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film ofの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49994



例文

To provide a modifier for reducing the relative permittivity of a low-permittivity film used when a semiconductor device is manufactured, and also a method of manufacturing the low-permittivity film modified using the modifier.例文帳に追加

半導体デバイス製造時に使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤、およびその改質剤を用いて改質された低誘電率膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The resist underlayer film forming composition cured by electron beam irradiation on a resist underlayer film used as a under layer of a photoresist in a lithography process of semiconductor device manufacture contains a polymerizable substance.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用されるレジスト下層膜を電子線照射によって硬化する組成物であって、重合性物質を含むレジスト下層膜形成組成物。 - 特許庁

The antistatic film has a coating layer containing a compound which has two or more quaternary nitrogens in a molecule and the counter anion of which is a nitrate ion on one surface of the polyester film.例文帳に追加

分子内に4級化窒素を2つ以上有し、その対アニオンが硝酸イオンである化合物を含む塗布層をポリエステルフィルムの片面に有することを特徴とする帯電防止フィルム。 - 特許庁

By making the film thickness of the solid polymer electrolyte film 60 larger at the part corresponding to the hydrogen feed port where pressure of hydrogen gas is high, crossover can be shut out.例文帳に追加

水素ガスのガス圧が高い水素導入口に対応する固体高分子電解質膜60の部位の膜厚を厚くすることでクロスオーバーを阻止することができる。 - 特許庁

例文

The separation guide 5 with its end abutting near the separation interface of the protecting film 25 assists separating operation of the protecting film 25.例文帳に追加

剥離ガイド5は、その先端部が保護フィルム25における剥離界面近傍に当接することによって、保護フィルム25を剥離する剥離動作を補助する。 - 特許庁


例文

The graft film: a film formed of a graft polymer prepared by graft-polymerizing an acrylic acid, its derivative, a methacrylic acid or its derivative with a stem polymer formed of polyethylene or polypropylene.例文帳に追加

グラフト膜: ポリエチレンまたはポリプロピレンで構成される幹ポリマーに、アクリル酸もしくはその誘導体、またはメタクリル酸もしくはその誘導体がグラフト重合したグラフト重合体で構成される膜。 - 特許庁

The gate insulating film 16 includes a portion formed of a nitride aluminum film 15 and a portion formed of an insulating substance 14 containing oxygen or silicon.例文帳に追加

ゲート絶縁膜16は、窒化アルミニウム膜15で形成されている部分と、酸素又はシリコンを含む絶縁物質14で形成されている部分を含んでいる。 - 特許庁

The plurality of multilayer film reflecting mirrors are arranged along the optical path of electromagnetic waves, and reflection wavelength characteristics differ at a wavelength region other than the extreme ultraviolet region in at least two multilayer film reflecting mirrors.例文帳に追加

複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、少なくとも2つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる。 - 特許庁

To newly perform drawing, blowing is performed into a blown film web 1 between a pair of delivery rollers 6 and a pair of discharging rollers 13 to make a blown film bubble 7.例文帳に追加

あらためて引き伸ばしを行うために、吹込フィルムウェブ1に、送り出しローラー対6と排出ローラー対13の間で吹き込みを行って、吹込フィルムバブル7とする。 - 特許庁

例文

The processing plate 7 includes a supporting material 71 consisting of a polyethylene terephthalate film or an acrylic film and a hard coated layer 72 formed on the upper surface of the material 71.例文帳に追加

ハードコート処理板7は、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはアクリルフィルムからなる支持材71と、支持材71の上面上に形成されたハードコート層72とを含む。 - 特許庁

例文

A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body.例文帳に追加

スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、0.1〜1.0Paの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。 - 特許庁

After a GaN film 2 is grown on a sapphire substrate 1, it is separated from the GaN film 2 by irradiation of excimer KrF laser from the back of the sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板1上にGaN膜2を成長した後、サファイア基板1の裏面よりエキシマKrFレーザを照射してサファイア基板1とGaN膜2とを分離する。 - 特許庁

A low density carbon layer 4 formed of diamond-like carbon with low film density and a high density carbon layer 5 formed of diamond-like carbon with high film density are alternatively laminated.例文帳に追加

