「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A sensor control part 70 measures the current (first current Is1) flowing to a first sensor electrode 56b in a step S3 to store the measured value in a memory not shown in the figure.例文帳に追加

センサ制御部７０は、ステップＳ３で第１センサ電極５６ｂに流れた電流（第１電流Ｉｓ１）を計測し、図示しないメモリに記憶する。 - 特許庁

In an area division processing part 14, a first block memory 22 stores an image signal of a local block consisting of a first pixel under consideration and a plurality of pixels in the vicinity of the first pixel under consideration, and an edge detection circuit 23 outputs a decision signal showing whether or not the first pixel under consideration is on an edge from the image signal stored in the first block memory 22.例文帳に追加

領域分離処理部１４では、第１ブロックメモリ２２に第１注目画素とその近傍の複数画素とから成る局所ブロックの画像信号が格納され、エッジ検出回路２３によって、第１ブロックメモリ２２に格納されている画像信号から第１注目画素がエッジであるか否かの判定信号を出力する。 - 特許庁

A first point program presents to the customer the total of points of the first and second memory regions as points usable for the first store in response to insertion or presentation of the credit card to a terminal of the first store and rewrites the points of the first and second memory regions according to the purchasing amount and used points.例文帳に追加

第１のポイントプログラムは、第１の店舗の端末にクレジットカードが挿入または提示されたことに応答して、第１の店舗で使用可能なポイントとして第１のメモリ領域と第２のメモリ領域のポイントの合計を顧客に提示し、購入代金および使用ポイントに応じて第１および第２のメモリ領域のポイントを書き換える。 - 特許庁

The memory includes first and second magnetoresistive memory arrays (11, 12) each including a plurality of MTJ memory cells (15)arranged in rows and columns and a plurality of word/digit lines connected with the rows of magnetoresistive memory cells of each of the arrays.例文帳に追加

このメモリは、互いに離間し、それぞれが行列状に配置された複数のＭＴＪメモリセル（１５）を含む第１及び第２の磁気抵抗メモリアレイ（１１，１２）と、アレイの各々における複数の行の磁気抵抗メモリセルに接続される複数のワード／デジットラインとを含む。 - 特許庁

In the memory cell 81 of the memory element 80 mounted in the color ink cartridge 107F, the data of ink residual amount of each color are collectively distributed to a second memory region which is accessed before a first memory region storing read-only data.例文帳に追加

また、カラー用のインクカートリッジ１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、各色のインクの残量データについては、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる第２の記憶領域にまとめて配置する。 - 特許庁

A nonvolatile memory NVMEM included in the microcomputer sets a first memory cell area ARY1 of which the data storage life-time becomes 10 years or longer in the memory array NVARY and a second memory cell area ARY2 of which the data storage life-time becomes 1-365 days.例文帳に追加

例えば、マイクロコンピュータに含まれる不揮発性メモリＮＶＭＥＭにおいて、そのメモリアレイＮＶＡＲＹ内にデータ保持寿命が１０年以上となる第１メモリセル領域ＡＲＹ１と、データ保持寿命が１〜３６５日となる第２メモリセル領域ＡＲＹ２を設ける。 - 特許庁

In a case main body 1, a first memory cartridge M1 which establishes a radio connection condition with a memory reader R1 of a drive device 25 side, and a second memory cartridge M2 which establishes a radio connection condition with a memory reader R2 of a library machine 21 side are provided.例文帳に追加

ケース本体１の内部に、ドライブ装置２５側のメモリーリーダＲ１と無線接続状態を確立する第１メモリカートリッジＭ１と、ライブラリーマシーン２１側のメモリーリーダＲ２との間で無線接続状態を確立する第２メモリーカートリッジＭ２とが設けられている。 - 特許庁

By providing the projection 321, when turning to close the slot cover 320, the slot cover is not brought into contact with the memory card housed at the first position within the memory card housing part but is brought into contact with an edge of the memory card at the second position within the memory card housing part 320.例文帳に追加

その突部３２１があることで、挿入口蓋３２０を閉じる回動の際に、メモリカード収納部内の第１の位置に収納されたメモリカードとは接触せず、メモリカード収納部３２０内の第２の位置のメモリカードの縁部とは接触する構成とする。 - 特許庁

