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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

p電極13および低融点金属拡散防止層14が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子12を、サファイア基板10上に形成する。 - 特許庁

A layer thickness, a length and a width of the slender finger are optimized so as to obtain an element having a breakdown voltage in excess of 500 V, a current capacity in excess of 1 ampere and a forward voltage of less than 3 V.例文帳に追加

細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が500Vを超え、電流容量が1アンペアを超え、かつ順方向電圧が3V未満である素子を得るように最適化される。 - 特許庁

An aluminum layer is provided by extrusion process on the outer circumference of an optical fiber-housed stainless steel tube that is constructed by stranding a stainless steel tube housing an aluminum-coated steel wire or an aluminum system element wire and an optical fiber.例文帳に追加

アルミニウム覆鋼線またはアルミニウム系素線と光ファイバを収納したステンレス鋼管を撚り合わせた構成の、光ファイバ収納ステンレス鋼管の外周に押出しによるアルミニウム層を設けた。 - 特許庁

To provide a benzodithiophene derivative having excellent luminescent efficiency and stability in the case of using as a luminescent layer of an organic EL element, and easily synthesizable to reduce the production cost.例文帳に追加

有機EL素子の発光層として用いた場合に発光効率および安定性に優れ、合成が容易で、低コスト化を図ることができるベンゾジチオフェン誘導体を提供することを目的としている。 - 特許庁

例文

To provide a multilayer circuit substrate which can prevent the generation of cracks caused by a thermal expansion coefficient difference or the like even if a semiconductor element whose mechanical strength is lowered by the adoption of a porous insulating layer or the like is mounted.例文帳に追加

多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子を搭載しても、熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる多層回路基板を提供する。 - 特許庁


例文

The optical element has a base material which has convex parts arranged on a cycle shorter than a wavelength of using light, and a layer formed of a low refractive index material filled up between the convex parts.例文帳に追加

使用する光の波長より短い周期で配列された凸部を有する基材と、前記凸部の間に充填された低屈折率材からなる層とを有することを特徴とする光学素子。 - 特許庁

Using the sputtering target, a fluorescent film can be obtained in the coexistence of gaseous H_2S by a sputtering process, and the fluorescent film is suitable for forming an inorganic EL luminescent layer of an inorganic EL element.例文帳に追加

該スパッタリングターゲットを用いて、H_2Sガス共存下でスパッタリング法により蛍光体膜が得られ、該蛍光体膜は無機EL素子の無機EL発光体発光層を形成するのに好適である。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of emitting white light from a light emitting element by combining a color light emitted from a luminous layer of a light emitting device and a color light in the other wavelength band.例文帳に追加

発光素子の発光層から出射される色光と、他の波長域の色光とを合成することにより、発光素子から白色光を出射可能な発光装置を提供すること。 - 特許庁

A resist 23 is formed on a plane metal layer 5 for electroplating, thus easily forming bumps 6, 7 having excellent shape precision and quality in quantity in a wafer 24 at a light-emitting element side.例文帳に追加

平面状の金属層5の上にレジスト23を形成して電気めっきを施すので、形状精度や質に優れるバンプ6、7を発光素子側ウェハ24に大量、かつ容易に形成することができる。 - 特許庁

例文

To provide a new constitution capable of extraction efficiency of respective conversion light via respective color conversion layers in a display device in which a light-emitting element and the color conversion layer are used in combination.例文帳に追加

発光素子と色変換層とを組み合わせて用いた表示装置において、各色変換層を介しての各変換光の取り出し効率を高めることが可能な新たな構成を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a self-oscillation semiconductor laser employing a mixed-crystal semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen as an active layer and oscillating stably.例文帳に追加

窒素と窒素以外のV族元素を含む混晶半導体を活性層とする自励発振型半導体レーザにおいて、安定して自励発振する半導体レーザ等を提供することを目的としている。 - 特許庁

An optical element comprises: a mesa structure that is formed on a substrate and includes an active layer therein; and a dielectric film formed so as to overlap the edge face of the mesa structure.例文帳に追加

本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。 - 特許庁

(4) Platinum group ions consisting of at least one platinum group element to constitute the platinum group particulates are contained in at least one of the electrolyte membrane or the electrolyte in the catalyst layer.例文帳に追加

