「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

When write-in is performed for a flash memory divided into plural memory cell array block, occurrence of drain-disturb is suppressed by equalizing the gate voltage and the source voltage of a memory cell array block, to which write-in is not performed, to the drain voltage.例文帳に追加

複数メモリセルアレイブロックに分割されたフラッシュメモリに書き込みを行う場合、書き込みを行わないメモリセルアレイブロックのゲート電圧、ソース電圧の条件をドレイン電圧と同電位にすることで、ドレインディスターブの発生を抑制する。 - 特許庁

This address buffer of a flash memory is provided with a buffer section buffering an external address, a code storing section storing a code selecting a memory sector of a flash memory, and a setting section outputting internal addresses IA17 and IA18 selecting a memory sector by a code outputted from the code storing section and by a sector selecting address in the external address.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリのアドレスバッファは、外部アドレスをバッファリングするバッファ部と、フラッシュメモリのメモリセクタを選択するコードを記憶するコード記憶部と、コード記憶部から出力されるコードと前記外部アドレス中のセクタ選択アドレスによってメモリセクタを選択する内部アドレスＩＡ１７及びＩＡ１８を出力する設定部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a program rewrite processing, a main CPU 10 transfers program rewrite instruction information read from a memory card 21 to a RAM 31 of a sub CPU 30 first, and in the case that the program of a rewrite object stored inside a flash memory 17 needs to be rewritten, acquires the program for rewrite from the memory card 21 and executes a rewrite processing of the pertinent program inside the flash memory 17.例文帳に追加

プログラム書き換え処理において、メインＣＰＵ１０は、まず、メモリカード２１から読み出したプログラム書き換え指示情報をサブＣＰＵ３０のＲＡＭ３１に転送し、フラッシュメモリ１７内に記憶されている書き換え対象のプログラムが書き換える必要がある場合、メモリーカード２１から書き換え用プログラムを取得してフラッシュメモリ１７内の該当するプログラムの書き換え処理を実行する。 - 特許庁

The memory control unit 10 starts a memory identification sequence in a CPU 16 and executes a plurality of ID read modes corresponding to each of a plurality of types of F-ROMs, thus recognizing a flash memory coping with the unit 10, and selecting a command system corresponding to the flash memory, and hence reducing costs and a substrate area and then development man-hours and development delivery.例文帳に追加

メモリ制御装置10は、CPU 16においてメモリ識別シーケンスを起動して、複数種類のF-ROMのそれぞれに対応する複数のID読み出しモードを実行することにより、本装置10に対応可能なフラッシュメモリを認識して、このフラッシュメモリに対応するコマンド体系を選択することができ、コスト低減および基板面積縮小、ならびに開発工数および開発納期の削減を実現する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device 1, the number of times of accessing each physical address in a first flash memory device 2 of a low data writing/reading speed is counted, and when the access count value of a certain physical address reaches a threshold value (NMAX), data stored in the memory cell of the physical address is transferred to a second flash memory device 3 to be stored.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１では、データの書き込み及び読み出しが低速の第１のフラッシュメモリ装置２内の各物理アドレスに対するアクセス回数を計数し、ある物理アドレスに対するアクセスカウント値が閾値(ＮＭＡＸ)に達した場合に、当該物理アドレスのメモリセルに記憶されたデータを第２のフラッシュメモリ装置３に転送して記憶するようにした。 - 特許庁

On the other hand, a binary/multivalued selector 7 and a binary type flash sequencer 6a and a multivalued type flash sequencer 6b included in a flash interface 6 are functioned on the basis of the integrated physical address and the management data and the user data are transmitted/received by distributing these data to the memory 2 and the memories 31 to 33.例文帳に追加

その一方、統合物理アドレスに基づいて、２値／多値セレクタ７、フラッシュインターフェース６の有する２値型フラッシュシーケンサ６ａ及び多値型フラッシュシーケンサ６ｂが機能し、２値型フラッシュメモリ２と多値型フラッシュメモリ３１〜３３に振り分けて管理データとユーザデータの授受が行われる。 - 特許庁

The embodiments of the invention in this disclosure describe techniques for early warning of degradation in NOR Flash memories by estimating the dispersion of the threshold voltages (V_T's), of a set of NOR Flash memory cells during read operations.例文帳に追加