Based on a first comparison result, the detected memory charge level of a selected memory element is compared with one selected from that of a second reference memory element having Vt equal to VR1 and that of a third reference memory element having Vt equal to VR3.例文帳に追加

最初の比較結果によって、選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルがＶＲ１に等しいＶｔを有する第２基準メモリ素子とＶＲ３に等しいＶｔを有する第３基準メモリ素子との内から選択された１つと比較される。 - 特許庁

The access logic reads data from the memory into line buffers for supplying the data stored in the memory to the wavelet transform and to store coefficients in the memory, such that after the data stored at a first pair of lines are read from the memory, they are accumulated in the buffers of the access logic.例文帳に追加

アクセス論理は、メモリに記憶されたデータをウェーブレット変換に供給し且つ、メモリからアクセス論理のバッファへ第１の組のラインに記憶されたデータが読み出された後にメモリ内に係数を蓄積するために、メモリからラインバッファ内にデータを読出す。 - 特許庁

Also, the memory 24 includes a trace information storage part 242 for storing trace information about the control of reading or writing to the first nonvolatile semiconductor memory 25, so that memory damp of the trace information can be performed to a second nonvolatile semiconductor memory 26.例文帳に追加

また、メモリ２４には、第１の不揮発性半導体メモリ２５に対する、読み出し又は書き込み制御に関するトレース情報を格納するトレース情報格納部２４２を備え、トレース情報を第２の不揮発性半導体メモリ２６へメモリダンプできるようにした。 - 特許庁

The controller reads out the image data written into the first memory area of the image memory part, to be supplied to the second image processing part, and reads out the image data written into the second memory area of the image memory part, to be supplied to the third image processing part.例文帳に追加

メモリコントローラにより、第２の画像処理部には、画像メモリ部の第１のメモリ領域に書き込まれた画像データが読み出されて供給され、第３の画像処理部には、画像メモリ部の第２のメモリ領域に書き込まれた画像データが読み出されて供給される。 - 特許庁

A memory controller is provided to store newest management information in the volatile memory, to store old management information in the first nonvolatile memory, and to store differential data between the newest management information and the old management information in the second nonvolatile memory.例文帳に追加

前記揮発性メモリに最新管理情報を記憶し、前記第１の不揮発性メモリに旧管理情報を記憶し、および前記第２の不揮発性メモリに前記最新管理情報と前記旧管理情報の差分データを記憶するメモリコントローラが設けられる。 - 特許庁

A data transfer mechanism is provided with a main memory 2 storing image data, a line memory 5 outputting pixel data of a second input line to the resolution conversion part 6 and a DMA(direct memory access) controller 3 which DMA-transfers picture data of the first input line from the main memory 2.例文帳に追加

データ転送機構は、画像データを格納する主メモリ２と、解像度変換部６に対して第２入力ラインの画素データを出力するライン・メモリ５と、主メモリ２から第１入力ラインの画像データをＤＭＡ転送させるＤＭＡコントローラ３とを備える。 - 特許庁

In a memory cell 81 of the memory element 80, a first memory region wherein the quantity of residual ink in the ink cartridge 107K or 107F is assigned in a region where the accessing is applied prior to the accessing to a second memory region wherein read-only data is to be stored.例文帳に追加

また、記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第１の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第２の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

Image data next to the last image data of one memory card is handled as the first image data of the other memory card to handle all image data recorded in both memory cards as image data recorded in one large-capacity memory card.例文帳に追加

さらに、一方のメモリカードの最後の画像データの次の画像データを他方のメモリカードの最初の画像データとして取り扱うことにより、両メモリカードに記録されている全画像データを１つの大容量メモリカードに記録されている画像データのごとく取り扱う。 - 特許庁

The method of operating the nonvolatile memory device included in a memory card can be provided by re-mapping addresses of bad blocks in a first nonvolatile MAT in the memory card and re-mapping addresses of bad blocks in a second nonvolatile MAT in the memory card.例文帳に追加

