「layer beneath」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The pressing member A is provided with an insulating surface layer 103, at the top surface, a conductive layer 102 beneath the surface layer 103, and an insulating inner layer 101 beneath the conductive layer 102.例文帳に追加

加圧部材Ａが、最表層に絶縁性の絶縁表層１０３、その下に導電性の導電層１０２、更にその下に絶縁性の絶縁内層１０１を有する。 - 特許庁

Beneath this carbonized layer of skin lie immaculate strata of muscles and soft tissue.例文帳に追加

炭化した皮膚の下に 筋肉と組織の層があって - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

According to the manufacturing method, high concentration regions are provided beneath pad electrodes and a wiring layer or beneath the peripheral edge and a silicon nitride film beneath the pad electrodes is removed.例文帳に追加

パッド電極および配線層の下または周端部の下に高濃度領域を設け、パッド電極下の窒化膜を除去する。 - 特許庁

The smile oxide film 6 is formed by corrosion in the vicinity of the edge of the doped polysilicon layer 4 such that the three layer polymetal gate layer 11 becomes thicker beneath the vicinity of edge than beneath the central part.例文帳に追加

このスマイル酸化膜６は、３層ポリメタルゲート１１のエッジ近傍下が中央部下より膜厚が厚くなるようにびドープドポリシリコン層４のエッジ近傍に浸食して形成される。 - 特許庁

A barrier insulating layer pattern 25 may be disposed just beneath the pattern 26.例文帳に追加

有機絶縁層パターン２６の直下にバリア絶縁層パターン２５を設けてもよい。 - 特許庁

A decorative layer 2 or the like is appropriately formed by printing or the like on the substrate 3 beneath the surface protecting layer.例文帳に追加

表面保護層の下の基材３上には印刷等による装飾層２等も適宜設ける。 - 特許庁

A lead excess layer 25 and an iodine excess layer 23 are formed on and beneath an X-ray photoconductive film 5, respectively.例文帳に追加

Ｘ線光導電膜５の上下に鉛過剰層25およびヨウ素過剰層23を形成する。 - 特許庁

In a second embodiment, a horizontal layer of the thermal conductive material is deposited in an oxide layer or bulk silicon layer beneath the upper silicon layer.例文帳に追加

第２の実施の形態では、熱伝導性材料の水平層も、シリコンの上部層下の、酸化物層またはバルク・シリコン層中に付着させる。 - 特許庁

The microstructure 34 can be integral on either the front side 32 of the substrate layer 30, or beneath the reflective layer on the back side of the layer.例文帳に追加

微細形状３４は、基板層３０の表側３２、又は層の裏側の反射層の下に、一体化させることもできる。 - 特許庁

A smile oxide film 6 functioning as a gate oxide film is formed beneath the three layer polymetal gate layer 11 consisting of a doped polysilicon layer 4, a tungsten layer 5 and an SiON layer 8.例文帳に追加

ドープドポリシリコン層４、タングステン層５及びＳｉＯＮ層８からなる３層ポリメタルゲート１１下にゲート酸化膜として機能するスマイル酸化膜６が形成される。 - 特許庁

An underground thermal-storage layer 3 is formed beneath a house H, and a temperature control layer 2 is formed above the underground thermal-storage layer 3 via a moisture-proof layer 4.例文帳に追加

家屋Ｈの下部には地下蓄熱層３が形成され、防湿層４を介して地下蓄熱層３の上部に温度調節層２が形成されている。 - 特許庁

A three-dimensional grinding profile beneath the outer surface profile is established based on the depth of the damaged substrate layer beneath the outer surface profile.例文帳に追加

次に外面プロファイルの下側の損傷基材層の深さに基づいて、外面プロファイルの下側の三次元研削用プロファイルを確立する。 - 特許庁

An insulating layer insulating an electrode is provided beneath a heating resistor layer, and between the heating resistor layer and a heat storage layer below the insulating layer, a space layer, which is obtained by removing the electrode part by etching, is formed.例文帳に追加

発熱抵抗体層下には電極との絶縁層を設け、該発熱抵抗体層と絶縁層の下部の蓄熱層との間には、電極部分をエッチング除去して得られる空間層を形成した。 - 特許庁

The interlayer 4 beneath an isolated upper layer region 6a is isotropically etched until isolated from a base layer 2.例文帳に追加

遊離上層領域６ａ直下の中間層４を等方性エッチングし、ベース層２と分離するに至るまでエッチングする。 - 特許庁

A joining layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and the first semiconductor wafer is irradiated with H_3^+ ions by an ion doping device to form a separating layer beneath the joining layer.例文帳に追加

また、水素イオンを添加する時間を短縮し、１枚当たりのＳＯＩ基板の製造時間を短縮することも課題の一とする。 - 特許庁

The semiconductor element may comprises a second UBM layer beneath the external connection terminals 62.例文帳に追加

