「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(282ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０と、磁気記憶素子１０に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層４にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor single crystal including AlN or GaN which are film-formed to have good crystallinity without forming a 3C-SiC layer on a Si substrate, and which can be used suitably for a light emitting diode, a laser light emitting element, an electronic element that can be operated at a high speed and a high temperature, etc., as well as a high frequency device.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することなく、優れた結晶性で成膜されたＡｌＮまたはＧａＮからななり、発光ダイオード、レーザ発光素子、高速高温動作可能電子素子等の他、高周波デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

A solar battery element 10 is formed on a semiconductor layer 11 formed on a silicon substrate and the solar battery element 10 is peeled off from the silicon substrate by using an adhesive sheet whose adhesive force becomes practically zero at a specified temperature by heating though it is adhesive at a temperature within the range of 20°C to 80°C.例文帳に追加

シリコン基板上に成膜された半導体層１１に太陽電池素子１０を形成し、２０℃〜８０℃の範囲内の温度では粘着性を有するが加熱により特定の温度で実質的に接着力が零になる粘着シートを用いて、太陽電池素子１０をシリコン基板から剥離する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid jetting head, a manufacturing method of a piezoelectric element, and a liquid jetting device having the liquid jetting head or the piezoelectric element manufactured by these manufacturing method, which are superior in uniformity of in-plane characteristics and can reduce the generation rate of cracks which are generated in a piezoelectric layer.例文帳に追加

面内特性の均一性に優れ、且つ、圧電体層に生じるクラックの発生率を低減させることができる液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法及びこれらの製造方法によって製造された液体噴射ヘッド又は圧電素子を備えた液体噴射装置を提供する。 - 特許庁

The process for forming the semiconductor element S comprises a step for selecting a material having a molecular chain length corresponding to the threshold voltage Vth of the semiconductor element S among a plurality of materials having different molecular chain lengths, and a step for forming the characteristics control layer 22 of a material thus selected.例文帳に追加

この半導体素子Ｓを製造する方法は、各々の分子鎖長が相違する複数の材料のなかから当該半導体素子Ｓの閾値電圧Ｖthに応じた分子鎖長の材料を選定する工程と、ここで選定した材料によって特性制御層２２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

In the image reader or the contact type image sensor comprising a fluorescent lamp for illuminating an original, a photoelectric conversion element for reading the original irradiated by the fluorescent lamp and a rod lens array image-forming the information of the original on the photoelectric conversion element, an invisible light cutting layer is formed on the end face of the rod lens array.例文帳に追加

原稿を照明する蛍光ランプと、前記蛍光ランプにより照射された原稿を読み取る光電変換素子と、原稿の情報を前期光電変換素子に結像するロッドレンズアレーを有する画像読取装置または密着型イメージセンサにおいて、前記ロッドレンズアレーの端面に不可視光カット層を形成する。 - 特許庁

The optical waveguide structure 1 includes an optical waveguide 9 comprising clad layers 91, 92 layered on both faces of a core layer 93; conductive layers 51, 52 jointed to the both faces of the optical waveguide; an optical path converting part 96 which bends the optical path of the optical waveguide 9 at about a right angle; a light-emitting element 10; and an electrical element 12.例文帳に追加

光導波路構造体１は、コア層９３の両面にクラッド層９１、９２を積層してなる光導波路９と、その両面にそれぞれ接合された導体層５１、５２と、光導波路９の光路をほぼ直角に屈曲させる光路変換部９６と、発光素子１０と、電気素子１２とを備えている。 - 特許庁

In this air heating heater, a heating element 2 in which a far infrared radiation radiating treatment layer is applied on a surface of an electric heater and a gas heater or a heater is arranged in a temperature raising air circulation passage inside a case body 1, and a catalyst body 6 having deodorizing function is mounted on a temperature raising air outlet on the downstream side of the heating element 2.例文帳に追加

電気ヒータ、ガスヒータ又は前記ヒータの表面に遠赤外線放射処理層を施した加熱体２を筐体１の内部の昇温空気循環路内に配置し、加熱体２の下流側の昇温空気出口に脱臭機能を有する触媒体６を装着させる空気加熱ヒータである。 - 特許庁

In the device, a resistor element layer 13 on the side that is pressed of a pair of resistor element layers 12 and 13 that are installed facing each other with a multiple number of insulate dot spacers 11 is laminated on a transmissive flat plate 16a and light guide plate 22 of the front light unit 20 is integrated to the outer surface of the transmissive flat plate 16a.例文帳に追加