メモリカードに備えられた不揮発性メモリ装置の動作方法は、メモリカードの第１不揮発性マット内の不良ブロックのアドレスを再マッピングし、メモリカード内で第２不揮発性マットの不良ブロックのアドレスを再マッピングすることによって提供することができる。 - 特許庁

In addition, in a memory cell 81 of the memory element 80, a first memory region for rewriting the ink residual amount in the ink cartridges 107K and 107F is provided so as to be accessed prior to a second memory region for storing the data only to be read out.例文帳に追加

また、記憶素子８０のメモリセル８１において、インクカートリッジ１０７Ｋ、１０７Ｆのインク残量が書き換えられる第１の記憶領域については、読み出し専用データが記憶される第２の記憶領域よりも先にアクセスされる領域に配置する。 - 特許庁

A nonvolatile memory access control part 106 performs the writing control of the user data into the nonvolatile memory 111, and the writeback control of the address management information temporarily stored in the second nonvolatile memory 107 to the first nonvolatile memory 111.例文帳に追加

不揮発性メモリアクセス制御部１０６は、ユーザデータの第１の不揮発性メモリ１１１への書込み制御、および第２の不揮発性メモリ１０７に一時記憶されているアドレス管理情報を第１の不揮発性メモリ１１１への書き戻し制御を行う。 - 特許庁

Data of an amount of remaining ink of each color are placed together at a second memory area accessed earlier than a first memory area where read only data are stored in a memory cell 81 of the memory element 80 loaded to the color ink cartridge 107F.例文帳に追加

また、カラー用のインクカートリッジ１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、各色のインクの残量データについては、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる第２の記憶領域にまとめて配置する。 - 特許庁

And the memory is constituted so that surface area of a ferromagnetic capacitors Cr in the first and the second memory cells is larger than surface area of a ferromagnetic capacitor Cd in memory cells for data 102-11 to 102-mn.例文帳に追加

そして、第１及び第２メモリセル内の強誘電体キャパシタＣｒの表面積が、データ用メモリセル１０２−１１〜１０２−ｍｎ内の強誘電体キャパシタＣｄの表面積よりも大きくなるように構成する。 - 特許庁

A memory control unit is arranged between the first processor and the memory, and when detecting output of the processing request and output of the state signal, executes inhibition control for inhibiting the access request from being supplied to the memory.例文帳に追加

メモリ制御部は、第１プロセッサとメモリとの間に配置され、処理要求の出力と状態信号の出力とを検出したときに、アクセス要求のメモリへの供給を禁止する禁止制御を実行する。 - 特許庁

In some cases, the configuration memory address and associated configuration data are connected to a packet with a bit size (for example, 64 bit) of a second memory address larger than that (for example, 32 bits) of a first memory address.例文帳に追加

コンフィギュレーションメモリアドレス及び関連されるコンフィギュレーションデータは、第一のメモリアドレスのビットサイズ（たとえば３２ビット）よりも大きな第二のメモリアドレスのビットサイズ（たとえば６４ビット）を有するパケットに結合される場合がある。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which has a rectifying element and a nonvolatile memory element at an intersection of a first wire and a second wire, the nonvolatile memory device having its height suppressed as compared with a conventional one.例文帳に追加

第１の配線と第２の配線との交差部に整流素子と不揮発性記憶素子を有する不揮発性記憶装置で、従来に比して高さを抑えることができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

A storage member for storing the relative position of the first rail 3 and the second rail 4 is movably provided along a memory rail 46, and has a lockable and unlockable memory slider 47 on a memory lock part 46a.例文帳に追加

第１レール３および第２レール４の相対位置を記憶する記憶部材は、メモリレール４６に沿って移動可能に設けられメモリロック部４６ａにロック可能およびロック解除可能なメモリスライダ４７をもつ。 - 特許庁

The digital equipment captures the read data transferred from the memory card in synchronism with the first clock signals supplied from the memory card, and transfers the write data to the memory card in synchronism with the second clock signals generated from itself.例文帳に追加

デジタル機器はメモリカードから供給された第１クロック信号に同期してメモリカードから転送された読出データを捕獲し、自身から発生された第２クロック信号に同期して書込データをメモリカードに転送する。 - 特許庁

