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fuse elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 925件
To provide a semiconductor device including a fuse element which can be realized with a lower occupation rate of a fuse area, at a lower cost and moreover with good reproducibility.例文帳に追加
ヒューズ領域の占める割合を小さく、安価に、しかも、再現性よく実現できるヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
Therefore, when current higher than rated current flows in the fuse 1, the fuse element 3 is fused in the upper side part 3A of the tin alloy chip 4.例文帳に追加
このため、定格電流以上の電流がヒューズ1に流れた場合に、可溶体3はスズ合金チップ4の上側部分3Aで溶断される。 - 特許庁
A fuse area 116 in which a fuse element 120 for storing an address of a defective memory cell is arranged is formed in a semiconductor storage device.例文帳に追加
半導体記憶装置には、不良なメモリセルのアドレスを記憶するためのヒューズ素子120が配列されるヒューズ領域116が形成される。 - 特許庁
To enable fusion cutting of a fuse element in a semiconductor device without damaging adjacent fuse elements and a lower layer, and to form it in an effective space.例文帳に追加
半導体装置のヒューズ素子を、隣接ヒューズ素子や下層に損傷を与えることなく溶断可能とし、かつ省スペースで形成する。 - 特許庁
The fuse using as a fuse element a low-melting-point fusible alloy piece coated with a flux comprises mixing carboxylic acid having hydroxyl groups in the flux.例文帳に追加
フラックスを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントとするヒュ−ズにおいて、水酸基を有するカルボン酸をフラックスに配合した。 - 特許庁
To provide a fuse device capable of preventing the conductive continuity between an input terminal and an output terminal in the fusion of a fuse element.例文帳に追加
ヒューズエレメントの溶断時における入力端子と出力端子との間の導通継続を防止することができるヒューズ素子を提供する。 - 特許庁
This fuse contains spacers 30 arranged on adjacent conductors 20 and a fuse element 31 connected to the wirings 22 arranged between the spacers 30.例文帳に追加
このヒューズは、隣り合った導体20上に配置されたスペーサ30と、スペーサ間に配置され配線22に接続されたヒューズ素子31を含む。 - 特許庁
The planar temperature fuse is characterized by sandwiching the insulating support body and the fuse element between a pair of insulating thin materials.例文帳に追加
上記絶縁性支持体及び上記ヒューズエレメントが、一対の絶縁性薄材により挟持されていることを特徴とする面状温度ヒューズ。 - 特許庁
The fuse layer 12 of a zapping element 1 is formed on a semiconductor substrate 10, and the first insulating film 13 covering the fuse layer 12 is formed.例文帳に追加
半導体基板10上にザッピング素子1のヒューズ層12を形成し、ヒューズ層12を覆う第1の絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
There is a danger of its scrap littering around, when the fuse elements 19 fuse, but, since the adjoining fuse elements 19 are fully partitioned by a so-called protective wall made of ribs 26, 26A and the partition wall 34, scrap of one fuse element 19 is restrained from scattering toward another fuse element 19, which is, therefore, prevented from melting unnecessarily.例文帳に追加
ヒューズ素子19が溶断すると、その屑が飛散するおそれがあるが、隣り合うヒューズ素子19の間は、リブ26,26Aと仕切壁34からなるいわば保護壁で完全に仕切られているから、ヒューズ素子19の屑が他のヒューズ素子19に向けて飛散することが規制され、他のヒューズ素子19が不必要に溶断することが防止される。 - 特許庁
To provide a current fuse element superior in current interrupt characteristic and machinability, without having to alloying of Zn, and substantially using a Zn simple substance as a fuse element main body.例文帳に追加
Znの合金化に頼ることなく実質的にZn単体をヒュ−ズエレメント本体とする電流遮断特性及び加工性に優れた電流ヒュ−ズエレメントを提供する。 - 特許庁
Also, a current fuse or a fuse is connected in series to the switching element for an inverter circuit provided with the switching element making up a phase arm to supply an AC voltage to a load.例文帳に追加
また、負荷に交流電圧を供給するために相アームを構成するスイッチング素子を備えたインバータ回路に対し、スイッチング素子と直列に電流ヒューズ又はヒューズを接続する。 - 特許庁
A stress generated on the fuse element 1 due to expansion and contraction by thermal expansion is relaxed by making a small-current meltdown part B of the fuse element 1 to take a spiral relaxing shape.例文帳に追加
ヒューズ素子1の小電流溶断部Bを螺旋状の緩み形状をもたせることで、熱膨張による膨張及び収縮による変形から生じる応力を緩和する。 - 特許庁
