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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
The silver halide photographic element comprises a support bearing a cyan dye image forming unit which comprises a red-sensitive silver halide emulsion layer containing a cyan dye forming coupler, a magenta dye image forming unit which comprises a green-sensitive silver halide emulsion layer containing a magenta dye forming coupler, and a yellow dye image forming unit which comprises a blue-sensitive silver halide emulsion layer containing a yellow dye forming coupler.例文帳に追加
シアン色素形成カプラー含有赤感性ハロゲン化銀乳剤層を含むシアン色素画像形成ユニット、マゼンタ色素形成カプラー含有感緑性ハロゲン化銀乳剤層を含むマゼンタ色素画像形成ユニット、イエロー色素形成カプラー含有感青性ハロゲン化銀乳剤層を含むイエロー色素画像形成ユニットを載せた支持体を含むハロゲン化銀写真要素。 - 特許庁
This is a light-emitting element that has a luminous layer or a plurality of organic layers including the luminous layer, and contains in at least one layer of a compound that has a substituent, by which compounds of two kinds or more are capable of forming a covalent bond by chemical reaction respectively with the substituent of each other, and/or a product after the chemical reaction.例文帳に追加
発光層もしくは発光層を含む複数の有機層を有する発光素子であって、2種以上の化合物がそれぞれ互いの置換基と化学反応して共有結合を形成可能である置換基を有する化合物及び/又は該化学反応後の生成物を有機層の少なくとも一層に含有することを特徴とする発光素子及びその製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加
かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の0.1〜10%である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁
Related to a photoelectric conversion device wherein a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion element 11 and a switching thin-film transistor 12 are arrayed, a gate electrode 1021 of the switching thin- film transistor 12 is formed of a first conductive layer, while a gate wiring 1022 connected to the gate electrode 1021 is formed of a second conductive layer different from the first conductive layer.例文帳に追加
光電変換素子11とスイッチ薄膜トランジスタ12とを含んでなる画素が複数配列されている光電変換装置において、スイッチ薄膜トランジスタ12のゲート電極1021は第1の導電層により形成されており、ゲート電極1021に接続されたゲート配線1022は第1の導電層とは異なる第2の導電層により形成されている。 - 特許庁
The method of manufacturing the light receiving element with the reflective structure includes the processes of: forming the photoelectric conversion layer of the Si crystal on the substrate; and changing the part of the Si crystal forming the photoelectric conversion layer into the a-Si layer by laser irradiation using a short-pulse laser and forming the reflective structure composed of the multilayer film of a-Si/c-Si.例文帳に追加
また、反射構造を備えた光受光素子の製造方法を、 基板上にSi結晶による光電変換層を形成する工程と、 前記光電変換層を形成するSi結晶の一部を、短パルスレーザによるレーザ照射によってa−Si層に変質させ、a−Si/c−Siによる多層膜で形成された反射構造を形成する工程と、 を有する構成とする。 - 特許庁
The ferroelectric liquid ejection head I includes: a pressure generating chamber 12 that communicates with a nozzle opening 21; and the piezoelectric element 300 that is provided with a first electrode 60, a piezoelectric layer 70 formed on the first electrode, and a second electrode 80 formed on the piezoelectric layer, wherein the piezoelectric layer consists of a perovskite-type composite oxide that contains Bi, La, Fe, and Mn.例文帳に追加
ノズル開口21に連通する圧力発生室12と、第1電極60と、前記第1電極上に形成された圧電体層70と、前記圧電体層上に形成された第2電極80とを備えた圧電素子300と、を具備し、前記圧電体層は、Bi、La、Fe及びMnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドIとする。 - 特許庁
A process of measuring the chromaticity of light irradiated from a light emitting apparatus having a light emitting element and a phosphor layer, and a process of irradiating laser light with a predetermined wavelength to the phosphor layer to deactivate a part of the phosphor without changing the shape of the phosphor layer and to shift the chromaticity when the chromaticity measured by the chromaticity measuring process is out of a range that is preliminarily defined are executed.例文帳に追加
発光素子と蛍光体層とを備える発光装置から発せられる光の色度を測定する工程と、色度測定工程で測定した色度が、予め定めた範囲から外れている場合、所定波長のレーザー光を蛍光体層に照射し、蛍光体層の形状を変化させることなく蛍光体の一部を失活させ、色度をシフトさせる工程とを行う。 - 特許庁
