「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory device adapted to enable stabilizing the programming and erasing characteristics by changing a structure of a floating gate and to provide programming and erasing methods using the memory device.例文帳に追加

フローティングゲートの構造を変えてプログラミングと消去特性を安定させることのできるフラッシュメモリ素子、これを用いたプログラミングと消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

31 is an address control part for generating a physical address, 6 is a Vpp generating circuit which is a writing power supply of a flash memory, 71 is a memory address bus, and 72 is a data bus.例文帳に追加

３１は物理アドレスを発生するアドレス制御部、６はフラッシュメモリの書き込み電源であるＶｐｐ発生回路、７１はメモリアドレスバスであり、７２はデータバスである。 - 特許庁

When the IC card 11 is connected to the image forming device, a sleep signal is generated with a-CD signal and a CPU switches booting for an internal flash memory to the IC card memory.例文帳に追加

画像形成装置にＩＣカード１１を接続すると、−ＣＤ信号によりスリープ信号が生じ、ＣＰＵは内部のフラッシュメモリからＩＣカードメモリにブートを切り替える。 - 特許庁

When a writing data size instructed from a host processor 21 is equal to one sector size, writing data is stored in a flash memory chip 13 where a memory block size is one sector.例文帳に追加

ホスト処理装置２１から指示される書き込みのデータサイズが、１セクタサイズに等しい場合、書き込みデータを、メモリブロックサイズが１セクタであるフラッシュメモリチップ１３に格納する。 - 特許庁

To provide a flash memory device and a test method in which a test time and a test cost can be reduced and a redundant memory cell can be tested, without requiring the other circuit.例文帳に追加

別途の回路を不要にして、かつテスト時間とテストコストを削減してリダンダントメモリセルをテストすることができるフラッシュメモリ装置およびテスト方法を提供すること。 - 特許庁

The NOR flash memory apparatus includes a plurality of memory cells, a word line voltage generating circuit, and a scan controller, and performs program operation conforming to an ISPP system.例文帳に追加

本発明によるＮＯＲフラッシュメモリ装置は、複数のメモリセル、ワードライン電圧発生回路、及びスキャンコントローラを含み、ＩＳＰＰ方式に従ってプログラム動作を実行する。 - 特許庁

The USB flash memory 30 is connected with the USB connector of a wireless communication device 10, and the WEP authentication key and lighting information are stored in the memory.例文帳に追加

ＵＳＢフラッシュメモリ３０を無線通信装置１０のＵＳＢコネクタに接続し、無線通信装置１０のメモリにＷＥＰ認証キー及び点灯情報を記憶する。 - 特許庁

The system uses a compactor that periodically advances through a circular sequence of the flash memory location organized as a block and clears the block as it advances through the memory location.例文帳に追加

このシステムはコンパクタを使用するが、これはブロックとして編成されたフラッシュメモリ位置の円形シーケンス中を周期的に進み、メモリ位置中を進むときにブロックをクリアする。 - 特許庁

To provide an analog storage flash memory in which sufficient writing accuracy can be obtained even when writing speed of a memory cell transistor is high owing to manufacturing fluctuation or the like.例文帳に追加

製造ばらつきなどによりメモリセルトランジスタの書き込み速さが大きい場合でも十分な書き込み精度を得ることができるアナログストレージフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

When control instruction data of the microcontroller device 10 are reset, resetting is canceled and the data are read from the flash memory 13 and written again into the random access memory 14.例文帳に追加

マイクロコントローラ装置１０における制御指示データがリセットされ場合、そのリセットを解除した後、フラッシュメモリ１３からデータを読み出し、ランダムアクセスメモリ１４へ再度を書込む。 - 特許庁

When the power is supplied, an operation system and an application program in a NAND flash memory 31 are copied into a dual port main memory 24 and started in parallel with the initialization of hardware.例文帳に追加

電源投入時、ハードウェアの初期化と並行して、ＮＡＮＤフラッシュメモリ３１内のオペレーションシステムおよびアプリケーションプログラムがデュアルポートメインメモリ２４にコピーされて起動される。 - 特許庁

Without any interrupt to the CPU, waveform data stored in the NAND-type flash memory are read out in units of page to supply a buffer of a waveform memory with waveform sample data.例文帳に追加

ＣＰＵへの割り込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにする。 - 特許庁

Without any interrupt to the CPU, waveform data stored in the NAND-type flash memory are read out in units of page to supply a buffer of a waveform memory with waveform sample data.例文帳に追加