A semiconductor device includes an electrical fuse and other element, wherein the electrical fuse and the other element each have an upper layer interconnection, a lower layer interconnection, and an interconnection via for connecting the upper layer interconnection and the lower layer interconnection.例文帳に追加
電気ヒューズと他の素子を持つ半導体装置において、電気ヒューズと他の素子は、それぞれ、上層配線と下層配線と、それらを層間配線で接続するビアを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device used for an anti-fuse element, which achieves stable operations as the anti-fuse element by reducing variation in a resistance value in a conduction state.例文帳に追加
アンチヒューズ素子として用いられる半導体装置において、導通状態における抵抗値のばらつきを低減することで、アンチヒューズ素子として安定した動作を実現する。 - 特許庁
A height H of the fuse element 20 is larger than a depth of focus DOF of a laser beam to be given, and the diameter D of the fuse element 20 is smaller than a diffraction limit DL of the laser beam.例文帳に追加
ヒューズ素子20の高さHは、照射するレーザビームの焦点深度DOFよりも大きく、ヒューズ素子20の径Dは、レーザビームの回折限界DLよりも小さい。 - 特許庁
The resistor element 500 adjusts the electric current so that, the current continues to flow for a predetermined duration even after a maximum current has passed through the fuse element 410, in the process of blowing the fuse element 410.例文帳に追加
その抵抗素子500は、ヒューズ素子410を溶断させる際に、ヒューズ素子410に最大電流が流れた後も、所定期間継続してヒューズ素子410に電流を流すように、電流を調整する。 - 特許庁
In the trimming element which consists of a series combination of a Zener zap diode 10a and a fuse element 12a, a destruction short-circuit current Izap o the Zener zap diode is set smaller than a blow-out current Ifuse of the fuse element.例文帳に追加
ツェナーザップダイオード10aとヒューズ素子12aとが直列に接続されているトリミング素子において、ツェナーザップダイオード10aの破壊短絡電流Izap をヒューズ素子12aの溶断電流Ifuseよりも小さくする。 - 特許庁
The device is constituted so that a high speed operation fuse HSFUSE is provided to a fuse part 22, when the high speed operation fuse HSFUSE is cut off, an address replaced by a shift redundancy circuit 6 is fixed to a fuse element FUSE0 independently of an address signal.例文帳に追加
ヒューズ部22に高速動作ヒューズHSFUSEを設け、高速動作ヒューズHSFUSEが切断されたときに、シフト冗長回路6が置換を行うアドレスが、アドレス信号によらずヒューズ素子FUSE0に固定されるように構成する。 - 特許庁
In forming a fuse element 15 of the protection element 15, using a prescribed dispenser 50, low-melting point metal grain M is injected or dropped in molten state in the order on a substrate 11 and the fuse element 15 is formed so as to straddle over a plurality of fuse element electrode terminals 13a, 13b, 13c.例文帳に追加
保護素子のヒューズエレメント15を形成するにあたっては、所定のディスペンサ50を用いて、基板11上に低融点金属粒Mを溶融状態としながら順次射出又は滴下し、複数のヒューズエレメント用電極端子13a,13b,13c間に跨るように、ヒューズエレメント15を形成する。 - 特許庁
To provide a highly sensitive fuse provided with a fuse element which melts in a short time when an electric current requiring meltdown flows even in the case difference between the rated current of the fuse and the current required for meltdown is small.例文帳に追加
ヒューズの定格電流と溶断が必要な電流との差が小さい場合でも、溶断が必要な電流が流れた時に短時間で溶断するヒューズエレメントを備えた高感度ヒューズを提供する。 - 特許庁
This fuse element has a fuse part 14 formed on an insulating substrate 12 and composed of a low melting-point metal film or the like melting at a prescribed temperature, and conductor parts 16, 18 connected to the fuse part 14.例文帳に追加
絶縁性の基板12上に形成され所定温度で溶融する低融点の金属膜等からなるヒューズ部14と、このヒューズ部14に接続した導体部16,18とを有する。 - 特許庁
To surely make a fuse blow when a large current flows owing to abnormality by making the fuse not blow while a normal current flows when the fuse is provided on a thin-film display element.例文帳に追加
薄膜表示素子にヒューズを設ける際に、正常な電流が流れている状態ではヒューズが切れないようにし、異常の発生により大電流が流れたときはヒューズが確実に切れるようにする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a blade type fuse which firmly maintains fixing force between an insulated housing and a fuse element even though the blade type fuse is miniaturized and applicable to practical use.例文帳に追加
