「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(283ページ目) - Weblio英語例文検索

The light receiving element comprises a substrate 10, an optical absorption layer 40 disposed above the substrate 10 for absorbing light of a given wavelength band, and a one-dimensional or two-dimensional photonic crystal 50a disposed above the optical absorption layer 40 having a periodical refractive index distribution in a plane intersecting an incident direction of light Pin.例文帳に追加

基板１０と、基板１０の上方に配置され、所与の波長帯の光を吸収する光吸収層４０と、光吸収層４０の上方に配置され、光Ｐｉｎの入射方向と交差する面内に周期的な屈折率分布を有する１次元又は２次元のフォトニック結晶部５０ａと、を含む受光素子である。 - 特許庁

This ceramic heater is characterized in that surface roughness of a ceramic substrate surface on the basis of JIS B 0601 is Ra≤10 μm, and the insulating layer having volume resistivity higher than the ceramic substrate is formed on the surface of the ceramic substrate, and a resistance heating element is formed on the insulating layer.例文帳に追加

セラミック基板表面のＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づく面粗度がＲａ≦１０μｍであり、前記セラミック基板の表面には、前記セラミック基板よりも高い体積抵抗率を有する絶縁層が形成され、前記絶縁層上に抵抗発熱体が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a first substrate having a first alignment layer rubbed in a prescribed direction, a second substrate opposed to the first substrate and a liquid crystal layer interposed between the first and the second substrates and has three pixel regions 201, 202 and 203 respectively corresponding to red, blue and green.例文帳に追加

液晶表示素子は、所定方向にラビングされた第１配向膜を有する第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に介在する液晶層とを備え、赤、青、緑のそれぞれに対応する３つの画素領域２０１，２０２，２０３を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can correctly measure a wiring shape and a film thickness and a film quality of a wiring interlayer film in a monitor mark formation region which has less deviation with a function element formation region, and correctly measure overlay deviation between a lower layer pattern and an upper layer pattern in the monitor mark formation region.例文帳に追加

機能素子形成領域との乖離が少ないモニター用マーク形成領域において、配線形状並びに配線層間膜の膜厚・膜質を正確に計測し、かつモニター用マーク形成領域における下層パターンと上層パターンとの重ね合わせずれの正確な測定が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV.例文帳に追加

本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの２ｐ軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が１．２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises a first electrode, an organic film layer containing at least an organic luminous layer, and a second electrode formed on a substrate, and has a reflecting film in which one or more apertures are formed in the lower part region of the first electrode or which is formed by one or more island shape patterns.例文帳に追加

基板上に形成された第１電極、少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び第２電極を含み、第１電極の下方領域に一つ以上の開口部が開設されるか、もしくは一つ以上の島状パターンで形成されている反射膜を含んで構成された有機電界発光素子とした。 - 特許庁

The fuel put in an accommodation chamber is separated at least partially by a barrier layer 16 from a contact area and/or contact element to be protected, and the barrier layer is accomplished by a reserver having such a feature as formed from a non-combustible medium heavier than the fuel stored.例文帳に追加

収容室の中に入れられた燃料が、バリア層（１６）により、保護すべき接触エリア及び／又は接触エレメントから少なくとも部分的に分離されており、しかも、バリア層が、貯蔵された燃料よりも重い不燃性媒質から形成されているという特徴を有するリザーバにより達成される。 - 特許庁

To provide a current mirror circuit 40 configured in an integrated circuit that eliminates the effect by a photo current IPD of a parasitic photo diode PD caused between an epitaxial layer and a substrate layer in a structure of the integrated circuit without taking measures of particular light shading while suppressing increase in an element area.例文帳に追加

集積回路内に構成されるカレントミラー回路４０において、素子面積の増加を抑えつつ、また特別な遮光のための対策を講じることなく、集積回路の構造上、エピタキシャル層とサブストレート層との間に発生する寄生フォトダイオードＰＤの光電流ＩＰＤによる影響を除去する。 - 特許庁

Thereby since only the parts of thin film 50 corresponding to the region where the optical semiconductor element 20 is mounted and the region where the bonding wire 18 is connected, are removed, the discoloration of the silver-plated layer of another part can be prevented by the thin film 50 and the high reflectivity in the silver-plated layer can be kept.例文帳に追加

これにより、光半導体素子２０が搭載される領域及びボンディングワイヤ１８が接続される領域に該当する部分の薄膜５０のみが取り除かれるため、その他の部分の銀めっき層の変色を薄膜５０にて防止でき、銀めっき層において高い反射率を保持することができる。 - 特許庁

