「flash memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

A low-integration and high-speed memory array 53, for example, represented by an SRAM is formed on a semiconductor substrate, and a high-integration and low-speed memory array 54 represented by a flash memory is formed on its upper layer.例文帳に追加

例えば、ＳＲＡＭに代表される低集積で高速なメモリアレイ５３を半導体基板上に形成し、その上層にフラッシュメモリに代表される高集積で低速なメモリアレイ５４を形成する。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element which improves the program speed of a memory cell, while preventing the program disturb of the memory cell adjacent to a line selecting transistor and a source selecting transistor.例文帳に追加

ライン選択トランジスタとソース選択トランジスタに隣接したメモリセルのプログラムディスターブを防止しつつ、メモリセルのプログラム速度を向上させることができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 consists of: the nonvolatile memory 2, such as a flash memory; a control part 3 which controls writing and deletion of data; and an interface 4 for input/output of data.例文帳に追加

半導体メモリ装置１を、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ２と、データの書き込みおよび消去等の制御を行う制御部３と、データの入出力を行うためのインタフェース４とにより構成する。 - 特許庁

To make it the most critical feature that, in this invention, data for system bootstrapping can be written on any given address on memory in NAND flash memory used for file memory and the like.例文帳に追加

本発明は、ファイルメモリなどに用いられるＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリ上の任意のアドレスにシステムブート用データを書き込むことができるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a memory controller for achieving efficient writing with low power consumption without imposing a load on the memory capacity of a buffer or a bus used for transfer in the case of the writing of data to a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリへのデータの書き込みにおいて、バッファのメモリ容量や転送に使用するバスに負担を掛けずに、低消費電力で効率的な書き込みが可能なメモリコントローラを提供すること。 - 特許庁

To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A dedicated controlling element 23 then transfers and saves the various data once saved in the volatile memory 21 from the volatile memory 21 to a flash memory 22 under power supply from a capacitor 7 (S320).例文帳に追加

そして、その揮発性メモリ２１に一旦保存された各種データを、専用制御素子２３が、コンデンサ７からの電力供給により揮発性メモリ２１からフラッシュメモリ２２へ転送して保存させる（Ｓ３２０）。 - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the capacity between a resistive element and a substrate in a peripheral circuit of a semiconductor device, especially a non-volatile semiconductor memory, such as a flash memory.例文帳に追加

半導体装置、特にフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの周辺回路部において抵抗素子と基板との容量を小さくすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory chip 100 is composed of: a NAND flash memory composed of memory cell arrays 3, a decoder 4 and sense amplifier 5; and a peripheral circuit 6; a charge pump section 7; and bonding pad areas 2-1, 2-2.例文帳に追加

メモリチップ１００は、メモリセルアレイ３、デコーダ４及びセンスアンプ５から構成されるＮＡＮＤフラッシュメモリと、周辺回路６と、チャージポンプ部７と、ボンディングパッド領域２−１及び２−２から構成される。 - 特許庁

At the time of starting the information processor, a BIOS developing means 51 suppresses the processing of a CPU 3, and initializes a memory 1, and develops a BIOS stored in a flash memory ROM 6 to the memory 1.例文帳に追加

ＢＩＯＳ展開手段５１は、情報処理装置の起動時に、ＣＰＵ３の処理を抑止した上で、メモリ１を初期化し、フラッシュＲＯＭ６に格納されたＢＩＯＳをメモリ１に展開する。 - 特許庁

To provide an image processor, a memory management method of an image processor, a memory management program of an image processor, and a recording medium which properly manage the life of a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理を適切に行う画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関する。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 includes: the nonvolatile memory 2 such as a flash memory; a control part 3 performing control of writing, erasure or the like of data; and an interface 4 for inputting/outputting the data.例文帳に追加

半導体メモリ装置１を、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ２と、データの書き込みおよび消去等の制御を行う制御部３と、データの入出力を行うためのインターフェース４とにより構成する。 - 特許庁

To provide a readout circuit that reduces weight of bus cycles at a processor side and accelerates readout speed of the processor to a random accessible flash memory in a semiconductor memory device equipped with the memory.例文帳に追加

