「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A bank #1 consisting of a plurality of sectors of a first sector size and a bank #2 consisting of a plurality of sectors of a sector size larger than the first sector size are ensured on the nonvolatile memory 40.例文帳に追加

不揮発性メモリ４０上に、第１のセクタサイズの複数のセクタからなるバンク＃１と、第１のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなるバンク＃２とを確保する。 - 特許庁

By providing first and second flexible circuit structures (130, 140) to connect the package contacts of the first and second packages to the memory device contacts, a symmetrical stacked package configuration is obtained.例文帳に追加

第１及び第２フレキシブル回路構造（１３０，１４０）が、第１及び第２パッケージのパッケージ接点とメモリ装置接点とを接続し、対称な積層型パッケージ構成とする。 - 特許庁

The memory module includes a first chip selection signal input terminal, a second chip selection signal input terminal, a first input/output terminal, a second input/output terminal.例文帳に追加

メモリモジュールは、第１のチップセレクト信号入力端子と、第２のチップセレクト信号入力端子と、第１の入出力端子と、第２の入出力端子とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory 18 stores the first and second reference voltages Vref1 and Vref2 of the first and second comparators measured by using a stabilized power supply 210.例文帳に追加

不揮発性メモリ１８は、安定化電源２１０を利用して測定した第１および第２のコンパレータの第１および第２の基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２を記憶する。 - 特許庁

The semiconductor storage device of the present embodiment comprises a plurality of memory cell transistors disposed in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

本実施形態の半導体記憶装置は、第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のメモリセルトランジスタを備える。 - 特許庁

To constitute a receiving FIFO(First In First Out) incorporated in start-stop synchronizing serial communication equipment holding interchangeability with a PC 16550D being an industry standard, using a general use memory- macro.例文帳に追加

汎用のメモリマクロを使用して、業界標準であるＰＣ１６５５０Ｄとの互換性を保った調歩同期シリアル通信装置に内蔵する受信ＦＩＦＯを構成する。 - 特許庁

The memory cells 1 are formed at positions on the first signal lines 2 where the first and the second signal lines intersect with each other, and have spontaneous magnetization which reverses magnetization direction according to memorized data.例文帳に追加

メモリセル１は、第１信号線２上の第２信号線３と交差する位置に設けられ、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転する自発磁化を有する。 - 特許庁

The storage unit 10 includes a first storage area 12 constituted of nonvolatile memory cells for storing binary data corresponding to first and second polarized states.例文帳に追加

記憶部１０は、第１の分極状態と第２の分極状態に対応して２値データを記憶する不揮発性のメモリセルにより構成される第１の記憶領域１２を含む。 - 特許庁

An encryption command is inputted, the encryption command is decoded, and first address information is obtained while the semiconductor memory 2 operates in a first operating mode of high security.例文帳に追加

半導体メモリ２がセキュリティの高い第１動作モードで動作している状態で、暗号コマンドを入力し、暗号コマンドを復号して第１アドレス情報を得る。 - 特許庁

The semiconductor memory device 100 comprises a first dispersion region 11, a gate insulating film 32, a gate electrode 31, a first multilayer film 141, and a third dispersion region 113.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、第１拡散領域１１と、ゲート絶縁膜３２と、ゲート電極３１と、第１多層膜１４１と、第３拡散領域１１３とを備える。 - 特許庁

The control circuit 20 simultaneously applies program voltages to a plurality of selection memory cells sMC formed along one first word line WLB (first write operation).例文帳に追加

制御回路２０は、１本の第１ワード線ＷＬＢに沿って形成される複数の選択メモリセルｓＭＣに同時にプログラム電圧を印加する（第1書込み動作）。 - 特許庁

A plurality of first tables A121A, first tables B121B... in which output data are stored at the prescribed number of bits in association with input data are stored in a memory 12.例文帳に追加

入力データに対応づけて出力データが所定のビット数にて記憶された複数の第１テーブルＡ１２１Ａ、第１テーブルＢ１２１Ｂ・・・をメモリ１２に記憶する。 - 特許庁

The data in a first partition is received within a memory region assigned to a first partition in a logical partitioned data processing system to form received data.例文帳に追加

第１の区画内のデータは論理区画を有するデータ処理システム内の第１の区画に割り当てられたメモリ領域内で受信され、受信済みデータを形成する。 - 特許庁

The first and the second TS packets read from the first and the second memory areas are multiplexed and generated as MP4 data, 3GP data or 3G2 data.例文帳に追加

第１及び第２の記憶領域から読み出された第１及び第２のＴＳパケットが多重化されてＭＰ４データ、３ＧＰデータ又は３Ｇ２データとして生成される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with the logic circuit 30 to which the first voltage and higher second voltage are supplied, and a memory section 20 to which the first, second voltages and higher third voltage are supplied.例文帳に追加

