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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > layer elementsに関連した英語例文

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layer elementsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2250



例文

Additionally, the active layer 122 is made of silicon oxide in which the ions of rare-earth elements, such as erbium, are added (dispersed).例文帳に追加

また、活性層122は、例えばエルビウムなどの希土類元素のイオンが添加(分散)された酸化シリコンから構成されている。 - 特許庁

The display device is composed by two-dimensionally arranging a plurality of light-emitting elements including an anode electrode, a light-emitting layer, and a cathode electrode in this order.例文帳に追加

アノード電極、発光層およびカソード電極をこの順に有する複数の発光素子を2次元配置してなる。 - 特許庁

Plasma is produced over a semiconductor layer 3a by using raw material gas containing impurity elements and compensating gas containing an element as large as or larger than elements constituting the semiconductor device 3a to introduce impurity ions into the semiconductor layer 3a, and also introduce ions for defect formation composed of the element as large as or larger than the elements constituting the semiconductor layer into the semiconductor layer 3a for defect formation.例文帳に追加

半導体層3aの上方で、不純物元素を含む原料ガス、及び半導体層3aを構成する元素と同等以上の大きさの元素を含む補償ガスを用いてプラズマを生成することにより、半導体層3aに不純物イオンを導入すると同時に、半導体層3aに該半導体層を構成する元素と同等以上の大きさの元素からなる欠陥形成用イオンを導入して欠陥を生じさせる。 - 特許庁

In the blank for a halftone phase shifting mask obtained by disposing a translucent film layer comprising a single layer film or a multilayer film whose transmittance and phase after transmission are controlled on a transparent substrate, the principal constituent elements contained in at least one layer of the translucent film layer except oxygen and nitrogen are two metal elements, one of the metal elements is aluminum and the other is a transition metal.例文帳に追加

透明基板上に、透過率および透過した後の位相が制御される単層膜もしくは多層膜からなる半透明膜層が設けられてなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記半透明膜層の少なくとも1層に含まれる、酸素、窒素以外の主要構成元素が2種類の金属元素であり、その一方がアルミニウムであり、他方が遷移金属であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクを提供する。 - 特許庁

例文

This optical recording medium has a recording layer 3b constituted of a plurality of elements, and the recording layer 3b contains Sb and contains Mn in the ratio of 20 to 40 atomic% when the amount of all constituent elements of the recording layer 3b is l00 atomic%.例文帳に追加

複数の元素によって構成される記録層3bを有する光記録媒体1であって、記録層3bは、Sbを含有すると共に、記録層3bを構成するすべての元素の量を100原子%としたときに20原子%を超えて40原子%以下の比率でMnを含有している。 - 特許庁


例文

In a boundary portion of the coating film and the interconnector of the coating body, a chromia layer including Cr_2O_3 to be composed, a first layer including the elements of Mn, Co, Fe, Cr and O, and a second layer including the elements of Mn, Co, Fe and O are interposed sequentially from the side near the interconnector.例文帳に追加

このコーティング体では、コーティング膜とインターコネクタとの境界部にて、インターコネクタに近い側から順に、Cr_2O_3を含んで構成されるクロミア層、Mn,Co,Fe,Cr,及びOの元素を含んで構成される第1層、及び、Mn,Co,Fe,及びOの元素を含んで構成される第2層が介在している。 - 特許庁

This method includes processes of making a semiconductor layer 14 on a sapphire substrate 1, making grooves 15a and 15b which divide the semiconductor layer 14 into element formation regions 16 where a plurality of elements are formed, and forming the elements on the semiconductor layer 14.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、サファイア基板1上に半導体層14を形成する工程と、半導体層14に複数の素子が形成される素子形成領域16に分離する溝部15aおよび溝部15bを形成する工程と、その後、半導体層14に素子を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 2 having a plurality of light receiving elements formed on its top surface, an infrared cutting filter layer 6 which is formed of an inorganic material to cover the light receiving elements and cuts infrared rays, and a color filter layer 7 which is formed to cover the top surface of the infrared cutting filter layer 6.例文帳に追加

固体撮像装置1は、表面に複数の受光素子が形成された半導体基板2と、無機材料によって、受光素子を覆うように形成され、赤外線をカットする赤外カットフィルタ層6と、赤外カットフィルタ層6の表面を覆うように形成されるカラーフィルタ層7とを備える。 - 特許庁

A nitride semiconductor layer including a plurality of group III elements is formed on an uneven surface of a substrate so that at least one of composition ratios of the group III elements in the nitride semiconductor layer, band gap energy, refractive index, electrical conductivity and resistivity is changed in the layer in response to unevenness of the substrate.例文帳に追加

