「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(281ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic photoelectric conversion element (bulk heterojunction-type organic solar cell), having a charge transport layer which has superior block capability, in a low-temperature film forming process, with respect to the recombination of electronsdes generated by light absorption and holes (charge carriers) and having improved energy conversion rate, and to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

光吸収によって発生した電子と正孔（電荷キャリア）の再結合に対し低温製膜プロセスで優れたブロック能を有する電荷輸送層を備え、エネルギー変換効率を向上させた有機光電変換素子（バルクヘテロジャンクション型の有機太陽電池）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a circuit board 7 is stuck to a warp controlling restraint body 5 via an adhesive layer of a double-sided adhesive sheet 6, the semiconductor element 1 is subjected to flip-chip mounting on the circuit board 7, the space between the circuit board 7 and the semiconductor element 1 is filled up with thermosetting sealing resin 9 and the sealing resin 9 is set.例文帳に追加

回路基板７を両面接着シート６の接着層を介して反り抑制拘束体５に貼り付けた後、半導体素子１を回路基板７にフリップチップ実装し、回路基板７と半導体素子１との間隙に熱硬化性の封止樹脂９を充填し、封止樹脂９を硬化させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a film without mixing with an adjacent layer, apply the manufacturing method to manufacturing of an electronic device and an organic electroluminescent element, obtain the organic electroluminescent element superior in a light-emitting efficiency and a light-emitting lifetime by that, and furthermore, apply this to a display device and an illumination device.例文帳に追加

隣接層との混じり合いのない膜の製造方法を提供することであり、更には該製造方法を電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適用し、それによって発光効率、発光寿命に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子を得、更にこれを表示装置及び照明装置に適用すること。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

To maximize light-emitting efficiency by effectively converging light that is lost toward an undesired direction and to remarkably improve ESD characteristics by protecting an element by an electrically insulating layer formed to side surfaces of the element.例文帳に追加

本発明は窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、本発明による発光素子は望まぬ方向に向かって消失される光を効果的に集束させ、発光効率を極大化させるばかりでなく、素子の側面にまで形成された電気的絶縁層により保護されるのでESD特性を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

In the light emitting element, an insulating layer serving as a partition wall has a protruded part, and the protruded part is embedded in the resin film, whereby the light emitting element can be thinned and highly reliable.例文帳に追加

可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、を有し、発光素子において隔壁として機能する絶縁層が凸状部有し、樹脂膜がその凸状部を埋没することで、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができる。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element radiating blue light, and a phosphor layer containing phosphor being excited by blue light radiated from the light emitting element to emit light having peaks at wavelengths 510-530 nm, 620-650 nm and 550±5 nm, respectively.例文帳に追加

本発明の発光装置は、青色光を放射する発光素子と；前記発光素子から放射される青色光により励起されて、波長５１０〜５３０ｎｍ、波長６２０〜６５０ｎｍおよび波長５５０±５ｎｍにそれぞれピークを有する光を発光する蛍光体を含有する蛍光体層と；を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The writing device 2 is equipped with: a light irradiating means 18 that imagewisely irradiates the optical modulation element 1 with light; and a voltage applying means 17 that, following the light irradiation by the light irradiating means 18, applies a driving voltage to set a phase state of the display layer 7 to the pair of electrode layers 5, 6 of the optical modulation element 1.例文帳に追加

光変調素子１に、像様に光を照射する光照射手段１８と、光照射手段１８による光照射に続いて、光変調素子１の一対の電極層５，６に、表示層７の相状態を設定する駆動電圧を印加する電圧印加手段１７と、を備える書き込み装置２。 - 特許庁

In the cloud chamber for observing tracks of charged particles, a supersaturated layer of ethanol vapor by an ethanol vapor generation means 10 is formed in the observation vessel 2 having the electronic cooling element 31 arranged on the bottom part, and the area of the bottom part of the observation vessel 2 is set to 2.2 times or less of a cooling area of the electronic cooling element 31.例文帳に追加

底部に電子冷却素子３１を配した観察槽２内にエタノール蒸気発生手段１０によるエタノール蒸気の過飽和層を形成して、荷電粒子の飛跡を観察する霧箱において、観察槽２底部の面積を電子冷却素子３１の冷却面積の２．２倍以下にする。 - 特許庁

