「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In a step 11, transistor elements are formed on a semiconductor wafer, and a laminated wiring metal film composed of a prescribed wiring metal layer and an antireflection film or a barrier layer is formed on all the surface of a wafer.例文帳に追加

ステップ１１で半導体ウェハへのトランジスタ素子形成後、所定の配線金属層及び反射防止膜またはバリア層からなる積層配線金属膜をウェハ全面に形成する。 - 特許庁

The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancy diffusion.例文帳に追加

本発明の方法は、前記第１の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第１の層（１０２）を格子間欠陥（１０５ａ）で富化させるためのステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

The halftone phase shift layer comprises a monolayer or multilayer film including one metal silicide-base layer containing one or more elements selected from oxygen, nitrogen and fluorine.例文帳に追加

そして、上記において、ハーフトーン位相シフト層が金属シリサイドを主成分とし、酸素、窒素、フッ素の中から少なくとも一つ以上の元素を含む１層を含む、単層または多層膜からなる。 - 特許庁

Generating elements 2 of three layer structure made of a negative electrode 4, a positive electrode, and a conductor membrane 3 provided in close contact between the negative electrode and the positive electrode are arranged plural pieces in the direction of the layer.例文帳に追加

陰極４と、陽極５と、陰極と陽極との間に密着して設けられた伝導体膜３とからなる３層構造の発電素子２が層方向に複数配列される。 - 特許庁

The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO_2, the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy.例文帳に追加

第１、第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物よりなり、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、反射放熱層５はＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, wherein the thickness of the whole electric double-layer capacitor is made thinner as compared with a conventional one even when two or more capacitor elements to be covered with a housing are connected in series.例文帳に追加

外装体で覆われるキャパシタ素子を２個以上直列接続しても、電気二重層キャパシタ全体の厚みが従来よりも薄型となる電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

Laser elements 30-1 to 30-5 including an active layer and a pair of mirror layers sandwiching the active layer are arrayed on the same substrate 20 of a VSCEL array 10.例文帳に追加

ＶＳＣＥＬアレイ１０は、活性層と、活性層を挟み込む１対のミラー層とを備えたレーザ素子３０−１〜３０−５を同一基板２０上にアレイ状に配置している。 - 特許庁

An intermediate material layer 28 generating a bonding strength is formed at an interface 27 between a first substrate 11 and a second substrate 12, and a plurality of metal elements are included in this intermediate material layer.例文帳に追加

第１基板１１と第２基板１２との界面２７には、接合強度を生起する中間材層２８が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。 - 特許庁

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn.例文帳に追加

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 - 特許庁

As a result of this process, a multilayered film structure consisting of a pure aluminum layer and an aluminum alloy layer containing metallic elements is formed, thereby forming an electrode film which can effectively control hillock.例文帳に追加

この方法により、純アルミニウム層と、金属元素を含むアルミニウム合金層の多層膜構造が形成され、効果的にヒロックを抑制できる電極膜を形成することができる。 - 特許庁

Each of the organic EL elements 20a, 20b includes a light emission layer which emits the light, and a transparent substrate having the shape larger than that of the light emission layer in plane view.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂはそれぞれ、光を出射する発光層と、平面視した状態において、発光層よりも大きい形状を有する透明基板と、を含む。 - 特許庁

This display device includes a pixel driving circuit forming layer 112 containing a drive transistor and a write transistor, and a plurality of organic light-emitting elements 10 in each of which a first electrode layer 13, an organic layer 14 containing a luminescent layer, and a second electrode layer 16 are each laminated one by one from the substrate 111 side, on a substrate 111.例文帳に追加

この表示装置は、基板１１１上に、駆動トランジスタおよび書込トランジスタを含む画素駆動回路形成層１１２と、基板１１１の側から第１電極層１３、発光層を含む有機層１４、および第２電極層１６が各々順に積層されてなる複数の有機発光素子１０とを備える。 - 特許庁