ここに開示する本発明の実施形態は、読み込み動作中にＮＯＲフラッシュメモリセルの組の閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散を推定することによりＮＯＲフラッシュメモリの劣化を早期警告する技術を記述する。 - 特許庁

Flash memory write controlling firmware 12 is written in a RAM 7 built in the MC 10 by a flash writer 1 at the time of on-board (on-board state) writing without storing the firmware in a storage medium built in the MC 10.例文帳に追加

フラッシュメモリ書込み制御用のファームウェアをマイクロコンピュータ１０内の記憶媒体中に内蔵せずに、オンボード（実装状態）書込み時に、フラッシュライタ１よりマイクロコンピュータ１０内のＲＡＭ７に書込む。 - 特許庁

Memory modules 13-1 to 13-N connected to a main bus 100 are provided with a plurality of flash EEPROMs 131 and a buffer 132 arranged between the flash EEPROMs 131 and the main bus 100.例文帳に追加

メインバス１００に接続されたメモリモジュール１３−１〜１３−Ｎは、複数のフラッシュＥＥＰＲＯＭ１３１と、これらフラッシュＥＥＰＲＯＭ１３１とメインバス１００との間に設けられたバッファ１３２を備えている。 - 特許庁

An arbiter circuit 50 for arbitrating accesses from the processors 10 and 20 is connected to the cache system 30 and the buffer system 40, and a flash memory 60 for storing programs and data is connected to the arbiter circuit 50.例文帳に追加

キャッシュ・システム３０及びバッファ・システム４０には、プロセッサ１０，２０からのアクセスを調停するアービタ回路５０が接続され、このアービタ回路５０に、プログラムとデータを格納するFlashメモリ６０が接続されている。 - 特許庁

To achieve high speed access and power saving by reducing the capacity of an RAM for storing a program to correspond to a plurality of types of flash memories by making programmable the processing of an interface unit to a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリに対するインターフェイス部の処理をプログラマブルにすることで、複数種のフラッシュメモリに対応可能にする際、プログラム格納用ＲＡＭの容量を削減し、更に高速アクセスおよび省電力を実現する。 - 特許庁

When the dubbing is interrupted, the interrupted data to be recorded on the cluster are read out from the MD at the master side by the cluster address read out from the flash memory and recorded on the address next to the cluster address of the MD at the target side read out from the flash memory, then the dubbing operation is restored.例文帳に追加

ダビングが中断された場合には、中断したクラスターに記録すべきデータをフラッシュメモリから読み出したクラスターアドレスによりマスター側ＭＤから読み出し、フラッシュメモリから読み出したターゲット側ＭＤのクラスターアドレスの次のアドレスに記録し、ダビング作業を復帰させる。 - 特許庁

Therefore, when rewriting, it is determined that identification data on the flash memory 3 matches that for data to be newly written and data stored in the flash memory 3 is deleted to rewrite new data, so that the same data as that which has been failed to be written can be written.例文帳に追加

したがって、再書き込みの際に、フラッシュメモリ３上の識別データと、新たに書き込むデータの識別データとの一致を判断してから、フラッシュメモリ３内のデータを消去して新たなデータを再書き込みすることで、書き込み失敗したデータと同じデータを書き込むことができる。 - 特許庁

In this electronic control device 1, when software in a flash memory 17 of a microcomputer 3 is rewritten, an internal power supply voltage VD from a power supply circuit 7 to the microcomputer 3 is boosted by a charge pump type booster circuit 27 so that a voltage VP for rewrite to the flash memory 17 can be generated.例文帳に追加

電子制御装置１では、マイコン３のフラッシュメモリ１７内のソフトウェアを書き換える場合には、チャージポンプ式の昇圧回路２７により、電源回路７からマイコン３への内部電源電圧ＶＤが昇圧されてフラッシュメモリ１７への書き換え用電圧ＶＰが生成される。 - 特許庁

The write control circuit 31 controls the selecting circuit 32 on the basis of a control signal including information to specify the flash memory 1 generated from a pattern generator 11, and also it switches a relay 33 which is connected to the flash memory 1 specified by the control signal to the side of a driver 16.例文帳に追加

書込み制御回路３１は、パターン発生器１１から発生されたフラッシュメモリ１を指定する情報を含む制御信号に基づいて、選択回路３２を制御し、また、制御信号で指定されたフラッシュメモリ１に接続されているリレー３３をドライバ１６側へ切り替える。 - 特許庁