本願発明は、ブレード形ヒューズを小型化しても絶縁ハウジングとヒューズエレメントの固定力を強固に維持し、実用に耐えるブレード形ヒューズの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a fuse latch circuit capable of improving a throughput and yield in a fuse element cutting process by reducing the number of cuttings of real fuse elements, and to provide a semiconductor device including this circuit.例文帳に追加
実ヒューズ素子切断数を低減させ、ヒューズ素子切断工程のスループット向上及び歩留まり向上を可能とするヒューズラッチ回路及びこれを含む半導体装置を提供することである。 - 特許庁
Also, a side spacer is formed on the side wall of the fuse element or the insulating film covering it, or a side spacer is formed on the side wall of the fuse element and the insulating film covering it, thereby further increasing the distance to the applied insulating film existing near the fuse element.例文帳に追加
また、ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁膜にサイドスペーサを形成し、あるいはヒューズ素子の側壁部とさらにそれを覆う絶縁談にもサイドスペーサを形成することにより、一層、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくする。 - 特許庁
The Peltier element 54 while fitted in the recessed part 53 is held at high temperature to fuse the solder 55 and the optical waveguide element 52 and Peltier element 54 are fixed.例文帳に追加
ペルチェ素子54を凹部53に嵌合させた状態で高温にすることで半田55が溶融し、光導波路素子52とペルチェ素子54が固着される。 - 特許庁
To prevent fuse attack (Attack) by considering an etch rate due to the plasma density of a semiconductor element to rearrange a fuse box and uniformly forming a residual oxide film (Rox; Remain Oxide) with respect to the fuse box of the semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子のヒューズボックスに関し、半導体素子のプラズマ密度によるエッチング率を考慮してヒューズボックスを再配置し、残留酸化膜(Rox;Remain Oxide)が均一に形成されるようにすることにより、ヒューズアタック(Attack)を防止することができるようにすること。 - 特許庁
A series of (for instance, spiral) fuse elements are formed by stacking a plurality of boards 2a-2g on one another, by forming fuse element patterns 3b-3g on two or more layers of the boards 2a-2f, and by connecting the fuse element patterns 3b-3g to one another.例文帳に追加
複数の基板2a〜2gが積層されるとともに、少なくとも2層以上の基板2a〜2fに可溶体パターン3b〜3gが形成され、これら可溶体パターン3b〜3g間が接続されて一連の(例えば螺旋状の)可溶体とされている。 - 特許庁
To minimize phase and thermal distortions by suppressing self-heating due to rush current or the like by improving a heat radiating nature in spite of making a fuse element very thin in a thin thermal fuse, and together to stabilize joint portion between the fuse element and lead conductors by raising stability of supporting state of the fuse element.例文帳に追加
薄型温度ヒュ−ズにおいて、ヒュ−ズエレメントの極細径化にもかかわらず、放熱性を向上させてラッシュ電流等による自己発熱を抑制して相変態歪や熱膨張歪を僅少にとどめると共にヒュ−ズエレメントの支持状態の安定性を高めることにより、ヒュ−ズエレメントとリ−ド導体との接合箇所の安定化を図る。 - 特許庁
This fuse comprises a fuse element 3 arranged in the vertical direction inside a housing 2 and a tin alloy chip 4 fixed to the middle part of the fuse element, the tin alloy chip 4 is arranged in the position where a resistance value of an upper side part 3A of the arranging position in the fuse element 3 is higher than that of the lower side part 3B.例文帳に追加
ハウジング2内に上下方向に沿って配置される可溶体3と、この可溶体3の中間に固設されたスズ合金チップ4とからなり、スズ合金チップ4が、可溶体3における配置位置の上側部分3Aの抵抗値が、スズ合金チップ4の配置位置の下側部分3Bの抵抗値より高くなる位置に配置されている。 - 特許庁
In a fusible link 21 as a fuse, a fuse element 26 is provided for electrically mutually connecting a pair of terminal connecting parts 25 connected to an electric circuit, and molten metal grains 31 composed of metal having a lower melting point than the fuse element 26 is injected or dripped to provide a low-melting point metal block 28 for adjusting the fusing characteristic of the fuse element 26.例文帳に追加
ヒューズとしてのヒュージブルリンク21は、電気回路に接続される一対の端子接続部25相互を電気的に接続するための可溶体26に、その可溶体26よりも低融点の金属からなる溶融金属粒31を噴出又は滴下して、可溶体26の溶断特性を調整する低融点金属塊28を設けることを特徴とする。 - 特許庁