A radiation detection device comprises: a scintillator panel including a scintillator layer for converting radiation into light and a scintillator protective layer for protecting the scintillator layer; and a sensor panel including a sensor array on which a plurality of photoelectric conversion elements for detecting the light from the scintillator layer are arranged and a sensor protective layer for protecting the sensor array.例文帳に追加

放射線検出装置は、放射線を光に変換するシンチレータ層と前記シンチレータ層を保護するシンチレータ保護層とを含むシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイと前記センサアレイを保護するセンサ保護層とを含むセンサパネルと、を備える。 - 特許庁

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part.例文帳に追加

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。 - 特許庁

A field-effect transistor has: a gate insulating film 22; an oxide semiconductor layer 14 containing main constituent elements of Sn, Zn, and O, or Sn, Ga, Zn, and O as an active layer; and an oxide intermediate layer 16 arranged between the gate insulating film 22 and the oxide semiconductor layer 14 and having a resistivity higher than that of the oxide semiconductor layer 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material.例文帳に追加

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。 - 特許庁

Organic light-emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end face closer to an upper organic layer 15 of a first electrode layer 13 is a first end P1 and an end face closer to an upper organic layer 15 of a second electrode layer 16 is a second end P2 on a planarized insulating layer 12 disposed on a substrate 11.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１に設けられた平坦化絶縁層１２の上に、第１電極層１３の上部有機層１５側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極層１６の上部有機層１５側の端面を第２端部Ｐ２とする共振器構造を有するものである。 - 特許庁

In this method of encapsulating optoelectronic elements, by embedding the elements to be encapsulated between a first transparent polymer layer and a second polymer layer, which is filled with unactivated foaming agent, and then activating the foaming agent, so that both the polymer layers are joined to each other, in particular, welded to each other, and the elements are enclosed between both the polymer layers.例文帳に追加

オプトエレクトロニクス素子の封入方法であって、被封入素子を、第１の透明なポリマー層と、未活性化発泡剤が充填された第２のポリマー層との間に埋め込み、次に発泡剤を活性化し、それによって、両ポリマー層を相互に結合し、特に相互に溶接し、素子を両ポリマー層の間に閉じ込める封入方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a plurality of first capacitor holes 52 bored in an insulating layer; DRAM cells comprising capacitive elements C formed in the first capacitor holes 52 and transistors Tr coupled to the capacitive elements C; a plurality of second capacitor holes 40 bored in the insulating layer; and fuse elements (31, 51) formed between the second capacitor holes 40.例文帳に追加

この半導体装置は、絶縁層に設けられた複数の第１キャパシタ孔５２と、第１キャパシタ孔５２に形成された容量素子Ｃと、容量素子Ｃと結合するトランジスタＴｒとからなるＤＲＡＭセルと、絶縁層に設けられた複数の第２キャパシタ孔４０と、第２キャパシタ孔４０の間に形成されるフューズ素子（３１、５１）と、を備えている。 - 特許庁

As the discriminating substance, Fe, Cr, Nd, or the like, is used and the discriminability with which the mask layer 2 is provided by dispersing atoms of any of these elements into the mask layer 2, is not deteriorated even when the mask layer 2 is exposed to the conditions under which a GaN-based crystal semiconductor is grown.例文帳に追加

識別用物質には、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｄなどを用い、これらの原子の分散によってマスク層に与えられた識別性が、ＧａＮ系半導体の結晶成長の条件にさらされても失われないものとする。 - 特許庁

The method of the present invention includes a process of forming at least one layer of the organic electroluminascence layer 3 without separating the layer 3 between the adjacent light "Si emitting picture elements and a process of forming the second electrodes 4 using a shadow.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス層３の少なくとも１層を隣接する発光画素間で分断することなく形成する工程と、第二電極４を複数の開口部を有するシャドーマスクを用いて形成する工程とを含む。 - 特許庁

A negative electrode active material layer between a negative electrode collector layer 11 and a solid electrolyte layer 13 has a line-and-space structure where a plurality of linear elements 121 extending in the direction of the Y axis is arranged separately from each other.例文帳に追加

