「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A flash memory comprises memory cell arrays MA and MB including nonvolatile memory cells; multi-value flag parts 15A and 15B, and a control CPU 16 for controlling writing, reading and erasing of data to the memory cell arrays and the multi-value flag parts.例文帳に追加

本発明の実施の形態によるフラッシュメモリは、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイＭＡ、ＭＢと、多値フラグ部１５Ａ、１５Ｂと、メモリセルアレイおよび多値フラグ部に対するデータの書込み、読出し、消去を制御する制御用ＣＰＵ１６とを備える。 - 特許庁

The flash memory is managed by being divided into a primary memory 12 for storing data during use at present, a secondary memory 13 for storing the data used before and a standby memory 14 secured as an erased state (writable state) at all times.例文帳に追加

フラッシュメモリは、現在使用中のデータが格納されるプライマリメモリ１２、以前使用していたデータが格納されるセカンダリメモリ１３、常に消去済み状態（書き込み可能状態）として確保されるスタンバイメモリ１４に分割されて管理される。 - 特許庁

When receiving a memory test pattern for a pattern input period, the flash ROM 40 latches the memory test pattern in its inside, and the latched data of memory test pattern are written in a memory cell array for a nonvolatile program period after a lapse of the pattern input period.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ４０は、メモリテストパターンをパターン入力期間に入力すると、これが内部でラッチされ、パターン入力期間経過後の不揮発性プログラム期間において、ラッチされたメモリテストパターンのデータがメモリセルアレイに書き込まれていく。 - 特許庁

A memory cell transistor of the NOR flash memory shares a source diffusion layer 28b with another memory cell transistor adjacent in one of column directions and shares a drain diffusion layer 28a with further another memory cell transistor adjacent in the other column directions.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルトランジスタは、列方向の一方で隣接する他のメモリセルトランジスタとソース拡散層２８ｂを共有するとともに、列方向の他方で隣接するさらに他のメモリセルトランジスタとドレイン拡散層２８ａを共有する。 - 特許庁

This flash memory is provided with memory cell arrays MA, MB including a non-volatile memory cell, multi-level flag sections 15A, 15B, and a CPU 16 for control controlling write-in, read-out, and erasion of data for a memory cell array and a multi-level flag section.例文帳に追加

本発明の実施の形態によるフラッシュメモリは、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイＭＡ、ＭＢと、多値フラグ部１５Ａ、１５Ｂと、メモリセルアレイおよび多値フラグ部に対するデータの書込み、読出し、消去を制御する制御用ＣＰＵ１６とを備える。 - 特許庁

When changing the contents of the control memory SW group, this control device changes not all the contents of the control memory SW group but changes one part corresponding to memories SWs consisting one memory SW group selected from the flash memory.例文帳に追加

そして制御用メモリＳＷ群の内容を変更する場合、制御用メモリＳＷ群の内容を全て書き換えるのはなく、フラッシュメモリから選択した一のメモリＳＷ群を構成するメモリＳＷに該当する部分だけを変更する。 - 特許庁

Waveform data stored in the NAND flash memory or the like is read out on a page basis without no interruption to the CPU, samples can be supplied to the buffer of the waveform memory, and the error detection and correction of the data read from an external memory such as the NAND flash memory are performed by an error correction unit of the tone generator.例文帳に追加

ＣＰＵへの割り込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等に格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにするとともに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の外部メモリから読出したデータについてのエラー検出と訂正を楽音生成部内のエラー訂正部で行う。 - 特許庁

When writing data in the memory module while setting a page size lager than the prescribed page size as an access unit, the controller respectively provides an independent memory control signal which is not included in a common signal including the data and an address to each of the flash memory chips and performs control to write the data at the same address of each of the flash memory chips.例文帳に追加

前記コントローラは、前記メモリモジュールに対して前記所定のページサイズを超えるページサイズをアクセス単位としてデータを書き込む場合に、前記データ及びアドレスを含む共通信号に含まれない独立のメモリ制御信号を前記各フラッシュメモリチップのそれぞれに供給し、前記各フラッシュメモリチップの同一アドレスにデータを書き込むように制御する。 - 特許庁