複数の絶縁性ドットスペーサ１１を挟んで対向配置された一対の抵抗体層１２，１３のうちの押圧される側の抵抗体層１３を透光性平板体１６ａ上に積層し、フロントライトユニット２０の導光板２２を、透光性平板体１６ａの外面側に一体化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element in which a member for the liquid crystal display element is used, with which a scratch due to a contact with a substrate is hardly produced on an alignment layer surface even when subjected to an unwinding or winding step to a roll before or after alignment treatment such as rubbing, and alignment defects are significantly reduced.例文帳に追加

ラビングなどの配向処理前あるいは配向処理後にロールへの巻き出し、巻き取り工程を経ても、配向膜表面に基板との接触によるキズがつきにくく、配向不良を著しく低減出来る液晶表示素子用部材を用いた液晶表示素子の製造法を提供する。 - 特許庁

As a result, even when the head 10 becomes a posture in which it bends its head so that the side of the electomagnetic tranducer 60 gets near a recording medium 2 when it is floated from the medium 2, the amount of thermal expansion by heat of the heat layer 80 of the magnetoresistance effect element 40 becomes lager than that of the element 60.例文帳に追加

従って、記録媒体２からの浮上時に電磁変換素子６０側が記録媒体に近づくように薄膜磁気ヘッド１０がうつむく姿勢になった場合でも、発熱層８０の熱による熱膨張量が電磁変換素子６０よりも磁気抵抗効果素子４０の方が大きくなる。 - 特許庁

Thus, when electrons and holes are injected by voltage application to a pn-junction layer, a rare earth element is excited by energy generated by coupling of the injected electrons and holes, then light emission is generated with wavelength corresponding to energy discharged when the rare earth element is returned to the ground state from the excitation state.例文帳に追加

これにより、ｐｎ接合層に対して電圧印加によって電子と正孔が注入されると、注入された電子と正孔の結合によって生じたエネルギーで希土類元素が励起され、希土類元素が励起状態から基底状態に戻るときに放出するエネルギーに相当する波長で発光が生じる。 - 特許庁

To integrally constitute an optical element without arranging tacky adhesive films, alignment layers, etc., by interposing a liquid crystal molecular axis conversion layer so as to continuously connect the directions of the axes of the liquid crystal molecules between adjacent liquid crystal layers when constituting the optical element by laminating a plurality of the liquid crystal layers.例文帳に追加

液晶層を複数積層して光学素子を構成する場合に、隣接する液晶層間の液晶分子の軸の向きが連続して繋がるようにする液晶分子軸変換層を介在させるようにすることにより、粘着膜、配向膜等を配置せずに一体に構成できるようにする。 - 特許庁

This ink-jet type recording head has a piezoelectric thin film element 60 arranged via a diaphragm 51 to at least one face of a pressure chamber substrate having a pressure chamber 10 filled with ink and also a bimetal layer 50 interposed between the diaphragm 51 and the piezoelectric thin film element 60.例文帳に追加

本発明のインクジェット式記録ヘッドは、インクが充填される加圧室１０を備える加圧室基板の少なくとも一方の面に、振動板５１を介して圧電体薄膜素子６０を配置したインクジェット式記録ヘッドにおいて、振動板５１と圧電体薄膜素子６０の間に、バイメタル層５０を介在させたものである。 - 特許庁

In a nonlinear resistor, a high-resistance layer 3 is applied to both side faces of a ceramic element 1, containing zinc oxide(ZnO) as the main element, and at least titanium oxide(TiO2) and bismuth oxide(Bi2O3) as sub-elements, with resistance of 10 to 150 V/mm and these elements are sintered.例文帳に追加

非直線抵抗体において、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、副成分として少なくとも酸化チタン（ＴｉＯ_2 ）と酸化ビスマス（Ｂｉ_2 Ｏ_3 ）を含有し、１０Ｖ／ｍｍ〜１５０Ｖ／ｍｍの抵抗値を有することを特徴とするセラミック素体１の側面に、高抵抗層３が塗布され、焼結される。 - 特許庁

To improve the productivity of a liquid crystal display element by preventing the injecting operation of a liquid crystal composition from being disturbed with an insulating picture frame light shielding layer, and to improve the display quality of the liquid crystal display element by preventing contrast in the vicinity of an injection port from lowering due to a light leakage through the injection port.例文帳に追加

絶縁性の額縁遮光層により液晶組成物の注入操作が妨げられるのを防止して液晶表示素子の生産性向上を図り、且つ注入口からの光漏れによる注入口近傍のコントラストの低下を防止して液晶表示素子の表示品位の向上を図る。 - 特許庁

The thin film type inorganic EL element is provided which has a light emitter layer formed by at least two vapor deposition processes of the vapor deposition process in which an inorganic composition is utilized as a vapor deposition source and the vapor deposition process in which a composition containing Ir element is utilized as the vapor deposition source.例文帳に追加