The organic light emitting element includes a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating film 3 formed on the gate electrode 2, a first electrode (source electrode 4) formed on the gate insulating film 3, an organic compound layer 6 of at least one layer formed on the first electrode, and a second electrode (drain electrode 8) formed on the organic compound layer 6.例文帳に追加
基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に形成された第1電極(ソース電極4)と、第1の電極上に形成された少なくとも1層の有機化合物層6と、有機化合物層6上に形成された第2電極(ドレイン電極8)とを有するものである。 - 特許庁
This organic photoelectric conversion element has a first electrode, a second electrode, and an active layer located between the first electrode and the second electrode, wherein the active layer includes a conjugate polymer compound, and the first electrode is provided by a process of bringing a coupling agent into contact with at least a surface of the electrode on the active layer side, and thereafter applying a lyophilic treatment to the surface.例文帳に追加
第1の電極と、第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有し、該活性層が共役高分子化合物を含み、該第1の電極が、電極の少なくとも該活性層側の表面にカップリング剤を接触させた後、該表面に親液化処理を施す工程により得られる有機光電変換素子。 - 特許庁
The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71 provided to contact the pixel electrode 35 between the liquid crystal layer 28 and the pixel electrode 35, a second alignment film 83, and a dielectric layer 84 provided between the second alignment film 83 and the counter electrode 82 and made of silicon oxide.例文帳に追加
本発明の液晶装置は、画素電極35と、スイッチング素子34と、対向電極82と、液晶層28と、液晶層28と画素電極35との間に、画素電極35と当接して設けられた第1配向膜71と、第2配向膜83と、第2配向膜83と対向電極82との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層84と、を備える。 - 特許庁
The film 10 for semiconductors has functions for stacking a semiconductor wafer 7 on an upper surface of an adhesive layer 3, for supporting the semiconductor wafer 7 when dividing the semiconductor wafer 7 into individual pieces by dicing, and for selectively separating a first adhesive layer 1 from the adhesive layer 3 when picking up the divided semiconductor wafer 7 (semiconductor element 71).例文帳に追加
半導体用フィルム10は、接着層3の上面に半導体ウエハー7を積層させ、半導体ウエハー7をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー7を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー7(半導体素子71)をピックアップする際に、第1粘着層1と接着層3との間が選択的に剥離する機能を有するものである。 - 特許庁
To provide a liquid crystal-aligning agent which allows the formation of a liquid crystal alignment layer maintaining good liquid crystal-aligning performance and electric characteristics even when continuously driven for a long period of time, having superior weatherability and suppressing an increase in the residual DC voltage; and to provide a liquid crystal alignment layer, a liquid crystal display element having a liquid crystal alignment layer, a compound, and a method for producing the compound.例文帳に追加
長時間連続駆動をした場合であっても良好な液晶配向性能及び電気特性が維持されると共に、優れた耐候性を有し、残留DC電圧の増大が抑制された液晶配向膜を形成可能な液晶配向剤、液晶配向膜、液晶配向膜を備える液晶表示素子、化合物及び化合物の製造方法の提供。 - 特許庁
In a surface light emitting type EL element comprising a plurality of layers including a light emitting layer 14 which, laminated between a pair of electrodes 11 and 16, produces emitted light upon application of an electric field of electrodes 11 and 16, a plurality of first fine particles 21 and a plurality of second fine particles 22 are distributed in film form across the light emitting layer 14 on one and the other sides of the light emitting layer 14, respectively.例文帳に追加
1対の電極11、16間に積層された、電極11、16の電界の印加により発光光を生じる発光層14を含む複数の層を有する面発光型のEL素子において、発光層14を挟み、発光層14の一方の面側および他方の面側に第1の微粒子21および第2の微粒子22をそれぞれ膜状に複数分散配置する。 - 特許庁
The organic electroluminescence element containing a layer of or not less than two layers of organic polymer layers sandwiched between positive and negative electrodes contains a polymer (A) containing a structure unit derived from an iridium complex expressed by general formula 1, or the like and specific organic silicon compound (B) in at least one layer in the organic polymer layer.例文帳に追加
陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層に(A)下記一般式(1)などで表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体、及び(B)特定の有機ケイ素化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
A piezoelectric element according to the present invention includes: a first electrode; a piezoelectric-body layer formed on the first electrode and having a film thickness of 3 μm or less; and a second electrode formed on the piezoelectric-body layer, wherein the piezoelectric-body layer includes barium titanate zirconate as a main ingredient, with a molar ratio X of barium to a sum of titanium and zirconium being 1.15≤X≤1.3.例文帳に追加
本発明に係る圧電素子は、第1電極と、前記第1電極の上に形成され、膜厚が3μm以下の圧電体層と、前記圧電体層の上に形成された第2電極と、を含む圧電素子であって、前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸バリウムを主成分とし、チタンおよびジルコニウムの和に対するバリウムのモル比Xが、1.15≦X≦1.3である。 - 特許庁
In the magnetic recording medium with a recording film comprising at least one magnetic layer formed on the substrate by way of an under layer, the at least one magnetic layer comprises a cobalt-base alloy containing chromium and germanium as additive elements and further containing boron or phosphorus as a 3rd additive element.例文帳に追加
基板上に下地層を介して形成された少なくとも一層の磁性層で構成される記録膜を有する磁気記録媒体において、前記記録膜を構成する磁性層の少なくとも一層が、コバルトを主成分とする合金からなり、かつ、添加元素としてクロムとゲルマニウムを含有し、更に、第3の添加元素として硼素あるいは燐を含有する磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁
An organic semiconductor element is provided, which is characterized by the fact that it is equipped with a substrate, an organic semiconductor layer formed of photosensitive organic semiconductor material and provided on the substrate, and an organic semiconductor transistor equipped with a passivation layer formed on the organic semiconductor layer and provided with resin material and light shielding material.例文帳に追加
本発明は、基板と、上記基板上に形成され、感光性有機半導体材料からなる有機半導体層および上記有機半導体層上に形成され、樹脂材料と、遮光性材料とを有するパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有することを特徴とする、有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決するものである。 - 特許庁
The sliding member is characterized by having a substrate, a gradient layer having at least one element selected from silicon, tungsten, chromium and titanium, and carbon and formed on the surface of the substrate in such a state that the content ratio of the carbon is reduced as it advances from the surface to the substrate direction in the thickness direction and the DLC layer formed on the surface of the gradient layer.例文帳に追加
本発明の摺動部材は、基材と、ケイ素、タングステン、クロムおよびチタンより選ばれる少なくとも一種の元素と、炭素と、を有し、厚さ方向を表面から基材方向に進むにつれて炭素の含有割合が減少した状態で基材の表面に形成された傾斜層と、傾斜層の表面に形成されたダイヤモンドライクカーボン層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
An ultrasonic transducer 10 comprises: a photosensitive film 11 provided with an opening 111 and having photosensitivity; a support film 12 for closing the opening 111 of the photosensitive film 11; and a piezoelectric element 20 provided on a membrane 121 of the support film 12, which closes the opening 111, and constituted by laminating a lower electrode layer 21, a piezoelectric layer 22, and an upper electrode layer 23.例文帳に追加
超音波トランスデューサー10は、開口部111が設けられ、感光性を有する感光性フィルム11と、感光性フィルム11の開口部111を閉塞する支持膜12と、支持膜12のうち開口部111を閉塞するメンブレン121に設けられ、下部電極層21、圧電層22、及び上部電極層23が積層されて構成される圧電素子20と、を具備した。 - 特許庁
The superconducting element includes a conductive member made of conductive material, a coating layer covering the surface thereof and made of insulating material, and many fine nanowires buried in the coating layer and made of superconductive material, the nanowires each having one end electrically connected to the conductive member and the other end buried in the coating layer.例文帳に追加
本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加
基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁
The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加
基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともInとBとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率B/(In+B)は0.05以上0.29以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁
The organic electroluminescence element includes a base board 1 on which at least an anode 2 to inject holes, a light emitting layer 4 having a light emission region, and a cathode to inject electrons are provided, wherein the area of the light emission part including the light emitting layer is formed greater than the area of an opening to take out the light from the light emitting layer.例文帳に追加
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板1上に、少なくとも正孔を注入する陽極2と、発光領域を有する発光層4と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層を含む発光部の面積は、前記発光層からの光を取り出す開口部の面積よりも大きく形成されている構成よりなる。 - 特許庁
A fluoro-elastomer is used as a material for a sealing layer, in a thin-filmlike organic EL structure having two electrode layers of which at least one is transparent, and having an organic EL layer sandwiched by the electrode layers, and in an organic EL element having the sealing layer for coating one face or both faces of an outer surface of the organic EL structure.例文帳に追加
少なくとも一方が透明な2つの電極層とそれらの電極層で狭持された有機EL層とを有する薄膜状の有機EL構造体、および有機EL構造体の外表面の片面または両面を覆う封止層とを有する有機EL素子において、封止層の材料が含フッ素エラストマーからなることを特徴とする有機EL素子。 - 特許庁
This magnetoresistance effect element comprises three or more metal magnetic layers, two or more connection layers provided between the three or more metal magnetic layers wherein the connection layer includes an insulating layer and current narrowing portions formed of a metal magnetic material penetrating this insulating layer, and electrodes for passing a current through the metal magnetic layers and the connection layers in the direction perpendicular to their surfaces.例文帳に追加
3層以上の金属磁性層と、前記3層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む2層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。 - 特許庁
In the organic electroluminescence element 11 that clamps an organic layer 14, having a luminous layer 14c between a positive electrode 13 and a negative electrode 15, and emits a red color, the luminous layer 14c contains a pyrromethene complex as a red radiative guest material, and a polycyclic aromatic series hydrocarbon compound having 4-7 membered rings for a mother skeleton as a host material.例文帳に追加
陽極13と陰極15との間に発光層14cを備えた有機層14を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子11において、発光層14cは、赤色の発光性ゲスト材料としてピロメテン錯体を含有すると共に、ホスト材料として母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物を含有している。 - 特許庁
In a release film obtained by providing a silicone release layer to at least the single surface of a polyester film, the center line average roughness (Ra) of the surface of the silicone release layer is 0.4 μm or less and the silicone transfer amt. of the silicone release layer measured by ESCA is set to 5 atom % or less as a silicon element.例文帳に追加
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、シリコーン離形層を設けた離形フィルムであって、該シリコーン離形層表面の中心線平均粗さ(Ra)が0.4μm以下であり、かつシリコーン離形層のシリコーン移行量が、ESCAで測定してケイ素元素として5atom%以下であることを特徴とする固体電解質キャスティング用離形フィルム。 - 特許庁
The outer connection electrode 2 of a semiconductor element are formed on an electrode forming surface, and the electrode forming surface mounted with the electrodes 2 is sealed up with resin in a semiconductor device manufacturing method, where a resin layer 3 is formed on the electrode forming surface, and through-holes 3a penetrating the layer 3 are provided to the resin layer 3 by a laser beam radiation corresponding to the electrodes 2.例文帳に追加
半導体素子の外部接続用の電極2が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、電極形成面上に樹脂膜を貼付して樹脂層3を形成し、この樹脂層3にレーザ照射により電極2の位置に対応して樹脂層3を貫通する貫通孔3aを形成する。 - 特許庁
The laminated film is constituted by laminating a reinforcing layer, which contains inorganic particles and a metal oxide including at least one metal element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, In, Sn and Zn and/or a derivative thereof, on at least the single surface of a base layer film and 0.5-20 wt.% of polyethylene glycol is added to the reinforcing layer.例文帳に追加
