「film of」に関連した英語例文の一覧と使い方(999ページ目) - Weblio英語例文検索

The patterned electrolyte film has different physical and chemical characteristics of a specific part from a part adjoining to the specific part of the electrolyte film.例文帳に追加

本発明に係るパターン化電解質膜は、電解質膜の特定の部位と、その特定の部位に隣接する部位の物理化学的性質が異なっていることを特徴とする。 - 特許庁

The particulate is produced by forming a primary coating film on the surface of a hexaborate particulate with a surface-modifying agent such as a silane coupling agent and forming a secondary coating film composed mainly of silica by using a silicic acid compound.例文帳に追加

６ホウ化物微粒子の表面に、予めシランカップリング剤などの表面修飾剤で一次被覆膜を形成し、次にケイ酸化合物でシリカを主体とする二次被覆膜を形成する。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

Since the metal resistance film layer Rm11 and the metal resistance film layer Rm12 are electrically connected by a contact plug CP2, the temperature coefficient of the titanium nitride resistor and the temperature coefficient of the tantalum nitride resistor are cancelled.例文帳に追加

コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display apparatus for suppressing remaining of moisture and for restraining an inorganic insulating film under a pixel electrode from being peeled from an organic planarizing film.例文帳に追加

水分の残留を抑制し、かつ、画素電極下の無機絶縁膜が有機平坦化膜から剥がれてしまうのを抑制することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate through mixed acid etching, the stain film adhered to the surface of the semiconductor substrate upon the mixed acid etching is removed by washing the semiconductor substrate with stain film removing solution containing at least one of aqueous ammonia, alkali ion water or hot water.例文帳に追加

半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。 - 特許庁

The accuracy of etching treatment is decided by a direction and energy in which the ions in plasma 5 collide with the thin film, and the AC power of an AC power source 7 is applied for colliding the ions with the thin film with good controllability.例文帳に追加

エッチング処理の精度は、プラズマ５中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源７の交流電力を印加する。 - 特許庁

Furthermore, a DC voltage is applied between the electrode layer 121 of the oscillation film 12 and the fixing electrodes 102, 112 and the non-oscillation area of the oscillation film 12 is fixed by the electrostatic force.例文帳に追加

また、振動膜１２の電極層１２１と固定用電極１０２、１１２との間に直流電圧を印加し、振動膜１２の非振動領域を静電力により固定する。 - 特許庁

To provide a synthetic resin film preventing the generation of a whitening phenomenon due to the irregular reflection of light caused by inorganic pigment particles in a transparent or translucent synthetic resin film printed by printing ink containing inorganic pigment particles.例文帳に追加

無機系顔料を含む印刷インクで印刷した透明あるいは半透明の合成樹脂フィルムに、該無機系顔料粒子に起因する光の乱反射による白色化現象が生じるのを防止した合成樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁

An insulating material, containing silicon, carbon, hydrogen and nitrogen as constituting elements of a diffusion preventing film and containing Si-H bond, Si-C bond and methylene bond (-CH_2-), is used as a diffusion preventing film of a copper wiring.例文帳に追加

シリコン、炭素、水素および窒素を構成元素として含み、Ｓｉ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｃ結合およびメチレン結合（−ＣＨ_２−）を含む絶縁材料を、銅配線の拡散防止膜として用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming one silicon nitride film 201 by reacting a gas containing a nitrogen with a dichlorosilane, and forming the other silicon nitride film 203 by reacting the gas containing the nitrogen with a compound containing silicon and chlorine.例文帳に追加

窒素を含有するガスとジクロロシランとを反応させて一方の窒化シリコン膜２０１を形成し、窒素を含有するガスとシリコンおよび塩素からなる化合物とを反応させて他方の窒化シリコン膜２０３を形成する。 - 特許庁

The film-depositing method of antireflection layer is characterized in that the antireflection layer is formed on a substrate and a polytetrafluoroethylene film having a thickness of 10 nm or less is laminated on the antireflection layer as an antifouling layer according to a CVD method.例文帳に追加