ランダムアクセス可能なフラッシュメモリを備えた半導体記憶装置において、プロセッサ側のバスサイクルのウェイトを減らし、メモリに対するプロセッサの読み出し速度を高速化する読み出し回路を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller for achieving efficient reading with low power consumption without imposing a load on the memory capacity of a transfer destination or a bus used for transfer in the case of reading from a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリからの読み出しにおいて、転送先のメモリ容量や転送に使用するバスに負担を掛けずに、低消費電力で効率的な読み出しが可能なメモリコントローラを提供すること。 - 特許庁

To efficiently manage virtual blocks in a flash memory system configured to write and read data in parallel with a plurality of flash memories by forming virtual blocks.例文帳に追加

仮想ブロックを形成して複数個のフラッシュメモリに並行したデータの書き込みや読み出しを行うように構成されたフラッシュメモリシステムにおいて、効率良く仮想ブロックの管理を行う。 - 特許庁

Techniques for early detection of degradation in NAND Flash memories by measuring the dispersion of the threshold voltages (V_T's), of a set (e.g. page) of NAND Flash memory cells during read operations are described.例文帳に追加

読み込み動作中にＮＡＮＤフラッシュメモリセルの組（例：ページ）の閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散を測定することによりＮＡＮＤフラッシュメモリの低下を早期検知する技術を記述する。 - 特許庁

Then, by performing stroboscopic flash and conducting still image shooting, followed by the stroboscopic flash, by using a still image CCD 22, still image data is recorded and stored in the storing memory 13 (step S112).例文帳に追加

その後、ストロボ発光させるとともに、スチル用ＣＣＤ２２を用いてストロボ発光を伴う静止画撮影を実行し、静止画データを保存メモリ１３に記録保存する（ステップＳ１１２）。 - 特許庁

The "Latest information" is, when necessary, transferred from an I/O control part 28 of the client computer 2 to an I/O control part 37 of the digital camera 3 and stored in the flash memory 44 or the like.例文帳に追加

この場合、必要に応じて、その「最新の情報」が、クライアントコンピュータ２のI/O制御部２８からデジタルカメラ３のI/O制御部３７に転送されて、FLASHメモリ４４等に記憶される。 - 特許庁

Techniques for early degradation detection (EDD) in flash memories include measuring the dispersion of the threshold voltages (V_T) of a set (e.g. page) of NAND flash memory cells during read operations.例文帳に追加

フラッシュメモリの中の劣化の早期検出（ＥＤＤ）の技術は、読み込み動作中に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリセルの集合（たとえばページ）の閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散を測定する。 - 特許庁

The storage area of the flash memory 2 is divided into a plurality of blocks A, B, C, and D and two communication programs for the execution of communication with a flash writing tool 5 are stored in the different blocks B and C.例文帳に追加

フラッシュメモリ２は、記憶領域が複数ブロックＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに分割され、フラッシュ書き込みツール５と通信するための２つの通信プログラムを別々のブロックＢ，Ｃに格納する。 - 特許庁

An editing history HDD storing part 22c reads the editing history information from the memory 22h stored to HDD 22i when receiving the emergency earthquake news flash from an emergency earthquake news flash receiving part 22e.例文帳に追加

編集履歴HDD保存部２２ｃは、緊急地震速報受信部２２ｅから緊急地震速報を受信したとき、メモリ２２ｈから編集履歴情報を読み出してHDD２２ｉに保存する。 - 特許庁

Next, the stored operation log information is collated with abnormal log information previously stored in an abnormal log information storage region 262 of the flash memory.例文帳に追加

次に、フラッシュメモリの異常ログ情報記憶領域２６２に予め記憶した異常ログ情報と照合する。 - 特許庁

In this unit 10, picture data to be uploaded/downloaded to the information device like a programmable display device is stored in a flash memory 13.例文帳に追加

プログラマブル表示器などの情報機器に対してアップロード／ダウンロードされる画面データは、フラッシュメモリ１３に記憶される。 - 特許庁

Thus, the writing program 7b is executed, and written in a storage region of the operation program 8a of the flash memory 8.例文帳に追加

この結果、書込みプログラム７ｂが実行されてフラッシュメモリ８の運用プログラム８ａ格納領域へ書き込まれる。 - 特許庁

To reduce a difference in level developed on the upper surface of a layer insulation film, in a semiconductor device including a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリなどを含む半導体装置において層間絶縁膜の上面に現れる段差を低減する。 - 特許庁

To provide an ECC controller for a flash memory device which stores M-bit data (M is a positive integer equal to or greater than 2).例文帳に追加