The erasion operation control device 10 of a flash memory is provided with a common discharge circuit section 20 connecting electrically and directly at least one out of a source part CSL, a drain part CBL, and a substrate part CWL constituting respective cell MC00-MCmn constituting a cell array 9 of a flash memory circuit, and a gate part WL during erasion operation in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ回路のセルアレイ９を構成するそれぞれのセルＭＣ００〜ＭＣｍｎを構成するソース部ＣＳＬ、ドレイン部ＣＢＬ及び基板部ＣＷＬの少なくとも一つと、ゲート部ＷＬとを当該フラッシュメモリに於ける消去動作中に電気的に直接接続させる共通放電回路部２０が設けられているフラッシュメモリの消去動作制御装置１０。 - 特許庁

The RAM 10a is provided with a flash interface circuit 19 which generates control signals required for data access to the flash memory 60 in synchronism with the command from the CPU 70, and a pseudo SRAM 29, a memory device capable of random access, to read and write data or the flash memory 60 or the pseudo SRAM according to the command from the CPU 70.例文帳に追加

ＲＡＭ１０ａは、ＣＰＵ７０からの指令に同期して、フラッシュメモリ６０に対するデータのアクセスに必要な制御信号を生成するフラッシュインタフェース回路１９と、ランダムアクセス可能なメモリ素子である擬似ＳＲＡＭ２９とを備え、ＣＰＵ７０からの指令に応じて、フラッシュメモリ６０または擬似ＳＲＡＭ２９に対して、データの読み出し、書き込みを行なう。 - 特許庁

CPU 1 runs a variable receiving program read from a ROM 3, receives variable data on the specifications of the serial flash memory 100 via a communication interface part 5, runs a serial flash memory read program read from the ROM 3 using the received variable data, and transfers the program stored in the serial flash memory 100 to a RAM 2 via a serial interface part 4.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、ＲＯＭ３から読み出した変数受信プログラムを実行して、通信インターフェース部５を介してシリアル型フラッシュメモリ１００の仕様に関する変数データを受信し、ＲＯＭ３から読み出したシリアルフラッシュメモリリードプログラムを、受信した変数データを用いて実行し、シリアルインターフェース部４を介してシリアル型フラッシュメモリ１００に格納されているプログラムをＲＡＭ２へ転送する。 - 特許庁

The CPU 100 periodically records the information to be stored in the SRAM 110 in a flash memory 130, respectively reads system information stored in the flash memory 130 and system information stored in the SRAM 110 to compare the system information with each other, and copies the information to be stored in the flash memory 130 into the SRAM 110 when the both system information is different.例文帳に追加

定期的にＣＰＵ１００が、ＳＲＡＭ１１０に記憶される情報をフラッシュメモリ１３０に記録するとともに、フラッシュメモリ１３０に記憶されるシステム情報と、ＳＲＡＭ１１０に記憶されるシステム情報とをそれぞれ読み出して比較し、両者が異なる場合には、フラッシュメモリ１３０に記憶される情報をＳＲＡＭ１１０にコピーするようにしたものである。 - 特許庁

This flash memory device includes a write driver for driving a data line according to data to be written to a flash memory cell during a program period, a sense amplifier circuit for sensing and amplifying the data stored in the flash memory cell during a program verify period, and an isolation circuit for electrically isolating the sense amplifier circuit from the data line during an operation period of the write driver.例文帳に追加

ここに開示されるフラッシュメモリ装置は、プログラム区間の間、フラッシュメモリセルに書き込まれるデータに従ってデータラインを駆動する書き込みドライバと、プログラム検証区間の間、前記フラッシュメモリセルに貯蔵されたデータを感知増幅する感知増幅回路と、前記書き込みドライバの動作区間の間、前記データラインから前記感知増幅回路を電気的に絶縁させる絶縁回路とを含む。 - 特許庁