半導体素子は、各外部接続端子６２の下部に第２ＵＢＭ層をさらに含むことができる。 - 特許庁

A recessed inclined part 8 is formed in the insulating layer 9 beneath each pixel electrode 7.例文帳に追加

各画素電極の下方において、絶縁層９には凹状傾斜部８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a first insulator layer 13 formed beneath the bipolar transistor at least partially, and a second insulation film layer 14 formed beneath the MIS type transistor at least partally.例文帳に追加

バイポーラ型トランジスタ下部の少なくとも一部に形成された第１絶縁体層１３と、ＭＩＳ型トランジスタの下部の少なくとも一部に形成された第２絶縁膜層１４とを有する。 - 特許庁

First, the protection film and the semiconductor layer are etched using the photosensitive film pattern as an etching mask, thereby the gate insulating film located beneath the third portion and the protection film located beneath the second portion are exposed.例文帳に追加

まず、感光膜パターンをエッチングマスクとして保護膜と半導体層をエッチングして第３部分の下のゲート絶縁膜と第２部分の下の保護膜を露出する。 - 特許庁

A metal is embedded to an air gap formed resulting from removing the second external base layer 8 and silicide processing is applied by heat treatment to a boundary face between the metallic layer and a first base lead-out layer, resulting in that a silicide layer 19 is connected to a base 11a beneath an emitter electrode 17.例文帳に追加

除去された空隙に金属を埋め込み、熱処理によりシリサイド化することにより、シリサイド層１９がエミッタ電極１７直下でベース１１ａと接続される。 - 特許庁

In this case, a water layer is formed beneath the oil layer so that the dissolved plastic material is made to float in the upper part of the oil layer and the metallic material is made to sink in the water layer.例文帳に追加

この際、油層の下方に水層を形成することによって、加熱溶解したプラスチック材料を油層上部に浮上させ、金属材料を水層内に沈降させて分離する。 - 特許庁

This glide board (10) has at least one entropy elasticity inlay (16) provided in an optional position on the board between an upper layer (12) and a layer beneath the upper layer (14 and, and the like).例文帳に追加

滑走板（10）は、その上層（12）とその下に位置する層（14等）との間で滑走板上の任意の位置に設けられた少なくとも１つのエントロピー弾性インレイ（16）を有する。 - 特許庁

A diode which is composed of a p-type diffusion layer 9 and an n^--type epitaxial layer 2 is formed in a region of the n-type epitaxial layer 2 immediately beneath the laser diode 11.例文帳に追加

レーザダイオード１１の直下のｎ^−型エピタキシャル層２の領域に、ｐ型拡散層９とｎ^−型エピタキシャル層２とにより構成されるダイオードを形成する。 - 特許庁

To increase the accuracy of simulation by reproducing an effect of a depletion layer formed immediately beneath an intermediate node.例文帳に追加

中間ノード直下に形成される空乏層による影響を再現してシミュレーション精度の向上を図ること。 - 特許庁

The compensated injection part 47 is provided beneath the gate oxide layer 41 and is surrounded by the halo injection part 46.例文帳に追加

補償注入部４７はゲート酸化物層４１の下に設けられ、ハロー注入部４６に囲まれている。 - 特許庁

This reduces the production quantity of residual ions (Cu^2+) on the adhesive layer 3 beneath the solder resist 6.例文帳に追加

これにより、ソルダーレジスト６の下の接着層３上における残留イオン（Ｃｕ^2+等）の生成量を減らす。 - 特許庁

A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises wirings 32a-32d formed in one layer on a substrate 10, an insulation layer 34 formed to cover the wirings, and a hollow 40 formed in one layer beneath the insulation layer.例文帳に追加

基板１０上の一の層に形成された配線３２ａ〜３２ｄと、配線を覆うように形成された絶縁層３４とを有し、絶縁層下の一の層に空洞４０が形成されている。 - 特許庁

After isotropic etching is implemented through the hole to form microchannels in the etchable material extending beneath the support layer, another layer is bonded onto the support layer until a projecting portion makes contact, thereby closing the microchannels formed beneath the aperture.例文帳に追加

支持層の下に延びるエッチング可能な材料にマイクロチャネルを形成するために穴を通して等方性エッチングを実行した後、他の層は、突き出る一部が接触するまで支持層の上に付着され、それによって開口の下に形成されたマイクロチャネルを閉じる。 - 特許庁

To reuse a part, including a charge generating layer and layers beneath of a photoreceptor, having a protective layer containing fine particles, which impart wear resistance, and to prevent the fine particles which impart wear resistance from being mixed into the regenerated photoreceptor.例文帳に追加

耐摩耗性を付与する微粒子を含有した保護層を有する感光体の、電荷発生層以下の部分を再利用すること。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

