「film of」に関連した英語例文の一覧と使い方(1000ページ目) - Weblio英語例文検索

After a hydrogen plasma treatment, nitrogen plasma treatment is conducted, so as to sufficiently discharge gaseous hydrogen and then the passivation film 9 which does not contain gaseous hydrogen from the initial period of the formation of the passivation film 9 is formed by a gas which contains nitrogen.例文帳に追加

水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜９の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜９を形成する。 - 特許庁

The film-depositing method of antireflection layer is characterized in that the antireflection layer is formed on a substrate and a TiN film having a thickness of 10 nm or less is laminated on the antireflection layer as an antifouling layer.例文帳に追加

基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のＴｉＮ膜を防汚層として積層することを特徴とする。 - 特許庁

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22.例文帳に追加

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。 - 特許庁

In the optical semiconductor integrated circuit device and the manufacturing method, a silicon oxide film formed on a photodiode surface is simultaneously removed at the time of removing the silicon oxide film on the lower electrode surface of the capacitor.例文帳に追加

本発明における光半導体集積回路装置およびその製造方法では、ホトダイオード表面に形成されたシリコン酸化膜を容量の下部電極表面のシリコン酸化膜を除去する際に同時に除去する。 - 特許庁

Thereafter, the tension of the polyimide film 12 by a second rigid ring 14 is adjusted by a bump position correction tool 30, so that the position of each bump terminal 15 at the polyimide film 12 may match with a prescribed position.例文帳に追加

その後、ポリイミドフィルム１２における各バンプ端子１５の位置が所定の位置と一致するように、バンプ位置補正治具３０によりポリイミドフィルム１２の第２の剛性リング１４による張力を調整する。 - 特許庁

A piezoelectric substrate 2 is attached between a pair of upper and lower dielectric substrates 1 and 1 and thin-film electrodes 3 below 1 μm in film thickness are formed at both ends of the piezoelectric substrate 2 and the dielectric substrates 1 and 1.例文帳に追加

圧電体基板２を上下一対の誘電体基板１、１で挟着し、圧電体基板２及び誘電体基板１、１の両端部に膜厚１μｍ以下の薄膜電極３を形成する。 - 特許庁

A hole injection CuPc organic film 5a is formed on the anode 4 as a plasma polymerized film having an improved transmission factor of red luminescence at the thickness of 1 μm or above by an ion plating method.例文帳に追加

陽極４の上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが１μｍ以上の膜厚でイオンプレーティング法により赤色発光の透過率が向上したプラズマ重合膜として成膜される。 - 特許庁

To provide a film affixing device capable of reducing the manufacturing cost of an object to which a film is affixed, and miniaturizing an object manufacturing apparatus.例文帳に追加

フィルムの貼着対象部品の製造コストを低減することができ、更に、部品の製造設備を小型化することができるフィルム貼着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate where a conductive film is formed on the inner surface of an electrodeposition film, and electric insulation is securely obtained even if electric connection is performed on the surface and the rear surface of the substrate.例文帳に追加

電着膜の内側表面に導電膜を形成し、基板の表裏面で電気的接続を行っても、電気的絶縁を確実に図ることができるシリコン半導体基板を提供すること。 - 特許庁

To provide an electroless plating method for improving adhesion reliability between a coated film and a substrate even when forming the coated film by performing electroless plating on the surface of the substrate made of a polymer resin.例文帳に追加

高分子樹脂からなる基材の表面に無電解めっき処理を行って、被膜を形成した場合であっても、この被膜と基材との密着信頼性を高めることができる無電解めっき処理方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 12 and an interlayer insulation film 13 of a next layer selectively etched partway are provided on a fuse cut region of the metal fuse element 11.例文帳に追加

メタルヒューズ素子１１のヒューズカット領域上は層間絶縁膜１２、そして途中まで選択的にエッチングされた次層の層間絶縁膜１３が設けられている。 - 特許庁

The second reflective multilayer film 20 reflects light of wavelength 405 nm, Nb_2O_5 has little light absorption at wavelength 405 nm and, therefore, the light of wavelength 405 nm is not absorbed but is reflected by the second reflective multilayer film 20.例文帳に追加

第２の反射多層膜２０では波長４０５ｎｍの光が反射されるが、Ｎｂ_２Ｏ_５は波長４０５ｎｍにおける光吸収が少ないため、波長４０５ｎｍの光は光吸収されずに第２の反射多層膜２０により反射される。 - 特許庁

To prevent oxidation of a base film and to provide a utilizing method of an epitaxial substrate to which the oxidation preventing effect is given, in the epitaxial substrate provided with the Al-containing group III nitride base film.例文帳に追加