(ニ)前記電解質膜又は前記触媒層内電解質の少なくとも一方に、前記白金族微粒子を構成する少なくとも1つの前記白金族元素からなる白金族イオンを含む。 - 特許庁

The piezo-electric body layer 2 used for the piezo-electri element is adopted from one material from among titanium acid lead zirconate (PZT), lead titanate, lithium niobate, niobic acid tantalum, strontium titanate or barium titanate.例文帳に追加

前記圧電素子に用いられる圧電体層2は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT )、チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムのいずれか1種の材料から採用される。 - 特許庁

This mattress is formed by inserting radioactive-material-containing resin layer 21 formed of resin foam containing natural radioactive element powder of thorium series, uranium series or actinium series therein.例文帳に追加

本発明にかかるマットレスは、トリウム系列、ウラニウム系列又はアクチニウム系列の自然放射性元素の粉末を含む発泡樹脂からなる放射物質含有樹脂層21が挿入されてなる。 - 特許庁

An organic EL device 1 includes a substrate 10, a light emitting element 70 with an organic light emitting layer 20 formed for each pixel 40 on the substrate 10 and a substrate 30 affixed to the substrate 10.例文帳に追加

有機EL装置1は、基板10と、基板10上に画素40ごとに形成された、有機発光層20を含む発光素子70と、基板10に貼り合わされた基板30とを有する。 - 特許庁

An EL element 1 has a luminous layer 40 disposed between electrodes 4 and 20 provided on a substrate 2 on which a lower electrode 4 is formed so as to be held between insulation layers 8 and 48.例文帳に追加

EL素子1は、下部電極4が形成された基板2上に設けられた電極4,20の間に、絶縁体層8,48に挟持されるように配置された発光体層40を備えるものである。 - 特許庁

A process of forming a picture element electrode 23 which is one of the electrodes and a process of forming a hole transporting layer 70 on the top of this one electrode 23 are provided.例文帳に追加

電極のうちの一方である画素電極23を形成する工程と、この一方の電極23の上に正孔輸送材料を設けて正孔輸送層70を形成する工程とを備えてなる。 - 特許庁

The light emitting element of three-dimensional structure comprises a substrate including a plurality of irregular structures on a surface, and a semiconductor nanoparticle layer disposed on the surface of the substrate and composed of semiconductor nanoparticles.例文帳に追加

表面に複数の凹凸構造を含む基板と、前記基板の表面に配置された、半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子層と、を含むことを特徴とする、3次元構造の発光素子。 - 特許庁

To provide an optical element and its manufacturing method capable of arranging image panels in a plane shape with no gap as a display and preventing an existing film face from being damaged when an organic layer is formed.例文帳に追加

ディスプレイとして画像パネルをすき間なく平面状に配置することができると共に、有機層等の成膜時に既成膜面を損傷されない光学的素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To easily manufacture a semiconductor device with high reliability by forming a lower electrode of an MIM capacitor element at the same time with a wiring layer and then eliminating a leak current between an upper electrode and the lower electrode.例文帳に追加

MIM型容量素子の下部電極が配線層と同時形成され、上部電極と下部電極との間のリーク電流をゼロにして信頼性の高い半導体装置を簡易に製造する。 - 特許庁

These are the organic electroluminescent element in which a spectrum of an impressed beam irradiation is influenced under an electromagnetic wave irradiation corresponding at least partially to an absorption spectrum of an organic material layer, and the manufacturing method.例文帳に追加

印加される光線照射のスペクトルが、有機材料層の吸収スペクトルに少なくとも部分的に対応する電磁波照射下で影響される有機電界発光素子、並びに該製造方法である。 - 特許庁

The light emitting element 1 has a transparent electrode 15 formed over the entire surface of a p-type layer 13, and a p-side pad electrode 16 and an extension electrode 17 formed on the transparent electrode 15.例文帳に追加

発光素子1は、p型層13の全面にわたって形成された透明電極15と、透明電極15上に形成されたp側パッド電極16および延伸電極17とを有している。 - 特許庁

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In.例文帳に追加

N型GaN系層14はGaNとAlGaNを交互に積層した超格子構造とし、GaNにSiとInをドープし、AlGaNにInをドープして発光効率を向上させる。 - 特許庁

This organic EL element 100 has a laminated structure in which a hole injection electrode 2 (anode), an organic compound layer 10, and an electron injection electrode 8 (cathode) are laminated in order on a substrate 1.例文帳に追加

