「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

For a gate-line selection period for the (m-1)-th line, the m-th line video data is written to the first-memory element.例文帳に追加

第ｍ−１行のゲート線選択期間では、第１メモリ素子には第ｍ行の映像データが書き込まれる。 - 特許庁

Read addresses of color difference components U, V in a first block in a horizontal direction are stored in a start address memory M3.例文帳に追加

水平方向の最初のブロックの色差成分Ｕ，Ｖの読み出し位置を開始位置用メモリＭ３に格納する。 - 特許庁

A pattern generating circuit of the logic chip is operated in a first test mode, to generate an internal test pattern for the memory chip.例文帳に追加

ロジックチップのパターン発生回路は、第１試験モード時に動作し、メモリチップ用の内部試験パターンを発生する。 - 特許庁

Data inputted to a watermark encoder 40 are recorded via an input I/F 41 to a first memory 42.例文帳に追加

ウォーターマークエンコーダ４０に入力されたデータは、入力Ｉ／Ｆ４１を介して第１のメモリ４２に記録される。 - 特許庁

A memory 113 stores the strength measured by the measurement unit 112 for each first communication terminal 110.例文帳に追加

記憶部１１３は、測定部１１２によって測定された強度を第１通信端末１１０ごとに記憶する。 - 特許庁

A first aspect of performance improvement is reduction of memory consumption and a second aspect is high speed operation of processing.例文帳に追加

性能向上の第１の側面はメモリ消費量の削減であり、第２の側面は処理の高速化である。 - 特許庁

Thereby, the control circuit raises a potential of the first wiring connected to the memory cell up to a third potential by coupling.例文帳に追加

これによりメモリセルに接続された第１配線の電位をカップリングにより第３の電位まで上昇させる。 - 特許庁

Unaligned memory access faults are disabled in response to a fault generated by a first faulting instruction (228).例文帳に追加

非整列メモリアクセス障害は、第１の障害命令により生成された障害に応答してディェーブルされる(228)。 - 特許庁

First, a floating gate polysilicon film 4 and a capacitor insulating film 5 are formed on a flash memory forming region.例文帳に追加

まず、フラッシュメモリー形成領域に、浮遊ゲート電極用ポリシリコン膜４、容量絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

A plug 32 is provided near outside of the edge of the memory chip of the external connection terminal and penetrates through the first and second sides.例文帳に追加

プラグ３２は、外部接続端子のメモリチップ側の縁の外側近傍に設けられ、第１、第２面を貫く。 - 特許庁

A memory cell MC stores data by the first to n-th threshold voltage (n is a natural number of two or more).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、第１閾値電圧乃至第ｎ閾値電圧（ｎは２以上の自然数）により、データを記憶する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes an active area 12 and a plurality of first bit lines SABL formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板内に形成された活性領域12、複数の第１ビット線SABLを含む。 - 特許庁

The marked data blocks are retransmitted before transmitting data blocks stored in the first memory (815B) location.例文帳に追加

標識付きのデータブロックは、第１のメモリ（８１５Ｂ）位置に格納されたデータブロックを送信する前に再送される。 - 特許庁

The memory 108 stores the information about the sequence of the broadcasting station in first and second reception areas.例文帳に追加

メモリ１０８は、第１および第２の受信エリアにおける放送局の系列に関する情報を記憶する。 - 特許庁

On November 24, 1959, "the monument in memory of UMEGATANI the first" was unveiled at Harazuru-onsen Hot Spring resort in Fukuoka Prefecture. 例文帳に追加

昭和34年（1959年）11月24日、福岡県原鶴温泉に「初代梅ヶ谷記念碑」の除幕式が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If this section appears in the memory image of a process, this member holds the address at which the section's first byte should reside. 例文帳に追加

このセクションがプロセスのメモリイメージにある場合、このメンバはセクションの最初のバイトが存在するアドレスを保持する。 - JM

function encrypts the first n bytes of the memory area s by exclusive-ORing each character with the number 42. 例文帳に追加

関数は、メモリエリア s の最初の n バイトのそれぞれの文字を 42 との排他的論理をとることによって暗号化する。 - JM

The storage layer forms a non-volatile memory element (26) at each crossing point of electrodes from the first and the second sets.例文帳に追加

記憶層は、第1および第2の組からの電極の各交点において不揮発性メモリエレメント(26)を形成する。 - 特許庁

This memory cell programming method includes a first programming step, a second programming step and a stabilization step.例文帳に追加