複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。 - 特許庁

例文

Particularly, when the heat-resistant alloy is a niobium-based alloy, the alloy film of the first layer shall include Re and two or more such elements as to form a stable phase coupled with Re, and the second layer film shall have the reinforced fibers dispersed in the alloy layer containing at least Al and one or more elements of Cr and Ni.例文帳に追加

とくに耐熱合金が二オブ基合金の場合に、第一層の合金皮膜はRe及びReと安定な相を形成する元素を2種以上含むものとし、第二層皮膜は、少なくともAlを含みCrとNiのうちの1種以上を含む合金層中に、強化繊維が分散されたものとする。 - 特許庁

例文

Even if the metal bonding layer 4 is softened as the thermoelectric elements 2 generate heat, the intermediate layer 6 functions to suppress slippage of the metal bonding layer 4 with respect to the metal particles 5, so that deviation in positions of the thermoelectric elements 2 is suppressed to obtain the thermoelectric module 10 having high durability.例文帳に追加

熱電素子2の発熱に伴って金属接合層4が軟化したとしても、中間層6が金属粒子5に対する金属接合層4の滑りを抑制するように機能するため、熱電素子2の位置ずれの発生を抑えることができ、高い耐久性を有する熱電モジュール10が得られる。 - 特許庁

The electronic component is provided with a main body wherein a dielectric layer and an internal electrode layer are alternately stacked, a heterogenous phase is formed in the dielectric layer and/or the internal electrode layer, and it contains Mg and Mn elements.例文帳に追加

誘電体層と内部電極層とが交互に積層してある素子本体を有し、前記誘電体層および/または前記内部電極層には、異相が形成してあり、前記異相には、Mg元素およびMn元素が含有されていることを特徴とする電子部品。 - 特許庁

In the hard coating film, a conductive layer 36 in which the composition is the same as that of a functional layer 34 constituted of the covalent bond or the ionic bond and the ratio of non-metallic elements is lower than that of the functional layer 34 is provided on the functional layer 34 to obtain the predetermined conductivity.例文帳に追加

共有結合またはイオン結合によって構成されている機能層34の上に、機能層34と同じ組成であるが非金属元素の割合が機能層34よりも低い導電層36を設け、所定の導電性が得られるようにする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises a step wherein through holes are formed in an interlaminar insulating layer (silicon oxide layer, BPSG layer) formed on a semiconductor substrate 11 including elements, a step wherein a barrier layer is formed on the surface of the interlaminar insulating layer and the through holes, and a step wherein a wiring layer is formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、素子を含む半導体基板11の上に形成された層間絶縁層(シリコン酸化層,BPSG層)にスルーホールを形成する工程と、層間絶縁層およびスルーホールの表面にバリア層を形成する工程と、バリア層の上に配線層を形成する工程とを含み、バリア層を形成する工程は、以下の工程(a)〜(d)を含む。 - 特許庁

The COB module 12 has a substrate 15 and a light-emitting part 16 of which on one face of the substrate 15 a plurality of LED elements are mounted and the plurality of LED elements are covered with a sealing layer.例文帳に追加

COBモジュール12は、基板15、およびこの基板15の一面に複数のLED素子が実装されるとともに複数のLED素子を封止層で覆って形成された発光部16を有する。 - 特許庁

In such a case as this, the load connection elements form a lamination, and an elastic intermediate layer is, in this case, arranged between each adjoining load connection elements in each strip cross section region.例文帳に追加

この場合には、負荷接続要素は積層を形成し、弾性の中間層は、この場合には、それぞれのストリップ状の断面の領域におけるそれぞれの隣接する負荷接続要素の間に配置される。 - 特許庁

To provide an optical device in which adjacent optical elements can be joined to each other without using an adhesive layer comprising an organic adhesive, wherein antireflective films the number of which is twice the number of the optical elements, and holders are not necessary.例文帳に追加

有機接着剤からなる接着層を用いることなく光学素子を接合することができ、光学素子の倍の枚数の反射防止膜とホルダーが不要の光学デバイスを提供する。 - 特許庁

Then, the reinforce layer of the fiber material is cut at the combined position of the split elements 11, 12 and the split elements 11, 12 are separated from each other and the cutting plane is exposed and the wound condition is observed and analyzed.例文帳に追加

そして、分割体11、12の結合位置にて、繊維材料の強化層を切断し、分割体11、12を分離して、切断面を露出させ、巻装の状態を観察・分析する。 - 特許庁

When growing the crystal of a semiconductor layer, the ratio of a supply amount per unit hour of each material gas of group III elements and group V elements is referred to as V/III hereafter.例文帳に追加