膜密度の低いダイヤモンドライクカーボンで形成された低密度炭素層4と、膜密度の高いダイヤモンドライクカーボンで形成された高密度炭素層5とが交互に積層される。 - 特許庁

This biaxially oriented film contains a polyester (a), a polyarylene sulfide (b), and a polyimide (c), wherein a content of the polyimide is 5-50 wt% based on a total weight of the film.例文帳に追加

ポリエステル(a)、ポリアリーレンスルフィド(b)およびポリイミド(c)を含み、前記ポリイミド(c)の含有量がフィルムの全重量に対し5〜50重量%である二軸配向フィルムとする。 - 特許庁

The laminate has a polysiloxane film obtained by curing a coated film by irradiating vacuum UV light on at least a part of the surface of a plastic substrate.例文帳に追加

プラスチック基材の表面の少なくとも一部に、真空紫外光を照射することにより硬化させてなるポリシロキサン膜を有する積層体。 - 特許庁

The porous silica film has a relative dielectric constant of less than 2.5 and is obtained by baking a film of a composition containing polyalkylsilazan and polyacrylic acid ester or polymetacrylic acid ester.例文帳に追加

ポリアルキルシラザンとポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリル酸エステルとを含む組成物の膜を焼成することにより得られる、比誘電率が2.5未満であることを特徴とする多孔質シリカ質膜。 - 特許庁

To provide an optical filter capable of reducing the stress, acting in the direction of warping a dielectric multilayer film, when removing a substrate from the dielectric multilayer film.例文帳に追加

誘電体多層膜から基板を取り外したときに誘電多層膜を反らせる方向に働く応力を軽減することができる光学フィルタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser apparatus includes an oxidized silicon film, formed in contact with at least one end of a semiconductor laser crystal as the end surface protective film of the semiconductor laser device.例文帳に追加

本発明にかかる半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の端面保護膜として半導体レーザ結晶の少なくとも一方に接して形成された酸化シリコン膜を有する。 - 特許庁

A metal film is formed at the edge of a through hole, and the electrodeposition film is formed on the inner surface of the through hole comprising the edge so as to constitute the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

貫通孔のエッジ部に金属膜が形成されており、そのエッジ部を含む貫通孔の内表面に電着膜を形成することによってシリコン半導体基板を構成する。 - 特許庁

In the laminated polyester film, a coating layer containing a urethane resin having the structure of a polycarbonate is formed on one side of a polyester film, and a coating layer containing an acrylic resin is formed on the other side.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの一方の面に、ポリカーボネート構造を有するウレタン樹脂を含有する塗布層を有し、もう一方の面に、アクリル樹脂を含有する塗布層を有することを特徴とする積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure which does not spoil ferromagnetism and ferroelectricity without performing the lamination of the two layers of a ferroelectric film and a ferromagnetic material film.例文帳に追加

強誘電体膜と強磁性体膜との2つの層を積層することなく、かつ強磁性及び強誘電性を損なうことのない構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

As a result, at least the lower electrode 5 and the piezoelectric thin film 3 taking over the crystal azimuth of the buffer layer 6 and grown are configured of the epitaxial film.例文帳に追加

その結果、バッファ層6の結晶方位を引き継いで成長した、少なくとも下電極5および圧電薄膜3について、これらをエピタキシャル膜とする。 - 特許庁

In the laser irradiation apparatus, a galvanomirror or a polygon mirror irradiates and scans a laser beam to and on a semiconductor film and always keeps an angle θ of incidence of the laser beam to the semiconductor film at a certain angle.例文帳に追加

本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 - 特許庁

A polyimide film 32 is formed on a light receiving surface side of a multilayer semiconductor layer 22 consisted of a solar cell layer 23 and a contact layer 24 as a cover film.例文帳に追加

太陽電池層23とコンタクト層24とからなる多層半導体層22の受光面側に、カバーフィルムとしてポリイミドフィルム32を形成している。 - 特許庁

In this antireflection film 4, one capable of suppressing deactivating action which the silicon nitride film 3 exerts to the resist 10 corresponding to the kind of the resist 10 is selectively applied.例文帳に追加

この反射防止膜4は、レジスト10の種類に応じてシリコン窒化膜3がレジスト10に及ぼす失活作用を抑制することのできるものが選択的に適用される。 - 特許庁

A nitrogen-containing aluminum film (Al-N film) in which a part of aluminum is nitrided is formed on a base 2 according to sputtering by using a target made of pure aluminum.例文帳に追加