At the time of read operation of a real memory cell, variation speed of the dummy bit line XDBL by the dummy memory cell DMC1 to the first logic level is delayed by the second logic level held in the second dummy memory cell DMC2.例文帳に追加

リアルメモリセルの読み出し動作時に、第１ダミーメモリセルＤＭＣ１によるダミービット線ＸＤＢＬの第１論理レベルへの変化速度は、第２ダミーメモリセルＤＭＣ２に保持された第２論理レベルにより遅くなる。 - 特許庁

A single memory element with a plurality of memory modes can be realized by properly using the data memory element 40 in the first and second mode, and accordingly a downsized and low cost semiconductor device can be also realized.例文帳に追加

データ記憶素子４０を第１モードと第２モードとで使い分けることにより、複数の記憶モードを１つのデータ記憶素子で実現することができるため、半導体装置を小型化及び低コスト化することができる。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a plurality of memory cells 100, each having two MONOS memory cells 108A and 108B being controlled by a word gate and a control gate, arranged in first and second directions A and B.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートとコントロールゲートにより制御される２つのＭＯＮＯＳメモリセル１０８Ａ，１０８Ｂを有するメモリセル１００を、第１，第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなる。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes bit lines BLs (first wiring), and a memory cell MC including a phase change element 20 (memory element) and a diode 21 connected in series between the bit lines and word lines WLs (second wiring).例文帳に追加

本発明の半導体メモリ装置は、ビット線ＢＬｓ（第１の配線）と、ワード線ＷＬｓ（第２の配線）との間に直列接続された相変化素子２０（メモリ素子）及びダイオード２１を含むメモリセルＭＣを備えている。 - 特許庁

The memory system inputs and outputs data using N terminals, and includes first memory and second memory storing data accessed by a predetermined unit and having M terminals for inputting and outputting the data.例文帳に追加

メモリシステムは、Ｎ個の端子を使用してデータの入出力が行われるメモリシステムにおいて、所定単位でデータアクセスされるとともに、データを入出力するためのＭ個の端子を有する第１メモリと第２メモリとを含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a nonvolatile memory cell array including a plurality of nonvolatile memory cells connected to a plurality of word lines, and a word line voltage generator for generating first and second sequences of voltage pulses.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置は、複数のワードラインに接続された複数の不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリセルアレイと、第１及び第２電圧パルスシーケンスを発生させるワードライン電圧発生器とを含む。 - 特許庁

The second processor 360 stores an address map with a local memory address about the first processor 550 recorded; the local memory address is obtained from the address map and the write information is written to the local memory address obtained.例文帳に追加

第２プロセッサ（３６０）は、第１プロセッサ（５５０）についてのローカルメモリアドレスが記録されたアドレスマップを記憶しており、そのアドレスマップからローカルメモリアドレスを取得し、その取得したローカルメモリアドレスにライト情報をライトする。 - 特許庁

A first memory 102 includes a line memory for holding pixel data for one horizontal line of a screen, and an MB memory for holding pixel data for 16 pixels corresponding to one vertical line in a macro block.例文帳に追加

第１のメモリ１０２は、画面の水平方向１ライン分の画素データを保持可能なラインメモリと、マクロブロックにおける垂直方向１ライン分に相当する１６画素分の画素データを保持可能なＭＢメモリとを有している。 - 特許庁

When it is detected that the state of the memory cell is an abnormal state, the memory control device changes the address control part to be used for specifying the memory cell from the first address control part to the second address control part.例文帳に追加

メモリ制御装置は、メモリセルの状態が異常状態であると検出された場合に、メモリセルを特定するために用いるアドレス制御部を第1のアドレス制御部から第2のアドレス制御部へ変更する。 - 特許庁

This time informing device is an alarm clock and is provided with a control part 3, a first memory 4, a second memory 7, a combination part 8, a timer 9, a loud speaker 10 and a third memory 5.例文帳に追加

本時刻告知装置は、目覚まし時計であって、制御部３と、第１の記憶装置４と、第２の記憶装置７と、組み合わせ部８と、タイマー９と、拡声器１０と、第３の記憶装置５とを備えている。 - 特許庁