Ａｌ含有III族窒化物下地膜を具えるエピタキシャル基板において、前記下地膜の酸化を防止するとともに、このようにして酸化防止効果が付与されたエピタキシャル基板の使用方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a graphite film includes bringing a surface of a carbon source into contact with Ga vapor to form a graphite film on the surface of the carbon source.例文帳に追加

炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide an adhesive optical film having high adhesion strength between an adhesive layer and an optical film, effectively suppressing occurrence of adhesive residue and lack of the adhesive, and having high heat resistance and moist heat resistance.例文帳に追加

粘着剤層と光学フィルムとの密着力が高く、粘着剤残りや粘着剤欠けの発生が有効に抑えられ、かつ、高い耐加熱性や耐湿熱性を有する粘着型光学フィルムを提供すること。 - 特許庁

After an anode is formed, a coating film is formed electrochemically with the use of reaction liquid containing a film-forming material on the surface of the anode, before the battery is assembled.例文帳に追加

負極を形成したのち、電池を組み立てる前に、負極の表面に被膜形成材を含む反応液を用いて電気化学的に被膜を形成する。 - 特許庁

No spacer layers 306a exist in a green region, two layers of titanium dioxide layers for composing the λ/4-multilayer film are adjacent each other to compose the titanium dioxide layer having an optical film thickness of λ/2.例文帳に追加

緑色領域にはスペーサ層３０６ａがなく、λ／４多層膜を構成する２層の二酸化チタン層が相接して光学膜厚がλ／２の二酸化チタン層となっている。 - 特許庁

The microopening 14a is formed by irradiating the reflection film 14 consisting of metallic material with, for example, electrons or ions to eliminate the reflection film 14 of the highest position.例文帳に追加

微小開口１４ａは、金属材料からなる反射膜１４に対して、例えば、電子又はイオンの照射によって最も高い位置の反射膜１４を欠如させて形成する。 - 特許庁

The conductor roll has a Ni alloy coating film having 50 μm to 10 mm thickness and a nitride layer having hardness Hv of ≥480 on the surface of the alloy coating film.例文帳に追加

ロール胴部の表面に、Ni合金皮膜を有し、当該合金皮膜が厚さ５０μ〜１０ｍｍの厚さを有し、さらにその合金皮膜の表層に、硬度がＨｖ４８０以上の窒化層を形成させているコンダクターロール。 - 特許庁

A large capacity is achieved by the thin film capacitor element C1 formed with the thin film dielectric layer and the inductance of inductance elements L1 and L2 is increased by the use of the sintered ferrite substrate.例文帳に追加

薄膜誘電体層を有する薄膜コンデンサ素子Ｃ１で大容量を実現でき、焼結フェライト基板の使用でインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２のインダクタンス増大を図り得る。 - 特許庁

A material containing at least one metal element of nickle, iron, cobalt, and platinum is formed so as to come into contact with the surface of a silicon film in a substantially amorphous state to heat the silicon film.例文帳に追加

実質的にアモルファス状態のシリコン膜の表面に接して、ニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つの金属元素を含有する材料を形成し、前記シリコン膜を加熱する。 - 特許庁

To provide a cellulose ester film excellent in optical isotropy, particularly in optical isotropy in the direction of film thickness, a method of producing the same, a polarizing plate for a display device, and a display device.例文帳に追加

光学的等方性、特に膜厚方向の光学的等方性に優れたセルロースエステルフィルム、その製造方法、表示装置用偏光板及び表示装置を提供する。 - 特許庁

In the case of a tin-copper alloy plating film, with the Vickers hardness of the plating film comprising no voids as 100%, voids are introduced in such a manner that the Vickers hardness is controlled to 80 to 95%.例文帳に追加

錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を１００％として、ビッカース硬度が８０〜９５％になるようにボイドを導入する。 - 特許庁

The transparent electrode is characterized in that the electrode has a transparent conductive film and that the extinction coefficient of the transparent conductive film is not more than 0.5 at a wavelength of 1.55 μm.例文帳に追加

本発明の透明電極は、透明導電膜を有し、透明導電膜の波長１．５５μｍにおける消衰係数が０．５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In a ceramic green sheet formed on a polyethylene terephthalate film, a plurality of penetrating vias are formed by using a converged beam of carbon oxide laser, from above the polyethylene terephthalate film.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成されたセラミックグリーンシートを、炭酸ガスレーザを集光したビームにて複数の貫通ビアをポリエチレンテレフタレートフィルム上から形成する。 - 特許庁

To provide a printing processing system which performs developing processing for undeveloped photographic film corresponding to ordering information, when the input order of ordering information and developing processing order of the undeveloped photographic film agree with each other.例文帳に追加

その課題は、オーダ情報の入力順序と未現像写真フィルムの現像処理順序が一致して、オーダ情報に対応する未現像写真フィルムの現像処理を行えるプリント処理システムを提供することにある。 - 特許庁