負極集電体層１１と固体電解質層１３との間に形成する負極活物質層は、Ｙ方向に延びるライン状パターン１２１が互いに離隔して複数配置されたラインアンドスペース構造とされる。 - 特許庁

The coated member is provided with a magnesium base material essentially consisting of magnesium(Mg), an oxidized layer formed on the magnesium base material, and a coating layer consisting of oxides or sulfides of the group VIa elements, and formed on the oxidized layer.例文帳に追加

マグネシウム（Ｍｇ）を主成分とするマグネシウム基材と、マグネシウム基材上に形成された酸化層と、酸化層上に形成された第VIａ属元素の酸化物や硫化物からなる被覆層と、を備えることを特徴とする被覆部材。 - 特許庁

The intermediate layer 12 made of magnesia spinel (MgAl_2O_4), the lowr conductive layer 13 made of elements of a platinum group or their alloy, and the oxide layer 14 with crystal structure having a simple perovskite lattice are formed through epitaxial growth.例文帳に追加

マグネシアスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）よりなる中間層１２、白金族の元素またはその合金よりなる下部導電層１３、単純ペロブスカイト格子を有する結晶構造の酸化物層１４はエピタキシャル成長して形成される。 - 特許庁

Then, elements of the substance to be transmuted are transmuted by locating it on the surface on the other side of the mixture layer 14 in the surface layer 16 and passing through deuterium from the side of the surface layer 16 to the side of the substrate 12.例文帳に追加

そして、表面層１６の非混合層側の表面上に被変換物質が配置され、表面層１６側から基板１２側へと重水素が通過されることによって、被変換物質の元素変換が行われる。 - 特許庁

A magnetic layer, forming two magnetic tunnel effect elements 11 and 21, are formed as a magnetoresistance effect element on a substrate, and a magnetic layer for applying magnetic field made of NiCo is formed in a manner so as to pinch the magnetic layer, as viewed from the top.例文帳に追加

基板１０上には磁気抵抗効果素子として二つの磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層が形成され、同磁性層を平面視において挟むようにＮｉＣоからなる磁場印加用磁性層が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2 on which a plurality of semiconductor elements (not shown) are formed, an interconnection layer 3, first nitride films 4, copper interconnections 5, barrier layers 6, adhesive layers 7, a second nitride layer 8, and a wire 9.例文帳に追加

半導体装置１は、複数の半導体素子（図示略）が形成された半導体素子層２と、配線層３と、第１窒化膜４と、銅配線５と、バリア層６と、接着層７と、第２窒化膜８と、ワイヤ９とを備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electroluminescent element, a produced substrate is doped with rare earth elements as a luminous layer, a silicon-rich layer is vapor-deposited on a gate oxide layer, damages generated in a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon is restored by annealing and oxidizing a structure, and the electroluminescent element is built in a CMOS IC.例文帳に追加

本発明は、作成された基板上に、発光層として希土類がドープされ、且つシリコンリッチな層をゲート酸化物層上に蒸着し、構造体をアニールおよび酸化して上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層に引き起こされる損傷を修復し、ＣＭＯＳ ＩＣに上記エレクトロルミネセンス素子を組み込むことを含むエレクトロルミネセンス素子の製造方法に関する。 - 特許庁

A gap part 26 between division recording elements 20 is filled with a non-magnetic body 28, thereafter a first mask layer 34 is removed.例文帳に追加

分割記録要素２０間の隙間部２６を非磁性体２８で充填してから第１のマスク層３４を除去するようにした。 - 特許庁

A protection layer is located on the substrate, covers the fingerprint detection elements to form a flat external surface to be in contact with a finger.例文帳に追加

保護層は、基板上に位置し、指紋検出素子を覆蓋することにより、平坦の外表面を形成し、指に接触する。 - 特許庁

A product actual pattern region CPA represents a region of a plurality of elements that are connected with a wiring layer, and then integrated into a circuit not shown in the figure.例文帳に追加

製品実パターン領域ＣＰＡは、図示しないが複数の素子を配線層で接続し集積回路化した領域を示す。 - 特許庁

The adhesive layer 4 does not contain halogen elements and has as a principal component copolymerized polyester introducing phosphorus atoms in a molecule.例文帳に追加

