「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To permit renewal without erasing once a region in which the number of times of rewriting is stored when record of the number of times of rewriting data is updated in a semiconductor memory (flash memory) being rewritable.例文帳に追加

書換え可能な半導体メモリ（フラッシュメモリ）におけるデータ書換え回数の記録更新に際し、書換え回数を格納した領域を一旦消去することなく更新可能にする。 - 特許庁

To sufficiently boost the potential of a word line of a non-selection block without scaling a memory cell in a NAND flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルのスケーリングによらず、非選択ブロックのワード線の電位を十分に昇圧できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a page buffer circuit of a flash memory device, in which a fail of programming operation can be reduced, and to provide a program operation method thereof, while allowing a memory cell determined to be programmed in a previous program verification process to be verified again in a next program verification process.例文帳に追加

前のプログラム検証過程でプログラムされたと判定されたメモリセルが次のプログラム検証過程で再検証できるようにし、プログラム動作のフェールを減少させる。 - 特許庁

According to a certain embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell for reading a sector cell, and a series of reference cells are present as master references for all memory chips.例文帳に追加

ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタはセクタのセルを読み出すための参照セルをもち、一連の参照セルもまたマスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁

To improve the reliability of a memory cell in erroneous write by reducing effective channel capacity and increasing a channel potential boost ratio during operation of a self-boost system in a NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、実効的なチャネル容量を下げ、セルフ・ブースト方式の動作時においてチャネル電位ブースト比を大きくし、メモリセルの誤書き込みに対する信頼性を改善する。 - 特許庁

To provide a flash memory element that can store and delete data comprising a number of bits in a single cell and hence has high-density/high-integration memory characteristics.例文帳に追加

本発明は、単一セルに多数のビットのデータを格納及び消去できることにより、高密度／高集積メモリ特性を有するフラッシュメモリ素子を提供するためのものである。 - 特許庁

Then, if the power supply switch is switched from OFF to ON, control information stored in the flash memory of the first control section is stored in the memory of the sub-control substrate of the second control section.例文帳に追加

そして、電源スイッチをＯＦＦからＯＮに切り替えると、第１制御部のフラッシュメモリに記憶された制御情報が、第２制御部の副制御基板のメモリに記憶される。 - 特許庁

In an information processor, when reading data from a nonvolatile memory 150, a first CPU 110 requests reading of data for a portion of management unit in a JFFS2 to a flash memory control part 140.例文帳に追加

不揮発性メモリ１５０からデータを読み出すにあたり、第１ＣＰＵ１１０がフラッシュメモリ制御部１４０に、ＪＦＦＳ２における管理単位分のデータの読み出しを要求する。 - 特許庁

To reduce a junction leak current in a bit line contact of a nonvolatile semiconductor memory, especially a NAND type flash memory, when "1" is set, to reduce power consumption of the chip.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、“１”書き込みの際のビット線コンタクト部における接合リークを低減して、チップの低消費電力化を実現する。 - 特許庁

The flash memory is provided with a control circuit part and a data storage part and the data storage part is provided with a memory management area 2a and a data storage area 2b to download the information contents.例文帳に追加

フラッシユメモリは制御回路部とデータ保存部とを有しており、データ保存部はメモリ管理領域２ａと情報コンテンツをダウンロードするためのデータ保存領域２ｂとを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a flash memory, which can form transistors of different types such as a memory cell, a high-voltage transistor and a high-performance transistor on one substrate.例文帳に追加

メモリセルや、高電圧トランジスタや、高性能トランジスタなどの、異なるタイプのトランジスタを、同一基板上に形成することが可能なフラッシュメモリ等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To more accurately judge the propriety of use of a physical block based on the position of a memory cell in which an error is caused and error correcting capability, in the case of controlling defect of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの欠陥を管理するにあたって、エラーが発生したメモリセルの位置とエラー訂正能力とに基づいて、より正確に物理ブロックの使用可否を判断すること。 - 特許庁

The control part 4 collectively backs up user data to a nonvolatile internal memory (flash memory) 4a to reduce power consumption used for backup, thereby extending the usable time.例文帳に追加

また、不揮発性の内部メモリ（フラッシュメモリ）４ａへのユーザデータのバックアップを制御部４がまとめて行うことにより、バックアップに用いられる消費電力を減少し、使用可能時間を延長する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which sequence of write of data of a flash memory never be made defect and write-in of data can be determined early.例文帳に追加

フラッシュメモリに関し、データ書込のシーケンスが不良とならず、また、データ書込を早期に判定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A USB flash memory is connected to a USB connector of a protocol analyzer, and an EDID corresponding to each type of television receivers is acquired from the memory and registered in a recording medium.例文帳に追加

ＵＳＢフラッシュメモリはプロトコルアナライザのＵＳＢコネクタに接続され、そのメモリから各種のテレビジョン受像機に対応するＥＤＩＤが取得され記憶媒体に登録される。 - 特許庁

To avoid the deterioration of characteristics of a memory cell and the occurrence of malfunctions in a NOR flash memory, where the periodicity of element regions and metal wirings is kept.例文帳に追加