In a protection element 1 provided with a fuse element 4 across electrodes 3a, 3b and 3c on a substrate 2 without connecting via solder paste, the liquid phase point of the fuse element 4 is made higher than the mounting temperature scheduled for the protection element 1 and the solid phase point is made lower than the mounting temperature scheduled for the protection element 1.例文帳に追加
基板2上の電極3a、3b、3cにソルダーペーストを介することなくヒューズエレメント4が設けられている保護素子1の該ヒューズエレメント4の液相点を該保護素子1に予定される実装温度より高く、固相点を該保護素子1に予定される実装温度より低くする。 - 特許庁
To provide an electric fuse circuit which mitigates degradation due to current carrying during reading processing and maintain the reliability of an electric fuse element for a long time.例文帳に追加
読み出し処理時の通電による劣化を軽減し、電気ヒューズ素子の信頼性をより長期間維持可能な電気ヒューズ回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a protection insulating film with a large film thickness and a fuse insulating film with a small film thickness which is formed on a part of a fuse element.例文帳に追加
膜厚の厚い保護絶縁膜を有し、且つ、ヒューズ素子上の一部に膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To realize a fuse program circuit having a fuse element which has low power consumption and a reduced occupying area, and can apply a program even after being mounted on a package.例文帳に追加
低消費電力かつ低占有面積で、パッケージ実装後においてもプログラムを行なうことができるヒューズ素子を備えるヒューズプログラム回路を実現する。 - 特許庁
To provide a technology for changing operating sensitivity to a mechanical input to a self-recovering fuse without changing a structure or specifications of a fuse element body.例文帳に追加
自己回復性ヒューズへの機械的入力に対する動作感度を、ヒューズ素子本体の構成や仕様を変えずに変更する技術を提供する。 - 特許庁
In the fuse program circuit (FPK1-FPKn), the fuse element FS is realized employing a metal wiring (M(i)) above the third layer of a multi-layer metal wiring.例文帳に追加
ヒューズプログラム回路(FPK1−FPKn)において、ヒューズ素子FSを、多層メタル配線の第3層以上のメタル配線(M(i))を用いて実現する。 - 特許庁
At blowing by laser irradiation, in the metal fuse element 11, a blowing-out force of the metal member is concentrated in an edge part direction on the fuse cut region.例文帳に追加
レーザー照射によるブロー時において、メタルヒューズ素子11はヒューズカット領域上のエッジ部方向にメタル部材の噴出力が集中する。 - 特許庁
The fuse insulating film 13b with a small film thickness which consists of a part of the lower protection insulating film 13a is formed on the side face of the fuse element 12a.例文帳に追加
そして、ヒューズ素子12aの側面上には、下部保護絶縁膜13aの一部からなる膜厚の薄いヒューズ部絶縁膜13bが形成されている。 - 特許庁
After the testing, the anode terminal may be cropped so that the fuse and capacitor element become connected in series.例文帳に追加
テスト後に、アノード端子を切り取り、ヒューズ及びキャパシタ素子を直列接続状態にする。 - 特許庁
To provide a method of cutting a fuse element which can avoid decrease in device reliability.例文帳に追加
装置の信頼性低下を回避することができるヒューズ素子の切断方法を提供する。 - 特許庁
In a second embodiment, a fuse element (20) comprises a plurality of rectangular contacts (22a, 22b).例文帳に追加
第2の実施例では、ヒューズ素子(20)は複数の矩形状コンタクト(22a,22b)により構成される。 - 特許庁
The conductor pattern 2 for a fuse element is formed on the upper side of the base part 11 by calcination.例文帳に追加
ヒューズ素子用導体パターン2は、ベース部11の上面に焼成によって形成されている。 - 特許庁
To provide a temperature fuse element, its resistance value increasing sharply at a given operation temperature.例文帳に追加
所定の動作温度において抵抗値が急峻に増大する温度ヒューズ素子を提供する。 - 特許庁
Parisons 10A are arranged so that an insulation space D is secured around the outer periphery of the fuse element 2.例文帳に追加
ヒューズエレメント2の外周に絶縁空間Dが確保されるようにパリソン10Aを配置する。 - 特許庁
To perform a programming operation without controlling a voltage level of a counter electrode of an anti-fuse element.例文帳に追加
アンチヒューズ素子の対極の電圧レベルを制御することなく、プログラム動作を実行すること。 - 特許庁
To prevent an oxide film or diffusion layer of a transistor connected to a fuse element from being broken.例文帳に追加
フューズ素子に接続されたトランジスタの酸化膜や拡散層が破壊されるのを防止する。 - 特許庁
The current fuse element pattern 2 is formed integrally with the lower layer 11 by calcination.例文帳に追加
電流ヒューズ素子用パターン2は、焼成によって下層11と一体的に形成されている。 - 特許庁
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