A photocurable adhesive layer 4 is formed at a bonding region La formed in the peripheral edge of the metallic sealing member 3 so as to form a sealing space M to cover the spontaneous light-emitting element part 2 on a transparent supporting substrate in which the selfluminous light emitting element part 2 has been formed, and the supporting substrate 1 and the sealing member 3 are pasted together.例文帳に追加

自発光素子部２が形成された透明な支持基板上に自発光素子部２を覆う封止空間Ｍを形成するように、金属製の封止部材３の周縁に形成される接着領域Ｌａに光硬化性の接着剤層４を形成して、支持基板１と封止部材３とを貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a high purity W silicide material for obtaining a high reliability semiconductor element by employing a film composed of a high melting point metal, an alloy of high melting point metal, a silicide of high melting point metal, or a nitride of Ti, Ta, W silicide, or Ti-W alloy in a contact barrier layer, a gate electrode or the like thereby suppressing leak current of a semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

When each element 1a of the wafer 1 is an element substrate of a liquid discharging head having a nozzle layer 2 on the surface side and an ink feeding opening 3 on the rear surface side, an occurrence of an adhesive grain or the like from a dicing tape 10 on which the wafer 1 is mounted into the ink feeding opening 3 incurs a defective discharge such as an orifice clogging.例文帳に追加

ウエハ１の各素子部１ａが、表面側にノズル層２、裏面側にインク供給口３を有する液体吐出ヘッドの素子基板である場合に、ウエハ１をマウントしたダイシングテープ１０からインク供給口３内に粘着粒子等が発生すると、オリフィス詰り等の吐出不良を招く。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, controls it precisely with good reproducibility, and enhances photoelectric conversion efficiency, and is lightweight, superior in insulation and flexible; and to provide a thin film solar cell, and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保するとともに、精密かつ再現性良く制御することができ、光変換効率を高めることができ、軽量で、絶縁性に優れ、かつフレキシブルな光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor component superior in quality, by suppressing the occurrence of burrs in a layer containing Cu or Ag of a semiconductor element, in a bonded structure bonding the semiconductor element with an electrode by a bonding material which is composed mainly of Bi for solving conventional problems.例文帳に追加

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, controls it precisely with good reproducibility, and enhances conversion efficiency, and is lightweight, superior in insulation and flexible; and to provide a thin film solar cell, and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保するとともに、精密かつ再現性良く制御することができ、変換効率を高めることができ、軽量で、絶縁性に優れ、かつフレキシブルな光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser element is an oxidized constriction type surface emitting semiconductor laser element including, on a GaAs substrate 12, a pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors and an active layer positioned between the pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors, and emitting laser light in a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material.例文帳に追加

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device, a first element isolation insulating layer in a memory cell region is configured by embedding a first oxide film in a first element isolation groove in the memory cell region, and the top surface of the first oxide film exists between the top surface of a semiconductor substrate and the top surface of a first gate electrode.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル領域の第１素子分離絶縁層が当該メモリセル領域の第１素子分離溝内に第１の酸化膜を埋め込んで構成され、第１の酸化膜の上面が半導体基板の上面と第１ゲート電極の上面との間に存在するように構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with fuse wiring for element separation for separating a defective element, an etching stop film (insulating film) 180 capable of securing a selection ratio in respect to a metal wiring insulating film 120 is provided on the upper surface of the metal wiring insulating film 120 provided on the upper layer of metal wiring 110 for fuse.例文帳に追加

不良素子を分離するための素子分離用ヒューズ配線を設けた半導体装置で、ヒューズ用金属配線１１０の上層に設けられる金属配線間絶縁膜１２０の上面に、金属配線間絶縁膜１２０に対して選択比を確保できるエッチング停止膜（絶縁膜）１８０を設ける。 - 特許庁

This dielectric porcelain comprises a main crystal particle 31 comprising a perovskite type composite oxide containing Ba and Ti as metal elements but not containing Si, a composite oxide layer 33, formed on the outer surface of the main crystal particle 31, containing a rare earth element, an alkaline earth element, and Si, and an grain boundary phase 35.例文帳に追加

金属元素として、Ｂａ、Ｔｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなり、Ｓｉを含有しない主結晶粒子３１と、該主結晶粒子３１の外面に形成され、希土類元素、アルカリ土類元素、及びＳｉを含有する複合酸化物層３３と、粒界相３５とからなることを特徴とする。 - 特許庁