本発明は、素子領域および金属配線の周期性を保つようにしたＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルの特性の悪化および動作不良の発生を回避できるようにする。 - 特許庁

It is not that the differential is calculated and recorded whenever the page is updated on the memory, and it is calculated and recorded only when it is necessary to reflect a updating page in the flash memory.例文帳に追加

ディファレンシャルは、ページがメモリー上で更新される度に計算されて記録されるのではなく、更新ページをフラッシュメモリーに反映する必要がある時にのみ計算されて記録される。 - 特許庁

According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加

本発明のＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをＦ−Ｎトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁

Since erasure operation is performed with a block unit en bloc in a flash memory or the like, an over-erasure state of a memory transistor caused by dispersion of threshold voltage is caused.例文帳に追加

フラッシュメモリなどでは、ブロック単位などで一括して消去動作を行うことから、しきい値電圧のばらつきに起因して過剰消去状態のメモリトランジスタが発生する。 - 特許庁

To reduce the cost of a flash memory by reducing the burden of a user and a user software and enhancing the reliability of rewriting frequency information and reducing a memory area for storing the rewriting frequency.例文帳に追加

ユーザおよびユーザソフトウェアの負荷を軽減し、書き換え回数情報の信頼性を向上し、また、書き換え回数記憶用のメモリ領域を減少させて、コストを低減すること。 - 特許庁

To prevent erroneous writing without requiring hardware such as an additional circuit in a nonvolatile semiconductor memory such as a flash memory for which electrical writing and erasure can be performed.例文帳に追加

例えばフラッシュメモリなどの電気的に書き込みや消去が可能な不揮発性の半導体メモリにおいて、付加回路などハード的な対策を施さずに、誤書き込みを防止する。 - 特許庁

To improve data reading speed in a flash memory, and perform reading, writing, or erasing operation in one bank while performing different operation in another bank in the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、データの読取り速度を改善するとともに、一つのバンクで読取り、書込みまたは消去動作を行っている間に、他のバンクで異なる動作を行うことを可能にする。 - 特許庁

As a result of the evaluation, the data judged lowest in sequrity is transferred to a memory medium such as a flash memory, which is provided externally for an encipherment processing block 163.例文帳に追加

その評価の結果、一番安全度が低いと判断されたデータが、暗号化処理ブロック１６３に対して外部に備えられているフラッシュメモリなどの記憶媒体に移される。 - 特許庁

To write data for system boot into an arbitrary address on a NAND type flash memory used for a file memory or the like.例文帳に追加

本発明は、ファイルメモリなどに用いられるＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリ上の任意のアドレスにシステムブート用データを書き込むことができるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when a memory controller of a nonvolatile storage device does not support refreshing, a data holding period of the nonvolatile storage device cannot be extended as compared to a data holding period of a flash memory single body.例文帳に追加

不揮発性記憶装置が有するメモリコントローラがリフレッシュに対応していないと不揮発性記憶装置のデータ保持期間をフラッシュメモリ単体のデータ保持期間より延長できない。 - 特許庁

This air conditioning control system 100 for controlling the air conditioning by the air conditioner 1 by executing a control program, comprises a flash memory 20, a buffer memory 50 and a CPU 30.例文帳に追加

制御プログラムを実行することで空調装置１の空調制御を行う空調制御システム１００であって、フラッシュメモリ２０と、バッファメモリ５０と、ＣＰＵ３０とを備えている。 - 特許庁

In forming a memory cell transistor of a flash memory, an STI 2 (shallow trench isolation) is formed on a silicon substrate 1, and a gate insulating film 5 and a floating gate electrode 4b are stacked and formed on an active region 3.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルトランジスタの形成で、シリコン基板１にＳＴＩ２を形成し、活性領域３にはゲート絶縁膜５、フローティングゲート電極４ｂを積層形成する。 - 特許庁

A memory cell of a flash memory is formed in a p-type well 10 of a semiconductor substrate 1; and has a gate insulating film 4, a floating gate 5, a high dielectric film 6, and a control gate 8 (word line WL).例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルは、半導体基板１のｐ型ウエル１０に形成され、ゲート絶縁膜４、浮遊ゲート５、高誘電体膜６、制御ゲート８（ワード線ＷＬ）を有している。 - 特許庁

Finally, the CPU 10 correspondingly stores the image captured by the camera section 20, the equipment-specific information and the identified equipment on a nonvolatile storage medium such as a memory card 27 or a flash memory 28.例文帳に追加

最後に、ＣＰＵ１０は、カメラ部２０の取得した画像と機器固有情報と識別した機器とを対応づけてメモリカード２７、フラッシュメモリ２８などの不揮発性記憶媒体に記憶する。 - 特許庁

To apply selectively different self-boosting techniques to a string of serially connected memory cells in response to a programming voltage applied to the selected word line, in a flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置において、相異するセルフブースト技術が選択されたワードラインに印加されるプログラミング電圧に応答して、選択的に直列接続したメモリセルのストリングに適用される。 - 特許庁