基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のポリテトラフルオロエチレン膜を防汚層としてＣＶＤ法により積層することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a multilayered antireflection film having a low reflectance of ≤1% and excellent in film hardness, durability, adhesion and heat resistance by a low-cost method capable of processing in large quantities and over a large area.例文帳に追加

反射率が１％以下の低い値を示し、同時に膜硬度、耐久性、密着性、耐熱性に優れた多層反射防止膜を低コストで、大量かつ大面積に処理可能な方法で提供すること。 - 特許庁

To evaluate a condition of a polysilicon film with good repeatability when evaluating a crystal condition of a polysilicon film formed by a low temperature polycrystallizing process.例文帳に追加

低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜の結晶状態を評価する際に、再現性がよくポリシリコン膜の状態を評価する。 - 特許庁

Next, the SiO_2 film 22 is removed, and thereafter a deposited SiO_2 film 24 is etched back to form sidewalls 24a formed of SiO_2 on sidewall parts of the electrodes 23a.例文帳に追加

次いで、ＳｉＯ_２ 膜２２を除去した後、堆積したＳｉＯ_２ 膜２４をエッチバックして電極２３ａの側壁部にＳｉＯ_２ からなるサイドウォール２４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a porous film exhibiting excellent separator properties and safety in the case of using a porous film composed of a polyolefin resin as a separator for an electrical accumulation device.例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂からなる多孔性フィルムを蓄電デバイス用セパレータに用いるに際して、優れたセパレータ特性を有するだけでなく、安全性にも優れる多孔性フィルムを提供すること。 - 特許庁

The optical filter has at least one polyester film 2 laminated on the back face (display side) of a transparent resin substrate 1 and has no polyester film on the top face side of the substrate.例文帳に追加

透明樹脂基板１の裏面（ディスプレイ側）に少なくとも１枚のポリエステルフィルム２が積層され、その基板の表面側にはポリエステルフィルムが積層されていない光学フィルターが提供される。 - 特許庁

In a polarizing plate comprising a polarizer and two protective films disposed in both sides of the polarizer, at least one sheet of the above optical film can be used as the protective film.例文帳に追加

該光学フィルムの光学フィルムを少なくとも１枚は、偏光子とその両側に配置された２枚の保護フィルムからなる偏光板において、保護フィルムとして使用できる。 - 特許庁

When a photocatalyst film 16 on the outer face of the luminaire body 2 is irradiated by ultraviolet rays, the oxidation or decomposition of the materials stuck or kept in contact with the photocatalyst film 16 is promoted.例文帳に追加

器具本体２の外面に光触媒膜16を有するため、紫外線が光触媒膜16を照射すると、光触媒膜16に付着あるいは接触した物質の酸化、分解を促進する。 - 特許庁

On the outer surface of the permeated infrared-ray reflecting film 2 installed at the outer surface of the glass bulb 1, a light-permeating metal oxide film containing at least two kinds among tantalum oxide, titania, tungsten oxide and molybdenum oxide is formed.例文帳に追加

ガラスバルブ１の外表面に設けられた透光赤外線反射膜２の外表面に、酸化タンタル、酸化チタン、酸化タングステン、および酸化モリブデンのうちの少なくとも二種含む透光金属酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To improve the etching uniformity of a silicon film by surely removing remaining objects after etching a metal film, and to prevent the generation of the etching residue.例文帳に追加

金属膜をエッチングした後の残存物を確実に除去して、シリコン膜のエッチング均一性を向上させ、かつ、エッチング残さの生成を防止する。 - 特許庁

To enhance the durability of a decorative metal panel while semipermanently hold the aesthetic appearance thereof by integrally forming a recessed groove and a coating film on the resin film of the decorative metal panel by thermal press bonding.例文帳に追加

装飾金属板の樹脂フィルムに凹溝と塗膜とを熱圧着によって一体的に形成することによって、装飾金属板の耐久性を向上することができると共に、美観を半永久的に保持する。 - 特許庁