In a magnetic sensor employing a Faraday effect of a Faraday rotation element, the Faraday rotation element is configured such that a magnetic body layer having a large Verdet constant and small magnetostriction is formed on both sides of a thin light transmissive member so as to have a thickness that is less than or equal to spontaneous magnetization and allows light to transmit therethrough.例文帳に追加

ファラデー回転素子が有するファラデー効果を用いた磁気センサにおいて、 前記ファラデー回転素子は、薄い光透過部材の両面に、ベルデ定数が大きくて磁歪が小さな磁性体層が、自発磁化以下の厚さで光が透過できる厚さに形成されていることを特徴とするもの。 - 特許庁

The transparent antenna is formed from: a radiation element 3 including a plurality of linear conductors 2 arrayed in parallel; a pair of visible light transmissive insulator films 4, 4 with the radiation element held therebetween; and a resin film 5 that is formed in an outer layer of one insulator film 4, is softened by heat and includes adhesiveness.例文帳に追加

並列配列された複数本の線状導体２からなる放射素子３と、その放射素子を挟み込む一対の可視光透過性の絶縁体フィルム４，４と、一方の絶縁体フィルム４の外層に形成され、熱によって軟化し、かつ接着性を有する樹脂膜５とで形成されたものである。 - 特許庁

To provide an optical element of high quality, in which film thickness distribution of a liquid crystal layer does not become uneven by shock applied during a manufacturing process and during assembly to a liquid crystal display device and display quality can be kept high even if the element is used by incorporating it to the liquid crystal display device.例文帳に追加

その製造過程中や液晶表示装置への組み付け中に加えられる衝撃によって液晶層の膜厚分布が不均一になることがなく、液晶表示装置に組み込まれて用いられた場合でもその表示品位を高く保つことができる、高品質の光学素子を提供する。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

In the light-emitting device, it is not necessary to form a diffraction grating in the organic EL element 3 in the process of forming the organic EL device, and a diffraction grating 6b formed with the diffraction grating 6b is formed separately from the organic EL element 3, and this diffraction grating 6b is only adhered closely to an upper face of a protection layer 4.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１を構造する過程で有機ＥＬ素子３内に回折格子を形成する必要がなく、回折格子６ｂが形成された回折格子フィルム６を有機ＥＬ素子３とは別個に作成し、この回折格子６ｂを保護層４の上面４ａに密接させれば済むことになる。 - 特許庁

After inserting the element of the resin layer 15, the element of the FRP body 16 and a balloon 40 into the recessed part 20, the iron type golf club head 10 is mounted on a die for molding, and it is molded by supplying a gas such as air into the balloon 40 through an air port 41 inserted to an opening 17.例文帳に追加

樹脂層１５の素体及びＦＲＰ体１６の素体並びにバルーン４０を凹所２０内に挿入した後、アイアン型ゴルフクラブヘッド１０を成形用の金型に装着し、開口１７に挿通された空気口４１を通して空気等の気体をバルーン４０内に供給して成形する。 - 特許庁

A display device 11 uses a display element 11A, which has first and second transparent substrates 11a and 11b across an optical modulating layer 11g and also has first and second element side electrode groups 11e and 11f arranged so as to form columns on a surface of the first transparent substrate, extending beyond the second transparent substrate.例文帳に追加

表示装置１１は、光変調層１１ｇを挟む第１および第２の透明基板１１ａ，１１ｂを有し、第１の透明基板のうち第２の透明基板よりも延びた面上に、第１および第２の素子側電極群１１ｅ，１１ｆが列をなすように配置された表示素子１１Ａを用いる。 - 特許庁

A light emitting element 4 and a light receiving element 5 are mounted on the upper surface of an insulating substrate 1, sealing resin 14 is applied to cover both elements 4 and 5 and a reflective layer 15 formed by depositing, plating or transferring a metal, e.g. Al or Ag, is provided on the planar upper surface 14a thereof.例文帳に追加

絶縁性基板１の上面に発光素子４と受光素子５を実装し、両素子４、５を覆うように、封止樹脂１４で封止し、その上面１４ａの平坦面に、ＡｌまたはＡｇ等の金属を蒸着法またはメッキ法、または転写法により形成した反射層１５を設ける。 - 特許庁