To provide a heat-conductive resin composition which can obtain a molded product highly filled with an inorganic filler and having excellent thermal conductivity and can be suitably used in forming an insulating layer of a radiating circuit board and in forming an adhesive layer for fixing a metallic radiating element to a heating part.例文帳に追加

無機フィラーが高充填されて、熱伝導性に優れた成形物を得ることができ、放熱性回路基板の絶縁層の形成や、発熱部品に対して金属放熱体を取り付けるための接着層の形成のために好適に使用することができる熱伝導性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric element comprises a plurality of piezoelectric ceramics layers and a plurality of internal electrode layers including a first phase of conductive material and a second phase of ceramics laid in layers alternately wherein the thickness of the piezoelectric ceramics layer is 1-200 μm and the thickness of the internal electrode layer is 2 μm or less.例文帳に追加

複数の圧電セラミックス層と、導電材料からなる第１の相及びセラミックスからなる第２の相を含む複数の内部電極層とが交互に積層され、圧電セラミックス層の厚さが１〜２００μｍ、内部電極層の厚さが２μｍ以下であることを特徴とする積層型圧電素子。 - 特許庁

The element for evaluation of the physical resistance in the package process of a semiconductor device is equipped with a substrate 1, an interconnection film 3 prepared on the substrate 1, and an insulation film 2 whose elastic modulus is 15 GPa or less prepared in the lower layer and/or the upper layer of the interconnection film 3.例文帳に追加

半導体デバイスのパッケージプロセスにおける物理的耐性の評価の為に用いられる素子であって、 基板１と、 前記基板１上に設けられた配線膜３と、 前記配線膜３の下層側および／または上層側に設けられた弾性率が１５ＧＰａ以下の絶縁膜２とを具備する。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric element 20 comprises a first external electrode 18 where a plurality of piezoelectric layers 11 and internal electrode layers 12 are laid in layers alternately while connecting every other internal electrode layer 12 electrically in the layer direction, and a second external electrode 19 where the remaining internal electrode layers 12 are connected electrically.例文帳に追加

積層型圧電体素子２０は、圧電体層１１と内部電極層１２とが交互に複数積層され、内部電極層１２を積層方向に一つおきに電気的に連結した第１外部電極１８と、残りの内部電極層１２を電気的に連結した第２外部電極１９とを備えている。 - 特許庁

The structural element (1) for the solar cell panel including at least one dielectric layer (3) includes a conductive means (5) contacting with the dielectric layer (3), and an electric connection means (9) for connecting the conductive means (5) to a grounding part of the structure.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの誘電体層（３）を含む太陽電池パネルの構造要素（１）に関し、この構造要素は、上記誘電体層（３）に接触する導電手段（５）と、導電手段（５）を上記構造のアースに接続するための電気的接続手段（９）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The connecting element is a conductive sheet having conductivity in a pressurized direction consisting of a conductive material coated with an insulating layer, that is an insulation coating particle, and a binder, on either or both faces of which, an insulating adhesive layer with a lower fusion viscosity at connection than the above sheet is formed.例文帳に追加

導電材料が絶縁層で被覆された絶縁被覆粒子である導電材料とバインダとよりなる加圧方向に導電性を有する導電性シートの片面または両面に、前記シートより少なくとも接続時の溶融粘度が低い絶縁性の接着剤層を形成した接続部材。 - 特許庁

When a resin layer 35a to form an optical element array 3 is molded using a transfer die 60, a layer 70 for exfoliation is previously formed on the die 60 by evaporating silicon fast so that a thin film having uniform thickness is formed along the surface 62 etched into an inverted V-shape as contrary to the desired shape.例文帳に追加

転写型６０により光学素子アレイ３となる樹脂層３５ａを成形する際に、予め、転写型６０には、所望の形状の逆Ｖ字型がエッチングされた表面６２に沿って、均等な厚みの薄膜が成膜されるようにシリコンを蒸着して、剥離用の層７０を形成しておく。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor light emitting element 2 having emission spectrum 400 nm or less, an ultraviolet absorption layer 6 which covers at least the light extraction surface of the semiconductor light emitting device 2, and a sealing resin 7 which seals at least the semiconductor light emitting device 2 covered by the ultraviolet absorption layer 6.例文帳に追加

４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子２と、少なくとも半導体発光素子２の光取出し面を被覆する紫外線吸収層６と、少なくとも紫外線吸収層６で被覆された半導体発光素子２を封止する封止樹脂７とを具備する。 - 特許庁