ＣＰＵへの割込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにする。 - 特許庁

In the second nonvolatile memory 5, when data are written in a flash memory 4, the process is recorded in an auxiliary region 10, and an entry table 6 and an address conversion table 7 are updated.例文帳に追加

第２の不揮発性メモリ５には、フラッシュメモリ４へのデータの書込みの際に補助領域１０にその経過を記録して、エントリテーブル６、アドレス変換テーブル７を更新する。 - 特許庁

This information terminal equipment constituted of a microcomputer and a memory and a video/voice inputting and outputting means is provided with an ROM, a flash memory, an optical disk recording and playing back device, and a modem.例文帳に追加

マイコンとメモリ、映像音声入出力手段から成る情報端末装置において、ROMと、フラッシュメモリと、光ディスク記録再生装置と、モデムとを設ける。 - 特許庁

A writing device 2 acquires defective region information from a memory 1 as an NAND type flash memory 1, and prepares error control data 52 including the defective region information.例文帳に追加

書込装置２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるメモリ１から不良領域情報を取得し、不良領域情報を含むエラーコントロールデータ５２を作成する。 - 特許庁

To prevent the program operation speed of a NAND flash memory from being lowered due to a program disturb pheneomenon in the adjacent memory cells of a source select transistor and/or drain select transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいて、ソースセレクトトランジスタ及び/又はドレインセレクトトランジスタに隣接したメモリセルの、プログラムディスターブ(disturb)現象によるプログラム動作速度の低下を防止する。 - 特許庁

To prevent the mulunction of a nonvolatile storage device when a power source is interrupted by holding the conversion table of a flash memory, which stores data, in a second nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性の記憶装置において、データを記憶するフラッシュメモリの変換テーブルを第２の不揮発性メモリに保持し、その際の電源遮断時の誤動作を防止すること。 - 特許庁

A control section (a commanding means) 5 provides instructions so that reading of the display data stored in the flash memory 2 and writing of the display data to the memory 2 are conducted.例文帳に追加

制御部（指令手段）５は、フラッシュメモリ２に記憶された前記表示データの読み出し及びフラッシュメモリ２への前記表示データの書き込みを行わせるように指示する。 - 特許庁

To enable finishing erasure operation normally and to prevent causing erroneous read-out even if threshold voltage distribution of a memory cell in a block is dispersed in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、ブロック内のメモリセルのしきい値電圧分布がばらついたとしても、正常に消去動作を完了でき、誤読み出しが生じないようにする。 - 特許庁

To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which high reliability can be attained by preventing defective sidewall in an MONOS type flash memory cell, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリセルにおける側壁不良を防止し高信頼性が得られる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a memory control method to reliably continue operation with degradation of a function even if a flash memory fails.例文帳に追加

フラッシュメモリに不良が発生しても機能を縮退させながら確実に動作を継続する半導体集積回路装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To miniaturize the hardware constitution, to reduce the manufacturing cost, and to improve the throughput/cost ratio in a test system for a nonvolatile memory such as a flash memory card or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリカードなどの不揮発性メモリの試験システムにおいて、ハード構成の小型化やコストの低減を図るとともに、スループット対コスト比の向上を図ることにある。 - 特許庁

A flash ROM 22 of the storage terminal includes: a memory device dedicated to a plurality of users to which different memory identifiers are assigned; and a shared memory device 221P storing a dedicated memory switching table T1 in which the plurality of memory identifiers and the respective different IP addresses are made to correspond to each other.例文帳に追加

記憶端末のフラッシュＲＯＭ２２は、それぞれ異なるメモリ識別子が割り当てられた複数のユーザ専用メモリデバイスと、複数のメモリ識別子とそれぞれ異なるＩＰアドレスとが対応付けられた専用メモリ切替テーブルＴ１を記憶する共有メモリデバイス２２１Ｐとを有する。 - 特許庁

A NAND-type flash memory device has a memory cell array, divided into many unit memory cell arrays having many memory strings, many word line drivers arranged corresponding to each of unit memory cell arrays, and many source lines selected independently by a word line decoder.例文帳に追加

本発明よるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、多数のメモリストリングを各々有する多数の単位メモリセルアレイに分割されたメモリセルアレイと、単位メモリセルアレイ各々に対応して配置された多数のワードラインドライバと、ワードラインデコーダによって独立的に選択される多数のソースラインとを有する。 - 特許庁