This new food comprises a coagulated layer of soup formed inside a closed vessel-shaped container and a processed product of rice and wheat placed on or beneath the coagulated layer of soup.例文帳に追加

密閉された器状の容器内部に形成されたスープ凝固層と、該スープ凝固層の上又は下に置かれた米麦加工品とからなるもの。 - 特許庁

At a location beneath the marking portion 62 in the mesh-shaped conductor layer 22, a blank area 27 in which the mesh-shaped conductor layer 22 does not exist is arranged.例文帳に追加

メッシュ状導体層２２において刻印部６２の直下となる位置には、メッシュ状導体層２２が存在しない空白領域２７が設定される。 - 特許庁

An aperture 5 that allows a part of wiring 3 disposed beneath a lower layer thereof to be exposed is formed in the passivation film 4.例文帳に追加

パッシベーション膜４には、その下層に設けられた配線３の一部を露出させる開口５が形成されている。 - 特許庁

This can prevent the foundation layer 34 beneath the scan line 33 from getting thin, thereby avoiding a line defect such as wire breakage.例文帳に追加

これにより、走査線３３の下側の下地層３４が細くなることは無く、断線等の線欠陥を回避することができる。 - 特許庁

The dielectric regions extend in a vertical direction from at least just beneath the body region down at least into the buffer layer.例文帳に追加

誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層に達する。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁

Accordingly, a constitution in which an active layer 232 serving as a light-emitting layer of the compound semiconductor light-emitting unit U does not exist immediately beneath the electrode pad E2 is achieved.例文帳に追加

これにより、電極パッドＥ２の直下に化合物半導体発光ユニットＵの発光層として機能する活性層２３２が存在しない構成を実現している。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

A solid state imaging element has an overflow barrier 12 beneath a sensor having a depletion layer length L1 longer at the center than the depletion layer length L2 at the periphery.例文帳に追加

センサ部２の下にオーバーフローバリア１２を有し、センサ部２の中央部の空乏層長Ｌ１を周辺部の空乏層長Ｌ２より長くした固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To prevent a metal in a wiring layer from being corroded by allowing a trench pattern or hole pattern to reach the wiring layer beneath when the hole pattern and the trench pattern are formed for sealing.例文帳に追加

ホールパターンとシールリングのためのトレンチパターンを形成する際に、トレンチパターンやホールパターンが下の配線層に到達して、配線層における金属が腐食するのを防止する。 - 特許庁

An individual electrode layer 93 to be electrically connected to an individual electrode layer 92 having a hole 92a is formed beneath a heater layer 87 and a common electrode layer 90 along an ink passage 78bi.例文帳に追加

孔９２ａを有する個別電極層９２に電気的に接続される個別電極層９３が、ヒータ層８７および共通電極層９０の下方に積み重ねられインク流路７８ｂｉに沿って形成されているもの。 - 特許庁

The multiple composite lens sheet for a stereoscopic image comprises: a lens array layer in which first convex lenses and second convex lenses having different features from each other are alternately and repeatedly arranged; a transparent resin layer for adjusting a focal distance formed beneath the lens array layer; and a stereoscopic image layer formed beneath the transparent resin layer for adjusting the focal distance, in which an image is observed as a stereoscopic image.例文帳に追加

立体用多重複合レンズシートは、互いに模様が異なる第１凸レンズと第２凸レンズが交差反復配列されたレンズアレイ層と、前記レンズアレイ層の下部に形成された焦点距離調整用透明樹脂層と、前記焦点距離調整用透明樹脂層の下部に形成され、３次元的立体でイメージが観察される立体層と、を含む。 - 特許庁

The thermal head comprises a plurality of heating resistor layers formed in rows on a substrate, and electrodes provided on respective heating resistor layers in connected therewith wherein a passivation layer is provided beneath each heating resistor layer, an opening is provided in the passivation layer at a position corresponding to the heating resistor part, and a space layer is formed by removing a dummy layer formed beneath the passivation layer from that opening by etching.例文帳に追加

基板上に複数の発熱抵抗体層を列状に形成し、各発熱抵抗体層上に電極をそれぞれ接続してなるサーマルヘッドにおいて、前記各発熱抵抗体層の下部にはパシベーション層を具備し、このパシベーション層の発熱体部に位置する部分に開口部を設け、この開口部からパシベーション層の下部に配したダミー層をエッチング除去して空間層を形成した。 - 特許庁

In the high electron mobility transistor with a hetero junction structure formed with an electron supply layer 4 and an electron traveling layer 3 made of a nitride group compound semiconductor, at least the thickness of the part of the electron supply layer 4 beneath the gate is thinner than that of the electron supply layer 4 other than at least the part beneath the gate.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体からなる電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層４の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層４の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