When a camera 200 captures an image and a new image file is received, if a free space of the flash memory 305 is smaller than the data size of the received image file, in order to secure the space in the flash memory 305 equivalent to or larger than the data size of the received image file , the CPU 304 preferentially deletes the transmitted image file from the flash memory 305.例文帳に追加

ＣＰＵ３０４は、カメラ２００で撮影が行われて新たな画像ファイルを受信したときに、フラッシュメモリ３０５の空き容量が受信した画像ファイルのデータサイズよりも小さい場合には、フラッシュメモリ３０５内に受信した画像ファイルのデータサイズ以上の空き容量を確保するために、フラッシュメモリ３０５から送信済み画像ファイルを優先して削除する。 - 特許庁

This USB port for the USB flash memory has a USB interface connector, and has: a connector turning member turning around a rotational axis parallel to the long side or the short side of a rectangular section of the USB interface connector; and a storage part formed in a shape wherein the USB flash memory is stored when connecting the USB flash memory to the USB interface connector and turning the connector turning member.例文帳に追加

ＵＳＢフラッシュメモリ用ＵＳＢポートがＵＳＢインターフェースコネクタを備え、ＵＳＢインターフェースコネクタの矩形断面の長辺又は短辺に平行な回転軸線周りに回動するコネクタ回動部材と、ＵＳＢフラッシュメモリをＵＳＢインターフェースコネクタに接続してコネクタ回動部材を回動させると、ＵＳＢフラッシュメモリが収容される形状にされた収容部とを具備している。 - 特許庁

In the software radio equipment in which a radio communication function is changed by selecting software (library) for use, to realize radio communication, when a flash memory 18 stores the software (library) that is externally downloaded, part of the software in the flash memory is deleted based on an idle state of the flash memory, library management information in a history management section 4, and selection by a user.例文帳に追加

使用するソフトウェア（ライブラリ）を切り替えることにより無線通信機能を変更することができる無線通信を実現するソフトウェア無線機において、外部からダウンロードするソフトウェア（ライブラリ）をフラッシュメモリ１８に保存するとき、フラッシュメモリの空き状況、履歴管理部４が有するライブラリ管理情報、およびユーザの選択に基づいて、フラッシュメモリ中のソフトウェアの一部を削除する。 - 特許庁

The flash memory control circuit 3 outputs a hold signal HOLD of active 'H' when the ready status signal RYIBY indicates the busy state, and does not permit access to the flash memory module 2 of a CPU 1, and permits the access to the flash memory module 2 of the CPU 1 by outputting the hold signal HOLD of 'L' when the ready status signal RYIBY returns to a ready state.例文帳に追加

フラッシュメモリ制御回路３はレディステータス信号ＲＹＩＢＹがビジー状態を指示するとき、アクティブ“Ｈ”のホールド信号ＨＯＬＤを出力し、ＣＰＵ１のフラッシュメモリモジュール２へのアクセスを不許可にし、レディステータス信号ＲＹＩＢＹがレディ状態に戻ると、“Ｌ”のホールド信号ＨＯＬＤを出力してＣＰＵ１のフラッシュメモリモジュール２へのアクセスを許可する。 - 特許庁

At the start of driving a vehicle, memory images of the text area and the backup area in the flash memory are written all together in the text area and the backup area of a main memory.例文帳に追加

そして、自車両の運転開始時に、フラッシュメモリにおけるｔｅｘｔ領域及びｂａｃｋｕｐ領域のメモリイメージを、メインメモリにおけるｔｅｘｔ領域とｂａｃｋｕｐ領域とに一括して書き込む。 - 特許庁

To provide a hybrid drive device having an optical disk device combined with a high-speed accessible memory such as flash memory; to which an extended memory allowing a high-speed access and having a larger capacity can be added.例文帳に追加

光ディスク装置とフラッシュメモリ等の高速アクセス可能なメモリを組み合わせたハイブリッドドライブ装置において、より大容量の高速アクセス可能なメモリを追加出来る拡張メモリ付きハイブリッドドライブ装置を提供すること。 - 特許庁