An image forming apparatus 1 includes a volatile memory (RAM or the like) storing a plurality of data, a non-volatile memory for backup for the plurality of data (flash memory or the like), and control means for controlling the timing of writing the plurality of data stored in the volatile memory to the non-volatile memory.例文帳に追加

画像形成装置１は、複数のデータを記憶する揮発性メモリ（ＲＡＭ等）と、当該複数のデータのバックアップ用の不揮発性メモリ（フラッシュメモリ等）と、揮発性メモリに記憶された複数のデータを不揮発性メモリへと書き込むタイミングを制御する制御手段とを備える。 - 特許庁

When a writing program 16 is stored in a RAM 16 of a Bluetooth (R) module 11, a writing program 16 reads an electronic signature command from a flash memory 12 and extracts a model specific to the flash memory included in the read electronic signature command.例文帳に追加

ブルートゥースモジュール１１のＲＡＭ１６に書き込みプログラム１６が格納されると、書き込みプログラム１６は、フラッシュメモリ１２からエレクトロニック・シグネチャコマンドを読み取り、読み取ったエレクトロニック・シグネチャコマンドに含まれるフラッシュメモリ固有の型番を抽出する。 - 特許庁

To provide a flash memory for the next generation by applying the (Ta_2O_5)_1-x-(Al_2O_3)_x film which has a large dielectric constant and is stable from the viewpoint of stoichiometry to a cell transistor of flash memory and thereby improves electrical characteristic and reliability of the cell transistor.例文帳に追加

誘電定数が大きく且つ化学量論的に安定した（Ｔａ_２Ｏ_５）_１-ｘ−（Ａｌ_２Ｏ_３）_ｘ膜をフラッシュメモリのセルトランジスタに適用してセルトランジスタの電気的特性及び信頼性を向上させ、次世代フラッシュメモリを実現すること。 - 特許庁

This storage device is provided with a flash memory chip 130, an IC card chip 150 capable of executing security processing (encryption or decoding or the like), and a controller chip 120 for controlling the reading/ writing of data for the flash memory chip and the IC card chip.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリチップ１３０と、セキュリティ処理（暗号化や復号化等）を実行可能なＩＣカードチップ１５０と、ホストからの要求に応じて、フラッシュメモリチップ及びＩＣカードチップへのデータの読み書きを制御するコントローラチップ１２０とを備える。 - 特許庁

Type identification information for specifying the type of the flash memory is acquired from the flash memory and whether or not device information corresponding to the type identification information is stored in a first read-only device information storage means is discriminated.例文帳に追加

フラッシュメモリから当該フラッシュメモリの品種を特定するための品種識別情報を取得し、読み出し専用の第１のデバイス情報記憶手段に当該品種識別情報に対応するデバイス情報が格納されているか否かを判別する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

The device has one or more slots 27 to insert the flash memory modules into a casing 10 and a processing circuit 28 to transfer the data among the flash memory modules and the large capacity digital storage device 20 is included in the casing 10.例文帳に追加

装置は筐体１０にフラシュメモリーモジュールを挿入するための一つ以上のスロット２７を持ち、筐体１０の中には、フラシュメモリーモジュールと大容量デジタル貯蔵装置２０の間でデータ転送を行う処理回路２８が含まれている。 - 特許庁

The hybrid device 1 is equipped with: an instruction executing part 12 writing data obtained from a host device into the flash memory 14; and a drive control part 15 writing data recorded in the flash memory 14 by the instruction executing part 12 into the optical disk in a short period of time.例文帳に追加

そして、ホスト装置から取得したデータをフラッシュメモリ１４に書き込む命令実行部１２と、命令実行部１２によってフラッシュメモリ１４に記録されたデータを短時間のうちに光ディスクに書き込むドライブ制御部１５とを備えている。 - 特許庁

In a disk drive 1 having a disk medium 10 and a flash memory 22, a disk controller 20 controls so that block erase processing during access to the flash memory 22 is performed at a timing different from the timing of a seek operation during access to the disk medium 10.例文帳に追加

ディスク媒体１０及びフラッシュメモリ２２を有するディスクドライブ１において、ディスクコントローラ２０は、フラッシュメモリ２２のアクセスに伴うブロックイレース処理のタイミングを、ディスク媒体１０のアクセスに伴うシーク動作のタイミングとは異なるように制御する。 - 特許庁

In response to a signal to be input from the card bus 16, the controller 13 accesses either the NAND flash memory 11 by the controller function 13A or the NAND flash memory 12 by the controller function 13B.例文帳に追加

