「high frequency sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HIGH FREQUENCY SPUTTERING DEVICE AND THIN FILM FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

高周波スパッタリング装置及びそれを利用した薄膜形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING DIELECTRIC THIN FILM AND HIGH-FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

誘電体薄膜の形成方法および高周波マグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁

To uniformize the feed of high-frequency electric power to plasma in a high-frequency sputtering device and to execute uniform film forming treatment.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置において、プラズマへの高周波電力の供給を均一にして均一な成膜処理を可能にする。 - 特許庁

To form an insulating film good in insulating pressure-resistance on a substrate by high frequency bias sputtering.例文帳に追加

高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること - 特許庁

High frequency plasma (e.g. inert gas plasma of Ar+) is generated in a sputtering chamber.例文帳に追加

スパッタチャンバにおいて高周波プラズマ（例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマ）を発生させる。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。 - 特許庁

The Pt-Cu base alloy is retained on the conductive carbon by high frequency sputtering.例文帳に追加

さらに、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、高周波スパッタリングによって導電性カーボンに担持されている。 - 特許庁

In the sputtering step, a high frequency power (RF1) is supplied to an antenna coil 23, and a sputtering gas plasma is formed inside a vacuum tub 21.例文帳に追加

スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。 - 特許庁

MAGNETRON REACTOR MADE OF METAL AND FEEDING HIGH DENSITY INDUCTION COUPLING HIGH FREQUENCY PLASMA SOURCE SPUTTERING DIELECTRIC FILM例文帳に追加

金属製及び誘電体膜をスパッタリングする高密度誘導結合高周波プラズマ源を供給するマグネトロンリアクタ - 特許庁

Substrate film of a transition metal is formed on a quartz glass substrate by sputtering with a high frequency sputtering device and vanadium dioxide film is formed on the substrate film by reactive sputtering.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置を用いて、石英ガラス基板の上にスパッタリングによって遷移金属の下地膜を成膜し、その上に反応性スパッタリングによって二酸化バナジウムを成膜する。 - 特許庁

The sialon film is deposited by high frequency sputtering in the argon gas atmosphere mixed with 2% of nitrogen gas.例文帳に追加

サイアロン膜は、窒素ガスを２％混合したアルゴンガス雰囲気の高周波スパッター法で成膜する。 - 特許庁

HIGH FREQUENCY SPUTTERING DEVICE, GLAND RING ON THE SUBSTRATE SIDE AND TARGET SIDE AND FORMATION OF OXIDIZED INSULATING FILM例文帳に追加

高周波スパッタリング装置、その基板側及びターゲット側グランドリング、並びに、酸化絶縁膜の成膜方法 - 特許庁

To provide a high frequency sputtering device by which the sputtering rate is stabilized and capable of forming a thin film whose film thickness is controlled with high precision as to a high frequency sputtering device forming a dielectric thin film of oxide, nitride or the like on the object to be treated.例文帳に追加

本発明は、被処理物上に酸化物、窒化物等の誘電体薄膜を形成する高周波スパッタリング装置に関し、特にスパッタレートを安定化し、高精度に膜厚を制御した薄膜を形成可能な高周波スパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high frequency magnetron sputtering apparatus in which consistent film deposition is performed with high productivity and high yield.例文帳に追加

基板上での膜形成で、高い生産性を有し、安定した膜形成を行うことができ、歩留まりが高い高周波マグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for producing an optical disk-protective film of low reflectivity with high light transmittance through diminishing particle generation during sputtering operation, thereby reducing the frequency of suspending or stopping the sputtering operation to effect raising film production efficiency.例文帳に追加

スパッタリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護膜を得る。 - 特許庁

The conductive layer is formed of gold (Au) by using a high-frequency sputtering method, and the adhesion layer is formed of titanium (Ti).例文帳に追加

導電膜層は、高周波スパッタ法を用いて、金（Ａｕ）で形成され、密着層は、チタン（Ｔｉ）で形成される。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

In a fourth means, the protective film having high adhesive force and excellent wear resistance is obtained by applying high frequency voltage of a square wave to the substrate at the time of DLC sputtering.例文帳に追加