On the basis of the measured reflectivity and the area value RS of the Raman peak, a film thickness converting computer 42 operates film thickness=A×RS+B.例文帳に追加

前記測定された反射率と前記ラマンピークの面積値ＲＳに基づいて、膜厚換算用コンピュータ４２が、膜厚＝Ａ×ＲＳ＋Ｂなる演算を行う。 - 特許庁

To provide an inorganic paint rich in zinc forming a coated film which can inhibit formation of bubbles without performing a mist coating step and a method of forming the coated film.例文帳に追加

ミストコート工程を行うことなく、バブルの発生を抑制し得る塗膜を形成できる無機質ジンクリッチペイント及びその塗膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the margin to the back gate voltage of an off-leak current is ensured by prescribing the film thickness in a channel widthwise direction and its distribution (existence ratio of each film thickness).例文帳に追加

このため、チャネル幅方向の膜厚、及びその分布（各膜厚の存在比）を規定することによってオフリーク電流のバックゲート電圧に対するマージンを確保する。 - 特許庁

A pixel capacitor, composed of an electrode 377 formed of an anodizable material, an anodized film 378, and pixel electrodes 379 to 382 formed thereon, is formed on an organic resin film 376.例文帳に追加

有機樹脂膜３７６上に、陽極酸化可能な材料からなる電極３７７、３７８と、その陽極酸化膜３７８と、その上の画素電極３７９〜３８２とで画素容量を形成する。 - 特許庁

In the plastic film for the rear surface protective film of the solar cell, an average reflectance ratio in the wavelength range of 600 to 1,400 nm is 70% or more.例文帳に追加

６００ｎｍから１４００ｎｍの波長範囲における平均反射率が７０％以上であることを特徴とする、太陽電池裏面保護膜用プラスチックフィルム。 - 特許庁

A surface layer (gettering layer) of the silicon film 12 of the SOI substrate after the heat treatment is removed as a final SOI film 13, thus obtaining the semiconductor substrate (SOI substrate).例文帳に追加

そして、最後に、熱処理後のＳＯＩ基板のシリコン膜１２の表面層（ゲッタリング層）を除去して最終的なＳＯＩ膜１３とし、半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。 - 特許庁

It includes lower electrodes (21a, 22a) of which at least a surface layer section is formed of amorphous or microcrystal metal, an dielectric film (23a) arranged on the lower electrodes, and an upper electrode (24a) arranged on the dielectric film.例文帳に追加

この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 - 特許庁

The preparation method of the polymer film sheet comprises continuously grinding it smooth, while feeding a liquid containing a component capable of dissolving the polymer film sheet on one side or both sides thereof.例文帳に追加

高分子フィルムシートの片面または両面に、高分子フィルムシートを溶解する成分を含む液体を供給しながら、連続的に研磨して平滑化する高分子フィルムシートの製造方法。 - 特許庁

Further, a metal density in a range from the surface of the electron emission film to the depth of 10 nanometers is set up to be 0.1 to 40 atom% against the carbon atomic number included in the electron emission film.例文帳に追加

さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 - 特許庁

For the indirectly heated cathode structure constituting an electron gun, the average grain diameter of alumina composing a coating film 5c coating a heat radiating core wire, is made larger than the average grain diameter of alumina composing an insulation film 5b.例文帳に追加

電子銃を構成する傍熱型陰極構体におけるヒータ５の発熱芯線を被覆する塗布膜５ｃを構成するアルミナの平均粒径を絶縁膜５ｂのアルミナの平均粒径より大とした。 - 特許庁

Each liquid flowing on the surface of each titanium oxide film 16a, 16b flows as a thin liquid film by a catalysis of the titanium oxide, and CO_2 is transferred between the sample water and the ion exchange water.例文帳に追加

これら酸化チタン膜１６ａ、１６ｂの表面を流れる液体は酸化チタンの触媒作用により薄い液膜となって流れ、試料水とイオン交換水との間でＣＯ_2の授受が行なわれる。 - 特許庁

The surface of this under coating film is formed with a top coating film by a mixed coating material of a polyester resin based coating material blended with glass fiber and a polyisocyanate compound.例文帳に追加

この下塗り塗装被膜の表面にガラス繊維が配合されたポリエステル樹脂系塗料とポリイソシアネート化合物との混合塗料にて上塗り塗装被膜を形成する。 - 特許庁

A tungsten nitride carbide (WNC) film, that is a material not containing a chlorine fraction in stock gas of film deposition, is used for upper and lower electrodes of a capacitor to form the upper or lower electrode in an amorphous state.例文帳に追加

キャパシタの上部及び下部電極に、成膜の原料ガスに塩素分を含まない材料である窒化タングステン・カーバイド(ＷＮＣ)膜を用い、この上部又は下部電極をアモルファス状態で形成する。 - 特許庁