Both lead frames 9, 90 are provided substantially horizontally below a capacitor element 2, and the negative electrode side frame 9 is connected with the negative electrode layer 3 on a lower surface of the capacitor element 2, and further the positive electrode lead 22 extends slantingly downwardly with respect to the positive electrode side lead frame 90 and makes contact with the positive electrode side lead frame 90.例文帳に追加

両リードフレーム９、９０は、コンデンサ素子２の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム９は、コンデンサ素子２の下面にて陰極層３に繋がっており、陽極リード２２は、陽極側リードフレーム９０に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム９０に接している。 - 特許庁

Thereby, ions included in the closing plate 10 is prevented from intruding into the resistance element 5 through the frame- like projection 7 or the like by the bonding layer 8, so that the resistance value of the resistance element 5 can stably be kept and the pressure applied to the board 1 can be detected over a long period with high accuracy.例文帳に追加

これにより、閉塞板１０中に含まれるイオンが枠状突起７等を介してピエゾ抵抗素子５に侵入するのを導電性接合層８により防止でき、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値を安定的に保持できると共に、基板１に加わる圧力を長期間にわたって高い精度で検出することができる。 - 特許庁

A lead main body 78 from the front side contact 72 to the transmission contact 32 corresponding to a transmission element 66 is arranged on a first wiring face 74 of the wire layer 52 and the lead main body 78 from the front side contact 72 to the reception contact 34 corresponding to a reception element 68 is arranged on a second wiring face 76.例文帳に追加

配線層５２の第１配線面７４上には、送波用素子６６に対応する前方側コンタクト７２から送波用コンタクト３２までリード本体７８が配設され、第２配線面７６上には、受波用素子６８に対応する前方側コンタクト７２から受波用コンタクト３４までリード本体７８が配設されている。 - 特許庁

This organic EL panel 11 is provided, on the glass substrate 12, with an organic EL element 16 having an organic EL layer 14 between a first electrode 13 and a second electrode 15, and is also provided with a protective film 17 made of an inorganic material and dividable by a scribing and breaking method so as to cover the organic EL element 16.例文帳に追加

有機ＥＬパネル１１は、ガラス基板１２上に第１電極１３と第２電極１５との間に有機ＥＬ層１４が設けられた有機ＥＬ素子１６が設けられ、有機ＥＬ素子１６を覆うようにスクライブ・アンド・ブレイク法により分断可能な無機材料製の保護膜１７が設けられている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes an n-type GaN substrate 10 having, as a growth principal surface 10a, a surface having an off angle to an (m) plane along an (a) axis, and a nitride semiconductor layer 20 formed on the growth principal surface 10a of the n-type GaN substrate 10.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。 - 特許庁

The shock absorbing element receiving part 13, the annular groove part 14, and the plate part 15 are integrally formed in a manner that the outer panel 2 is arranged flush with the opposed surface 19 and that thickness S of the interior expansion layer 16 of the shock absorbing element receiving part 13 is thicker than thickness T of a bottom 18 of the annular groove part 14.例文帳に追加

衝撃吸収体受部１３と環状溝部１４とプレート部１５とは、アウタパネル２と対向する表面１９が面一になるように配置し、衝撃吸収体受部１３の内部膨張層１６の厚さＳが環状溝部１４の底部１８の肉厚Ｔよりも厚くなるように一体形成される。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises at least a positive electrode for injecting holes, a luminous layer having luminous region, and a negative electrode for injecting electrons on the substrate, and comprises a light-angle changing means on the opposite face of the element face of the substrate, and the refractive index of the substrate is made 1.2 or more.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備え、基板の素子形成面に対向する面に光の角度変換手段を備え、基板の屈折率を１．２以上とした構成としたものである。 - 特許庁

To provide an organic TFT characterized in that an organic TFT element can be easily formed by roll to roll on a flexible support, the element formed is improved in durability, therefore, manufacturing cost can be drastically reduced, and that contact resistance between a source or a drain electrode and organic semiconductor layer is low, hence, performance is excellent.例文帳に追加

フレキシブル支持体上に簡便にロールｔｏロールで有機ＴＦＴ素子を形成することができ、形成された素子の耐久性が向上し、従って製造コストを大幅に低減でき、かつソース電極、ドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗が低く、性能の優れた有機ＴＦＴを提供する。 - 特許庁