This processing time measuring system comprises a memory 30, a first block 10 executing a plurality of communication processings using the memory 30, and a second block 20 connected to the memory 30 and monitoring the plurality of communication processings.例文帳に追加

処理時間測定システムは、メモリ３０と、メモリ３０を用いて複数の通信処理を実行する第１ブロック１０と、メモリ３０に接続され複数の通信処理を監視する第２ブロック２０とを備える。 - 特許庁

As shown in a figure 9(B), when inserting images picB1-B7 read from a second memory card between these third and fourth pages, the first memory card is unloaded from the slot and the second memory card is set.例文帳に追加

図９（Ｂ）に示すように、この３ページと４ページの間に、第２のメモリーカードから読み込んだ画像ｐｉｃＢ１〜Ｂ７を挿入する際には、第１のメモリーカードをスロットから抜いて、第２のメモリーカードをセットする。 - 特許庁

The memory cartridge M in the case main body 1 is constituted so as to be movable across a first communicating position corresponding to the memory reader of one tape drive and a second communicating position corresponding to the memory reader of the other tape drive.例文帳に追加

ケース本体１内において、メモリカートリッジＭは、一方のテープドライブのメモリーリーダに対応した第１通信位置と、他方のテープドライブのメモリーリーダに対応した第２通信位置との間にわたって移動操作できる。 - 特許庁

For reconstructing the current frame, the video decoder reads the micro-block group, linked with and corresponding to the former frame, from a first position of the main memory to a local memory and further, up to the second position of the main memory.例文帳に追加

次に、ビデオデコーダは現在フレームを再構成するためにメインメモリの一番目の位置からローカルメモリまで、そしてメインメモリの二番目の位置まで以前フレームと連関され対応するマクロブロックのグループを読み取りする。 - 特許庁

The data rewrite part causes the first buffer memory to store received teletext data (S2), causes the second buffer memory to store the teletext data received next (S4), and causes the third buffer memory to store the teletext data received next (S6).例文帳に追加

データ書換え部は、受信したテレテキストデータを第１バッファメモリに記憶させ（Ｓ２）、次に受信したテレテキストデータを第２バッファメモリに記憶させ（Ｓ４）、次に受信したテレテキストデータを第３バッファメモリに記憶させる（Ｓ６）。 - 特許庁

On the basis of the request PRQ, the brightness signals Ya and the color-difference signals Ua/Va are transferred in lines from the frame memory (the first memory) 201 to a rate conversion section (a second memory) 215Y, 215C via buffers 205Y, 205C.例文帳に追加

リクエストＲＲＱに基づいて、フレームメモリ（第１のメモリ）２０１から、バッファ２０５Ｙ，２０５Ｃを介し、レート変換部（第２のメモリ）２１５Ｙ，２１５Ｃに、輝度信号Ｙａおよび色差信号Ｕａ／Ｖａをライン単位で転送する。 - 特許庁

Since the first and the second memory sections can be rewritten, reference voltage and verification voltage can be set, after a semiconductor memory is manufactured, in accordance with characteristics of a memory cell modified by variation of a manufacturing process.例文帳に追加

第１および第２記憶部が書き換え可能であるため、製造プロセスの変動により変化するメモリセルの特性に応じて、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。 - 特許庁

With respect to a centerline CL in the middle between a first side C1 as one short side of the memory card and a second side C2 as the short side opposite to the first side C1, the memory body 4 is positioned close to the first side C1.例文帳に追加

そのメモリ本体４を、メモリカードの一方の短辺である第１の端辺Ｃ１と、その第１の端辺Ｃ１の反対側に位置する短辺である第２の端辺Ｃ２との中間の中間線ＣＬよりも第１の端辺Ｃ１寄りに位置するように配置する。 - 特許庁

By changing the address to start writing in the first memory and the address to start reading from the memory, a mode in which only the first image is displayed and another mode in which second image is displayed overlapping part of the first image are changed over to/from each other.例文帳に追加

そして、第１の画像のメモリへの書き込み開始アドレスと、当該メモリからの読み出し開始アドレスとを変更することにより、第１の画像のみを表示するモードと、第２の画像を当該第１の画像の一部に重ねて表示するモードとの切り替えを行う。 - 特許庁