半導体層を結晶成長させる際に結晶成長面に供給する III族元素及びV族元素の各材料ガスの単位時間当たりの供給量の比のことを以下V/III 比と言う。 - 特許庁

A plurality of the semiconductor elements 1 having the same structure are stacked, and an independent signal is transmitted to each of the stacked semiconductor elements by using bumps of the semiconductor element 1 of the lowermost layer as an external input/output portion.例文帳に追加

複数の同一構造の半導体素子1を積層し、最下層の半導体素子1のバンプを外部入出力部として、各半導体素子に対して独立した信号のやり取りを行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of placing a plurality of kinds of semiconductor elements and spin functional elements, having different lattice constants on identical layer on the same substrate, in a mixed manner.例文帳に追加

格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

To provide a pyrimidine derivative which, when used as an organic-compound layer in fluorescence-type and phosphorescence-type organic electroluminescent elements, simultaneously accomplishes the driving voltage reduction and high-efficiency light emission of the elements.例文帳に追加

蛍光及び燐光型有機電界発光素子における有機化合物層として用いることで、素子の駆動電圧の低下と高効率発光を同時に達成するピリミジン誘導体の提供。 - 特許庁

The fine structure layer 2d has a plurality of first patterns 2e comprising separate fine elements and at least one second pattern 2f comprising an integrated element larger than each of separate fine elements.例文帳に追加

微細構造層2dは、分離した微細要素からなる複数の第一パターン2eと、前記分離した各微細要素よりも大きい一体要素からなる少なくとも一つの第二パターン2fとを有している。 - 特許庁

For an IC chip 10, circuit wiring relating to elements is provided through the elements and an inter-layer insulation film not shown in the figure on a semiconductor substrate 11, and an IC chip internal region 12 is constituted.例文帳に追加

ICチップ10は、半導体基板11上に図示しない素子及び層間絶縁膜を介して素子に関係する回路配線が設けられ、ICチップ内部領域12が構成されている。 - 特許庁

The organic EL device is provided with a plurality of light-emitting elements 28 each having with an anode, a cathode, and an organic layer 32 arranged between the anode and the cathode, and banks partitioning light-emitting elements 28 from one another.例文帳に追加

有機EL装置は、各々が陽極と陰極とこれらの間に配置された有機層32を有する複数の発光素子28と、発光素子28を相互に区分するバンクとを備える。 - 特許庁

A fixed magnetic layer 21 of each of the magnetic resistance effect elements is of a self-pinned type, and sensitivity axis directions P1 through P4 of the magnetic resistance effect elements 13a and 13d (13b and 13c) making up a serial circuit are antiparallel to each other.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子の固定磁性層21はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子13a,13d(13b,13c)同士は、感度軸方向P1〜P4が反平行となっている。 - 特許庁

The organic EL device is provided with a plurality of light-emitting elements 28 each having an anode, a cathode, and an organic layer 32 arranged between the anode and the cathode, and banks partitioning the light-emitting elements 28 from one another.例文帳に追加

有機EL装置は、各々が陽極と陰極とこれらの間に配置された有機層32を有する複数の発光素子28と、発光素子28を相互に区分するバンクとを備える。 - 特許庁

The positive electrode active material is a lithium transition metal oxide, having a layer structure with Li and Co contained and further contains group IVA elements and group IIA elements in the periodic table.例文帳に追加

正極活物質が、LiとCoを含有し、層状構造を有するリチウム遷移金属酸化物であって、周期律表IVA族元素とIIA族元素をさらに含有することを特徴としている。 - 特許庁

The fixed resistance elements 4, 5 have the same element part 12 as the magnetoresistance effect elements 2, 3, and a fixed magnetization direction of a fixed magnetic layer of the element part 12 is faced to an element length direction (Y-direction).例文帳に追加

固定抵抗素子4、5は、磁気抵抗効果素子2,3と同じ素子部12を備え、前記素子部12の固定磁性層の固定磁化方向は、素子長さ方向(Y方向)に向けられている。 - 特許庁

The semiconductor optical element has an active layer composed of the mixed crystal of four or more elements of a group II-VI chemical compound of group II elements mainly containing Zn and group VI elements containing at least O and containing two or more of S, Se and Te.例文帳に追加

Znを主体とするII族元素と、少なくともOを含みかつS,Se及びTeのうちの2種以上を含むVI族元素とのII−VI族化合物の4元以上の混晶からなる活性層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 特許庁

