「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(285ページ目) - Weblio英語例文検索

An electronic component 1 comprises: a metal substrate 2 on a surface of which an insulation altered layer 12 is formed; at least one cut part 10, over the whole width of which the insulation altered layer 12 is formed in the thickness direction, disposed in the circumference of the metal substrate 2; and an electronic element 3 mounted on the metal substrate 2.例文帳に追加

本発明の電子部品１は、表面に絶縁性変質層１２が形成された金属基板２と、金属基板２の周縁に配置され、厚み方向の全幅にわたり絶縁性変質層１２が形成された少なくとも１つの切断部１０と、金属基板２上に実装された電子素子３を有する。 - 特許庁

To improve external quantum efficiency by forming protrusions and recesses in a translucent conductive layer provided on the surface of a light emitting element composed of a nitride semiconductor, and taking out the light emitted from a light emitting layer effectively with no attenuation by preventing repetition of total reflection on the semiconductor laminate portion in a substrate.例文帳に追加

窒化物半導体からなる発光素子の表面に設けられる透光性導電層に凹凸を形成することにより、発光層で発光した光が半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰させないで光を有効に取りだし、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁

An organic electroluminescent element includes: a substrate 10; a first electrode 20 provided on one surface side of the substrate 10; a second electrode 40 facing the first electrode 20 on the one surface side of the substrate 10; and a functional layer 30 provided between the first electrode 20 and the second electrode 40 and including a light emitting layer 32.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１０と、基板１０の一表面側に設けられた第１電極２０と、基板１０の上記一表面側で第１電極２０に対向した第２電極４０と、第１電極２０と第２電極４０との間にあり発光層３２を含む機能層３０とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging element 1 includes: a semiconductor layer 2 where a photodiode for performing photoelectric conversion is formed; a silicon oxide film 21 formed, by using plasma, on the semiconductor layer 2 at least in the region where the photodiode is formed; and a film 22 formed on the silicon oxide film 21 and having negative fixed electric charge.例文帳に追加

光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に、プラズマを用いて形成された酸化シリコン膜２１と、この酸化シリコン膜２１上に形成された負の固定電荷を有する膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.例文帳に追加

電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁

The inclined retardation layer 87 is prepared by oblique deposition of an inorganic material, and the like on the surface of the crystalline retardation layer 86 with the main birefringence direction within a range of about 0-45 degrees with respect to the surface normal and to a thickness to be produced easily without making higher the haze of the retardation compensating element 57.例文帳に追加

傾斜位相差層８７は、主屈折率の方向が表面の法線に対して０度より大きく４５度程度の容易に作製できる範囲で、かつ位相差補償素子５７のヘーズを高めない程度の厚さに、無機材料など結晶位相差層８６の表面に斜方蒸着することによって作製される。 - 特許庁

The optical part 1 for illumination, as an optical part made of silicone to be disposed in the light-emitting direction of a light-emitting element 14, has a light transmissive portion 11 and an internal reflection portion 10, and the internal reflection portion 10 is covered with a metal layer or a transparent layer having a refractive index different from that of the silicone.例文帳に追加

照明用光学部品１は、発光素子１４の光出射方向に配置されるシリコーンの光学部品であって、光透過部位１１と内面反射部位１０を有し、該内面反射部位１０は、金属層又は該シリコーンとの屈折率の異なる透明体層により被覆されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the GaN-based LED element includes the steps of forming a first TCO film on a surface of a p-type GaN-based semiconductor layer by a vapor deposition method; and forming a second TCO film continuously from on the surface of the p-type GaN-based semiconductor layer to on a surface of the first TCO film by a sputtering method.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

An organic bulk heterojunction-type photoelectric conversion element laminates two or more organic layers between primary and secondary electrodes, wherein at least one layer of the organic layers is a layer to which insoluble treatment is done by applying or polymerizing a chemical compound having one or more polymerization groups.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に、有機層を複数積層したバルクヘテロジャンクション型の有機光電変換素子において、該有機層の少なくとも１層は、重合性基を１つ以上有する化合物の塗布、重合によって不溶化処理された層であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板の上に、第１の層間絶縁膜１５が形成され、第１の層間絶縁膜１５の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極２２と、ＳＢＴＮからなる容量絶縁膜２３と、上部電極２４とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁

A light emitting element includes a metal fine structure 18 standing alone as an island in the vicinity of a quantum well layer 6 formed of an InGaN material, wherein an emission wavelength of light discharged from the quantum well layer 6 is substantially equal to a surface plasmon oscillation of the metal fine structure 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ系材料により形成された量子井戸層６の近傍に、島状に独立した金属微細構造１８を有し、前記量子井戸層６から発射される光の発光波長と、前記金属微細構造１８の表面プラズモン振動と、が概ね一致することを特徴とする発光素子である。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes a cathode, an anode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, and a layer containing a compound having a partial structure represented by general formula (1) is provided between the cathode and anode.例文帳に追加

陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

In this light emitting diode element including first and second electrodes arranged to interpose a light emitting portion including a luminescent layer, the first electrode includes three pads for wire bonding which make a light emission amount from the luminescent layer adjustable, and the area of a light emitting surface is ≥0.64 mm^2.例文帳に追加

本発明は、発光層を含む発光部を挟むように配置された第１及び第２の電極を備える発光ダイオード素子であって、第１の電極は、発光層からの発光量を調整可能とする、３個のワイヤーボンディング用パッドを備えてなり、発光面の面積が０．６４ｍｍ^２以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor module 10 has a PoP structure in which an electrode area 148 of a first wiring layer 140 provided on a first element mounting substrate 110 constituting a first semiconductor module 100 and a fourth wiring layer 242 provided on a second semiconductor module 200 are joined together by a solder ball 270.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１の半導体モジュール１００を構成する第１の素子搭載用基板１１０に設けられた第１の配線層１４０の電極領域１４８と第２の半導体モジュール２００に設けられた第４の配線層２４２とがはんだボール２７０により接合されたＰｏＰ構造を有する。 - 特許庁

The light emitting device includes a body, a first electrode having a protruding pattern on the body, a second electrode electrically isolated from the first electrode on the body, a junction layer on the first electrode containing the protruding pattern, and a light emitting element on the junction layer.例文帳に追加

本発明による発光装置は、胴体と、上記胴体の上に突出パターンを有する第１電極と、上記胴体の上に上記第１電極と電気的に分離された第２電極と、上記突出パターンを含む第１電極の上の接合層と、上記接合層の上の発光素子と、を含む。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes a spherical first semiconductor 11 and a second semiconductor layer 12 which covers the surface thereof, the second semiconductor layer 12 having a window portion 14 for exposing the first semiconductor 11, and the first semiconductor 11 having a hole 16 opened at a portion thereof exposed through the window portion.例文帳に追加

光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 15 has the piezoelectric thin film 14, which includes a layer (first piezoelectric thin film 14a) formed of a polycrystal having a plurality of crystal orientations along the film thickness and a layer (second piezoelectric thin film 14b) formed of a polycrystal having a single crystal orientation.例文帳に追加

圧電体薄膜１４を備える圧電体薄膜素子１５であって、圧電体薄膜１４は膜厚方向に、複数の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第１の圧電体薄膜１４ａ）と、単一の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第２の圧電体薄膜１４ｂ）を含むようにした。 - 特許庁

The organic light-emitting element 20 includes an anode 2, a cathode 5, and a laminate which is interposed between the anode 2 and the cathode 5 and includes at least a layer which forms a light-emitting region (light-emitting layer 6).例文帳に追加

陽極２と陰極５と、陽極２と陰極５との間に挟持され少なくとも発光領域を形成する層（発光層６）を含む積層体と、から構成され、該発光領域を形成する層に、以下に示す（ａ）と（ｂ）とがそれぞれ少なくとも一種類含まれることを特徴とする、有機発光素子２０。 - 特許庁

The organic semiconductor element has at least a board, an organic semiconductor layer, an insulating layer, and an electrode.例文帳に追加

少なくとも基板、有機半導体層、絶縁層及び電極を有する有機半導体素子であって、有機半導体層が下記一般式（Ｉ）〔式中、Ｒ^1及びＲ^2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し（但し、Ｒ^1及びＲ^2は同時に水素原子ではない）、Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。 - 特許庁

In the electroluminescence element having a cathode and an anode on a substrate and a plurality of organic layers between them, at least one organic layer is formed using a dispersion solution and one of the organic layer contains a compound composed of an isomer.例文帳に追加