第４の手段はＤＬＣスパッタ時に基板に対し矩形波の高周波電圧を印可することにより、密着力が強く耐摩耗特性に優れた保護膜を得る。 - 特許庁

This sputtering device comprises a vessel 11, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25, a high frequency supply mechanism 18 for supplying the high frequency to the target, and an electrostatic attraction mechanism for fixing a substrate 42.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、ガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板４２を固定する静電吸着機構を備えている。 - 特許庁

Furthermore, the partition material 16 can restrain sputtering of high-frequency antenna 21 with plasma generated in the vacuum container 11, temperature rise of the high-frequency antenna 21, and generation of particles.例文帳に追加

また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 - 特許庁

A gas for sputtering is introduced from a first gas introducing means 6 into the chamber 1 and at the same time, when high-frequency power is applied to spiral electrodes 3, the plasma is generated.例文帳に追加

第１のガス導入手段６からスパッタリング用ガスを導入すると共に、渦巻き電極３に高周波電力を印加すると、プラズマが発生する。 - 特許庁

And since the lower core layer 8 is formed by sputtering, the material excellent in soft magnetic characteristics can be used and the recording in high frequency is possible.例文帳に追加

またスパッタにより下部コア層８を形成しているため、軟磁性特性の優れた材料を使用でき、高い周波数での記録が可能となる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which can improve the plasma density in a relatively easy manner without using any high frequency power source circuit which is expensive and requires a space for a matcher.例文帳に追加

高価でマッチャなどのスペースを要する高周波電源回路を用いなくても、比較的容易にプラズマ密度向上を図り得るようにする。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a mixed powder of lithium phosphate and lithium oxide as a target.例文帳に追加

また、固体電解質２６は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a powder of lithium phosphate of β phase as a target.例文帳に追加

また、固体電解質２６は、β相のリン酸リチウムの粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which film deposition by a sputtering process with a high resistor material as a target is possible in a low frequency of <1 MHz.例文帳に追加

１ＭＨｚ未満の低周波数において、高抵抗体材料をターゲットとするスパッタリング法による成膜が可能な成膜方法の提供。 - 特許庁

High-frequency sputtering is performed using a fluorocarbon type gas containing no oxygen atom as an introducing gas and at least a part of the surface of rubber is coated with a sputtering film comprising a polyimide polymer to obtain the rubber molding.例文帳に追加

酸素原子を含まないフルオロカーボン系のガスを導入ガスとして高周波スパッタリングを行い、ゴムの表面の少なくとも一部が、ポリイミド系重合体からなるスパッタ膜で被覆されたゴム成形体を得る。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which uses a high-frequency power source or a direct-current power source superimposed by the high-frequency power, and has an improved use efficiency for a target material by promoting erosion in the peripheral part of the target without decreasing a film-deposition rate.例文帳に追加

高周波あるいは高周波と直流が重畳された電源を用いたスパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させる。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁

This high frequency magnetron sputtering apparatus comprises a vessel 11 with the inside evacuated by an exhaust mechanism 22, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25 for feeding gas into the vessel, a high frequency feed mechanism 18 for feeding the high frequency to the target, and a electrostatic adsorption mechanism built in the substrate holder.例文帳に追加

この高周波マグネトロンスパッタリング装置は、排気機構２２により内部が減圧された容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、容器内にガスを供給するガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構を備える。 - 特許庁

In the sputtering method where, to the film deposition face of a substrate 2, particles generated by the sputtering of a target 3 arranged so as to be confronted therewith are stuck, so that a film is deposited, high frequency pulse voltage of which the frequency is ≥50 kHz and Off-Duty value is 40 to 50% is applied to the target, so that the sputtering is performed.例文帳に追加

基体２の成膜面にそれと対向配置したターゲット３のスパッタリングによって発生する粒子を付着させて成膜するスパッタリング方法において、前記ターゲットに、周波数５０ｋＨｚ以上、Ｏｆｆ−Ｄｕｔｙ値が４０〜５０％である高周波パルス電圧を印加してスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 特許庁

A coating layer of carbon or a mainly carbon-comprising substance is formed on the surface of a substrate made of PET by sputtering with such a self-bias range that the surface to be coated may not be damaged by the sputtering, then high-frequency energy is gradually increased to raise the hardness of the carbon-coating layer.例文帳に追加

PETからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

In this case, in the case of sputtering, a predetermined high frequency power is applied to the substrate 20, and it can be controlled so that the potential of the substrate 20 is set to -20 to -100 V.例文帳に追加