本発明は、第１プログラミングステップ、第２プログラミングステップ、及び安定化ステップを含むメモリセルプログラミング方法に関する。 - 特許庁

Memory cards 28a, 28b are each set to a first slot 25 and a second slot 26 to pick up a moving video image.例文帳に追加

第１スロット２５，第２スロット２６のそれぞれにメモリカード２８ａ，２８ｂをセットして動画撮影を行なう。 - 特許庁

A first and a second latch sections latch data from a single-port memory, and a third latch section latches odd-number-ths data.例文帳に追加

第１，２のラッチ部は、シングルポートメモリからのデータをラッチし、第３のラッチ部は、奇数番目のデータをラッチする。 - 特許庁

In case of the print paper pattern or generation pattern (3), the value is loaded from the print pattern table memory 6a first.例文帳に追加

印画紙絵柄あるいは ジェネレーション絵柄の場合には、まず、印刷絵柄用テーブルメモリ６ａから値をロードする。 - 特許庁

An integrator INT forms the means value VDD_-AV of the supply voltage VDD, and corresponding energy is stored in a first memory MEM1.例文帳に追加

積分器（INT）は電源電圧（VDD）の平均値（VDD_AV）を形成し、対応するエネルギーが第一のメモリ（MEM1）内に蓄積される。 - 特許庁

The first electrode, the storage location, and the second electrode constitute a pillar phase change memory cell.例文帳に追加

上記第１の電極、上記記憶場所、および上記第２の電極は、ピラー相変化メモリセルを形成している。 - 特許庁

A meta data memory portion 210 memories conversion information about a first photographed image and a second photographed image.例文帳に追加

メタデータ記憶部２１０は、第１の撮像画像および第２の撮像画像に関する変換情報を記憶する。 - 特許庁

The line memory 21 specifies an attention pixel signal and a first peripheral pixel signal from a stored pixel signal.例文帳に追加

ラインメモリ２１は格納された画素信号から注目画素信号と第１の周囲画素信号とを指定する。 - 特許庁

The memory device includes a plurality of core cells and first and second reference cells all coupled to a common word line.例文帳に追加

メモリ装置は、総て共通のワードラインに接続された複数のコアセルと、第１及び第２の基準セルとを含む。 - 特許庁

A cache memory 3a temporarily stores first information D1 written in the storage media 4a to 4d.例文帳に追加

キャッシュメモリ３ａは、記憶媒体４ａ〜４ｄに書き込まれている第１の情報Ｄ１を一時的に記憶する。 - 特許庁

To enhance the reliability of a semiconductor device having a nonvolatile memory including a first to third gate electrodes.例文帳に追加

第１〜第３のゲート電極を持つ不揮発性メモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Between the first and second processing engines, data are transferred through the register pipe without passing a memory.例文帳に追加

データは、第１処理エンジンと第２処理エンジンの間で、メモリを通過せずにレジスタ・パイプを介して転送される。 - 特許庁

The first electrode, the second electrode, and the phase change material 204 form a via or a trench memory cell.例文帳に追加

第１の電極、第２の電極、および相変化材料２０４は、ビアまたはトレンチメモリセルを形成している。 - 特許庁

In a first write-in step, data before a synchronous character initially detected is written in a memory (S3, S14).例文帳に追加

第１書き込みステップは、最初に検出された同期文字より前のデータをメモリに書き込む（Ｓ３，Ｓ１４）。 - 特許庁

Before and after the memory I/F 54, the first variable magnification processing part 53a and the second variable magnification processing part 53b are provided.例文帳に追加

メモリＩ／Ｆ５４の前後に第１の変倍処理部５３ａと第２の変倍処理部５３ｂが設けてある。 - 特許庁

A program counter 24 stores the first address of a code to be carried out by the performance unit 20, on the program memory 18.例文帳に追加

プログラムカウンタ２４は、プログラムメモリ１８上の、実行ユニット２０が実行すべきコードの先頭アドレスを保持する。 - 特許庁

An arithmetic part 8 issues an instruction for writing writing data with an address assigned by host equipment to the first memory.例文帳に追加

演算部８は、ホスト機器によって付されたアドレスを有する書き込みデータを第１メモリに書き込む指示を出す。 - 特許庁

A first memory 82 stores a plurality of presentation image groups by district corresponding to the respective ship-to codes.例文帳に追加

第１メモリ８２には、各出荷先コードに対応する複数の地域別演出画像群が記憶されている。 - 特許庁

An image signal S1 indicating the radiation images accumulated and recorded at the sheet 50 is stored in a first memory 31.例文帳に追加