半導体装置は、第１電圧、高い第２電圧を供給されるロジック回路３０、第１、第２電圧、高い第３電圧を供給されるメモリ部２０を備える。 - 特許庁

An address control part 21 selects a first word line 8-1 from among the word lines 8-1 to 8-m connected to memory cells 24;M11-Mmn, in accordance with a first address.例文帳に追加

アドレス制御部２１は、第１アドレスに従って、メモリセル２４；Ｍ１１〜Ｍｍｎに接続されたワード線８−１〜８−ｍのうちの第１ワード線８−１を選択する。 - 特許庁

This memory card connector is equipped with a pair of third contact parts 60d engageable with first and second contact parts 52c and 56c of first and second switch terminals 52 and 56, respectively.例文帳に追加

第１及び第２のスイッチ端子５２、５６の第１及び第２の接点部５２ｃ、５６ｃとそれぞれ係合可能な１対の第３の接点部６０ｄを備える。 - 特許庁

In the first memory area A, an intrinsic parameter in common for first and second microcontrollers 1 and 2 and the inspection sum of intrinsic parameters are stored without accompanying the complement of the intrinsic parameter.例文帳に追加

第１のメモリ領域Ａには，第１，２マイクロコントローラ１，２に共通の固有パラメータと，固有パラメータの検査合計が，固有パラメータの補数を伴わずに格納されている。 - 特許庁

Then, to each physical memory unit in the power saving state, a first predetermined kind of command is transmitted, and a result to the above first predetermined kind of command is checked.例文帳に追加

そして、節電状態になっている各物理記憶装置に第一の所定種類のコマンドを送信し、該第一の所定種類のコマンドに対する結果をチェックする。 - 特許庁

In the method for accessing a phase change memory device, first sub-bit lines are grouped in a first group and second sub-bit lines are grouped in a second group.例文帳に追加

相変化メモリデバイスにアクセスする方法において、第１のサブ複数のビットラインを第１グループにグループ分けし、第２のサブ複数のビットラインを第２グループにグループ分けする。 - 特許庁

A file managing section 203 creates the client identification code by encrypting the first client code with the first identification code and the file managing section 203 writes it into a USB memory 30.例文帳に追加

ファイル管理部２０３は、第１クライアントコードを、第１識別コードで暗号化してクライアント識別コードを生成し、ファイル管理部２０３がＵＳＢメモリ３０に書き込む。 - 特許庁

In a memory cell, a first load transistor P1 and a second load transistor P2 are connected to a first drive transistor N1 and a second drice transistor N2 in a flip-flop state.例文帳に追加

メモリセルは、第１の負荷トランジスタＰ１及び第２の負荷トランジスタＰ２と、第１の駆動トランジスタＮ１及び第２の駆動トランジスタＮ２とがフリップフロップ接続されている。 - 特許庁

A supplementary data for verification, check sum or hash data, can be additionally recorded in the first memory feature 1 simultaneously with the first part of sensitive data (d).例文帳に追加

検証のための追加データ、すなわち、チェックサムまたはハッシュデータは、敏感データｄの第１部分と同時に、メモリの第１機構１内に追加として記録することができる。 - 特許庁

The ferroelectric memory devices have the first capacitor group and the second capacitor group composed of a plurality of ferroelectric capacitors arranged in the first direction respectively.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、それぞれが、第１の方向に配置された複数の強誘電体キャパシタよりなる第１のキャパシタ群及び第２のキャパシタ群とを備えている。 - 特許庁

The composite image generating section generates a composite image containing the first and second images by storing the input first and second images into different positions of the frame memory.例文帳に追加

合成画像生成部は、入力された第１と第２の画像をフレームメモリの異なる位置に格納することにより、第１と第２の画像を含む合成画像を生成する。 - 特許庁

In this semiconductor device, within a memory circuit forming region of a silicon substrate 1, a first gate electrode layer 4 and a hard mask layer 5 are formed on a first gate insulation layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１のメモリ回路形成領域内には、第１のゲート絶縁層３上に第１のゲート電極層４とハードマスク層５とが形成されている。 - 特許庁

The phase change memory cell 200a has a first electrode, a second electrode, a phase change material 204 provided between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に備えられた相変化材料２０４を有している。 - 特許庁

Each ferroelectric capacitor constituting the first capacitor group is connected to each bit line configuring the first bit line group respectively through corresponding memory cell transistors.例文帳に追加

第１のキャパシタ群を構成する各強誘電体キャパシタは対応するメモリセルトランジスタを介して、第１のビット線群を構成する各ビット線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

One clock selected from the first system clock and the second system clock by the selector 113 is supplied to the clock to be supplied to the first internal memory 111.例文帳に追加

