「film of」に関連した英語例文の一覧と使い方(994ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of the wafer W is oxidized with the ozone gas into a chemical oxide film, and this chemical oxide film is selectively removed by vapor phase etching by the use of the hydrofluoric acid steam.例文帳に追加

オゾンガスによってウエハＷの表層部が酸化されてケミカル酸化膜となり、このケミカル酸化膜がふっ酸蒸気による気相エッチングによって選択的に除去される。 - 特許庁

The filtration membrane apparatus is obtained by forming the metal thin film on the filtration face side of the filtration membrane and making the surface of the metal thin film hydrophilic by radiating UV rays from a UV lamp for disinfection which is generally used in gas.例文帳に追加

このろ過膜装置は、ろ過膜のろ過面に金属薄膜を形成し、この金属薄膜表面に、通常、気体中で用いられている殺菌用紫外線ランプを用いて紫外線を照射して親水化処理することにより形成される。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film element having high piezoelectric characteristics only by a piezoelectric thin film in a single configuration without using a plurality of kinds of piezoelectric thin films whose configurations are mutually different.例文帳に追加

組成が互いに異なる複数種類の圧電薄膜を使うことなく、単一の組成の圧電薄膜のみで、高い圧電特性を有する圧電薄膜素子を得る。 - 特許庁

When this product is e.g. a rubber glove, the outer layer consists of the film made from the mixed latex and the inner layer consists of the film made from the natural rubber latex.例文帳に追加

かかる浸漬ゴム製品は、例えば手袋である場合に、前記混合ラテックスにより形成される皮膜が外層、前記天然ゴムラテックスにより形成される皮膜が内層をなす。 - 特許庁

The base SiON film is formed through thermal oxidization/nitrization of a Si substrate or deposition of an oxidized/nitided film on the Si substrate, and then oxidization step (plasma oxidization or O_2 oxidization) is followed by plasma nitirization.例文帳に追加

このベースＳｉＯＮ膜は、Ｓｉ基板の熱酸窒化もしくはＳｉ基板上の酸窒化膜の堆積により形成し、その後、酸化工程（プラズマ酸化、もしくはＯ_2酸化）を行い、引き続きプラズマ窒化を行う。 - 特許庁

To suppress a leak current of an insulating film and to prevent an organic contaminant from being stuck on the surface of a substrate by introducing nitrogen atoms to an oxide film.例文帳に追加

酸化膜に窒素原子を導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制し、かつ基板表面への有機汚染物質の付着を防止する。 - 特許庁

To provide an optical film showing positive wavelength dependency across the entire wavelength region from 400 nm to 800 nm and capable of imparting specified retardation to transmitted light in the above wavelength region with a single sheet of the film.例文帳に追加

４００〜８００ｎｍの波長領域全てにおいて正の波長依存性を示し、１枚で前記波長範囲において透過光に特定の位相差を与えることができる光学用フィルムを提供する。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having structure covering at least a part of the ferroelectric thin film is provided by the lamination of Ti(titanium) (9) which stores hydrogen and an oxidation film (8).例文帳に追加

水素を吸蔵するＴｉ（チタン）（９）と酸化膜 （８）の積層で、強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆う構造を持つ強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a cellulose ester optical film formed by a melt casting method enhanced in the coefficient of effective utilization of resources and having sufficient optical characteristics and mechanical characteristics as the optical film.例文帳に追加

光学フィルムとしての十分な光学特性及び機械特性を有し、資源の有効利用率を高めた溶融流延法で形成されたセルロースエステル光学フィルムを提供する。 - 特許庁

The film also may be used for the other electronic apparatus requiring a film having resistivity controlled to the intermediate range between the resistivity of an insulator and the resistivity of a conductor.例文帳に追加

係る膜はまた、絶縁体の抵抗率と伝導体の抵抗率との中間の範囲に制御された抵抗率を有する膜を必要とする他の電子装置にも使用できる。 - 特許庁

The aperture filter 5 composed of a phase adjustment film 6 and a wavelength selection film 7 is deposited on one surface of a first quartz crystal substrate 3 forming the wavelength plate.例文帳に追加