シート50に蓄積記録された放射線画像を表す画像信号Ｓ１は第１のメモリ31に記憶される。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, a memory array where multiple memory cells of SRAM are arranged, a first peripheral circuit which writes data in the memory array and reads data therefrom, and multiple units of layout each including a switch group for interrupting connection of the memory array and the first peripheral circuit with a power supply line are arranged.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、ＳＲＡＭのメモリセルが複数配置されているメモリアレイと、メモリアレイへのデータの書き込みおよびメモリアレイからのデータの読み出しを行う第１の周辺回路と、メモリアレイおよび第１の周辺回路と電源線との接続を遮断するスイッチ群とを含むレイアウトの単位が複数配置されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a plurality of pixels each of which includes; a liquid crystal cell; n pieces of first memory, n pieces of second memory electrically connected to the n pieces of first memory respectively; and a means for determining a period when the liquid crystal cell is turned on, on the basis of image information which digital video signals stored in the n pieces of second memory have.例文帳に追加

液晶セルと、ｎ個の第１メモリと、ｎ個の第１メモリのそれぞれに電気的に接続された、ｎ個の第２メモリと、ｎ個の第２メモリに記憶されたデジタルビデオ信号が有する画像情報に基づいて液晶セルがオンになる期間を定める手段と、を有する画素が複数備えられている液晶表示装置である。 - 特許庁

The memory device 10 has an arrangement in which a memory thin film 4 is sandwiched between a first electrode 2 and a second electrodes 6, wherein the memory thin film 4 comprises an insulating material or semiconductor material, and a thin film 3 containing Cu and Te is formed between the memory thin film 4 and the first electrode 2 or the second electrode 6.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶用薄膜４が挟まれて構成され、記憶用薄膜４が絶縁材料又は半導体材料から成り、記憶用薄膜４と第１の電極２或いは第２の電極６との間に、Ｃｕ及びＴｅが含まれている薄膜３が形成されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The electronic control device includes a means comparing the configuration of data stored in the second nonvolatile memory and data configuration information specified by the program stored in the first nonvolatile memory, converting data stored in the second nonvolatile memory to a new configuration according to the first configuration information and writing the same on the second nonvolatile memory.例文帳に追加

さらに、電子制御装置は、第２の不揮発性メモリに記憶されているデータの構成と第１の不揮発性メモリに書き込まれたプログラムが指定するデータ構成情報とを比較し、第２の不揮発性メモリに記憶されているデータを第１の構成情報に従って新しい構成に変換して、第２の不揮発性メモリに書き込む手段を有する。 - 特許庁

To provide a contents recording/reproducing device, a contents reproducing method and a contents recording method for quickly performing access to encrypted data stored in a second memory having a large recording capacity different from a first memory at the time of decoding and reproducing the encrypted data stored in the second memory by using an encryption key stored in the first memory.例文帳に追加

第１のメモリに格納された暗号化鍵を用いて、該第１のメモリとは別の大容量記録容量を有する第２のメモリ内に格納された暗号化データを復号化して再生する際、該第２のメモリに格納された前記暗号化データに高速にアクセスできるコンテンツ記録再生装置、コンテンツ再生方法、及びコンテンツ記録方法を提供する。 - 特許庁

Then, when the task programmed to have a data area in the first memory is transferred to the second memory and executed by the second CPU, an address translation circuit (160) is provided for converting the address output from the second CPU such that the access to the first memory using the task may become the access to the second memory.例文帳に追加

そして、上記第１メモリ内にデータ領域を持つようにプログラムされたタスクが上記２メモリに転送されて上記第２ＣＰＵで実行される場合、上記タスクによる上記第１メモリへのアクセスが上記第２メモリへのアクセスとなるように、上記第２ＣＰＵから出力されたアドレスを変換するためのアドレス変換回路（１６０）を設ける。 - 特許庁

A memory cell 20 which has a data memory element, a first switch having a first port (A) used for accessing the data memory element during read or write processing and a second switch having a second port (B) used for accessing the data memory element during the read or write processing is provided.例文帳に追加

上記課題は、データ記憶素子と、読み出し又は書き込み処理中に前記データ記憶素子をアクセスする為に用いられる第一のポート（Ａ）を有する第一のスイッチと、読み出し又は書き込み処理中に前記データ記憶素子をアクセスする為に用いられる第二のポート（Ｂ）を有する第二のスイッチとを有するメモリセル２０により解決される。 - 特許庁