「film of」に関連した英語例文の一覧と使い方(993ページ目) - Weblio英語例文検索

A gap restriction film 22 made of an organic material such as epoxy resin, polyimide resin, etc., is provided on the top surface of an overcoat film 20 so that its surface is uneven.例文帳に追加

オーバーコート膜２０の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜２２がその表面が凸凹となるように設けられている。 - 特許庁

The thickness of the lithium film 28 is set at such a thickness that the incident proton beam loses its energy to a threshold value of the Li(p, n) reaction or lower before being output from the lithium film 28.例文帳に追加

リチウム薄膜２８の厚さを、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜２８から出射するまでの間に、そのエネルギーがLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定する。 - 特許庁

A surface image of the polysilicon film is photographed by ultraviolet light, and the periodicity of the film surface is digitized (transformed into AC values) from the image utilizing autocorrelation function.例文帳に追加

ポリシリコン膜の表面画像を紫外光で撮像し、この画像から膜表面の周期性を自己相関関数を利用して数値化（ＡＣ値化）する。 - 特許庁

The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches.例文帳に追加

この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。 - 特許庁

Portions other than the trench of the semiconductor substrate 1 are exposed by removing the silicon nitride film 3 and the protective silicon oxide film 2 above the portions other than the trench of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

つぎに、半導体基板１の溝以外の部分の上方の窒化シリコン膜３および保護酸化シリコン膜２を除去して、半導体基板１の溝以外の部分を露出させる。 - 特許庁

The supporting region for the film mask of the supporting bed supporting the film mask 3 is made of a stainless steel screen mesh 42 produced by weaving stainless steel threads into a mesh.例文帳に追加

フィルムマスク３を支持する支持台におけるフィルムマスク支持領域を、ステンレス製の糸をメッシュ状に織り上げたステンレス製スクリーンメッシュ部４２としている。 - 特許庁

With such an arrangement, a dielectric thin film can be formed before the solvent component volatilizes resulting in a dielectric thin film of high uniformity in which occurrence of striation is reduced.例文帳に追加

このような構成により、溶剤成分が揮発する前に誘電体薄膜を形成することができ、その結果、ストライエーションの発生を低減した均一性の高い誘電体薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The protective film of the polarizing plate having the protective film on at least one surface of the polarizer is constituted by curing an energy ray-curing composition containing an energy ray polymerizable compound having a bisphenol residue.例文帳に追加

偏光子の少なくとも片面に保護膜が形成された偏光板の当該保護膜を、ビスフェノール残基を有するエネルギー線重合性化合物を含有するエネルギー線硬化性組成物を硬化させたものから構成する。 - 特許庁

To provide a technology of improving reliability of an MISFET in a semiconductor device having an MISFET where an insulating film containing hafnium is used in the gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜にハフニウムを含む絶縁膜を使用したＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

To suppress the leakage current of an insulating film and maintain the mobility of a semiconductor element at a high level by optimally introducing nitrogen atoms into an oxide film.例文帳に追加

酸化膜に窒素原子を適切に導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制し、半導体素子のモビリティを高く維持することができる。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming composition for lithography for forming an underlayer film used as an underlayer of a photoresist in a lithography process of semiconductor device manufacture.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィ−工程においてフォトレジストの下層に使用される下層膜を形成するためのリソグラフィ−用下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

A tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains hydrogen, nitrogen and tungusten, and the lower electrode 13x is comprised of a tantalum film containing oxygen to prevent the entry of hydrogen to the insulation layer 14x from the lower electrode 13x.例文帳に追加

絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極１３ｘは、下電極１３ｘから絶縁層１４ｘの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 - 特許庁

The moisture sensitive film 3 which is made of a polyimide polymer or the like and has a hygroscopic property, is formed on the electrodes 2 through a silicon nitride film so as to cover the pair of electrodes 2 and the space between the electrodes 2.例文帳に追加

この電極２上には窒化シリコン膜を介して、一対の電極２及び電極２間を覆うように、ポリイミド系ポリマーなどからなる吸湿性を備えた感湿膜３が形成されている。 - 特許庁

An alignment film having alignment of liquid crystal molecules is treated with a single or a plurality of plasma generating devices, so that the liquid crystal molecules can be aligned at a pretilt angle on the film surface.例文帳に追加

液晶分子配列を有する配向膜表面に、該配向膜を、単一または複数のプラズマ生成装置により処理することで、液晶分子がプレチルト角を有する配列となることが可能となる。 - 特許庁

The negative electrode member of the lithium secondary battery is formed by successively laminating a lithium metal film 2 and a solid electrolyte film 3 on a metallic base member made of a copper foil 1.例文帳に追加

金属基材である銅箔１上にリチウム金属膜２と固体電解質膜３を順に形成してリチウム二次電池用の負極部材となす。 - 特許庁

In this case, the clear coating film includes resin powder having lubricity and inorganic powder of presenting a delustering appearance, and the fluororesin coating film is mainly composed of a thermoplastic acrylic resin, a polyvinylidene fluoride resin and an epoxy resin.例文帳に追加