基層フィルムの少なくとも片面に、無機粒子と、Si、Al、Zr、Ti、In、SnおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む金属酸化物および/またはその誘導体とを含有する補強層が積層されてなり、かつこの補強層にポリエチレングリコールが0.5〜20重量%含まれている積層フィルムとする。 - 特許庁
This multilayer analysis element for liquid specimen analysis is a multilayer analysis material for liquid specimen analysis made by layering/unifying at least one functional layer and at least one granular structure developing layer in this order on one side of a water-impermeable and light-transmissive planar support body and is characterized in that the functional layer has a film swelling property of a water swelling rate of 300% or less.例文帳に追加
水不透過性光透過性平面支持体の片面上に、少なくとも1つの機能層と少なくとも1つの粒状構造物展開層がこの順に積層一体化された液体試料分析用多層分析材料において、該機能層が水膨潤率300%以下の膜膨潤性であることを特徴とする液体試料分析用多層分析要素。 - 特許庁
To provide an organic EL element including an organic light emitting medium layer with uniform buffer layer having no thickness variation, and to improve reliability by using a buffer layer having superior durability and high stability.例文帳に追加
透明電極102と対向電極104の間に少なくともバッファ層103aと高分子化合物よりなる有機発光層103bを含む有機発光媒体層を備えた有機EL素子において、膜厚ムラのない均一なバッファ層103aを得、さらには、耐性の良い安定性の高いバッファ層103aを用いることで信頼性の高い高分子有機EL素子を得る。 - 特許庁
The display element has an electrolyte layer containing silver or a compound containing silver in its chemical structure and a porous white scattering layer between opposing electrodes and is operated to drive the opposing electrodes to induce dissolution precipitation of silver, wherein the porous white scattering layer contains a binder having a conductivity of ≥0.01 S/cm.例文帳に追加
対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層、及び多孔質白色散乱層を含有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子において、該多孔質白色散乱層が、導電率が0.01S/cm以上のバインダーを含有していることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
To provide a treatment method in which when valence electrons in a first compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a defect remaining/generated inside an injection layer is compensated/generation- suppressed by adding a process in which a second compound semiconductor layer is laminated on a first compound semiconductor layer irradiated with the particles.例文帳に追加
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって第1の化合物半導体の価電子制御を行なう際、注入層内に残留/生成される欠陥を前記粒子照射された第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体層を積層する工程を付加することで補償/生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁
In the polymer-dispersed liquid crystal display element 10 formed by providing polymer-dispersed liquid crystal layer 5 between a pair of substrates 1 and 2 having inside a pair of electrodes 3 and 4 at least one of which is a transparent electrode, the polymer-dispersed liquid crystal layer 5 has a layer 5a showing intense backscattering properties at a part near at least one substrate 1(2).例文帳に追加
少なくとも一方が透明電極である一対の電極2,3を内側に有する一対の基板1,2の間に高分子分散型液晶層5を設けた高分子分散型液晶表示素子10において、高分子分散型液晶層5が、それらの少なくとも一方の基板1(2)の近傍部分に強い後方散乱を示す層5aを有する。 - 特許庁
In a substrate for a solar battery, the square average value Ra of roughness height on a surface coming into contact with a photoelectric conversion layer is ≤70 nm, especially an active layer of at least one photoelectric conversion element consists of non-monocrystal silicon or non-monocrystal silicon alloy and the photoelectric conversion layer is formed by laminating a plurality of unit cells.例文帳に追加
光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Raが70nm以下である太陽電池用基板、特にそのうち、少なくとも1つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であるとか、光電変換層が単位セルを複数個積層して形成された太陽電池用基板などを提供する。 - 特許庁
A dicing tape 30 wherein an adhesive layer 30b deteriorated by ultraviolet irradiation is provided on one surface is stuck to the second surface of a semiconductor wafer 1 wherein no circuit element is formed, and then a mask 31 is used to conduct ultraviolet irradiation so that the adhesive layer corresponding to the scribe area 8 of the semiconductor wafer 1 is deteriorated by an ultraviolet ray to make a reformed adhesive layer.例文帳に追加