To improve a step coverage of an upper protection film for protecting a heating resistor layer and a pair of electrodes formed thereon and to make the protection film thin.例文帳に追加

発熱抵抗層とこの上層に形成した一対の電極とを保護する上部保護膜のステップカバレージを良好にするとともに、保護膜の薄膜化を図る。 - 特許庁

In the semiconductor-carrier film, a nickel-chromium-alloy sputtered layer having a thickness of 70 to 500 Å and a copper plated layer are formed on a surface of polyamide film, and a copper layer is formed on it.例文帳に追加

ポリイミド系フィルムの表面に、厚さ７０〜５００Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層及び銅のメッキ層が設けられ、さらにその上に銅層が設けられていることを特徴とする半導体キャリア用フィルム。 - 特許庁

In the mold-releasing film, thermosetting silicone resin including 0.4-1.8 wt.% of a silicone-glycol copolymer is provided on at least a single surface of a base material film.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも片面に、シリコーン−グリコール共重合体を、０．４Ｗｔ％から１．８Wt％を含有する熱硬化型シリコーン樹脂を離型層として設けた離型フィルム。 - 特許庁

A coloring agent in the photosensitive resin colored thin film enables the improvement of the printability and the printing durability by selectively absorbing visual light in an exposure light source at the time of forming a photosetting film.例文帳に追加

感光性樹脂着色薄膜中の着色剤は光硬化膜形成時に、露光光源中の可視光を選択的に吸収することにより、印刷適性および耐刷性を向上させることができる。 - 特許庁

Prior to the supply of the solution, the resist film C in the end rim portion is preheated by the infrared ray radiating part 31 for evaporating the resist solvent contained in the resist film C of the end rim portion.例文帳に追加

そして、溶解液の供給に先立って赤外線照射部３１が端縁部のレジスト膜Ｃを予め加熱し、端縁部のレジスト膜Ｃに含まれるレジスト溶媒を蒸発させる。 - 特許庁

To provide a nickel sintered substrate with high porosity by lowering the gelling temperature of slurry and gelling the slurry in a low temperature region at an early stage drying a slurry coating film to suppress the volume shrinkage of the slurry coating film in drying.例文帳に追加

スラリーのゲル化温度を低下させて、スラリー塗膜の乾燥初期の低温度領域でゲル化させるようにし、乾燥時のスラリー塗膜の体積収縮を抑制して、高多孔度のニッケル焼結基板を提供できるようにする。 - 特許庁

To increase industrial productivity of a ferrite film formed by ferrite plating method by improving formation velocity, to provide the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals, and to provide its production method.例文帳に追加

フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、生成速度を向上して、工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

The thin-film bulk acoustic resonators 38a to 38g are made of a single common lower conductive layer to have respective bottom electrodes of the thin-film bulk acoustic resonators.例文帳に追加

薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇのそれぞれは、各薄膜バルク音響共鳴器の底部電極を形成するように定められている１つの共通の下部導電層から形成されている。 - 特許庁

In this case, the conductive thin film 32a is formed by applying infrared reflecting paint having conductivity to almost the whole region of the upper face of a polymer film.例文帳に追加

その際、導電薄膜３２ａは、導電性を有する赤外線反射塗料を高分子フィルムの上面の略全領域に塗布することにより形成する。 - 特許庁

A light modulation thin film is joined to one surface of an electrolyte membrane, the light modulation thin film is hydrogenated, and then oxygen gas is supplied from the other surface of the electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜の一方の面に調光薄膜を接合し、調光薄膜を水素化した後、酸素ガスを電解質膜の他方の面側から供給する。 - 特許庁

To form two types of capacitors configured of a thin ferrodielectric film and a thick ferrodielectric film in one semiconductor device with a few man-hours.例文帳に追加