To provide a program method of a flash memory device by which reliability of the device is enhanced by reducing distribution width of a threshold voltage of a state "10" having the widest threshold voltage distribution width during program operation of the flash memory device having a multi-level cell.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子のプログラム方法に関するものであり、マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ素子のプログラム動作時、最も広いしきい値電圧分布の幅を有する“10”状態のしきい値電圧の分布幅を減らして素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子のプログラム方法が開示される。 - 特許庁

The flash memory device has an interface circuit which sequentially receives an instruction and an address in synchronization with an external system clock after predetermined, first latency from a point when a chip enable signal is activated, in reading operation, programmed operation and erasing operation of a flash memory cell array.例文帳に追加

フラッシュメモリセルアレイ、読み取り動作、プログラム動作及び消去動作時に、チップイネーブル信号が活性化される時点から所定の第１レイテンシ後に、外部システムクロックに同期して命令とアドレスとを順次に受信するインターフェース回路を備えることを特徴とするフラッシュメモリ装置。 - 特許庁

To provide an image reader that can write data to a flash memory through DMA transfer with an issued automatic write command not through a CPU, select an SDRAM or the flash memory in the case of using shading correction data actually and prevent the performance from being deteriorated.例文帳に追加

ＣＰＵを介さず自動書込みコマンド発行付きのＤＭＡ転送によりフラッシュメモリに書込みが行え、また実際にシェーディング補正データを使用する時にもＳＲＡＭ／フラッシュメモリの切替ができ、パフォーマンスも低下することを防ぐことができる画像読取装置を提供すること。 - 特許庁

The tuner part 11 is provided with an internal flash memory 110, and the flash memory 110 stores version information 110a of a TV viewer 150 and an authentication part 110c to be used for authentication with the TV viewer 150 and operation stop information 110b for restricting the operation of the TV viewer 150.例文帳に追加

チューナ部１１は、内部にフラッシュメモリ１１０を有し、フラッシュメモリ１１０は、ＴＶビュワ１５０のバージョン情報１１０ａとＴＶビュワ１５０との認証に用いる認証部１１０ｃとＴＶビュワ１５０の動作を制限するための動作停止情報１１０ｂとを保有する。 - 特許庁

To provide a highly reliable device with a flash memory performing self-diagnosis in re-input of a power source and performing necessary error processing for preventing error operation of the device when a power source is momentarily interrupted during writing of program, data or the like into a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリへのプログラムやデータなどを書込み中に電源の瞬断があった場合、電源の再入力時に自己診断処理を行い必要なエラー処理を実行することにより、装置の誤動作を防止する信頼性の高いフラッシュメモリを備えた装置を提供する。 - 特許庁

In the frequency setting mode, the frequency channel and frequency stored in the flash memory are read out to display them on the section 32/section 33, and desired channel and frequency are set with the key 42 and key 43 and are stored in the flash memory by operating the key 44.例文帳に追加

周波数設定モードでは、フラッシュメモリに保持されている周波数チャンネル及び周波数を読出してチャンネル表示部３２、周波数／出力表示部３３に表示し、アップキー４２及びダウンキー４３により所望のチャンネル及び周波数に設定し、セットキー４４の操作でフラッシュメモリに保存する。 - 特許庁

The semiconductor recording device includes: a flash memory 18 for recording user data and parity data; an external interface unit 10 which receives a first write command for instructing recording of the user data onto the flash memory 18; and a block managing unit 12 which manages management information indicating whether parity data is valid or invalid.例文帳に追加

ユーザデータ及びパリティデータを記録するためのフラッシュメモリ１８と、フラッシュメモリ１８にユーザデータの記録を指示する第１のライトコマンドを受信する外部インターフェイス部１０と、パリティデータの有効又は無効を示す管理情報を管理するブロック管理部１２とを備える。 - 特許庁

A controller of the storage system having a flash memory chip manages a residual capacity value of the flash memory chip, and transmits a value based on the residual capacity value to a management server based on at least one definition out of the definition of a parity group, the definition of an internal LU, or the definition of a logical unit.例文帳に追加

フラッシュメモリチップを備えるストレージシステムのコントローラは、フラッシュメモリチップの余剰容量値を管理し、パリティグループの定義または内部ＬＵの定義または論理ユニットの定義の少なくとも一つの定義に基いて、管理サーバに余剰容量値に基づく値を送信する。 - 特許庁