カードバス１６を介して入力される信号に応じて、コントローラ１３は、コントローラファンクション１３ＡによるＮＡＮＤフラッシュメモリ１１へのアクセス、あるいはコントローラファンクション１３ＢによるＮＡＮＤフラッシュメモリ１２へのアクセスの少なくともいずれかを行う。 - 特許庁

At this time, the microcomputer MCi sets a flash memory 24 to the writable state and successively writes data inputted through the reception port RX1 in the flash memory 24 and outputs the check result of written contents through the transmission port TX1.例文帳に追加

この時、マイコンＭＣｉは、フラッシュメモリ２４を書込可能な状態とし、受信ポートＲＸ１を介して入力されるデータを、順次フラッシュメモリ２４に書き込み、書込内容のチェック結果を送信ポートＴＸ１を介して出力する。 - 特許庁

The state checking part 241 of the flash memory part 221 enables a multiplexer 262 to write on the conditions that data are not written to the NOR-type flash memory 204 and a mode selection signal line 209 designates ROM writing.例文帳に追加

フラッシュメモリ部２２１の状態確認部２４１はＮＯＲ型フラッシュメモリ２０４にデータが書き込まれていないことおよびモード選択信号線２０９がＲＯＭ書きを指定していることを条件としてマルチプレクサ２６２が書き込みを可能にする。 - 特許庁

When writing information data in a bus write cycle in a sequential manner into flash memory devices assigned to a common data bus, at least one of the flash memory devices is not used to store a current part of the information data.例文帳に追加

本発明によると、共通のデータバスに割り当てられたフラッシュメモリデバイスに逐次的にバスライトサイクルにおいて情報データを書き込むとき、フラッシュメモリデバイスの少なくとも１つには、格納のため情報データの現在部分は供給されない。 - 特許庁

When being started, the main microcomputer 5 inquires of the sub microcomputer 8 about the version of the program stored in a flash memory 10 and compares the version notified from the sub microcomputer 8 accordingly with the version of the program for the sub microcomputer 8 stored in the flash memory 7.例文帳に追加

メインマイコン５は、起動したとき、フラッシュメモリ１０に記憶されているプログラムのバージョンをサブマイコン８に問い合わせ、それに応じて通知されてきたバージョンと、フラッシュメモリ７に記憶されているサブマイコン８用のプログラムのバージョンを比較する。 - 特許庁

In a semiconductor circuit(MCP) having the flash memory chip 6 and CPU chip 4 mounted on one package, a signature code read out of the flash memory chip 6 and a security resetting data inputted from an outside are compared by a comparison register 4f.例文帳に追加

フラッシュメモリチップ６とＣＰＵチップ４とを１つのパッケージに実装した半導体集積回路（ＭＣＰ）において、フラッシュメモリチップ６から読み出したシグネチャコードと、外部から入力されたセキュリティ解除用データとがコンペアレジスタ４ｆにより比較される。 - 特許庁

The control program 22 accesses to a final address assumed as the capacity of the flash memory and an address exceeding the final address by using the code set thus determined, and the storage capacity of the flash memory is established according to success or failure in the access (Sequence 4 to 7).例文帳に追加

制御プログラム２２は、前述で決定したコードセットを用い、フラッシュメモリの容量として想定される最終アドレスや、最終アドレスを超えるアドレスについてアクセスを行い、その成否により、フラッシュメモリの記憶容量を確定する（シーケンス▲４▼〜▲７▼）。 - 特許庁

To provide a method of forming a floating gate of a flash-memory device capable of perfectly eliminating the influence on a moat and EFH, simplifying the manufacturing process, and solving the wafer stress by a nitride film, to effectively enhance the coupling ratio of the flash-memory device.例文帳に追加

モウト及びEFHに対する効果を完全に除去するうえ、工程の単純化及び窒化膜によるウェーハストレスを解決し、フラッシュメモリ素子のカップリング比を効果的に向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

Output of the write data DO 1 to 8 to the flash memory 1 is performed by using the input/output terminals IO 1 to 8 of the testing equipment 2, and the completion signal BUSY outputted from the flash memory 1 is monitored at the input/output terminal IO 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に対する書込みデータＤＯ１〜８の出力は、試験装置２の入出力端子ＩＯ１〜８を使って行い、入出力端子ＩＯ９ではフラッシュメモリ１から出力される完了信号ＢＵＳＹを監視する。 - 特許庁