薄い強誘電体膜と厚い強誘電体膜とを誘電体とする２種類のキャパシタを、少ない工数で一つの半導体装置内に形成する。 - 特許庁

The mold release film is a polyester film at least one side of which a crosslinking primer layer is provided with a silicone resin layer above the primer layer and has a solvent wear resistance of ≤5.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に架橋プライマー層を設け、その上にシリコーン樹脂層を形成してなる離型フィルムにおいて、耐溶剤摩耗性が５以下である離型フィルムを用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a semiconductor device having excellent electrical characteristics can be manufactured by using a High-k film having good characteristics and combining the characteristics of the film with a realizable etching technique.例文帳に追加

良好な特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜を用い、この良好な特性を実現可能なエッチング技術と組み合わせることによって、電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Thereby even when forming the optical reflection film 146 by silver or an alloy containing silver, yellowing of the electrochromic film 16 can be prevented or suppressed effectively, and quality can be kept over a long period of time.例文帳に追加

これにより、銀又は銀を含む合金により光反射膜１４６を形成しても、エレクトロクロミック膜１６の黄変を防止又は効果的に抑制でき、長期に亘り品質を良好に保つことができる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element capable of enhancing a piezoelectric constant d31 of a piezoelectric film by improving a backing film, and to provide an angular speed sensor.例文帳に追加

特に、下地膜を改良して、圧電体膜の圧電定数ｄ３１を高めることが出来る圧電素子及び角速度センサを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for effectively utilizing an interface level in a gate insulating film while suppressing the deterioration of the gate insulating film of a memory gate.例文帳に追加

メモリセルのゲート絶縁膜の劣化を抑制しつつ、ゲート絶縁膜内の界面準位を有効に利用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The film thickness of the thin-film structure to be deposited can be precisely controlled and the desired light reflectivity can be obtained by controlling the evaporation rate from the stage of the pretreatment step prior to the deposition operation.例文帳に追加

成膜動作前の前処理工程時から蒸発レートの制御を行うことで、成膜する薄膜構造の膜厚を精密に制御して所望の光反射率を得ることができる。 - 特許庁

To improve adhesion between rewiring of the uppermost layer consisting of copper and an overcoat film in a semiconductor device having the rewiring and the overcoat film.例文帳に追加

再配線およびオーバーコート膜を有する半導体装置において、銅からなる最上層の再配線とオーバーコート膜との密着性を向上する。 - 特許庁

The charge storage particle 15 is formed by accumulating silicon on the surface of a silicon nitride film to form a plurality of silicon particles and then segmenting the silicon nitride film for every silicon particle.例文帳に追加

電荷蓄積粒１５は、シリコン窒化膜の表面上にシリコンを堆積させることにより、複数のシリコン粒子を形成した後、シリコン窒化膜をシリコン粒子毎に分断することによって形成されたものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor structure which can suppress charge accumulation to an upper electrode film which causes electrostatic discharge damage of an insulating film of an MIM capacitor structure.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタ構造の絶縁膜の静電破壊の原因となる上部電極膜への電荷蓄積を抑制できるキャパシタ構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this, in the formation of the protecting layer 8, the film formation rate and the film quality become relatively superior, and as a result, the plasma display panel capable of carrying out superior image display can be manufactured.例文帳に追加

このことにより、保護層８の形成において、成膜レートや膜質は比較的良好となり、以上により、画像表示を良質に行うことができるプラズマディスプレイパネルを製造することが可能となる。 - 特許庁

After that, the unwanted resist film 13 is removed, thereby obtaining the glass substrate 10 in which a plurality of holes 52 which serve as starting points when the recrystallization of a semiconductor film is conducted are formed.例文帳に追加

その後、不要なレジスト膜１３を除去することにより、半導体膜の再結晶化の際の起点となるべき複数の穴５２が形成されたガラス基板１０が得られる。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polypropylene film which can suppress the oozing of a petroleum resin etc., onto the surface of the film, has an excellent lamination strength, prevents the lowering the lamination strength, and is excellent in dampproofness.例文帳に追加

石油樹脂等のフィルム表面への滲み出しを抑制でき、ラミネート強度に優れ、しかもその低下がない防湿性に優れる二軸延伸ポリプロピレンフィルムを得ることを目的とする。 - 特許庁