基板上に陰極と陽極を有し、その間に複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１層が分散液を用いて形成される層であり、且つ該有機層のいずれかに異性体からなる化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element comprising a pair of electrodes consisting of a positive electrode and a negative electrode, and an organic layer provided between the electrodes, the organic layer contains polystyrene having a fullerene skelton as a substituent through a linear alkylene having 0 to 10 carbon atoms (which directly binds to the fullerene skelton in the case of carbon atom 0).例文帳に追加

陽極および陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられる有機層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、フラーレン骨格を炭素数０〜１０の直鎖アルキレンを介して（炭素数０の場合は直接）置換基として有するポリスチレンを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has at least a light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, and is characterized in that the light-emitting layer contains at least one phosphorescent metal complex of a compound including a specific complex partial structure containing an imidazole ring or a pyrazole ring.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、イミダゾール環またはピラゾール環を含む特定の複素多環部分構造を含む化合物の燐光性金属錯体を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In other words, the semiconductor capacitive element includes a lower electrode formed by laminating a plurality of predetermined electrode materials, a side wall formed on the side wall of one part of the lower electrode, a dielectric layer formed on the lower electrode and an upper electrode formed on the dielectric layer.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体容量素子は、所定の電極材料を複数積層して形成される下部電極と；前記下部電極の一部の側壁に形成されるサイドウォールと；前記下部電極上に形成される誘電体層と；前記誘電体層上に形成される上部電極とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element contains an N-type gallium nitride compound semiconductor, an I layer 36 made of a semi-insulating gallium nitride compound semiconductor, and an electrode 40 comprises the steps of forming the electrode 40 on at least the layer 36, and then heat treating the electrode.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体と、半絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体からなるＩ層３６と、電極４０と、を含む半導体発光素子の製造方法において、少なくとも前記Ｉ層３６上に電極４０を形成した後、熱処理する。 - 特許庁

At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).例文帳に追加

層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁

In the inkjet recording sheet with a porous ink absorbing layer containing an inorganic fine particle and a polyvinyl alcohol formed on a non-absorbent support, the porous ink absorbing layer contains a polyvalent metallic compound with a polyvalent metallic element and an organic polymer with an epoxy group.例文帳に追加

非吸水性支持体上に、無機微粒子とポリビニルアルコールを含有する多孔質インク吸収層を設けたインクジェット記録用紙において、該多孔質インク吸収層が、多価金属元素を含む多価金属化合物及びエポキシ基を有する有機ポリマーとを含有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

A glass paste layer 17 having a softening point in the same temperature region with the optimal burning temperature region of the thermistor element is formed on the alumina board 11, glass frit-free thermistor paste layers 19a, 19b, and 19c are formed on the glass paste layer 17, and these layers are all burned at the same time.例文帳に追加

又、アルミナ基板１１上にサーミスタの最適焼成温度領域と同温度領域の軟化点を有するガラスペースト層１７を形成し、該ガラスペースト層上にガラスフリットを含まないサーミスタペースト層１９ａ，１９ｂ，１９ｃを形成し、これらの層を同時に焼成することを特徴とする。 - 特許庁

Crosslinked molecules of a crosslinking layer 4 coupled to a surface of a substrate 2 of the detecting element 1 via an adhesive layer 3 contain a carboxyl group converted or the like from a functional group contained in a silane or titanium coupling agent by a hydrolysis, and the trapped substance 5 can be directly carried to this carboxyl group.例文帳に追加

検出素子１の基体２の表面に、接着層３を介して結合される架橋層４の架橋分子は、シラン系もしくはチタン系カップリング剤に含まれる官能基が加水分解により変換されるなどしたカルボキシル基を含むので、このカルボキシル基に直接捕捉物質５を担持することができる。 - 特許庁

When manufacturing the nitride compound semiconductor light-emitting element by forming a layer by a nitride semiconductor on a substrate, where dislocation density is distributed in a plane, and a semiconductor layer that becomes a substrate, a stripe shape is formed so that the width of a resonator end face side becomes larger and the width of a center becomes narrower.例文帳に追加

転位密度が面内で分布している基板や下地となる半導体層上に窒化物半導体による層を形成して窒化物化合物半導体発光素子を作製するとき、ストライプ形状を、共振器端面側の幅が広くなるようにするとともに中央部分の幅が狭くなるような形状とする。 - 特許庁