回路素子が形成されない半導体ウエハ1の第2の面に、紫外線照射によって劣化する接着剤層30bを一面に有するダイシングテープ30を貼り付けた後、マスク31を使用して紫外線照射を行って、半導体ウエハ1のスクライブ領域8に対応する接着剤層部分を紫外線によって劣化させて変質した接着剤層部分とする。 - 特許庁
The ammonia concentration measuring sensor element 11 includes a detection electrode which includes a solid electrolyte substrate 12 comprising an ion conductive solid electrolyte, the Au layer 16 formed on the solid electrolyte substrate 12 and a porous oxide layer 13 covered with the Au layer 16, the Pt reference electrode coming into contact with the solid electrolyte and a temperature regulating part for regulating the temperature of the solid electrolyte.例文帳に追加
イオン伝導性固体電解質からなる固体電解質基板12と、固体電解質基板12上に設けられたAu層16と、Au層16を被覆した多孔質酸化物層13と、を含む検知極と、前記固体電解質基板に接するPt参照極と、前記固体電解質の温度調節をする温度調節部と、を含むアンモニア濃度測定用センサ素子11である。 - 特許庁
Alternatively, the element 5 is provided with a semiconductor multilayer structure including a light emitting layer 18 for emitting a light, and a nitride aluminum layer 12 provided on the surface of the semiconductor multilayer structure, wherein an unevenness consisting of a plurality of convex portions including the layer 12 and a plurality of concave portions entering into the inside of the semiconductor multilayer structure is formed.例文帳に追加
または、光を放出する発光層18を含む半導体多層構造と、前記半導体多層構造の表面に設けられた窒化アルミニウム層12と、を備え、前記窒化アルミニウム層12を含む複数の凸部と、前記半導体多層構造の内部に侵入した複数の凹部と、からなる凹凸が形成されたことを特徴とする半導体発光素子5を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method of the photoelectric conversion element of a dye-sensitized type, made up of an electrode layer, a semiconductor electrode sequentially formed of semiconductor layers each carrying dyes, and an electrolyte layer on a substrate, the dyes are aromatic amine compounds, and carried on the semiconductor layer and formed at 40°C or more and 100°C or less.例文帳に追加
基体上に電極層、色素を担持してなる半導体層を順次設けて形成される半導体電極、及び電解質層を設けてなる色素増感型の光電変換素子の製造方法において、前記色素が芳香族アミン化合物であり、前記色素を40℃以上100℃以下で半導体層に担持して形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 特許庁
Each of the plurality of pixels has a transmission region T of performing a transmission mode display by using light from the illumination element 10 and a reflection region R of performing a reflection mode display by using light from the observer side, and the liquid crystal display panel 20 has a first light diffusion layer 31 and a second light diffusion layer 32 which are disposed on the observer side than a liquid crystal layer 23.例文帳に追加
複数の画素のそれぞれは、照明素子10からの光を用いて透過モードの表示を行う透過領域Tと、観察者側からの光を用いて反射モードの表示を行う反射領域Rとを有し、液晶表示パネル20は、液晶層23よりも観察者側に設けられた第1の光拡散層31および第2の光拡散層32を有する。 - 特許庁
A polymer layer 14 which is present in contact with the top of a transparent pixel electrode controlled by a TFT 13 as a driving element and has electric activity and discolors through electrochemical oxidation or reduction and a high polymer solid electrolyte layer 15 which is in contact with the polymer layer 14 and contains a coloring agent are interposed between the transparent pixel electrode 12 and a common electrode 16.例文帳に追加
駆動素子であるTFT13によって制御される透明画素電極12と、共通電極16の間に、透明画素電極上に接触して存在し電気活性を有し且つ電気化学的な酸化もしくは還元により変色するポリマー層14と、このポリマー層14と接触し着色剤を含有した高分子固体電解質層15とを介在させる。 - 特許庁
The nonvolatile memory cell is built by using a variable resistance element which is composed of a variable resistance layer 11 changing its resistance by the applied voltage and a first electrode 104 and a second electrode 102 sandwiching the variable resistance layer 11; and a capacitor 12 which has an insulator layer 105 between the first electrode 104 or the second electrode 102 and the third electrode 106.例文帳に追加
印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層11と、抵抗変化層11を挟む第1の電極104および第2の電極102と、を備える抵抗変化型素子と、第1の電極104または第2の電極102が第3の電極106の間に絶縁膜105を備えるキャパシタ12から形成される不揮発性メモリセルである。 - 特許庁
The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板11に形成された半導体領域12と、半導体領域12を他の領域から分離する素子分離領域13と、半導体領域12の上部に形成され、半導体領域12との界面においてPN接合を形成する拡散層14と、拡散層14の上部に形成されたシリサイド層15とを備えている。 - 特許庁