ここには、Ｍビットのデータ（Ｍは２以上の正数）を格納するフラッシュメモリ装置のＥＣＣ制御器が提供される。 - 特許庁

A flash memory 68 in addition to a RAM 64 is connected to a processing circuit 60 for executing processing concerning tuning.例文帳に追加

チューニングについての処理を行う処理回路６０には、ＲＡＭ６４の他にフラッシュメモリ６８が接続されている。 - 特許庁

To provide a computer system in which a NAND flash memory can be used for system driving and data storage more easily.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリをシステム駆動用及びデータ貯蔵用としてより容易に使用できるコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which a write-in time for a group being an object of flash-write can be shortened.例文帳に追加

フラッシュライト対象のグループに対する書き込み時間の短縮を実現可能な半導体記憶装置を得ること。 - 特許庁

To make data copy to another flash memory accompanied by occurrence of garbage collection as fast as in the case of using a copy command.例文帳に追加

ガベージコレクションの発生等に伴う他フラッシュメモリへのデータコピーを、コピーコマンドを使用する場合と同等に高速化する。 - 特許庁

To avoid any failure due to the maldistribution of defective blocks by distributing defective blocks to each zone of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの各ゾーンに不良ブロックを分散させることにより、不良ブロックの偏在による不具合を回避する。 - 特許庁

A maintenance insertion slot 27 where a compact flash memory 25 for maintenance is detachably loaded is provided in an apparatus main body 2.例文帳に追加

装置本体２内にメンテナンス用コンパクトフラッシュ２５が着脱自在に装着されるメンテ差込スロット２７が備えられる。 - 特許庁

To provide a page buffer of a NAND type flash memory device in which two pages can be programmed through one programming operation.例文帳に追加

１回のプログラム動作で２ページをプログラムすることが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置のページバッファを提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory of fast low-voltage ballistic program, ultra-short channel, ultra-high integration level, and dual bit multi-level.例文帳に追加

高速低電圧バリスティックプログラム、超短チャネル、超高集積度、デュアルビット多準位のフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The flash memory device includes a plurality of first page buffers which are connected respectively to corresponding main bit lines.例文帳に追加

第１ページバッファグループは対応するメインビットラインに各々連結され、複数個の第１ページバッファで各々構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a contact plug of a semiconductor element in which a source/drain contact plug, such as a NAND flash memory is formed.例文帳に追加

ナンドフラッシュメモリ等のソース/ドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子のコンタクトプラグ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device allowing high-speed writing operation into a flash memory and reduction of a chip area.例文帳に追加

フラッシュメモリーへの高速書き込み動作及びチップ面積の縮小化を可能とする集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To avoid conduction between a source region and a drain region accompanying microfabrication of a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、微細化にともなうソース領域およびドレイン領域の導通を回避できるようにする。 - 特許庁

To properly detect the amount of remaining substitutive blocks in a flash memory that is a recording medium, in accordance with characteristics of a recording apparatus.例文帳に追加

記録媒体であるフラッシュメモリの代替ブロックの残量を、記録装置の特性に応じて適切に検知する。 - 特許庁

To correctly complete deletion processing even when a battery is removed during the deletion processing of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの消去処理中に電池が取り外された場合であっても、その消去処理を正常に完了すること。 - 特許庁

Also, a parameter and main program necessary for initializing the system are stored in an incorporated NAND flash memory 30.例文帳に追加

また、内蔵のＮＡＮＤフラッシュメモリ３０にシステムを初期化するために必要なパラメータとメインプログラムとを格納する。 - 特許庁

Access to the flash memory through the input/output terminals is carried out through the clock synchronization type DRAM.例文帳に追加

前記入出力端子を介した前記フラッシュメモリに対するアクセスは、前記クロック同期型ＤＲＡＭを経由して行う。 - 特許庁

An output circuit provides a bypass data pass to shorten more an output standby time of data of a burst mode flash memory.例文帳に追加

出力回路は、バーストモード・フラッシュメモリのデータの出力待ち時間をさらに短縮すべくバイパス・データパスを提供する。 - 特許庁

The output potential VOUT is distributed as voltage for rewriting and erasing a flash memory through a distributor 46.例文帳に追加

出力電位Ｖｏｕｔはディストリビュータ４６を介してフラッシュメモリの書換えや消去のための電圧として分配される。 - 特許庁