An alloy element consisting of at least one kind of Si, Al, Be, Co, P and Sn having the effect of stabilizing the ferritic Fe phase and the effect of repulsion with carbon in steel is diffusion-coated from a surface layer, the surface layer is carburized, carbo-nitrided and/or nitrided, and quenched or quench-tempered.例文帳に追加

フェライトＦｅ相を安定化する作用および鋼中の炭素と反発し合う作用を有するＳｉ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｏ，Ｐ，Ｓｎのうちの少なくとも一種以上からなる合金元素を表面層から拡散浸透させるとともに、その表面層を浸炭、浸炭浸窒および／または浸窒処理した後に焼入れもしくは焼入れ焼戻し処理を施す。 - 特許庁

In an optical element making use of an end face of a periodic multi-layer structure as a light incident plane or a light emitting plane, a high resolution spectral demultiplexer is realized without making the device large- sized by utilizing excellent directivity of light leaked out from the multi-layer structure and large wavelength dependence of the angle.例文帳に追加

周期的多層構造体の端面を光入射面、もしくは光出射面とする光学素子において、この多層構造から漏出する光の指向性が良く、その角度の波長依存性が大きいことを利用し、装置を大型化することなく高分解能の分光装置を実現することができる。 - 特許庁

The optical element 100 is that emitting light from an exit surface 108; and includes a first optical path adjusting layer 120 having a recessed curved surface 10 above the exit surface 108, and a second optical path adjusting layer 40 having a protruded curved surface 12 above the recessed curved surface 10.例文帳に追加

本発明にかかる光学素子１００は，出射面１０８から光を放出する光学素子１００であって、出射面１０８の上方に凹状曲面１０を有する第１光路調整層１２０を備え、凹状曲面１０の上方に凸状曲面１２を有する第２光路調整層４０を備えている。 - 特許庁

Alternatively, in this vacuum ultraviolet excitation-emissive element having a discharge space filled with a rare gas between a front plate and a back plate, parallel disposed to each other, with both the front and back plates provided with a phosphor layer, the thickness of the phosphor layer provided on the front plate is 7 μm or less.例文帳に追加

また、平行に配置された前面板と背面板の間には希ガスが封入された放電空間を有し、前面板と背面板の両方に蛍光体層が設けられている真空紫外線励起発光素子において、前面板に設けられている蛍光体層の厚さが７μｍ以下である真空紫外線励起発光素子。 - 特許庁

A cavity part 41 is formed around the surface acoustic wave element 2 in the thermosetting resin layer 4 so as to prevent at least the annular sealing electrode 24 and the thermosetting resin layer 4 from coming into contact with each other, and the cavity part 41 is communicatively connected to external space on the end edge of the front side of the wiring substrate 1.例文帳に追加

熱硬化性樹脂層４における弾性表面波素子２の周囲には少なくとも環状封止電極２４と熱硬化性樹脂層４とが接触しないように空洞部４１が形成されており、空洞部４１が配線基板１の表面の縁端上で外部空間と連通している。 - 特許庁

That is to say, a semiconductor light emitting element 150 can be manufactured without generating cracks even if a semiconductor having a high AlN molar fraction, in which the internal stress is easily accumulated caused by lattice mismatch, as in the case of the first clad layer 121 and the second clad layer 124, is deposited on a nitride semiconductor substrate 110.例文帳に追加

すなわち、第一のクラッド層１２１および第二のクラッド層１２４のように格子不整合に起因して内部応力が蓄積しやすい高ＡｌＮモル分率半導体を窒化物半導体基板１１０上に成長させても、クラックを発生させることなく半導体発光素子１５０を作製することができる。 - 特許庁

A polarizing plate 26 is provided between the reverse surface 11 of a plate type light guide body 6 and a reflection type liquid crystal display element 2 and stuck on the plate type light guide body 6 across an adhesive layer 27 and a selective reflection film 28 is interposed between the plate type light guide body 6 and adhesive layer 27.例文帳に追加

板状導光体６の下面１１と反射型液晶表示素子２との間には偏光板２６が設けられ、偏光板２６は粘着層２７を介して板状導光体６に貼り付けられ、板状導光体６と粘着層２７との間には選択反射膜２８が介装されている。 - 特許庁