This liquid-state detection element 110 is formed through simultaneous baking, comprises a 1st ceramic insulating layer 111, a 2nd ceramic insulating layer 112, and a heat resistor 117 densely sealed between these ceramic insulating layers the resistance of which varies, depending on own temperature, to be immersed in a liquid.例文帳に追加

本発明の液体状態検知素子１１０は、同時焼成されてなり、第１セラミック絶縁層１１１と、第２セラミック絶縁層１１２と、これらの間に液密に封止され、自身の温度に応じて抵抗値が変化する発熱抵抗体１１７とを備え、液体に浸漬される液体状態検知素子である。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode element 10, a plurality of stripe-shaped trenches T10 are arranged in parallel to each other and formed on a crystal growing face of a sapphire substrate 11, a nitride semiconductor layer N is formed thereon so as to bury the trenches T10, and the nitride semiconductor layer N contains a pn junction which emits a light.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０において、サファイア基板１１の結晶成長面には平行に並んだストライプ状の溝Ｔ１０が複数形成され、その上には溝Ｔ１０を埋めるように窒化物半導体層Ｎが形成され、窒化物半導体層Ｎは発光するｐｎ接合部を含んでいる。 - 特許庁

A first electrode layer 12 and a second electrode layer 13 are composed of overlapping sections 12B and 13B facing each other in the depthwise direction of a thermistor element 11 respectively apart from terminal electrodes 14 and 14, and connecting sections 12A and 13A for connecting these overlapping sections 12B and 13B to the terminal electrodes 14 and 14.例文帳に追加

第１電極層１２及び第２電極層１３を、それぞれ端子電極１４，１４から離間してサーミスタ素体１１の厚さ方向で互いに対向する重なり部１２Ｂ，１３Ｂと、これら重なり部１２Ｂ，１３Ｂを端子電極１４，１４に接続する接続部１２Ａ，１３Ａとから構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a piezoelectric element comprises: a step of forming a first piezoelectric layer on an upper side of a first electrode by a liquid phase method; and a step of forming a second piezoelectric layer on the upper side of the first electrode by spraying an aerosol containing particles of piezoelectric material and by depositing the particles.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子の製造方法は、第１電極の上方に、液相法を用いて第１の圧電体層を形成する工程と、前記第１の圧電体層の上方に、圧電材料の粒子を含むエアロゾルを吹き付けて前記粒子を付着させることにより第２の圧電体層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極１８およびソース電極１９を、ｎ型アモルファスシリコン層３２上に成膜されたクロム層をレジストパターン３４、３５をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物３６が沈着する。 - 特許庁

The optical element comprises: a support material; and an optical functional layer prepared by curing a polymerizable liquid crystal material with prescribed liquid crystal regularity, on the support material, wherein hardness of the optical functional layer is Vickers hardness value of 20 or more.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、支持材と、上記支持材上に重合性液晶材料が所定の液晶規則性を有して硬化されてなる光学機能層とを有する光学素子であって、上記光学機能層の硬度が、ヴィッカース硬さ値で２０以上であることを特徴とする光学素子を提供する。 - 特許庁

To obtain an organic compound which has higher mobility of electric field effect in the case of use as a constituent material for an active layer and an electron and/or hole transport layer of an organic thin film device such as an organic TFT, an organic EL element, etc., and to provide an organic thin film device and a display using the organic thin film device.例文帳に追加

有機ＴＦＴや有機ＥＬ素子等の有機薄膜デバイスの活性層や電子／正孔輸送層の構成材料として用いた場合に、より大きな電界効果移動度を得ることのできる有機化合物、およびその有機薄膜デバイス、ならびにこれらを用いたディスプレイを提供する。 - 特許庁

To solve problems that a reversed taper shape is frequently damaged, a stripe shape is not formed in forming a cathode layer, and an adjacent cathode line is conducted, because an application liquid stays at a skirt of a barrier at forming a polymer light emitting medium layer of a polymer EL element having the barrier.例文帳に追加

本発明は隔壁を有する高分子ＥＬ素子の高分子発光媒体層形成時に、塗布液が隔壁の裾部分に溜まるために、しばしば逆テーパ—形状が損なわれ、陰極層形成時にストライプ形状とならず、隣接する陰極ラインと導通するという問題を解決することを課題とする。 - 特許庁

Moreover, by forming a photoelectric conversion layer into the eddy shape or a concentric shape to make into the plate shape as a whole, the photoelectric conversion element introduces light from the direction which intersects this plate, and varies gradually and/or continuously the wavelength of light convertible in the photoelectric conversion layer in the thickness direction of the plate.例文帳に追加