本発明によれば、無機組成物を蒸着源とする蒸着工程と、Ｉｒ元素を含む組成物を蒸着源とする蒸着工程との少なくとも二つの蒸着工程により形成される発光体層を有することを特徴とする薄膜型無機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁

To form the LDD regions with the concentration inclination of the impurity element, the gate electrode with a tapered part is provided, and the ionized N- or P-type impurity element is accelerated by an electric field, is allowed to pass through the gate electrode and a gate insulating film 142, and is added to a semiconductor layer.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するＬＤＤ領域を形成するために、テーパー部を有するゲート電極を設け、イオン化したＮ又はＰ型不純物元素を、電界で加速してゲート電極とゲート絶縁膜１４２を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

Dopants, for example an n-type dopant like Ga which is an element of group III and p-type dopant like N which is an element of group V, are doped on a ZnO crystal layer, wherein the n-type dopant is more than the p-type dopant and the n-type dopant is dorped at the impurity concentration of 1×1018 cm-3 or higher.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶層にドーパントとして、たとえばＧａのようなIII族元素などのｎ型ドーパントと、たとえばＮのようなＶ族元素などのｐ型ドーパントとがドーピングされ、そのｎ型ドーパントがｐ型ドーパントより多く、かつ、ｎ型ドーパントが１×１０^18ｃｍ^-3以上の不純物濃度にドーピングされている。 - 特許庁

A compound semiconductor film 2 including at least one group III element constituting the laminated structure of the compound semiconductor, and at least one group V element constituting the laminated structure of a compound semiconductor layer, is previously formed on a surface of the substrate mounting part 3 before the laminated structure is formed.例文帳に追加

前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of easily adding contrast, lowering a production cost and at the same time applying a material other than a chemical compound having an arylamine skeleton in a hole injection layer as an organic electroluminescent element for patterning, and expanding a range of choices for materials.例文帳に追加

容易にコントラストをつけることができ、かつ製造コストを下げることができると同時に、パターン化に用いる有機電界発光素子として正孔注入層にアリールアミン骨格を有する化合物以外の材料をも適用することが可能であり、材料選択の幅を広げることができる有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

The thickness (a) of a second insulation film 7 formed on a control electrode 8 in an element 100 is 1/3 or less the thickness (b) of a third insulation film 10 formed on the principal plane side of a semiconductor layer 2, in a terminal 200 which is adjacent to the element 100 wherein the control electrode 8 is formed.例文帳に追加

素子部１００における制御電極８の上に設けられた第２の絶縁膜７の厚さａが、制御電極８が設けられる素子部１００に対して隣接した終端部２００において半導体層２の主面側に設けられた第３の絶縁膜１０の厚さｂの１／３以下である。 - 特許庁

To normally and stably make an optical semiconductor element operate over a long period of time, by improving the strength with respect to the tensile force and push-up force in the wire direction of lead wire of a thermoelectric cooling element, strengthening the jointing of the lead wire and the metallization wiring layer of an input/output terminal and ensuring continuity.例文帳に追加

熱電冷却素子のリード線の線方向の引っ張り力や押し上げ力に対する強度を向上させて、リード線と入出力端子のメタライズ配線層との接合を強固なものとし、導通を確実なものとすることにより、光半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定に作動させること。 - 特許庁

To provide a stacked organic electroluminescent (EL) element, using an inorganic semiconductor for a charge generating layer, in which a service life at the time of high-luminance emission can be prolonged although the prolongation of the service life is hardly achieved in a conventional organic EL element and which can be efficiently and stably manufactured.例文帳に追加

本発明は、電荷発生層に無機半導体を用いた有機ＥＬ素子であって、従来の有機ＥＬ素子では達成困難であった高輝度発光時での長寿命が実現可能であり、効率よく安定的に製造可能な積層型の有機ＥＬ素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A narrow conductive film is longitudinally disposed on a longitudinally long transparent film 10 having an adhesive layer on its rear surface, and a longitudinally long closed rectangle is disposed on the lower part using an extended line of the conductive film as a side, thereby forming an antenna element 12, and a feeder section 14 is provided on the upper part of the antenna element 12.例文帳に追加

裏面に接着剤層が配設された縦方向に長い透明フィルム１０に、幅の狭い導電膜を縦方向に配設するとともにその延長線を一辺として下側部分に縦方向に長い閉じた長方形を配設してアンテナエレメント１２とし、アンテナエレメント１２の上端部に給電部１４を設ける。 - 特許庁