第１の内部メモリ１１１に供給されるクロックには、第１のシステムクロックと第２のシステムクロックからセレクタ１１３により選択された一のクロックが支給される。 - 特許庁

A memory cell transistor having a tunnel oxide film 18 having a first film thickness and a first gate electrode is formed on a semiconductor substrate 14 of the cell array region.例文帳に追加

セルアレイ領域の半導体基板１４上には、第１の膜厚を持つトンネル酸化膜１８、及び第１ゲート電極を有するメモリセルトランジスタが形成されている。 - 特許庁

If the identifier is received from outside the network and over a secure signaling channel, a first time stamp is stored in a memory, representative of a first time of receipt of the identifier.例文帳に追加

ネットワークの外部からセキュア・シグナリング・チャネルを通じて識別子を受信した場合、識別子受信の第１時刻を表す第１タイム・スタンプをメモリに格納する。 - 特許庁

The station operation system in one embodiment includes an issuance part, a first memory part, a first distribution processing part, a second distribution processing part, a determination part and a passage control part.例文帳に追加

一実施形態に係る駅務システムは、発行部と、第１の記憶部と、第１の配信処理部と、第２の配信処理部と、判定部と、通行制御部とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate; a first stack; a memory film; a first channel body; a second stack; a gate insulating film; and a second channel body.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、基板と、第１の積層体と、メモリ膜と、第１のチャネルボディと、第２の積層体と、ゲート絶縁膜と、第２のチャネルボディとを備えている。 - 特許庁

The switch section 3 switches, according to the state of the first bus 7, a bus to be used when the processor 2 accesses to the memory 14 from the first bus 7 to the second bus 12.例文帳に追加

そして、スイッチ部３により、第１バス７の状態に応じて、プロセッサ２がメモリ１４にアクセスする際に使用するバスを、第１バス７から第２バス１２に切り替える。 - 特許庁

In a writing operation, each of the two memory cells coupled with the two first bit lines coupled with one first amplifier circuit stores different data.例文帳に追加

書き込み動作において、１つの第１増幅回路に結合されたところの２つの第１ビット線に結合された２つのメモリセルの各々は異なるデータを格納する。 - 特許庁

A program current is supplied through a pair of current source transistors positioning respectively at first and second sides of the first resistive memory cell block and opposing each other.例文帳に追加

第１抵抗型メモリセルブロックの第１及び第２側部にそれぞれ位置して互いに対向する一対の電流源トランジスタを介してプログラム電流が供給される。 - 特許庁

A first phase matching adding section 108 reads out photoacoustic signals from a photoacoustic element data memory 107, and administers phase matching addition within a first phase matching range.例文帳に追加

第１の位相整合加算部１０８は、光音響素子データメモリ１０７から光音響信号を読み出し、第１の位相整合範囲で位相整合加算する。 - 特許庁

An image memory of a sub control base material contains a first and a second opening image for continuation and an opening image for announcement.例文帳に追加

サブ制御基板の画像メモリは第１および第２継続用オープニング画像と予告用オープニング画像とを格納する。 - 特許庁

The first write DMAC 15 transfers data, input for each line, to a memory within a one-line period.例文帳に追加

第１のライトＤＭＡＣ15は、１ライン単位で入力されるデータを１ライン期間内にメモリに転送させる必要がある。 - 特許庁

Address information to only one address is stored among the first, second and third addresses so as to reduce memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量が減少するように、第１、第２及び第３アドレスうち、ただ１つに対するアドレス情報が保存される。 - 特許庁

The camera apparatus automatically creates a bookmark image G1 denoting a "first day" when a traveling mode is set and records the bookmark image G1 to a memory card.例文帳に追加

旅行モードが設定された時点で「初日」を示す栞画像Ｇ１を自動的に作成してメモリカードに記録する。 - 特許庁

To easily set first and second magnetic tunnel junction elements to be formed in a memory cell to a mutually-opposite resistive state.例文帳に追加

メモリセルに形成される第１および第２磁気トンネル接合素子を、簡易に互いに逆の抵抗状態に設定する。 - 特許庁

At first, an operator transmits display data of symbols to a data input part and a display data memory by a data transmitter.例文帳に追加

作業者は先ず、データ送信機によって図柄の表示データをデータ入力部及び表示データメモリに送信する。 - 特許庁

The classification section 20d classifies images in a first state for each person on the basis of the feature quantity and records them in a memory.例文帳に追加

分類部２０ｄは、第１状態の画像を特徴量に基づいて人物毎に分類して、メモリに記録する。 - 特許庁

A line controlling part 43 transmits a packet string outputted by the memory 42 in the first-come order to an ATM network 18 of 64 kbps transmission band.例文帳に追加

回線制御部43は、メモリ42が先着順に出力するパケット列を伝送帯域64kbpsのATM ネットワーク18に送出する。 - 特許庁