有機EL素子100は、基板1上にホール注入電極2(陽極)、有機化合物層10および電子注入電極8(陰極)が順に積層された積層構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a resistance variable layer 7 having a value of resistance varied with an application of a voltage, constituting a resistance variable type memory element and formed on the second electrode 6 while being in contact with the second electrode.例文帳に追加

また、さらに、電圧の印加により抵抗値が変化し、抵抗変化型の記憶素子を構成し、第2電極6上に接して形成された抵抗変化層7を含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor 1 comprises a capacitor element 2 constituted by winding cathode foil 5 and anode foil 4 and having a solid electrolytic layer internally wherein both the foils 4 and 5 are fixed with lead tab terminals 25, 25.例文帳に追加

固体電解コンデンサ1は、陰極箔5と陽極箔4とを巻き取って構成され、内部に固体電解質層が形成されたコンデンサ素子2を具え、両箔4、5にはリードタブ端子25、25が取り付けられている。 - 特許庁

To provide an organic EL element including an electron injection-transport layer containing an organic boron compound, which is excellent in characteristics such as efficiency or lifetime.例文帳に追加

本発明は、有機ホウ素化合物を含有する電子注入輸送層を有する有機EL素子において、効率や寿命等の特性に優れる有機EL素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12 is formed by a plating method and contains as a constituting element Sn and Pb within a range of 1 atom % or higher and 10 atom % or lower.例文帳に追加

負極活物質層12は鍍金法により形成されたものであり、構成元素としてSnを含むと共に、Pbを1原子%以上10原子%以下の範囲内で含んでいる。 - 特許庁

An adhesive liquid is spread onto the circuit (element) forming surface of a semiconductor wafer W and is pre-dried for reducing flowability, thus maintaining the shape as an adhesive layer 1.例文帳に追加

半導体ウェーハWの回路(素子)形成面に接着剤液を塗布し、この接着剤液を予備乾燥させて流動性を低減させ、接着剤層1としての形状維持を可能とする。 - 特許庁

After bonding, the sapphire growth substrate is removed by the substrate removing technology, and the InAlGaN layer is patterned and etched and a current injection type light emitting element is completed.例文帳に追加

ボンディングの後、サファイア成長基板(30)は、基板除去技術を使って除去され、その後それらのInAlGaN層がパターニング及びエッチングされて電流注入型発光素子が完成する。 - 特許庁

When the light is rotated, the reflection polarizing element layer arranged below the liquid crystal display reflects the rotated light upward from the front surface and provides the timepiece surface with a first color.例文帳に追加

光が回転されると、上記液晶ディスプレイの下方に配置された反射偏光素子層はその回転された光を表面から上方に反射させて時計面に第1色を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element and its manufacturing method capable of keeping ΔRA high and of reducing magnetostriction by improving the material quality of a free magnetic layer.例文帳に追加

特に、フリー磁性層の材質を改良して、ΔRAを高く維持できるとともに磁歪を低減することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The semiconductor device 11 is constituted by mounting the semiconductor element 12 on an island 15 of the lead frame 13 with an insulating adhesive film interposed, and resin-sealing them with a mold resin layer 14.例文帳に追加

半導体装置11は、半導体素子12をリードフレーム13のアイランド15上に絶縁性接着フィルムを介してマウントし、それらをモールド樹脂層14により樹脂封止して構成される。 - 特許庁

When manufacturing a solid-state image pickup element having a vertical type overflow drain structure, ions are implanted on the entire surface of a silicon substrate 1 without using a resist mask to form an overflow barrier layer 11.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造するにあたり、レジストマスクを用いることなくシリコン基板1全面にイオン注入を行い、オーバーフローバリア層11を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a silicon on insulator (SOI) substrate having a semiconductor base material 11, a buried insulating film 12, and a semiconductor layer 16; and a semiconductor element structure formed on the SOI substrate.例文帳に追加

半導体装置1は、半導体基材11と埋め込み絶縁膜12と半導体層16とを有するSOI基板と、このSOI基板上に形成された半導体素子構造とを備える。 - 特許庁

An array substrate 10 has a first interlayer dielectric 4 and a second interlayer dielectric 7 having different etching ratios from each other so as to cover a switching element 30 having a semiconductor layer 1a.例文帳に追加