また、光電変換層を渦巻き状または同心形状に形成し、全体として板状の形状とし、この板に交差する方向から光を入射させる光電変換素子であって、その板の厚さ方向に光電変換層の光電変換可能な光の波長が段階的および／または連続的を変化させる。 - 特許庁

Subsequent to a first insulating film depositing step for depositing an insulating film 12 composed of a silicone oxide film on an element substrate 10, a first insulating film hydrogen introducing step for introducing hydrogen into the insulating film 12 is performed prior to performance of a semiconductor layer forming step for forming a semiconductor layer 1a of a pixel transistor 30, field effect transistor.例文帳に追加

素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

The MOS active element includes first and second semiconductor regions a1, b1 formed while being isolated from each other in a surface area of the well region, an insulating film formed on the well region between the first and second semiconductor regions, and a gate conductor layer formed on the insulating layer.例文帳に追加

ＭＯＳ型能動素子は、前記ウェル領域の表面領域に互いに離隔して形成された第１，第２の半導体領域ａ１，ｂ１、前記第１，第２の半導体領域間の前記ウェル領域上に形成された絶縁膜、及び前記絶縁膜上に形成されたゲート導電体層を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and layer electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3.例文帳に追加

セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と層状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。 - 特許庁

This multilevel information storage element which stores multilevel information has a laminated dielectric structure constituted by laminating a first ferrorelectric layer 2 having a first coercive voltage and a second ferroelectric layer 3 having a second coercive voltage which is different from the first coercive voltage upon another, between two voltage adding sections 1 and 4.例文帳に追加

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、２つの電圧付加部１，４の間に、第１の抗電圧を有する第１の強誘電体層２と、第１の抗電圧と異なる第２の抗電圧を有する第２の強誘電体層３とを積層した積層誘電体構造を有する。 - 特許庁

The method for producing the nitride single crystal comprises forming a substance transport medium layer 12 containing a compound of a rare earth element on the surface of a nitride crystal 11 and growing the nitride single crystal 14 on a seed crystal 13 by bringing the seed crystal 13 into contact with the substance transport medium layer 12.例文帳に追加

窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device having improved photoelectric conversion efficiency by increasing open circuit voltage and a short-circuit current without the need for a semiconductor layer as a window layer on a light incident side to contain a high-concentration impurity element, while suppressing the exhaust amount of carbon dioxide, when manufactured.例文帳に追加

光入射側の窓層の半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加し光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

The organic electroluminescence element is characterized in that a hole transport layer and/or a hole injection layer contains a polymer produced by processing a monomer represented by general formula [1] with proton acid and subjecting it to oxidative polymerization, or subjecting the monomer represented by general formula [1] to oxidative polymerization and processing it with proton acid.例文帳に追加

下記一般式［１］で表されるモノマーをプロトン酸で処理し、酸化重合により製造されてなるか、または下記一般式［１］で表されるモノマーを酸化重合し、プロトン酸で処理することで製造されてなる重合体が該正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有される有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The signalling transformer or the vehicle transformer has insulation wires with at least one layer of polyphenylene sulfide extrusion-coated as an insulating resin layer on insulating element wires on which resin capable of being soldered without peeling of resin films is insulation coated on conductors by enamel baking, and has the insulation wires as winding wires.例文帳に追加

樹脂皮膜の剥離なしにはんだ付け可能な樹脂を導体にエナメル焼付けにより絶縁被覆した絶縁素線上に、絶縁樹脂層としてポリフェニレンサルファイドを少なくとも１層押出し被覆した絶縁電線、およびその絶縁電線を巻線として有する信号用トランスまたは車載用トランス。 - 特許庁

An heat-generating element 5 made of a semiconductor with conductivity by adding impurities such as zinc and tin is applied to a metal foil F made of stainless steel at thickness of nearly 3-7 μm, and a layer of heat-generating elements 5 is formed on the metal foil F by recrystallizing the layer by firing it at 800-1,200°C during a designated period.例文帳に追加

亜鉛、錫等の不純物を添加して導電性を具備した半導体からなる発熱素子５をＳＵＳからなる金属箔Ｆに３〜７μｍ程度の厚さに塗布し、８００〜１２００℃で所定時間焼成して再結晶化させ、金属箔Ｆ上に発熱素子５の層を形成する。 - 特許庁