To provide a colored image forming material, having highly enhanced dispersion stability, photosensitivity and transmittance of a pigment, a photosensitive liquid using the material, photosensitive element with a layer containing the colored image forming material and a base, a method for producing a color filter using the photosensitive element and the color filter.例文帳に追加

顔料の分散安定性、光感度及び透過率を共に著しく向上させた着色画像形成材料、これを用いた感光液、前記着色画像形成材料を含む層及び支持体を有する感光性エレメント、これを用いたカラーフィルターの製造法及びカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.例文帳に追加

一対の磁気シールド層２５，２７の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子３３が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド２０を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁

Thereafter, cleavage is performed along a division line D set at a position overlapping the eaves 7 when viewed from the laminating direction so that the underlying electrode layer 4 extends with a substantially equal thickness up to the opposite end faces 1a and 1a of the semiconductor laser element 1 thus enhancing emission efficiency of the semiconductor laser element 1.例文帳に追加

その後、積層方向から見て庇７と重なる位置に設定した分割線Ｄに沿ってへき開を行うことにより、半導体レーザ素子１の両端面１ａ，１ａに至るまで、下地電極層４をほぼ等厚で延在し、半導体レーザ素子１の発光効率の向上が図られる。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

The wound solid electrolytic capacitor comprises a capacitor element in which a conductive polymer is held in a wound body 4 formed by winding an anode foil 1 and a cathode foil 3 via a separator 2, and at least a part of the surface of the capacitor element is covered with a coating layer 8 made of manganese dioxide.例文帳に追加

本発明の巻回型固体電解コンデンサは、陽極箔１と陰極箔３とをセパレータ２を介して巻回した巻回体４に導電性高分子を保持させたコンデンサ素子から成り、当該コンデンサ素子の表面の少なくとも一部を、二酸化マンガンからなるコーティング層８で被覆したことを特徴とする。 - 特許庁

The imaging element 1 and the filter 3 are fixed to each other by an adhesive 4 arranged except an imaging region 2 of the imaging element 1, a part which faces the imaging region 2 of the filter 3 is curved, and a void 11 which is a gas layer is formed between the curved part of the filter 3 and the imaging region 2.例文帳に追加

撮像素子１とフィルタ３とは、撮像素子１の撮像領域２以外に配置した接着剤４で固定されており、フィルタ３のうちの撮像領域２と対向している部分は湾曲しており、フィルタ３の湾曲している部分と撮像領域２との間に気体層である空隙１１が形成されている。 - 特許庁

To realize a ferroelectric liquid crystal element capable of effectively suppressing light leakage due to temperature dependence of an apparent memory angle of the ferroelectric liquid crystal layer and obtaining high contrast in a wide temperature range without complicating element configuration and increasing power consumption and cost.例文帳に追加

強誘電性液晶素子において、強誘電性液晶層の見かけのメモリ角の温度依存性に起因する光漏れを効果的に抑制でき、広い温度範囲で高コントラストが得られる強誘電性液晶素子を、素子構成の複雑化、消費電力アップ、及びコストアップを伴うことなく実現する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser device 10 comprises a laser element 34 including an n-type multilayer film reflector 24, an active layer 26 and a p-type multilayer film reflector 28 formed on a substrate 20, and a light absorption-thermal conversion region 50 for generating heat by absorbing light located contiguously to the laser element 34.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ装置１０は、基板２０上に、ｎ型の多層膜反射鏡２４、活性層２６、およびｐ型の多層膜反射鏡２８とを含むレーザ素子部３４が形成され、さらに、レーザ素子部３４と隣接する位置に、光を吸収し発熱する光吸収熱変換領域５０を有する。 - 特許庁

Compared with the case of one element, a brighter light source is obtained by forming an organic electroluminescent element with at least one organic layer 102 having luminous function at both sides of a transparent base plate 107, and by covering whole surface of the above transparent base plate except one end surface by a mirror 104 with high index of reflection.例文帳に追加

透明基板１０７の両面に少なくとも一層の発光機能を有する有機層１０２を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、前記透明基板の一つの端面を残し反射率の高いミラー１０４で覆うことにより、素子が一つの場合と比較し、より明るい光源となる。 - 特許庁

To provide an organic EL(electroluminescent) element having organic EL lighting surface electrodes of a pair of an anode and a cathode and a surface luminescent layer between them and capable of controlling luminescent face luminance distribution and simply obtaining the luminescent face luminance distribution without using the organic EL element of a special structure.例文帳に追加