アレイ基板10は、半導体層1aを有するスイッチング素子30を覆うようにエッチング比率が互いに異なる第1層間絶縁膜4及び第2層間絶縁膜7が形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element sandwiches at least one layer of layers containing at least one kind of compound having a bisdibenzofuran skeleton between a pair of electrodes (for instance, one expressed by the formula (1)).例文帳に追加

一対の電極間に、ビスジベンゾフラン骨格を有する化合物(例えば、下記の式で示される)を少なくとも一種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。 - 特許庁

Further, by using the co-polymer composed of a monomer including a luminous molecule and a monomer including luminous molecule different from the above, the luminous element with good color purity and high efficiency is obtained as a luminous layer.例文帳に追加

さらに、発光層として発光性分子を含むモノマーと他の発光性の分子を含むモノマーからなるコポリマーを用いることにより、色純度の良い高効率な発光素子が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor light emitting element which can grow an InGaN well layer of sufficient crystal quality on a gallium nitride based semiconductor face with a comparatively small-off angle.例文帳に追加

比較的小さいオフ角の窒化ガリウム系半導体面へ良好な結晶品質のInGaN井戸層を成長可能な窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the lifting and peeling of a ferroelectric layer on the outer periphery edge of a semiconductor wafer in a semiconductor device comprising a ferroelectric capacitor for use in a nonvolatile memory element etc.例文帳に追加

不揮発性記憶素子等に用いられる強誘電体キャパシタを備えた半導体装置について、半導体ウェハの外周縁部上における強誘電体層の浮きや剥がれを防止すること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display apparatus and a liquid crystal projector having a wide viewing angle, high contrast and high picture quality by a polarizing element and an optically anisotropic layer that optically compensate with higher accuracy and prevent light leakage.例文帳に追加

より高い精度で光学的に補償し、光漏れを防止する偏光素子及び光学異方性層により高視野角、高コントラストで高画質な液晶表示装置及び液晶プロジェクタの提供。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element that has low contact resistance not only with a nitride semiconductor layer but with a pad electrode, and is tremendously excellent in adhesiveness and mechanical strength.例文帳に追加

窒化物半導体層との接触抵抗のみならずパッド電極との接触抵抗も低く、且つ密着性や機械的強度に極めて優れている窒化物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resistance memory element, provided with a resistive layer including a metal oxide and a metal ion dopant, which can be formed at low temperatures and has superior electrical properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低温形成が可能であり、かつ優秀な電気的特性を有する、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層を備えた抵抗メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technical means that constitutes a compound semiconductor element by utilizing a boron-containing IIIV compound semiconductor layer composed of a {110} crystal plane obtained stably over a wide temperature range.例文帳に追加

広い温度範囲において安定して得られる{110}結晶面からなる含硼素IIIV族化合物半導体層を利用して、化合物半導体素子を構成する技術手段を提供する。 - 特許庁

A wiring layer 11 having first and second wiring patterns 10a and 10b connected to the drain D1 and the source S1 is formed over an insulating film 7 covering the switching element tr1.例文帳に追加

スイッチング素子Tr1を覆う絶縁膜7上にはドレインD1及びソースS1に接続された第1及び第2配線パターン部10a,10bを有する配線層11が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of introducing impurities into an active layer at a low and stable concentration in order to form a semiconductor element having little variation in threshold voltage.例文帳に追加

ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

An organic electroluminescence element A is formed by laminating a plurality of light emitting layers 4 via a middle layer 3 including a metal or a metal oxide in the whole between an anode 1 and a cathode 2.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子Aは、陽極1と陰極2との間に複数の発光層4を、その全体に金属又は金属酸化物を含む中間層3を介して積層して構成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display element is characterized by forming the liquid crystal layer, by spreading the cholesteric liquid crystal containing the gelling agent at least on one substrate in the heated state.例文帳に追加

ゲル化剤を含有するコレステリック液晶を加熱した状態で少なくとも一方の基板上に広げて液晶層を形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 特許庁

例文

The coated layer 14 comprises carbide or carbon nitride containing one element belonging to the IV-B titanium group, the V-B vanadium group or the VI-B chromium group, and the film thickness is 0.1 to 20 μm.例文帳に追加

同被覆層(14)はIV−Bチタン族、V−Bバナジウム族、VI−Bクロム族のうちの一つの元素を含有する炭化物系又は炭窒化物系の化合物からなり、その膜厚は0.1〜20μmである。 - 特許庁




  
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