The digital camera is provided with a disk driver 1, a control circuit 2, a flash memory 7, a flag processing circuit 8, and a memory 9, and power can always be supplied to the flag processing circuit 8 and the memory 9.例文帳に追加

本発明に係るデジタルカメラは、ディスクドライブ装置１と、制御回路２と、フラッシュメモリ７と、フラグ処理回路８と、メモリ９とを具え、フラグ処理回路８及びメモリ９には、常時、電力を供給することが可能である。 - 特許庁

The main microcomputer 5, when started by a boot program, develops the program for the main microcomputer 5 stored in the flash memory 10 into SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 6 and starts it, and transfers the program for the sub microcomputer 8 to the sub microcomputer 8.例文帳に追加

メインマイコン５は、ブートプログラムにより起動したとき、フラッシュメモリ１０に記憶されているメインマイコン５用のプログラムをSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)６に展開し、起動するとともに、サブマイコン８用のプログラムをサブマイコン８に転送する。 - 特許庁

An image, read by an image reading part 1, is converted into electronic data and stored in a memory 2 and under the control of a CPU 3, the image data in the memory 2 are written on a compact flash(CF) cache memory card loaded into a CF card slot 5.例文帳に追加

画像読み取り部１で読み取った画像を電子データに変換してメモリ２に格納し、ＣＰＵ３の制御により、ＣＦカードスロット５に装着されたＣＦ（コンパクトキャッシュメモリ）カードにメモリ２の画像データを書き込む。 - 特許庁

The memory controller receives data in sector units, and transfers the sector data to the NAND flash memory directly or via a buffer memory depending on the sector address.例文帳に追加

メモリーコントローラーは、ホストからセクターの単位でデータを受信し、セクターアドレスに応じて、バッファーメモリーを経由してセクターデータを前記ＮＡＮＤフラッシュメモリーに転送したり、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリーにセクターデータを直接に転送したりする。 - 特許庁

To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.例文帳に追加

既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a serial flash controller supporting XIP (eXecute In Place)function and to provide a memory chip having the controller.例文帳に追加

ＸＩＰ機能支援を可能にするシリアルフラッシュコントローラ及び該コントローラを有するメモリチップを提供することを目的とする。 - 特許庁

The read module reads data in a modify-write area and in a write-back area from a flash memory at the time of data read-modify-write operation.例文帳に追加

リードモジュールは、データの書き込み動作時に、フラッシュメモリから書き換え領域及び書き戻し領域のデータを読み出す。 - 特許庁

A flash memory 13 of the broadcast receiver makes a plurality of broadcast services correspond to respective channel number allocated to keys of a remote controller and stores the services.例文帳に追加

フラッシュメモリ１３は、リモコンのキーに割当てられたチャンネル番号毎に複数の放送サービスを対応付けて記憶する。 - 特許庁

Thereafter, the formed image data are synthesized, and stored in a flash memory 50, and simultaneously, displayed on the LCD monitor 8.例文帳に追加

その後、これらの作成された画像データを合成処理し、フラッシュメモリ５０に記憶すると同時にＬＣＤモニタ８に表示させる。 - 特許庁

To avoid failure of CPU start by a defect block even when using a NAND type flash memory for the purpose of driving a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵ駆動用としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いた場合でも不良ブロックによるＣＰＵ起動の不具合を回避する。 - 特許庁

An incorporated flash memory 14 and an ATA controller part 2 are integrated in one chip, and a controller connecting interface 20 is loaded.例文帳に追加

内蔵フラッシュメモリ１４とＡＴＡコントローラ部２とをワンチップに集積し、さらに、コントローラ接続インターフェース２０を搭載する。 - 特許庁

This information processor 10 is equipped with a CPU 1, a RAM 2, an address decoder 3, a flash memory 4, and a masked ROM 5.例文帳に追加