接着剤層４は、ハロゲン元素を含有しておらず、また、分子内にリン原子を導入した共重合ポリエステルを主成分としている。 - 特許庁

The pair of wiring elements (11, 12; 13, 14) are interconnected in the wiring layer of at least one wiring element.例文帳に追加

ここで、一対の配線要素（１１，１２；１３，１４）は、少なくとも一方の配線要素の配線層において互いに接続されている。 - 特許庁

To a fixed layer of the TMR elements 10, first wiring 11A extended in an X direction and functioning as read wiring is connected.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１０の固定層には、読み出し配線として機能するＸ方向に延びる第１配線１１Ａが接続される。 - 特許庁

(b) The recording layer has main constituent elements of Ag, In, Sb and Te.例文帳に追加

３０ｎｍ＜ＵＬ＜２５０ｎｍ ８ｎｍ≦ＰＬ≦ ２５ｎｍ １０ｎｍ≦ＴＬ≦２００ｎｍ ３０ｎｍ≦ＲＬ≦２００ｎｍ （ロ）記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主構成元素とする。 - 特許庁

The resin material can limit the expansion of the conductive polymer layer to the extent that it is not virtually peeled off from the capacitor elements.例文帳に追加

樹脂材料が、導電性ポリマー層の膨張をそれがコンデンサ要素から実質的に剥離しない程度まで制限することができる。 - 特許庁

The active layer 11 contains a first electron conductive material that is active to hydrocarbon, and zirconium oxide added with first rare earth elements.例文帳に追加

活性層１１が、炭化水素に活性な第１電子伝導性物質と、第１希土類元素を添加した酸化ジルコニウムとを含む。 - 特許庁

The reforming layer 12 contains a second electron conductive material that is active to the hydrocarbon, and cerium oxide added with second rare earth elements.例文帳に追加

改質層１２が、炭化水素に活性な第２電子伝導性物質と、第２希土類元素を添加した酸化セリウムとを含む。 - 特許庁

To deposit an insulation layer having an excellent gap filling property by using a deposit etching technology without clipping in a trench mask and circuit elements.例文帳に追加

堆積エッチング技術を使用し、トレンチマスク及び回路素子をクリツピング無しで優れたギヤツプ充填特性の絶縁層を堆積する。 - 特許庁

The first layer of the dielectric 20 is composed of a plurality of elements 21 to 24 divided to cover the opposing surface of the electrode 30 without leaving any space.例文帳に追加

第１層の誘電体２０は、電極３０の対向面を隙間なく覆うように分割された複数の要素２１〜２４からなる。 - 特許庁

The first layer 211 is formed by using phosphor particles including oxygen O and gadolinium Gd and europium Eu which are rare earth elements.例文帳に追加

第１層２１１は、酸素Ｏおよび希土類元素のガドリニウムＧｄ、ユウロピウムＥｕを含有する蛍光体粒子を用いて形成する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 21B includes Si as a constituent element, and includes ferromagnetic metal elements such as Fe, Ni, Co.例文帳に追加

負極活物質層２１Ｂは、構成元素としてＳｉを含むと共にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏなどの強磁性金属元素を含んでいる。 - 特許庁

The first and second elements are connected electrically through through holes 113X, 113Y made in the epitaxial layer 104.例文帳に追加

第１の素子と第２の素子とは、エピタキシャル層１０４に形成されたスルーホール１１３Ｘ，１１３Ｙを介して電気的に接続される。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction layer C, which is cylindrically formed having coaxially arranged constituent elements.例文帳に追加

磁気トンネル接合層Ｃを備える磁気メモリ素子において、磁気トンネル接合層Ｃは、構成要素が同心に備えられた円筒形である。 - 特許庁

The first mask layer 34 is removed after a gap part 26 between the divided recording elements 20 is filled with a nonmagnetic body 28.例文帳に追加

又、分割記録要素２０間の隙間部２６を非磁性体２８で充填してから第１のマスク層３４を除去するようにした。 - 特許庁