスメクチックＣ相を発現する材料を用い、単安定性の動作モードを示す液晶表示素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

More specifically, the capacitive insulating film (6) is formed using metal organic vapor phase epitaxy under second temperature (590°C or above) higher than a first temperature at which the crystal phase of the ferroelectric film undergoes phase transition from fluorite phase to perovskite phase.例文帳に追加

具体的には、強誘電体膜の結晶相がフルオライト相からペロブスカイト相へ相転移する第１の温度よりも高い第２の温度（５９０℃以上）の下で、有機金属気相成長法を用いて容量絶縁膜（６）を形成する。 - 特許庁

An electrode 100c is immersed into dispersion solution into which a resistor particle 100b calcined into a crystal phase of the single crystal of a metal-insulator phase transition material and obtaining a ferroelectric property is dispersed by single dispersion.例文帳に追加

金属−絶縁体相転移材料の単結晶であって、強誘電性を発現する結晶相に焼成された抵抗体粒子１００ｂを単分散させた分散液中に電極１００ｃを浸漬する。 - 特許庁

The amplifier further includes a phase control circuit arranged in a signal path of one of the first and second amplifiers, the phase control circuit comprising at least one thin film ferroelectric element.例文帳に追加

増幅器はさらに、第１および第２増幅器の１つの信号路に配置された位相制御回路を含み、この位相制御回路は、少なくとも１つの薄膜強誘電性素子を備える。 - 特許庁

This porcelain of dielectrics consists mainly of BaTiO3 forming particles 1 of porcelain of dielectrics constituted by a core 2 of ferroelectric phase and a shell 3 of paraelectric phase surrounding the core 2 and where Mg and rare earth elements are diffused in BaTiO3.例文帳に追加

誘電体磁器は、ＢａＴｉＯ_3 を主体とし、誘電体磁器粒子１が強誘電体相のコア２と、このコア２を囲んで形成され、ＢａＴｉＯ_3 にＭｇと希土類元素が拡散した常誘電体相のシェル３とを有する。 - 特許庁

Moreover, by using the alkoxide raw material, the bismuth layered compound is formed by a chemical vapor phase growth method, and a semiconductor system having the bismuth layered compound on a substrate or a ferroelectric memory using the bismuth layered compound as a ferroelectric material is fabricated.例文帳に追加

また、このアルコキシド原料を用いて化学的気相成長法によりビスマス層状化合物を形成して、基板上にビスマス層状化合物を有する半導体装置もしくはビスマス層状化合物を強誘電体材料として用いた強誘電性メモリを製造する。 - 特許庁

To provide, in a liquid phase method, a precursor composition for forming a ferroelectric substance good in composition controllability, and capable of reuse of a metal component such as lead etc., a manufacturing method of the precursor composition, and a manufacturing method of a ferroelectric substance film using the precursor composition.例文帳に追加

液相法において、組成制御性がよく、しかも鉛などの金属成分の再利用が可能な強誘電体形成用の前駆体組成物、該前駆体組成物の製造方法、および前駆体組成物を用いた強誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Introduction of the fine multi-domain structure can be provided by heating the perovskite-type ferroelectric crystal above the temperature causing structural phase transition, by applying an electric field in a direction different from a ferroelectric spontaneous polarization direction of the crystal, and by lowering the temperature of the crystal, while keeping the state with the electric field applied.例文帳に追加

微細な多分域構造の導入は、ペロブスカイト型強誘電体結晶を構造相転移する温度以上に加熱し、結晶の強誘電自発分極方向とは異なる方位に電界を印加し、電界を印加した状態を保って結晶の温度を下げることにより得ることかできる。 - 特許庁

To provide a safe and inexpensive method of reducing the thickness of a ferroelectric film by effectively removing a secondary phase formed on its surface and further maintaining the smoothness of its surface such that an electronic device using this ferroelectric film can be operated at a low voltage.例文帳に追加

強誘電体膜の表面に形成された二次相を効果的に除去し、さらに、それを用いた電子装置が低電圧で操作可能となるように強誘電体膜の表面の滑らかさを保持しながら膜厚を低減するための安全でかつ安価な方法を提供する。 - 特許庁

The method includes immersing a substrate having a miscut surface into a reaction solution containing a precursor compound for a perovskite-type ferroelectric and water, and implementing a hydrothermal reaction in the reaction solution at a temperature lower than the phase transition temperature of the perovskite-type ferroelectric, thereby a perovskite-type ferroelectric layer is formed on the miscut surface of the substrate.例文帳に追加

ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。 - 特許庁

The dielectric ceramic composition comprises barium titanate and component M, wherein M is at least one selected from the group consisting of manganese oxide, iron oxide, cobalt oxide and nickel oxide, as main components, and has a ferroelectric phase region, wherein the concentration of component M in the ferroelectric phase region changes from the outside toward the center.例文帳に追加

チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。 - 特許庁

The dielectric ceramic composition comprises barium titanate and component M (wherein M is at least one chosen from the group consisting of manganese oxide, iron oxide, cobalt oxide and nickel oxide) as main components and has a ferroelectric phase region, wherein the concentration of the component M in the ferroelectric phase region changes from the outside toward the center.例文帳に追加

チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。 - 特許庁

An optical switch 10 having a KTN (KTaNbO) material which induces phase transition between a paraelectric phase and a ferroelectric phase includes an AC driving circuit 17 and heating electrodes 15, 16 electrically connected to the AC driving circuit 17 and disposed near an operational region which is interposed between a phase modulation electrode 13 and a phase modulation electrode 14 and which includes a core 12.例文帳に追加

常誘電相と強誘電相との間で相転移を起こすＫＴＮ材料を備える光スイッチ１０は、交流駆動回路１７と、交流駆動回路１７に電気的に接続され、位相変調用電極１３と位相変調用電極１４とに挟まれ、コア１２を含む、動作領域の近傍に配置された、加熱用電極１５および１６とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the surface morphology of a ferroelectric film formed through an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により形成された強誘電体膜の表面モホロジーを改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave heating method in which a heating object can be heated uniformly in high speed up to a predetermined temperature by utilizing a Curie point phase transition held by a ferroelectric.例文帳に追加

広く一般的に利用されるマイクロ波加熱法において、強誘電体の持つキュリーポイント相転移を利用し、加熱対象を急速かつ均一に所定の温度に加熱するマイクロ波加熱方法を提供する。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR PHASE GROWTH METHOD, BISMUTH LAYERED COMPOUND FABRICATED BY USING SAME, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

化学的気相成長法用原料とこれを用いて製造したビスマス層状化合物、半導体装置の製造方法、並びに強誘電性メモリの製造方法 - 特許庁

This dielectric ceramic consists essentially of BaTiO3, and contains dielectric ceramic particles 1, having cores 2 in a ferroelectric phase, and shells 3 formed so as to surround the core 2 and containing Mg and a rare earth element dispersed, in the BaTiO3.例文帳に追加

誘電体磁器は、ＢａＴｉＯ_3 を主体とし、誘電体磁器粒子１が強誘電体相のコア２と、このコア２を囲んで形成され、ＢａＴｉＯ_3 にＭｇと希土類元素が拡散したシェル３とを有する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal composition, having a high responding property and/or an excellent hysteresis characteristic (a low threshold electric voltage and a high driving margin) of a liquid crystal composition having an anti-ferroelectric phase.例文帳に追加

反強誘電相を有する液晶組成物の高速応答性及び／又は優れたヒステリシス特性（低しきい値電圧、高駆動マージン）を有する液晶組成物を提供する。 - 特許庁

A pair of uniaxially oriented substrates are placed opposite to each other so that the orientation directions are parallel to each other and a ferroelectric liquid crystal material having chiral smectic C phase is filled between the substrates.例文帳に追加

一軸配向処理が施された一対の基板を配向処理方向が互いに略平行となるように対向配置し、基板間にカイラルスメクチックＣ相を有する強誘電性液晶材料を充填する。 - 特許庁

Formation of pyrochlore phase is prevented, while quantity of carbon compound 105 remaining in the ferroelectric material film 104 is reduced by setting the substrate temperature to 430°C or higher but 470°C or lower during formation of the film.例文帳に追加

成膜時の基板温度を４３０℃以上４７０℃以下にすることで強誘電体膜１０４中に残留する炭素化合物１０５の量を減らしつつ、パイロクロア相の形成を防ぐ。 - 特許庁

An alignment film 2 is formed on the inner face of one of a pair of transparent substrates 3, and the space between the alignment film 2 and the other transparent substrate 3 is filled with a ferroelectric liquid crystal 1 composed of a chiral smectic C phase.例文帳に追加

１対の透明基板３の内面に配向膜２が形成されており、配向膜２ともう一方の透明基板３との間にキラルスメクチックＣ相よりなる強誘電液晶１が充填されている。 - 特許庁