The liquid crystal layer 15 of the liquid optical element 1 having liquid crystal cells 10 holding a liquid crystal layer 15 between a pair of substrates 11, 12 with electrodes is internally provided with non-liquid crystalline high-polymer parts 16 connecting a pair of the substrates 11, 12 in an island shape to provide the high-polymer parts 16 with light shieldability.例文帳に追加

一対の電極付基板１１，１２間に液晶層１５を挟持した液晶セル１０を備えた液晶光学素子１において、液晶層１５中に一対の基板１１，１２を連結する非液晶性の高分子部１６を島状に設け、この高分子部１６に遮光性をもたせる。 - 特許庁

In the semitransmissive liquid crystal display element 1 having a light diffusion layer 21 composed of a transmissive resin and a semitransmissive metal thin film 22 as a light reflection film on the inside surface, the transmissive resin of the light diffusion layer 21 is colored with the complementary color with respect to the color of the transmitted light from the metal thin film 22.例文帳に追加

内面に透光性樹脂からなる光拡散層２１と、光反射膜としての光半透過性金属薄膜２２とを有する半透過型液晶表示素子１において、光拡散層２１の透光性樹脂を金属薄膜２２の透過光色と補色関係にある色に着色する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes preparing the semiconductor element 10 having a bump electrode 10b arranged on a principal surface, and the circuit substrate 20 having a conductive layer 20b on electrode terminals 10p and 20p, and coating at least a part of a surface of the bump electrode with a bonding material 30 having a lower melting point than the bump electrode and conductive layer.例文帳に追加

バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。 - 特許庁

In respective light-emitting elements 3R, 3G, 3B, a blue light-emitting layer 70B is formed with an optimum film thickness where a luminous life becomes the longest, and a red light-emitting element 70R and a green luminous layer 70G are formed thinner than the optimum film thickness where the luminous lifetime becomes the largest.例文帳に追加

各発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂのうち、青色発光層７０Ｂの膜厚が、発光寿命が最長となる最適膜厚に形成されるとともに、赤色発光素子７０Ｒ及び緑色発光層７０Ｇの膜厚が、発光寿命が最長となる最適膜厚より薄く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask 1 for an organic EL element maintaining a good junction between a mask body 2 and a frame 3 by preventing deterioration of an adhesive layer 8 interposed between the mask body 2 and the frame 3, contributing to improvement of reliability of precision reproducibility of a light-emitting layer, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

マスク本体２と枠体３との間に介在された接着剤層８の変質を防いで、マスク本体２と枠体３との良好な接合状態を長期にわたって維持し、以て発光層の再現精度の信頼性向上に寄与できる有機ＥＬ素子用蒸着マスク１およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal optical element 100 configured by holding liquid crystal between one transparent substrate having a rugged optical grid formed on an inner surface and the other transparent substrate, an alignment layer is not formed in a projection forming area of the rugged optical grid and an alignment layer is formed on the bottoms of recessed portions.例文帳に追加

内側表面に凹凸状の光学格子が形成された一方の透明基板と、他方の透明基板とで液晶を挟持する液晶光学素子において、凹凸状の光学格子における凸部形成領域には配向膜が形成されておらず、凹部の底面に配向膜が形成された構成とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element contains at least (a) a light-emitting layer at least containing a phosphorescent material having a metal complex system host material and a condensed-ring aromatic skeleton as a ligand, and (b) a light-emitting layer containing at least a platinum complex system phosphorescent material having a ligand of four seats, between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に少なくとも、(a)金属錯体系ホスト材料及び縮環芳香族骨格を配位子に有するりん光材料を少なくとも含む発光層、及び、(b)４座配位子を有する白金錯体系りん光材料を少なくとも含む発光層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The antenna 1 includes a circuit substrate 2 on which an electronic circuit 6 and a ground conductive layer 7 are provided, an antenna element 3 of an inverted-F antenna type made of a metal plate, a shield case 4 made of a metal plate conducted to the ground conductive layer 7 and shielding the electronic circuit 6, and a resin case 5 installing those members.例文帳に追加

このアンテナ装置１は、電子回路部６や接地導体層７が設けられた回路基板２と、板金製の逆Ｆアンテナ型のアンテナ素子３と、電子回路部６を覆って接地導体層７に導通された板金製のシールドケース４と、これら各部材を収納する樹脂ケース５とを備えている。 - 特許庁