本発明の情報処理装置１０は、ＣＰＵ１と、ＲＡＭ２と、アドレスデコーダ３と、フラッシュメモリ４と、マスクＲＯＭ５と、を備える。 - 特許庁

The calibration control part 23a is configured to compare the obtained output characteristics with old output characteristics stored in a flash memory 19.例文帳に追加

校正制御部２３ａは得られた出力特性をフラッシュメモリ１９に格納されている古い出力特性と比較する。 - 特許庁

The driving sounds of a focusing mechanism, a zooming mechanism, a diaphragm mechanism and a shutter mechanism as noise data are recorded as noise data in a flash memory 56.例文帳に追加

フォーカス機構、ズーム機構、絞り機構及びシャッター機構の駆動音をノイズデータとしてフラッシュメモリ５６に記録しておく。 - 特許庁

The NAND flash memory 108 writes the data for backup into a generated empty sector under the control of a processor 110.例文帳に追加

このために、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０８は、プロセッサ１１０の制御の下、生じる空セクタにバックアップのためのデータを書き込む。 - 特許庁

To construct an inexpensive and flexible system in electronic equipment configured to store a main program in a serial type flash memory.例文帳に追加

シリアル型のフラッシュメモリにメインプログラムを格納するようした電子機器において、低コストで柔軟なシステムの構築を可能にする。 - 特許庁

To provide a page buffer of a NAND type flash memory capable of increasing a data loading speed and reducing a chip area.例文帳に追加

データローディング速度を増加させ、かつ、チップの面積を減らすことができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのページバッファーを提供する。 - 特許庁

To correct an address error in a flash memory module which has a data management unit different from a data management unit of a disk drive.例文帳に追加

ディスクドライブのデータ管理単位とは異なるデータ管理単位を有するフラッシュメモリ・モジュール内におけるアドレス・エラーを訂正する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE FOR CORRECTING DECREMENT OF READ-OUT MARGIN DUE TO HIGH TEMPERATURE STRESS, AND ITS READ-OUT VOLTAGE ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加

高温ストレスによる読み出しマージンの減少を補正するためのフラッシュメモリ装置及びそれの読み出し電圧調整方法 - 特許庁

To provide high-speed writing in a semiconductor disk device using a flash memory low in writing speed compared with reading.例文帳に追加

読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。 - 特許庁

A heat sink 24 is arranged on the top surface of the flash memory 32, and the static RAM 34 is sealed up with sealing resin 26.例文帳に追加

フラッシュメモリ（３２）の上面には、放熱板（２４）を配設し、スタティックＲＡＭ（３４）の周囲は、封止樹脂（２６）で封止する。 - 特許庁

A control circuit of a switch 10 comprises a fail-safe CPU 13 and a non-rewritable non-volatile flash memory 15.例文帳に追加

転てつ機１０の制御回路をフェールセーフＣＰＵ１３と、書き換え可能な不揮発のフラッシュメモリ１５とを用いて構成する。 - 特許庁

Also, a CPU is brought into wired OR connection with a configuration control section via a buffer, thereby controlling access to the flash memory.例文帳に追加

また、ＣＰＵとコンフィグレーション制御部とがバッファを介してワイアードＯＲ接続になることで、フラッシュメモリへのアクセスを制御する。 - 特許庁

To confirm that a flash memory is within the guaranteed number of times of rewrite in an emulation system using a microcomputer.例文帳に追加

マイクロコンピュータを用いたエミュレーションシステムにおいてフラッシュメモリが書き換え保証回数内であることが確認可能にすること。 - 特許庁

To provide a four-level flash memory in which a verification margin can be stably insured as the most important characteristic .例文帳に追加

本発明は、四値フラッシュメモリにおいて、ベリファイマージンを安定に保証できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

When the image of the user 3 is not included in the first image, the second image is stored in the flash memory.例文帳に追加

第一撮影映像に使用者３自身の映像が含まれていない場合は、第二撮影映像がフラッシュメモリに記憶される。 - 特許庁