波長板を形成する第１の水晶基板３の一方の表面上には、位相調整膜６と波長選択膜７とからなる開口フィルタ５が成膜されている。 - 特許庁

A flexible printed board 10 is composed of a flexible polyimide insulating film 12 and an aluminum foil inner lead terminal 11 formed on the one surface of the film 12.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板１０は、可撓性ポリイミド絶縁フィルム１２の片面にアルミニウム箔製インナーリード端子１１を形成してなる。 - 特許庁

This method for producing the photocatalyst film is characterized by coating the surface of a film 54 with a dispersion 58 containing a photocatalyst by the use of a gravure printing machine 42.例文帳に追加

光触媒フィルムの製造方法において、フィルム５４の表面に光触媒を含有する分散液５８をコーティングするのにグラビア印刷機４２を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of etching a ruthenium film with good reproducibility at the same time obtaining the high etching selection ratio of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜に対する高エッチング選択比を得ると同時に、再現性よくルテニウム膜をエッチング加工することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can improve yield and wiring reliability by allowing a manganese compound film to remain on the surface of a copper film.例文帳に追加

銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Representatively, the first area of the CMR film is substantially equal to the upper electrode area, but the second area of the CMR film can become narrower than the lower electrode area.例文帳に追加

代表的には、ＣＭＲ膜の第１の面積は、上部電極面積にほぼ等しいが、ＣＭＲ膜の第２の面積は、下部電極面積よりも狭くなり得る。 - 特許庁

To provide a forming method of a metal oxide semiconductor film capable of obtaining with ease and at low cost a metal oxide semiconductor film with a dye absorption property improved.例文帳に追加

色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を簡易かつ低コストにて得ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The semi-translucent film is made of a material containing molybdenum and silicon, and the ratio (molybdenum:silicon) of molybdenum and silicon contained in the semi-translucent film is 1:2-1:19.例文帳に追加

前記半透光膜は、モリブデンとシリコンとを含有する材料とし、前記半透光膜に含まれる前記モリブデンと前記シリコンの比率（モリブデン：シリコン）は、１：２〜１：１９である。 - 特許庁

To provide a paint for forming a porous metal oxide semiconductor film for photoelectric cell in which the porous metal oxide semiconductor film for photoelectric cell of a uniform thickness can be formed with a small number of times.例文帳に追加

少ない回数で均一な厚膜の光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜を形成することのできる光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料を提供する。 - 特許庁

This golf club head is characterized by forming a diamond film or a diamond-like carbon film in a part or the whole of the face of the golf club head.例文帳に追加

ゴルフクラブヘッドのフエースの一部又は全部にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜を形成したことを特徴とするゴルフクラブヘッド。 - 特許庁

On the inside of the trench 6 including the sidewall spacer 7, the silicon oxide film 8 is formed and on the inside of this silicon oxide film 8, a cavity 9 is also formed.例文帳に追加

サイドウォールスペーサ７を含んだトレンチ６の内部にはシリコン酸化膜８が形成されていると共に、このシリコン酸化膜８の内部には空隙部９が形成されている。 - 特許庁

To prepare a non-halogen self-adhesive tape prevented from deterioration in external appearances caused by 'whitening' of a substrate film layer by a white inorganic additive and enhanced in heat resistance of an outer film layer.例文帳に追加

白色無機添加剤による基材フィルム層の「白化」を原因とする外観の悪化を防止すると共に外側フィルム層の耐熱性を向上させたノンハロゲン粘着テープを提供する。 - 特許庁

The method of forming the insulating film includes a step of projecting high-energy beam upon a film containing a polysiloxane compound (A) and a polycarbosilane compound (B) which is compatible with or dispersed in the compound (A).例文帳に追加

本発明の絶縁膜の形成方法は、（Ａ）ポリシロキサン化合物と、（Ｂ）前記（Ａ）成分に相溶または分散するポリカルボシラン化合物とを含む膜に高エネルギー線を照射することを含む。 - 特許庁