Then a p-type well 5a is formed under the region matching the opening section 4a of the element isolating film 3a in a core section and, at the same time, a p-type well 5b which is deeper than the element isolating film 3b is formed in a p-type epitaxial layer 2 in a SRAM section.例文帳に追加

次いで、レジスト４をマスクとしてＢ^+をイオン注入することにより、コア部において、素子分離膜３ａの開口部４ａに整合する領域の下にｐ型ウェル５ａを形成すると共に、ＳＲＡＭ部において、ｐ^-エピタキシャル層２内に素子分離膜３ｂより深いｐ型ウェル５ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an element built-in substrate which can form a fine-pitch conductor pattern on an insulating layer with high precision while securing the size stability of the conductor pattern and to provide the element built-in substrate, and a method for manufacturing a printed wiring board and the printed wiring board.例文帳に追加

導体パターンの寸法安定性を確保して絶縁層上にファインピッチな導体パターンを高精度に形成でき、転写シートの除去も適正に行うことができる素子内蔵基板の製造方法および素子内蔵基板、ならびに、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a power module capable of surely detecting a crack occurring on a solder layer above an insulation substrate by a simple manner by detecting difference in temperatures detected by means of at least one temperature sensing element provided on each of a peripheral end and at the center on a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子上の周辺端部および中央部のそれぞれに配置された少なくとも１つの温度検出素子を用いて検出された温度の差を検出することにより、絶縁基板の上方にある半田層に生じるクラックを確実に、かつ簡便な手法で検出できるパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

In the photoelectric transducer element and the photocell having at least a transparent substrate, a conductive electrode installed on the transparent substrate, an exposure layer including a semiconductor, and counter poles, it is constituted so that a fluorescent material or a light-storage material, that converts ultraviolet rays into visible light or a near-infrared rays is installed in the element.例文帳に追加

少なくとも透明基板、該透明基板上に設置された導電性電極、半導体を含む感光層および対極を有する光電変換素子および光電池において、紫外線を可視光ないし近赤外光に変換する蛍光材料または蓄光材料を素子中に存在させた構成とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element which has a spacer structure to keep the thickness of a liquid crystal layer fixed against an external force and has liquid crystal molecules uniformly aligned even in the vicinity of spacers as well as an alignment film to be able to fulfill a good display function and is capable of securing a high element strength, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

外力に対しても液晶層の膜厚を一定に保持するスペーサ構造を有し、スペーサおよび配向膜のいずれの近傍においても液晶分子が一様に配向されて良好な表示機能を発揮することができ、大きい素子強度を確保し得る液晶表示素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum nitride substrate 10 for mounting the light-emitting element includes: an aluminum nitride base 11; the wiring 12 provided on a surface of the aluminum nitride base 11, and mounted with the light-emitting element; and the white reflection layer 15 provided on the surface of the aluminum nitride base 11 and principally comprising aluminum nitride.例文帳に追加

本発明に係る発光素子搭載用窒化アルミニウム基板１０は、窒化アルミニウム基材１１と、窒化アルミニウム基材１１の表面に設けられ、発光素子が搭載される配線１２と、窒化アルミニウム基材１１の表面に設けられた窒化アルミニウムを主成分とする白色の反射層１５と、を備える。 - 特許庁

To provide a diode element capable of reducing an in-plane luminance difference when it is applied to a display device by suppressing unevenness of a distribution of an electron emission quantity in a plane or between adjacent pixels caused by film formation unevenness in forming an electron acceleration layer of an MIM type diode element suitable for a thin-film electron source by anodic oxidation.例文帳に追加

薄膜電子源に好適なＭＩＭ型ダイオード素子の電子加速層を陽極酸化で形成する際の成膜不均一に起因する面内もしくは隣接画素間の電子放出量の分布の不均一を抑制し、表示装置に適用した場合の面内輝度差を低減可能としたダイオード素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of designing an organic electroluminescence element in which the quantity of a component of light to be emitted to the outside is increased by setting the thickness of an organic light emitting layer within a wide range when light extraction efficiency is improved by providing an organic EL element with an area for disordering a reflection angle and a refraction angle of the light.例文帳に追加

有機ＥＬ素子に光の反射・屈折角を乱れさせる領域を設けることで光取り出し効率を向上するにあたり、広い範囲のなかで有機発光層の厚みを設定して、外部に出射する光の成分の量を向上するための有機エレクトロルミネッセンス素子の設計方法を提供する。 - 特許庁