The electron emitting element is manufactured through a first process forming a cathode electrode and an emitter layer 4 on a cathode substrate 1, a second process forming an insulation layer, a gate electrode, and gate holes 12 on a supporting substrate 5 different from the cathode substrate 1, and a third process sticking the supporting substrate 5 on the cathode substrate 1 in a state of positioning the gate holes 12 on the emitter layer 4.例文帳に追加
カソード基板1上にカソード電極及びエミッタ層4を形成する第1の工程と、カソード基板1と異なる支持基板5上に絶縁層、ゲート電極及びゲートホール12を形成する第2の工程と、エミッタ層4上にゲートホール12を位置合わせした状態でカソード基板1と支持基板5とを貼り合わせる第3の工程とによって電子放出素子を製造する。 - 特許庁
In this optical sensor element 1a, wherein a gate electrode 13 is stacked on a semiconductor layer 17 formed of an oxide semiconductor via a gate insulating film 15, and a source electrode 19s and a drain electrode 19d are connected to the semiconductor layer 17, the light reception quantity in the semiconductor layer 17 is read as a drain current value which has changed in a nonvolatile manner with respect to a gate voltage.例文帳に追加
酸化物半導体からなる半導体層17に対してゲート絶縁膜15を介してゲート電極13が積層され、当該半導体層17にソース電極19sおよびドレイン電極19dが接続された光センサー素子1aにおいて、半導体層17での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。 - 特許庁
Since the lower portion of the tubular pressurization chamber 2 is made planar by the surface of a base plate 1, a plurality of tubular pressurization chambers 2 can be made collectively with high density by forming a columnar shape on the base plate 1 by photolithography technology, forming a metal layer 4 and an underlying layer 5 thereon, and forming the piezoelectric element layer 7 further thereon by vacuum deposition.例文帳に追加
筒状加圧室2の下部は、ベースプレート1の表面による平面部となっているため、ベースプレート1上にフォトリソグラフィー技術によって柱状型を形成し、その上に金属層4や下地層5を積層し、さらに圧電素子層7を真空成膜等によって積層することによって、複数の筒状加圧室2を高密度に一括して製作することができる。 - 特許庁
In the manufacturing method of EL element comprising at least a first electrode, an EL layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the EL layer, at least a part of the above EL layer is formed by an electric field jet method in which an electrode is provided at the opening of the paint or in the vicinity of the opening and electric voltage is impressed to the electrode and the paint is applied.例文帳に追加
少なくとも、第1電極と、該第1電極上に形成されたEL層と、該EL層上に形成された第2電極とからなるEL素子の製造方法であって、前記EL層の少なくとも一部を、塗布液の吐出口またはその近傍に電極を設け、該電極に電圧を印加し、その塗布液を吐出する方法である電界ジェット法を用いて形成する。 - 特許庁
The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加
薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極104を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域102と画素電極104とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はIn,Ga,Znから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁
In the organic electroluminescence element 11 that clamps an organic layer 14, having a luminous layer 14c between a positive electrode 13 and a negative electrode 15, and emits a red color, the luminous layer 14c contains a diletopyrrolopyrrole derivative as a red radiative guest material, and a polycyclic aromatic series hydrocarbon compound having 4-7 membered rings for a mother skeleton as a host material.例文帳に追加
陽極13と陰極15との間に発光層14cを備えた有機層14を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子11において、発光層14cは、赤色の発光性ゲスト材料としてジケトピロロピロール誘導体を含有すると共に、ホスト材料として母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物を含有している。 - 特許庁
In the organic electroluminescence element 11 that clamps an organic layer 14, having a luminous layer 14c between a positive electrode 13 and a negative electrode 15, and emits a red color, the luminous layer 14c contains a styril derivative as a red radiative guest material, and a polycyclic aromatic series hydrocarbon compound having 4-7 membered rings for a mother skeleton as a host material.例文帳に追加
陽極13と陰極15との間に発光層14cを備えた有機層14を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子11において、発光層14cは、赤色の発光性ゲスト材料としてスチリル誘導体を含有すると共に、ホスト材料として母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物を含有している。 - 特許庁
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