To obtain a film good in properties and appearance in the inflation film formation of a thermoplastic resin showing anisotropy at a time of melting.例文帳に追加

溶融時に異方性を呈する熱可塑性樹脂のインフレーション成膜において、性状および外観の良好なフィルムを得ることができるようにする。 - 特許庁

Control gate electrodes (each composed of a polysilicon film 7 and a tungsten silicide film 8) are formed on the floating gate electrodes, in the inside and outside of the recessed sections 14.例文帳に追加

コントロールゲート電極（ポリシリコン膜７，タングステンシリサイド膜８）は、凹部１４内及び外において、フローティングゲート電極上に形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer film reflecting mirror having a reflection characteristic hardly deteriorated by oxidation, which is the multilayer film reflecting mirror having the reflectivity not lowered furthermore by adhesion of a small amount of carbon contamination.例文帳に追加

酸化により反射特性が劣化しにくい多層膜反射鏡であって、かつ、少量のカーボンコンタミネーションの付着によっては反射率の低下が大きくならない多層膜反射鏡を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating an MIM type capacitor employing a ruthenium film in the upper electrode in which the leak current of the capacitor is prevented from increasing due to oxidation of the ruthenium film in the upper electrode.例文帳に追加

ルテニウム膜を上部電極に用いたＭＩＭ型キャパシタにおいて、上部電極のルテニウム膜の酸化に起因してキャパシタのリーク電流が増大しないＭＩＭ型キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the film comprises steps of generating plasma 50 in a cylindrical container 1, mainly exciting nitrogen atoms in the container 1, then reacting boron and carbon, and forming the boron-carbon-nitrogen film 61 on a substrate 60.例文帳に追加

円筒状容器１内にプラズマ５０を生成し、円筒状容器１内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板６０にホウ素炭素窒素膜６１を成膜する。 - 特許庁

The portion of the silicide protection film 11c held between the upper and the lower electrodes 19 and 6 functions as the dielectric film of the capacitor.例文帳に追加

上部電極１９と下部電極６とによって挟まれている部分のシリサイドプロテクション膜１１ｃは、キャパシタ誘電体膜として機能する。 - 特許庁

In a silicon nitride film 4 and the layer 2, a recessed part 41, which is formed reaching an upper surface of a silicon substrate 1 from the upper surface of the silicon nitride film 4 is selectively formed.例文帳に追加

シリコン窒化膜４及び層２内には、シリコン窒化膜４の上面からシリコン基板１の上面に達して形成された凹部４１が選択的に形成されている。 - 特許庁

To solve problems of Co elusion and tribology durability by using the CVD method for depositing a carbon film and controlling a B/A value of a carbon protection film.例文帳に追加

カーボン膜の成膜にＣＶＤ法を用い、カーボン保護膜のＢ／Ａ値を制御する事でＣｏ溶出問題とトライボロジー耐久性問題を解決する。 - 特許庁

The polymer membrane electrode assembly 10 includes a polyelectrolyte film 12, and a pair of catalytic electrodes 14 and 16 jointed to both the sides of the polyelectrolyte film 12.例文帳に追加

高分子膜電極接合体１０は、高分子電解質膜１２と、高分子電解質膜１２の両面に接合された一対の触媒電極１４，１６とを備える。 - 特許庁

Concentration of the elements to be added in the lithium thin film of the electrode for the lithium secondary battery is made higher in the surface side region than in the inside region in the thin film.例文帳に追加

そして、このリチウム二次電池用電極のリチウム薄膜中の前記添加元素の濃度を、前記薄膜中の内部側領域よりも表面側領域において高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

Semiconductor device is provided with an interlayer insulation film formed on the main surface of a semiconductor substrate and a plurality of contact plugs 22 penetrating the interlayer insulation film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面上部に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクトプラグ２２とを備える。 - 特許庁