クリア塗膜は潤滑性を有する樹脂粉末や艶消し外観を呈する無機粉末を含み、フッ素樹脂塗膜は熱可塑性アクリル樹脂，ポリフッ化ビニリデン樹脂，エポキシ樹脂を主成分としている。 - 特許庁

To provide a polyolefin resin composition excellent in the balance of appearance and handling of its film, and a polyolefin resin film comprising the composition.例文帳に追加

フィルムの外観および取扱い性のバランスに優れるポリオレフィン系樹脂組成物およびその組成物からなるポリオレフィン系樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the transparent conductive film includes a step of forming the transparent conductive film on a substrate using the composite target for sputtering comprising the oxide component containing zinc oxide and the carbon components.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

To form an epitaxial thin film of a metallic sulfide directly on a Si single crystal substrate in the case of manufacturing a compound thin film element having ionic bonds on the Si single crystal substrate.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板上に形成するイオン結合を有する化合物の薄膜素子を製造するに際し、基板直上に金属硫化物のエピタキシャル薄膜を形成すること。 - 特許庁

A heat energy in such a degree that the metal film 8 of a desired thickness can react with silicon composed of the semiconductor substrate 1 for forming a silicide film 11 is added to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

そして、シリサイド膜１１形成のために、所望の膜厚分の金属膜８が半導体基板１を構成するシリコンと反応する程度の熱エネルギーを、半導体基板１に対して加える。 - 特許庁

A transparent thin film layer 2 formed by selecting from a metal oxide, nitride or acid nitride is formed on at least one face of a base material 1 composed of a cycloolefin polymer film.例文帳に追加

シクロオレフィンポリマーフィルムを基材１とし、その少なくとも片面に金属の酸化物、窒化物、酸窒化物から選ばれる透明な薄膜層２を形成する。 - 特許庁

To reduce infrared reflectance on a rear face of an infrared absorption film in thermal-type infrared-ray sensor which receives infrared rays from the rear face of the infrared absorption film.例文帳に追加

赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of hydrogen plasma treating and ammonia plasma treating a semiconductor substrate 1, prior to the formation of an insulating film 19b for a cap film, after cleaning after the CMP.例文帳に追加

また、そのＣＭＰ後洗浄後、キャップ膜用の絶縁膜１９ｂの形成前に、半導体基板１に対して、水素プラズマ処理およびアンモニアプラズマ処理を施す。 - 特許庁

To prevent increase of threshold voltage of an MIS transistor that comprises a gate insulating film having a high dielectric constant film containing adjusting metal in a semiconductor device including MIS transistors.例文帳に追加

調整用金属を含む高誘電率膜を有するゲート絶縁膜を備えたＭＩＳトランジスタを有する半導体装置において、ＭＩＳトランジスタの閾値電圧が高くなることを防止する。 - 特許庁

The colored thin film 44 has function of attenuating visible light and laser light in a prescribed wavelength region, and, for example, is formed of a silicon oxide film containing cobalt oxide.例文帳に追加

この有色薄膜４４は、可視光および特定波長域のレーザ光を減衰させる機能を有し、例えば、酸化コバルトを含有する酸化シリコン膜より形成する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING (0001) EPITAXIAL THIN FILM OF HEXAGONAL SYSTEM SUBSTANCE SUCH AS ZINC OXIDE USING OXIDE CUBIC SYSTEM (111) SUBSTRATE AND THE THIN FILM OBTAINED BY THE SAME例文帳に追加

酸化物立方晶系（１１１）基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の（０００１）エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜 - 特許庁

An amorphous silicon film 104 of a pixel part of the active matrix substrate 101, constituting the display device, is selectively irradiated with a laser beam 208 to reform into a polysilicon film 105.例文帳に追加

表示装置を構成するアクティブ・マトリクス基板１０１の画素部のアモルファスシリコン膜１０４に選択的にレーザビーム２０８を照射してポリシリコン膜１０５に改質する。 - 特許庁

The filtration membrane apparatus comprises a filtration membrane which is an organic film having a large number of ultra small holes and a metal thin film formed on the filtration face side of the filtration membrane and having the surface made hydrophilic.例文帳に追加

有機質膜に多数の微細小孔を形成してなるろ過膜と、ろ過膜のろ過面に形成された表面が親水化処理された金属薄膜とを有するろ過膜装置。 - 特許庁

The top layer 4 is applied not by direct coating, but by forming beforehand a film composed of a single substance or a mixture of urethane resin or polyester resin and adhering the film to the under layer 3.例文帳に追加

トップ層は、ダイレクトコーティングせずに、ウレタン樹脂もしくはポリエステル樹脂の単独物または混合物で予めフィルムを形成させ、それをアンダー層に貼り付けることにより形成させる。 - 特許庁

To reliably divide a metal film on a wafer backside without causing breakage of a chip or misalignment of chips when breaking a laser modified semiconductor wafer on which the metal film is formed on the backside.例文帳に追加

裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割する。 - 特許庁

On each of sidewalls SW facing at a butting part of gate electrodes G2 and G5, a liner insulation film 6 and an interlayer insulation film 7 are formed.例文帳に追加

ゲート電極Ｇ２およびＧ５間の突合わせ部において対向するサイドウォールＳＷ上には、ライナー絶縁膜６と層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

This separator 10 for the electronic part has a porous film 11 made of resin, and in the inside and/or on the surface of the porous film 11, particulates 12, 12... are dispersed.例文帳に追加

本発明の電子部品用セパレータ１０は、樹脂製の多孔質膜１１を有し、この多孔質膜１１の内部及び／又は表面に微粒子１２，１２・・・が分散している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for performing laser-trimming at a laser energy value lower than a laser energy value with which an insulating film and a semiconductor substrate positioned at a periphery of a thin film resistor is cracked.例文帳に追加

薄膜抵抗の周辺に位置する絶縁膜や半導体基板に亀裂が入るレーザーエネルギー値よりも低いレーザーエネルギー値にて、レーザートリミングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal thin film is formed from at least two kinds of metals or alloys into a pattern or the whole surface film on at least one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面上に、少なくとも２種類の金属又は合金でパターン状の金属薄膜若しくは全面の金属薄膜を形成したこと。 - 特許庁

Copper is plated on the rear surface of the synthetic resin-made perforated film 1 by a vapor deposition method to cover the surface of the deposited copper with the synthetic resin-made perforated film 1.例文帳に追加

前記合成樹脂製多孔フィルム１の裏面に銅が蒸着メッキされることにより銅の表面が合成樹脂製多孔フィルム１で覆われた構成とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth apparatus for forming an epitaxial film of the uniform distribution of a film thickness by uniformly applying a reaction gas over an epitaxial wafer.例文帳に追加

反応ガスをウェーハ上に均一に流すことにより膜厚分布の均一なエピタキシャル膜を形成することができるエピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁

Since the surface of the organic film is efficiently nitrided by nitrogen generated from the ammonia gas, the side wall of a recessed part in the organic film is protected and high anisotropy can be realized.例文帳に追加

有機膜の表面がアンモニアガスから発生する窒素によって効率的に窒化されるため、有機膜における凹部の側壁が保護されるので、高い異方性が得られる。 - 特許庁

The film is produced by dispersing the powdered carbon fibers in a solution of polyamic acid which is a precursor of the polyimide, and then imidizing after film forming the polyamic acid solution.例文帳に追加

粉末状炭素繊維をポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液に分散させ、このポリアミド酸溶液を製膜した後イミド化することによりフィルムを製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor for surely forming source/drain electrodes made of a metal single layer film with good adhesiveness on a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上に密着性良好な金属単層膜から成るソース／ドレイン電極を確実に形成し得る電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Metal films 17 having openings are provided on the electrolyte film 11 side of the fuel cell electrode 12 and on the electrolyte film 11 side of the oxygen electrode 13.例文帳に追加

燃料電極１２の電解質膜１１の側、および酸素電極１３の電解質膜１１の側に、開口を有する金属膜１７が設けられている。 - 特許庁

To provide a surface treatment film capable of reducing the effect on the natural environment by limiting the elution of hexavalent chromium ions from the surface treatment film to a very low concentration.例文帳に追加

表面処理皮膜からの６価クロムイオンの溶出量を極低濃度に制限し、自然環境に及ぼす影響を低減できる表面処理皮膜を提供する。 - 特許庁

To improve the semiconductor characteristics and the stability of an oxide semiconductor thin film which is formed of a precursor, and stably obtain a high-performance thin film transistor.例文帳に追加

本発明の目的は、前駆体から形成される酸化物半導体薄膜の半導体特性の向上と、その安定性の向上であり、高性能な薄膜トランジスタを安定して得ることにある。 - 特許庁

This organic EL panel manufacturing device includes a deposition chamber 3 forming a deposition film forming a barrier film of the organic EL panel through assistance of gas cluster ions.例文帳に追加

有機ＥＬパネル製造装置は、有機ＥＬパネルのバリア膜を形成するガスクラスターイオン援用による蒸着膜形成を行う、蒸着室３を設けている。 - 特許庁

The space between the teeth 30A to 30E of the sprocket 30 feeding the film 4 is formed to be smaller than the space of the perforation 5 formed on the film 4.例文帳に追加

フィルム４を給送するスプロケット３０の歯３０Ａ〜３０Ｅの間隔をフィルム４に形成されたパーフォレーショ５の間隔よりも狭く形成する。 - 特許庁

To provide a surface structure of a substrate having excellent adhesion to a perovskite type oxide film which is formed on the surface of the substrate, and to provide the substrate and the perovskite type oxide film.例文帳に追加

基板表面に成膜するペロブスカイト型酸化物膜に対して優れた密着性を有する基板表面構造とその基板、およびペロブスカイト型酸化物膜を提供する。 - 特許庁