純アルミニウムからなるターゲットを使用して、スパッタリングにより基体2上にアルミニウムの一部が窒化された窒素含有アルミニウム膜(Al−N膜)を形成する。 - 特許庁

Thereby, the metal film 3 composed of the edible metal such as the gold, silver or platinum on the surface of the medicine body 2 is formed by the sputtering and the metal film 3 can be homogenized.例文帳に追加

このように、この薬本体2の表面の、金、銀、プラチナ等の可食性金属からなる金属膜3は、スパッタリングによって形成されており、その金属膜3を均質にすることができる。 - 特許庁

The film satisfies specific conditions of an oligomer amount (OL), a nitrogen content (N), a weight per unit area (Wf), a retardation value (Re) of the biaxially oriented polyester film and a total ray transmittance TL).例文帳に追加

上記離型フィルムは、オリゴマー量(OL)、窒素含有量(N)、単位面積当たりの重量(Wf)、二軸延伸ポリエステルフィルムのレターデーション値(Re)、全光線透過率(TL)が特定の条件を満たす。 - 特許庁

Further, by irradiating the front and back of an amorphous semiconductor film with such laser light, the crystalline semiconductor film of great crystal particle size is provided.例文帳に追加

さらに、そのようなレーザー光を非晶質半導体膜の表面及び裏面に照射することで結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得る。 - 特許庁

Thereafter, ion, generated by corona discharge, is arrived at the dielectric film 32 via the plurality of sound holes 35 provided on the fixed electrode 31 whereby the electret of the dielectric film 32 is effected.例文帳に追加

その後、コロナ放電によって発生させたイオンを、固定電極31に設けられた複数の音孔35を経由して誘電体膜32まで到達させ、それによって誘電体膜32をエレクトレット化する。 - 特許庁

When the source electrode 19 consisting of an aluminum alloy film and the titanium thin film 23 are successively formed in the same metal sputtering device, the surface of the source electrode 19 is not oxidized.例文帳に追加

アルミ合金膜から成るソース電極19とチタン薄膜23とを同じメタルスパッタ装置内で連続して形成すれば、ソース電極19の表面が酸化することはない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of securely removing a residual halogen without a resistance of a conductive film lowered when etching the conductive film including a silicon by a halogen series gas.例文帳に追加

シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a texture film, a base film having inorganic particles at least on the surface is subjected to plasma treatment under gas flow of hydrocarbon containing halogen.例文帳に追加

少なくとも表面に無機粒子を有する基材フィルムに、ハロゲン含有炭化水素ガス気流下でプラズマ処理を施すテクスチャーフィルムの製造方法。 - 特許庁

A pretilt angle formed by the surface of the orientation film 22 and liquid crystal molecules 50a is smaller than a pretilt angle formed by the surface of the orientation film 16 and the liquid crystal molecules 50a.例文帳に追加

配向膜22の表面及び液晶分子50aがなすプレチルト角は、配向膜16の表面及び液晶分子50aがなすプレチルト角より小さい。 - 特許庁

To substantially remove the influence of the facet occurring in the silicon epitaxial growth film which is the sacrificial layer of a metal silicon film made on a source/drain region.例文帳に追加

ソース/ドレイン領域上に形成される金属シリサイド膜の犠牲層であるシリコンエピタキシャル成長膜に生じるファセットの影響を実質的になくすことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a boundary film of a nitrogen density as a measure against a leak current between a silicon oxide film and a silicon surface of a silicon substrate by controlling the nitrogen density between them.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板のシリコン表面との間の窒素濃度の制御を可能とし、この間にリーク電流に対応する窒素濃度の境界膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the film/electrode junction comprising a process of forming a catalyst layer by applying a catalyst layer forming composition containing catalyst and strong acid on a basic polymer film.例文帳に追加

プロトン伝導性樹脂、触媒及び強酸を含んでなる触媒層形成用組成物を塩基性高分子膜に塗工して触媒層を形成する工程を含む膜・電極接合体の製造方法である。 - 特許庁

To provide an electrolyte film exhibiting ionic conductivity equivalent to that of a gel electrolyte and having high transport number of a lithium ion, and also to provide an electrolyte suitable for manufacturing the electrolyte film.例文帳に追加