The character ROM 187 is provided with a NAND type flash memory 187a and a NOR type ROM 187d, and while the image data and most of the program are stored in the NAND type flash memory 187a, a part of a boot program is stored in the NOR type ROM 187d.例文帳に追加

キャラクタＲＯＭ１８７には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａ及びＮＯＲ型ＲＯＭ１８７ｄが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａに画像データと大部分のプログラムとが記憶されているのに対し、ＮＯＲ型ＲＯＭ１８７ｄにブートプログラムの一部が記憶されている。 - 特許庁

When an image transfer request is received from a user, a CPU 405 of a personal computer 400 determines whether the image file, the transfer of which is requested, is recorded in a flash memory 305 of the wireless transmitter 300 or not, by referring to a management database recorded on a flash memory 406.例文帳に追加

パソコン４００のＣＰＵ４０５は、使用者からの画像転送要求を受け付けた場合には、フラッシュメモリ４０６に記録されている管理データベースを参照して、転送が要求された画像ファイルが、ワイヤレストランスミッター３００のフラッシュメモリ３０５に記録されているか否かを判定する。 - 特許庁

Identification data to identify the relations between control data originally written in a flash memory 3 and that to be newly written is written into an identification ID area 3c assigned in the head of the outside of a loader area 3a which is used to make communication data to reside in a storage area of the flash memory 3.例文帳に追加

フラッシュメモリ３に元々書き込まれていた制御データと新たに書き込む制御データとの関係を識別する識別データを、フラッシュメモリ３の記憶領域にて通信用データを常駐させるローダー領域３ａ外の先頭に割り付けた識別ＩＤ領域３ｃに書き込んでおく。 - 特許庁

To prevent performance in the data write speed of a flash memory from being lowered by the link write of data distributed on separated spots of a block or erasure of an invalid data block by automatically executing optimizing processing of the flash memory without making a user notice that.例文帳に追加

本発明の課題は、ユーザが気付かないうちにフラッシュメモリの最適化処理を自動的に行い、ブロックの飛び地に点在するデータの連結書込み、又は無効データブロックの消去により、フラッシュメモリのデータ書込み速さのパフォーマンスの低下を防止できるようにすることにある。 - 特許庁

A rewriting device stores the application program and a communication program (1) in a block B of a flash memory 4, stores a rewriting decision program and a communication program (2) in a block A of the flash memory 4, and rewrites decision data in the block B when the rewriting of the application program is completed.例文帳に追加

アプリケーションプログラム及び通信プログラム（１）をフラッシュメモリ４のブロックＢに格納させる一方、書き換え判定プログラム及び通信プログラム（２）をフラッシュメモリ４のブロックＡに格納させ、アプリケーションプログラムの書き換え完了時に、判定データを前記ブロックＢに書き込ませる。 - 特許庁

The flash memory device has an error correction circuit and a block management means, and after the remaining count of preliminary blocks reaches a threshold set for the block management means, the flash memory device corrects error data having bit errors, sends out the error-corrected data to a host, and refreshes a block in which the error has occurred.例文帳に追加

フラッシュメモリデバイスにエラー訂正回路とブロック管理手段とを設け、予備ブロックの残数がブロック管理手段に設定された閾値に至った後は、ｂｉｔエラーのあったデータをエラー訂正してホストに送出するとともに、該エラーを生起したブロックをリフレッシュする。 - 特許庁

Electronic equipment having a flash memory for storing a control program and an updating control program is provide with an interface to be connected with a network, and the control program to be updated and stored in the flash memory is fetched through the network with the updating control program.例文帳に追加

制御プログラムおよび更新制御プログラムを格納するためのフラッシュメモリを有する電子機器において、ネットワークに接続するためのインターフェースを設け、前記フラッシュメモリに更新格納すべき制御プログラムを更新制御プログラムとともにネットワークを介して取り込むことを特徴とするもの。 - 特許庁

The firmware update control program is executed by connecting the flash memory 19 to the interface part 21b of the general PC 27 to allow the general PC 27 to achieve a function of downloading new firmware based on the specific information from a management server 29 to the flash memory 19.例文帳に追加