一対の陽極と陰極からなる有機ＥＬ点灯用面状電極及びその間に挟まれる面状発光層をもち、発光面輝度分布を制御可能な有機ＥＬ素子において、特殊な構造の有機ＥＬ素子を使わずとも、簡単に発光面輝度分布を得ることができる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The light emitting device 10 is provided with a substrate 11, a barrier 19 which is formed on the substrate 11 and demarcates a recess part on the substrate 11, the light emitting element 12 formed on the substrate 11 so that the position of a light emitting layer 16 will be regulated by the recess part, and the lens 20 overlapped on the light emitting element 12 and formed in the recess part.例文帳に追加

発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に形成されて基板１１上に凹部を画定する隔壁１９と、その凹部によって発光層１６の位置が規制されるように基板１１上に形成された発光素子１２と、発光素子１２に重なり凹部内に形成されたレンズ２０とを備える。 - 特許庁

A beam steering element 32 is embedded in the second dielectric layer and electromagnetically coupled to the radiating element.例文帳に追加

ビームステアリング要素を第２誘電層に埋め込むこと、及びビームステアリング要素を放射要素に電磁的に結合することにより、アンテナが自動車による屋根障害を克服するように放射ビームをチルトすることを可能にし、ＳＤＡＲＳアプリケーションについて、受け付けられるゲイン、偏波及び指向性の特性を改善することを可能にする。 - 特許庁

The battery comprises a storage element, a container made of aluminum with standard form having an opening at one side and housing the storage element, and a lid made of two layers of nickel and aluminum of which, the aluminum layer is formed at the opening side of the container, closing the container by being jointed to the opening side end surface of the container.例文帳に追加

本発明の電池は、蓄電要素と、一方に開口し、蓄電要素が収納された定形のアルミニウム製容器と、ニッケルとアルミニウムの２層からなり、そのアルミニウム層が前記容器側にあって前記容器の開口側の端面に接合されることにより前記容器を封じる蓋とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a standard cell and an automatic arrangement and wiring method using the same, the standard cell includes: a rectangular element region 11 wherein circuit elements are arranged; and additional rectangular wiring regions 12a and 12b which have the same width as two opposing sides of the element region 11 and are provided close to the two opposing sides, respectively, and wherein an upper layer interconnection is arranged.例文帳に追加

本発明のスタンダードセルおよびそれを用いた自動配置配線方法は、回路素子が配置される矩形の素子領域１１と、素子領域１１の対向する２辺と同じ幅で対向する２辺に近接して設けられ、上層配線が配置される矩形の追加配線領域１２ａ、１２ｂを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The structure of the light emitting element includes between electrodes, at least an electron transporting layer, a light emitting layer containing a luminescent substance, a first region, and a second region, wherein the electron transporting layer includes the second region between the light emitting layer and the first region, the first region includes a substance containing a polycyclic condensed ring, and the second region does not include the substance containing a polycyclic condensed ring.例文帳に追加

上記課題を解決する為の薄膜発光素子の構成は、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第１の領域、及び第２の領域を有し、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第１の領域との間に前記第２の領域を有し、前記第１の領域は多環縮合環を有する物質が含まれており、前記第２の領域には前記多環縮合環を有する物質が含まれていないことを特徴とする。 - 特許庁

When the element exhibits a mirror state, the difference Δϕ_1 in the work function between the first conductive layer 3 and the proton holding layer 4, and the difference Δϕ_2 in the work function between the second conductive layer 8 having light transmissiveness and the hydrogenated metal layer 7 satisfy |Δϕ_1-Δϕ_2|≤0.4 eV.例文帳に追加

透明基板２上に、光透過性を有する第１の導電層３と、プロトン保持層４と、プロトン伝導層５と、触媒層６と、水素化金属層７と、光透過性を有する第２の導電層８とを備え、鏡状態を呈しているときに、第１の導電層３の仕事関数とプロトン保持層４の仕事関数の差をΔφ_1、光透過性を有する第２の導電層８の仕事関数と水素化金属層７の仕事関数の差をΔφ_2とすると、｜Δφ_1− Δφ_2｜≦0.4 eVを満たすことを特徴とする。 - 特許庁

When manufacturing the organic EL element, composed of a substrate/the first electrode/an organic layer containing at least a light emission layer/and the second electrode which is at least transparent at the light emission wave length region; a transfer support layer is laid between a donor substrate for transcription and the transparent electrode layer, when forming the transparent electrode, serving as the second electrode, by a transfer method.例文帳に追加

素子構成が基板／第一電極／少なくとも発光層を含む有機物層／発光層からの発光波長領域において少なくとも透明である第二電極からなる有機ＥＬ素子を製造するに当り、第二電極となる透明電極層を転写法で形成する際に、転写用ドナー基板と透明電極層との間に転写補助層を設けることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