The electron emission element includes an insulating layer having side faces, a recess formed on the side face of the insulating layer, a gate electrode arranged in an upper side of the recess, and a wedge-shaped emitter arranged in the periphery of a lower side of the recess and having the first sloped face in a recess side and the second sloped face in a side opposite to the recess.例文帳に追加

電子放出素子が、側面を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記側面に形成された凹部と、前記凹部の上方に配置されたゲート電極と、前記凹部の下側のへりに配置され、前記凹部側の第１斜面と前記凹部とは反対側の第２斜面を有するくさび形のエミッタと、を備える。 - 特許庁

To provide a substrate for a semiconductor device for which problems of quality such as the decline of a bonding property due to dust sticking and sticking of chipping pieces and inter-layer short-circuits and inter-layer insulation decline due to metal burrs are dissolved, a base material composed of glass fibers and an epoxy resin is used and the loading density of a semiconductor element and electronic parts is high.例文帳に追加

粉塵付着やチッピング片の付着によるボンディング性の低下、金属バリによるパターン間ショートや層間絶縁低下など、品質上の間題を解消したガラス繊維とエポキシ樹脂からなる基材を使用する、半導体素子や電子部品の搭載密度の高い半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁

To realize a light emitting diode element having a high luminance in the wavelength band of yellow-green, in which the drop in the output strength used to be marked conventionally, by forming a window layer in a process in which the temperature is higher than before in order to improve the electric conductivity of the window layer and by changing the structure thereof to prevent the changes due to the process under high temperatures.例文帳に追加

窓層を従来よりも高温のプロセスで形成し、電気伝導度の改善された窓層とするが、高温プロセスによる変化がないようにその構造を変える事により、従来は出力強度の低下が著しかった黄緑色の波長帯域で、輝度の大きい発光ダイオード素子を実現する。 - 特許庁

A dielectric layer 5 smaller in dielectric loss tangent than a substrate 1 is formed on the substrate 1, a ground electrode 43 and a linear electrode 41 for inputting a microwave signal are disposed in parallel on the dielectric layer 5, and an optical semiconductor element 2 is disposed on the linear electrode 41, thus completing an optical semiconductor device H1.例文帳に追加

基板１上に該基板１より誘電正接の小さな誘電体層５を形成し、該誘電体層５上に接地電極４３及びマイクロ波信号入力用の線状電極４１を並設し、該線状電極４１上に光半導体素子２を配設して成る光半導体装置Ｈ１とする。 - 特許庁

The light-emitting element forming a light-emitting layer or organic compound layers including the light-emitting layer between a pair of electrodes fitted on a board, at least one of the organic compound layers is to contain a compound having a heterogeneous ring skeleton including two or more hetero atoms and a phosphorous light-emitting compound.例文帳に追加

基板上に設けた一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む有機化合物層を形成した発光素子において、該有機化合物層の少なくとも１層にへテロ原子を２つ以上含むヘテロ環骨格を有する化合物とりん光発光性化合物を含有することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

The semiconductor device includes a pad 12 whose main constituent is aluminum and which is for electrically connecting a semiconductor element formed in a semiconductor substrate 11 to the outside, a sintered conductive layer 13 formed on the pad 12 whose main constituent is aluminum, and a conductive ball 14 welded on the sintered conductive layer 13.例文帳に追加

半導体基板１１に形成された半導体素子を外部に電気的に接続するためのアルミニウムを主成分とするパッド１２と、アルミニウムを主成分とするパッド１２上に形成された焼結導電層１３と、焼結導電層１３上に溶着された導電性ボール１４と、を具備する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises: a first insulation layer 4 formed on a semiconductor substrate 1; a contact plug 9 formed in the first insulation layer 4; and a capacitance element 20 that is electrically connected to the contact plug 9 and consists of a lower electrode 12, a capacitance insulating film 18, and an upper electrode 19.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された第１の絶縁層４と、該第１の絶縁層４に形成されたコンタクトプラグ９と、該コンタクトプラグ９と電気的に接続され、下部電極１２、容量絶縁膜１８及び上部電極１９からなる容量素子２０とを備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁

The clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad parts 118, 119 and the insulation layer 51, and the clearance generated in a contact portion between the surfaces of the electrode pad part 232 and the second base layer 123 are thereby covered to prevent the oxygen or water from being intruded into the sensor element 10 from the clearance.例文帳に追加

これにより、電極パッド部１１８，１１９と絶縁層５１の表面との接触部分にできる隙間や、電極パッド部２３２と第２基層１２３の表面との接触部分にできる隙間を覆うことができ、その隙間から酸素や水がセンサ素子１０内に侵入するのを防止できる。 - 特許庁