この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 - 特許庁

Additionally, each quartz chip is etched for rough adjustment of the frequency, an electrode film is formed by sputtering or the like, packaging of a package is carried out for adjusting the frequency, and the package is sealed, thus completing a quartz oscillator that can realize high frequency.例文帳に追加

更に、各水晶チップをエッチングして周波数の粗調整を行い、スパッタリング等により電極膜を形成し、パッケージに実装して周波数調整を行い、パッケージを封止することにより、高周波化を実現可能な水晶振動子が完成する。 - 特許庁

A needle for an electrifying therapy comprises a needle body 1 made of a stainless steel having a surface (A) except a needle tip 2 and a needle sheath 3 and covered with a diamond-like carbon or silicon insulating film 4 by high-frequency sputtering.例文帳に追加

針先部２と針柄部３とを除くステンレス製の針体１の表面（Ａ）を、高周波スパッタリングによるダイヤモンド状炭素又はシリコンの絶縁膜４で被覆する。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

High frequency voltage is applied to a cathode 10 placed with a target 11, a deflecting system 5 is arranged in the upper direction of the target 11 in a sputtering device 2 sputtering the target 11, and anionic particles beaten out from the surface of the target 11 are made incident on the inside of the deflecting system 5.例文帳に追加

ターゲット１１が配置されたカソード１０に高周波電圧を印加し、ターゲット１１をスパッタリングするスパッタリング装置２のターゲット１１上方に偏向器５を配置し、ターゲット１１表面から叩き出された陰イオン粒子を偏向器５内に入射させる。 - 特許庁

In the high-pressure discharge lamp which lights up by means of rectangular waves, the condition which prevents blackening due to sputtering of the high-pressure discharge lamp, as much as possible, is set, by setting the frequency and the current value of the lamp current at the starting as parameters.例文帳に追加

矩形波点灯で点灯させる高圧放電灯点灯装置において、始動時のランプ電流の周波数と電流値をパラメーターにして、高圧放電灯にスパッタによる黒化の発生を極力抑える条件を設定する。 - 特許庁

This superconductor multilayer structure is provided with a first thin dielectric layer which is formed on a first superconductor layer on a substrate by using high frequency sputtering, a second dielectric layer which is formed thickly on the first dielectric layer by using DC reactive sputtering, and a second superconductor layer formed on the second dielectric layer.例文帳に追加

基板上の第一超電導体層に高周波スパッタリングにより形成した薄い第一誘電体層と該第一誘電体層に直流反応性スパッタリングにより厚く形成した第二誘電体層と該二誘電体層に形成した第二超電導体層を備える。 - 特許庁

The surface of the main body of an electrochemical measuring electrode 3 is modified by a polymeric thin film 4 manufactured by a high frequency sputtering method using an organic solid material as a target.例文帳に追加

電気化学測定用の電極３本体の表面に、有機固体材料をターゲットとして高周波スパッタ法により作製された高分子薄膜４が修飾されていることを特徴とする。 - 特許庁

An RF barrier metal layer 13 is formed using high-frequency sputtering on one side surface 66 of an ohmic metal layer 11 of a semiconductor laser device 1 including an air ridge structure in a laminating direction Z.例文帳に追加

エアリッジ構造を有する半導体レーザ素子１のオーミックメタル層１１の積層方向Ｚの一方側の表面６６上に、高周波スパッタリングを用いてＲＦバリアメタル層１３を形成する。 - 特許庁

When an electrode layer is formed on a semiconductor laminate composed of compound semiconductor by sputtering, heat treatment is performed while electrode material is sputtered by increasing high frequency power.例文帳に追加

化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくすることにより、電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う。 - 特許庁

The face to be deposited composed of metal is deposited with a film of carbon or essentially consisting of carbon at a self-bias to a degree which does not give damage caused by sputtering thereto, and high-frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the film.例文帳に追加

金属からなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

The composite structure thin film material is prepared by forming an amorphous thin film represented by the general formula by a high frequency sputtering method and crystallizing the thin film by heat treatment at 500 to 800°C in an inert atmosphere.例文帳に追加

この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 - 特許庁

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed by high-frequency sputtering in an argon gas/ozone gas atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer.例文帳に追加

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴンガス、オゾンガス雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。 - 特許庁