A full-size semiconductor memory card 1A is provided with a cap 16 forming its configuration and a base substrate 4 on which a flash memory semiconductor chip and a controller semiconductor chip are mounted.例文帳に追加

フルサイズの半導体メモリカード１Ａは、その外形を形成するキャップ１６と、フラッシュメモリ用の半導体チップとコントローラ用の半導体チップとが実装されたベース基板４とを有している。 - 特許庁

When a flash memory of dual work is constituted using two chips of the memory device, the input buffer 13 and an address signal A19 processing logic circuit 14 are set to a enable-state.例文帳に追加

同記憶装置を２チップ用いて、デュアルワークのフラッシュメモリを構成する場合は、入力バッファ１３及びアドレス信号A19加工論理回路１４がイネーブル状態に設定される。 - 特許庁

The copy processing part copies back the basic data and the linked data developed in a RAM to the flash memory of the memory pack by the operation of a write switch provided in an operation ?part at the time of a data registration mode.例文帳に追加

コピー処理部は、データ登録モード時に操作部に設けた書込スイッチの操作により、ＲＡＭに展開している基本データ及び連動データをメモリパックのフラッシュメモリにコピーバックする。 - 特許庁

This memory controller 121 is connected to an SRAM 122 allowing access by only a row address, a NOR type flash memory 123, and an SDRAM 124 allowing access by designating a row address and a column address.例文帳に追加

メモリコントローラ１２１を、行アドレスのみでアクセスできるＳＲＡＭ１２２、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２３と、行アドレスと列アドレスを指定してアクセスできるＳＤＲＡＭ１２４とに接続する。 - 特許庁

A flash memory device is provided with a memory cell array, an input buffer part, an output driver part, a first page buffer part, a second page buffer part, a first data input/output part, and a second data input/output part.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイ、入力バッファ部、出力ドライバ部、第１ページバッファ部、第２ページバッファ部、第１データ入出力部及び第２データ入出力部を備えてなる。 - 特許庁

To provide a controller that can solve problems posed when a program of a large date volume is stored in a storage (flash memory 5) of a large memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量の大きくなった記憶装置（フラッシュメモリ５）にデータ量の多いプログラムを記憶させた場合に生じる問題点を解消することのできる制御装置を提供すること。 - 特許庁

In a memory unit 6, since an encryption key is changed whenever the file (data) stored in a flash memory 35 is used in a microcomputer 43, security is raised.例文帳に追加

メモリユニット６では、マイクロコンピュータ４３において、フラッシュメモリ３５に記憶されているファイル（データ）を利用するたびに暗号鍵を変化させるのでセキュリティを向上させることができる。 - 特許庁

A host computer 10 having an SDRAM I/F and a first data buffer and an SDRAM 12 are connected to a system bus 11, and a NAND flash memory 13 is connected to the system bus 11 through a NAND memory controller 20.例文帳に追加

SDRAM I/F および第１のデータバッファを有するホストコンピュータ１０、SDRAM １２がシステムバス１１に接続され、システムバスにはNANDメモリコントローラ２０を介してNANDフラッシュメモリ１３が接続されている。 - 特許庁

To provide a high-reliability flash memory by substituting a sector, where a correctable bit error occurs, without increasing access time so much.例文帳に追加

アクセス時間を余り増大させずに、訂正可能なビット誤りが発生したセクタを代替して、信頼性の高いフラッシュメモリを実現する。 - 特許庁

When a time constant change command is in a block (S12: YES), a time constant t stored to in a flash memory is changed (S13).例文帳に追加

１ブロック中に時定数変更指令があった場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、フラッシュメモリに記憶した時定数ｔを変更する（Ｓ１３）。 - 特許庁

To provide an apparatus for monitoring the life of a flash memory storage that can explicitly indicate the need for the replacement of storage components to a maintenance person.例文帳に追加

記憶装置部品の交換を保守員に明示的に知らせることができるフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置を提供する。 - 特許庁

The ultrasonic oscillation device controls the frequency of an oscillation circuit based on a frequency channel and a frequency stored in a flash memory.例文帳に追加

超音波発振器は、フラッシュメモリに保存した周波数チャンネル及び周波数に基づいて発振回路の周波数を制御する。 - 特許庁

The JPEG processing part 17 compresses the original image data at the corrected compression rate, and stores the compressed image data in the flash memory 18.例文帳に追加

ＪＰＥＧ処理部１７は、原画像データを補正圧縮率で圧縮し、該圧縮された画像データをフラッシュメモリ１８に保存する。 - 特許庁

Further, when an initializing instruction is inputted, the user area of the flash memory is cleared to reset the user area into a factory shipping state (S253).例文帳に追加

また、初期化指示が入力されると、フラッシュメモリのユーザ領域をクリアし、ユーザ領域を工場出荷状態にリセットする（Ｓ２５３）。 - 特許庁

Since the writing control part 2 is provided, information stored in the flash memory 3 is not damaged even when the CPU 1 runs away.例文帳に追加

書き込み制御部２を備えているので、ＣＰＵ１が暴走しても、フラッシュメモリ３に記録された情報が破壊されることがない。 - 特許庁