ゲル電解質と同等のイオン伝導度を示し、且つリチウムイオンの輸率にも優れる電解質膜、及び該電解質膜の製造に好適な電解質の提供。 - 特許庁

The biomaterial consisting of a crosslinked gelatin film can be produced by preparing a gelatin film by gelation and drying of a gelatin solution and by giving crosslinking treatment to both faces in different conditions.例文帳に追加

ゼラチン溶解液をゲル化・乾燥することによってゼラチンフィルムを調製し、その両面に異なる条件で架橋処理を施すことによって、架橋ゼラチンフィルムからなる生体材料が作製できる。 - 特許庁

The protection film for polarizing plate made of epoxy-acrylate resin is employed as the protection film for polarizing plate used on both sides or one side of a polarizer made by causing polyvinyl alcohol (PVA) to include iodine or dye.例文帳に追加

ポリビニルアルコール(PVA)にヨウ素あるいは染料を含有せしめた偏光子の両側あるいは片側に使用される偏光板用保護フィルムとして、エポキシアクリレート樹脂からなる偏光板用保護フィルムを使用する。 - 特許庁

The bag body 1 can be formed of a laminated film including at least one polyamide resin layer 1a, or can be formed of a single layered polyethylene resin film 1c.例文帳に追加

また袋本体1は、少なくとも1層以上のポリアミド樹脂層1aを有する積層フィルムからなるものとすることや、単層のポリエチレン樹脂フィルム1cからなるものとすることができる。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

A coating film consisting essentially of an anionic surfactant is formed on a plastic lens and ink is supplied to the surface of the coating film by an inkjet method.例文帳に追加

プラスチックレンズ上にアニオン系界面活性剤を主成分とする被膜を形成させ、インクジェット方式で被膜表面にインクを供給する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device of a high quality epitaxial growth film is achieved, by applying hydrogen annealing to a substrate before film deposition and by removing pollutants and oxide films.例文帳に追加

また、成膜前に基板を水素アニール処理して汚染物質および酸化膜を除去し高品質のエピタキシャル成長膜を有する半導体デバイスの製造方法とする。 - 特許庁

To provide a polyimide film of excellent conveyability, and a laminate of excellent conveyability with an adhesive layer or a metal layer formed on the polyimide film.例文帳に追加

本発明では、搬送性に優れるポリイミドフィルム及びこれらフィルムに接着剤層や金属層を形成した搬送性に優れる積層体を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the etching selectivity of the metallic thin film of iridium to the photoresist film is increased.例文帳に追加

また、前記フォトレジスト膜に対するイリジウムの金属薄膜のエッチング選択性が高められて、所望の良質なエッチングプロファイルのイリジウム電極を形成することができる。 - 特許庁

The multilayer optical film includes a regular arrangement of layers of at least two materials having a specific layer thickness and a definite thickness gradient throughout the multilayer optical film as a whole.例文帳に追加

多層光学フィルムは、多層光学フィルム全体として特定の層厚さおよび規定の層厚さ勾配を有する2種類以上の材料の層の規則正しい配列を有する。 - 特許庁

Next, it is irradiated with YAG2ω laser 116 from the side of the active semiconductor film 115, to grow the crystals of the active semiconductor film 115 in the horizontal direction.例文帳に追加

次に、活性半導体膜115側からYAG2ωレーザー116を照射して、活性半導体膜115の結晶を横方向に成長させる。 - 特許庁

The method of manufacturing an extreme-ultraviolet photomask includes a step of forming an upper pattern 45, having an inclined sidewall by patterning an upper film, after forming the upper film on a photomask substrate 10.例文帳に追加

極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板10上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン45を形成する段階を含む。 - 特許庁

例文

The cap liner is formed by sticking the polyethylene foamed sheet 2 to the polypropylene film 3 via an adhesive layer 4 consisting of polyethylene and polypropylene extruded into a film with a mixture ratio of 50-70/50-30.例文帳に追加

本発明に係るキャップライナーは、ポリエチレン発泡シート2と、ポリプロピレンフィルム3とを、ポリエチレンとポリプロピレンとを混合比50〜70/50〜30でフィルム状に押出した接着層4を介して貼合する。 - 特許庁

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