ファームウェア更新制御プログラムは、汎用ＰＣ２７のインタフェース部２１ｂへのフラッシュメモリ１９の接続により実行され、汎用ＰＣ２７に、前記特定情報に基づく新しいファームウェアを管理サーバ２９からフラッシュメモリ１９にダウンロードさせる機能を実現させる。 - 特許庁

The music sound generator is provided with a flash memory 22 to store the control program, the control program from an external device such as the personal computer 40 and a judgment result whether or not write of the control program is normally executed are written in the flash memory 22.例文帳に追加

この楽音発生装置は、前記制御プログラムを記憶するためのフラッシュメモリ２２を備え、同フラッシュメモリ２２には、パーソナルコンピュータ４０などの外部装置からの制御プログラムが書き込まれるとともに、同書き込みが正常に行われた否かの判定結果も書き込まれるようになっている。 - 特許庁

A digital composite device 20 is provided with a printed wiring board 30, which is a semiconductor device having a flash memory 8 serving as a nonvolatile storage means, and the flash memory 8 is provided with a product program area 8a for storing a product program and a test program area 8b for storing a test program.例文帳に追加

ディジタル複合装置２０は非揮発性記憶手段であるフラッシュメモリ８を備えた半導体装置であるプリント配線基板３０を備え、フラッシュメモリ８は、製品プログラムを格納する製品プログラム領域８ａと、テスト用プログラムを格納するテスト用プログラム領域８ｂとを有する。 - 特許庁

When a temporary use application is installed, an application management part 33 deletes any one of the one or more installed application data from a flash memory 16 to evacuate the data to a hard disc drive 17 and instructs the flash memory 16 to store application data of the temporary use application.例文帳に追加

アプリケーション管理部３３は、一時使用アプリケーションをインストールする際に、１または複数のインストール済みのアプリケーションデータのいずれか１つをフラッシュメモリー１６から消去してハードディスクドライブ１７に待避させ、一時使用アプリケーションのアプリケーションデータをフラッシュメモリー１６に記憶させる。 - 特許庁

A controller of a storage system having a flash memory chip manages a residual capacity value of the flash memory chip, and transmits a value based on the residual capacity value to a management server based on at least one definition out of definition of a parity group, definition of an internal LU, or definition of a logical unit.例文帳に追加

フラッシュメモリチップを備えるストレージシステムのコントローラは、フラッシュメモリチップの余剰容量値を管理し、パリティグループの定義または内部ＬＵの定義または論理ユニットの定義の少なくとも一つの定義に基いて、管理サーバに余剰容量値に基づく値を送信する。 - 特許庁

When erasure instructions are continuously issued to at least two of flash memories 2_1 to 2_n, a main control part 1 makes a select signal line 74 transit to a flash memory 2X at an instruction issuing destination to a selected state via a memory IF part 3 and transmits the erasure instructions from a bus 73.例文帳に追加

主制御部１は、フラッシュメモリ２_１〜２_ｎのうちの少なくとも２つに対し連続して消去命令を発行する場合、メモリＩＦ部３を介して、命令発行先のフラッシュメモリ２_ｘへのセレクト信号線７４を選択状態に遷移させて、消去命令をバス７３より送出する。 - 特許庁

If there is not any cumulative rewrite count management table 22b in the flash memory 22, a creation part 102c creates a cumulative rewrite count management table 22b in the flash memory 22, and a recording part 102e records a cumulative rewrite count in the created cumulative rewrite count management table 22b.例文帳に追加

累計書換え回数管理テーブル２２ｂがフラッシュメモリ２２に存在しない場合、作成部１０２ｃは、累計書換え回数管理テーブル２２ｂをフラッシュメモリ２２に作成し、記録部１０２ｅは、その作成された累計書換え回数管理テーブル２２ｂに累計書換え回数を記録する。 - 特許庁

In this imaging device 10, language data (no-selected language data) 112 corresponding to the language which is not selected in initial setting is deleted, so that language data in a flash memory 58 becomes only selected language data 114, and a free space in the flash memory 58 is increased (a lower figure in Fig. 6).例文帳に追加

本実施形態の撮像装置１０では、初期設定時に選択されなかった言語に対応する言語データ（非選択言語データ）１１２が削除されて、フラッシュメモリ５８内の言語データは選択言語データ１１４のみになり、フラッシュメモリ５８の空き容量が増加する（図６の下の図）。 - 特許庁