To increase industrial productivity of a ferrite film formed by a ferrite plating method, and to obtain the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals.例文帳に追加

フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を得ること。 - 特許庁

The heat treating method of an oxide superconducting thin film grows a YBCO film 2 having a smaller thermal expansion coefficient than that of a substrate 1 on the substrate 1 and quickly heats it in an oxygen- containing atmosphere.例文帳に追加

酸化物超電導薄膜の熱処理方法は、基板１の熱膨張係数より小さい熱膨張係数を有するＹＢＣＯ膜２を基板１上に成長し、酸素を含む雰囲気中で急速加熱する。 - 特許庁

The semiconductor device electrode film or a semiconductor device wiring film which is superior in dry etching properties is composed of an Al alloy containing Nd of not more than 1.0at%.例文帳に追加

Ｎｄを１．０ａｔ％以下含有するＡｌ合金で構成されていることを特徴とするドライエッチング特性に優れた半導体デバイス電極用膜または半導体デバイス配線用膜。 - 特許庁

Further, a protective film 5 consisting of one substance of niobium, rhodium, passive metal, nitride, fluoride, and carbide is formed on the reflection film 4.例文帳に追加

そして、この反射膜４の上に、ニオブ・ロジウム・不動態金属・窒化物・フッ化物・炭化物のいずれかの物質からなる保護膜５が成膜されている。 - 特許庁

To enhance mass production efficiency, improve productivity and considerably widen the selection range of a multilayer film reflective mirror material by providing the manufacturing process of a multilayer film reflective mirror using a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いる多層膜反射鏡の製造プロセスを提供することで、量産効率を高め、生産性を向上させ、且つ多層膜反射鏡材料の選択範囲を大幅に広げること。 - 特許庁

By adjusting the generation factor of fluorine active species, planarization etching, and the like, of an insulating film 36 and an SOG film 38 is performed in selective etching.例文帳に追加

そしてこれらフッ素系活性種の生成比率を調整すれば、選択エッチングにおいて絶縁膜３６とＳＯＧ膜３８との平坦化エッチング等を実施することが可能になる。 - 特許庁

The silicon nitride film 14 is formed into a shape, having a spacer part 14s, larger in thickness than film thickness of upper surfaces of gate electrodes MG, SG, formed on opposed side walls between gate electrodes SG-SG.例文帳に追加

シリコン窒化膜１４は、ゲート電極ＭＧ、ＳＧの上面の膜厚に比して、ゲート電極ＳＧ−ＳＧ間の対向する側壁に厚い膜厚のスペーサ状の部分１４ｓを有する形状に形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device of forming a hard film only by ions in plasma, more concretely, to provide a method and a device of forming a hard carbon film.例文帳に追加

プラズマ中のイオンのみによって硬質の膜を形成する方法および装置、より具体的には硬質カーボン膜を形成する方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor array in which the electrical resistance increase in the electrodes and difficulty of manufacturing are suppressed, while reducing feedthrough of a thin-film transistor which uses interdigital electrodes.例文帳に追加

本発明は、クシ型電極を用いた薄膜トランジスタのフィードスルーを低減しつつ、電極の電気抵抗の増大や作製の難しさを改善した薄膜トランジスタアレイを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a tablecloth of a synthetic resin film which seems to be of a highgrade and is hard to slip off the table even when the synthetic resin film itself is used as tablecloth without sticking it on a cloth.例文帳に追加

布地との貼り合わせなくとも、合成樹脂製フィルム自体をテーブルクロスとして用いた場合であっても高級感があり、テーブルから滑り落ちにくい合成樹脂フィルム製テーブルクロスを提供すること。 - 特許庁

The alcohol vapor sop-off film composed of an inorganic porous film formed by depositing silica, titania or zirconia on the surface of the inorganic porous body by the chemical vapor deposition is provided.例文帳に追加

１．無機多孔体の表面に化学蒸着法によりシリカ、チタニアまたはジルコニアを堆積してなる無機多孔膜からなるアルコール蒸気阻止膜。 - 特許庁