An address conversion table for converting a logic address given from a host system 20 and a physical address on the flash memory 2 is stored in the FRAM 4, whereby rewrite of a part of the address conversion table on the FRAM 4 is just needed, and the access time to the flash memory 2 is never lengthened.例文帳に追加

ホストシステム２０から与えられる論理アドレスとフラッシュメモリ２上の物理アドレスとを変換するアドレス変換テーブルをＦＲＡＭ４に保存することにより、ＦＲＡＭ４上のアドレス変換テーブルの一部を書替えるだけでよくなり、フラッシュメモリ２のアクセス時間が長くならない。 - 特許庁

On the other hand, in the case that the CPU 18 detects the PAUSE control, the CPU reads data from the DRAM 19 irrespective of the amount of data stored in the DRAM 19, and temporarily stores the data into the FLASH memory 21, then reads the data stored in the FLASH memory 21, and records the data into the disk 9.例文帳に追加

他方、ＣＰＵ１８は、ＰＡＵＳＥ制御を検出した場合、ＤＲＡＭ１９に記憶されたデータ量に関わらずＤＲＡＭ１９からデータを読み込み、ＦＬＡＳＨメモリ２１にデータを一時記憶した後、ＦＬＡＳＨメモリ２１に記憶されたデータを読み込み、ディスク９に記録する。 - 特許庁

In a copy mode to copy the stream data to the flash memory 32 from an HDD 34, the write management part 44 confirms whether or not there is sufficient free space to read at a bit rate of the stream to be copied in the flash memory 30, and performs copying when there is a sufficient free space.例文帳に追加

ＨＤＤ３４からフラッシュメモリ３２にストリームデータをコピーするコピーモードでは、書込み管理部４４は、コピーしようとするストリームのビットレートで読み出し可能な充分な空き容量がフラッシュメモリ３０にあるかどうかを確認し、存在すれば、コピーを実行させる。 - 特許庁

To activate the drive control program of a drive unit by the power OFF/ON of a numerical controller only with an inexpensive volatile memory RAM without using a nonvolatile memory FLASH memory operated as a drive control program storage area and also execution memory for the hardware of the drive unit.例文帳に追加

ドライブユニットのハードウェアに駆動制御プログラム格納エリアかつ実行メモリとして動作する不揮発性メモリＦＬＡＳＨメモリを用いることなくコスト的に安価な揮発性メモリＲＡＭのみで、数値制御装置の電源ＯＦＦ／ＯＮでドライブユニットの駆動制御プログラムを起動させる。 - 特許庁

The logical header section of each transaction record corresponds to the spare memory area of two or more contiguous memory pages within the same block of the flash-like storage media, while the logical data section of each transaction record corresponds to the data memory area of the two or more contiguous memory pages.例文帳に追加

それぞれのトランザクションレコードの論理ヘッダセクションは、フラッシュ様媒体の同一のブロック内において、二つ以上の隣接するメモリページのスペアメモリ領域に対応し、一方で、それぞれのトランザクションレコードの論理データセクションは、二つ以上の隣接するメモリページのデータメモリ領域に対応する。 - 特許庁

The flash memory device includes a plurality of memory cell blocks including memory cells 310 connected to a plurality of word lines, and an operating voltage generating section 330 for applying an erase operation voltage to a memory cell block selected for an erase operation, and changing the level of the erase operation voltage according to the result of the erase operation.例文帳に追加

複数のワードラインに接続されたメモリセル３１０含む複数のメモリセルブロックを有し、消去動作時に選択されたメモリセルブロックに消去動作電圧を印加し、その消去動作の結果に応じて消去動作電圧のレベルを変更する動作電圧生成部３３０を有する。 - 特許庁

Then, the measurement data taken from the outside are written in a data area 32 of the random access memory 3, and after the whole measurement data are written in the random access memory 3, the copy operation program 31 in the random access memory 3 is executed, to thereby write the whole measurement data in a data area 24 in the flash memory 2.例文帳に追加

その後、外部から取込まれた計測データをランダムアクセスメモリ３のデータエリア３２に書込み、ランダムアクセスメモリ３に全ての計測データが書込まれた後、ランダムアクセスメモリ３のコピー操作プログラム３１を実行して全ての計測データをフラッシュメモリ２のデータエリア２４に書込む。 - 特許庁