The pads PDx are arranged on an upper layer of the electrostatic discharge protection elements ESDx so that an arrangement direction of the pads is parallel to a long side direction of the region in which the electrostatic discharge protection elements ESDx are formed, and the pad PDx overlaps one part or the entire part of the electrostatic discharge protection elements ESDx.例文帳に追加

パッドの配列方向と静電気保護素子ESDxが形成される領域の長辺方向とが平行となり静電気保護素子ESDxの一部又は全部と重なるように、該静電気保護素子の上層にパッドPDxが配置される。 - 特許庁

To provide a laminated liquid crystal device prepared by laminating a plurality of liquid crystal elements by adhering adjacent liquid crystal elements in which scattering of incident light by the adhesive layer used to adhere the adjacent liquid crystal elements can be suppressed.例文帳に追加

隣合う液晶素子を接着して、複数の液晶素子を積層した積層型液晶素子であって、隣合う液晶素子を接着するための接着層による入射光の散乱を抑制することができる積層型液晶素子を提供する。 - 特許庁

The mold for molding optical elements has a transfer surface for press molding the optical elements and is characterized by including: a base material having the transfer surface; an intermediate layer formed on the transfer surface of the base material and made from a metal nitride; a ground layer formed on the intermediate layer and made of a carbide; and a tetrahedral amorphous carbon layer formed on the ground layer.例文帳に追加

光学素子をプレス成形するための転写面を有する光学素子成形用型において、前記転写面を有する母材と、前記母材の転写面の上に形成された金属の窒化物よりなる中間層と、前記中間層の上に形成された炭化物よりなる下地層と、前記下地層の上に形成されたテトラヘドラルアモルファスカーボン層と、を有することを特徴とする光学素子成形用型。 - 特許庁

The load bearing surface includes: a support structure; a first layer attached to the support structure, the first layer varying under a load depending on a first deflection profile; a second layer attached to the support structure; and a plurality of spring elements disposed between the first layer and the second layer to operatively interact when the first layer deflects under a load.例文帳に追加

耐荷重面が、サポート構造体と、該サポート構造体に取り付けられていて、第一変形プロフィールに基づく荷重で変形可能な第一層と、該サポート構造体に取り付けられた第二層と、該第一層が荷重により変形する場合作動可能に相互作用するために、該第一層と該第二層との間に配置された複数のスプリングエレメントとを具備する。 - 特許庁

In the color imaging device prepared by forming a color filter layer to each of a plurality of photoelectric conversion elements arrayed on a substrate, the color filter layer comprises: a substrate layer made of a transparent resin; and a pigment layer which is thermally fixed on the substrate layer at a temperature higher than the glass transition temperature of the transparent resin forming the substrate layer.例文帳に追加

基板上に配列した複数の光電変換素子のそれぞれに対してカラーフィルタ層を形成したカラー撮像デバイスにおいて、前記カラーフィルタ層が、透明樹脂よりなる下地層と、前記下地層上に、当該下地層を形成する透明樹脂のガラス転移温度以上で熱定着された色素層を備えたことを特徴とするカラー撮像デバイス。 - 特許庁

The storage element 10 is configured, such that a storage layer 5 is sandwiched between a first electrode 1 and a second electrode 4, the storage layer 5 comprises an oxide layer 2 and an ionized layer 3 containing Cu which are laminated, the oxide layer 2 consists of a rare earth element oxide, and the ionized layer 3 contains one or more kinds of elements selected from among S, Se and Te.例文帳に追加

第1の電極1及び第2の電極4の間に記憶層5が挟まれて構成され、この記憶層5が酸化物層2とCuを含有するイオン化層3とを積層して成り、酸化物層2が希土類元素酸化物から成り、イオン化層3がS,Se,Teから選ばれる1種以上の元素を含有する記憶素子10を構成する。 - 特許庁

The recording layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Ge, Sb and Si and the reflective layer contains one or two or more elements selected from the group consisting of Al, Cu, Ag and Au for reflecting reproducing light.例文帳に追加

記録層としては、Ge、Sb及びSiからなるグループから選ばれた1種又は2種以上の元素よりなり、反射層としては、再生光を反射させるための、Al、Cu、Ag、Auからなるグループから選ばれた1種又は2種以上の元素よりなる。 - 特許庁

Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜13上に、高誘電率絶縁膜13中の金属元素1の上層への拡散を防止する拡散防止膜10が形成されるため、高誘電率絶縁膜13中の金属元素1の上層への拡散が防止される。 - 特許庁

A pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R1, R3 (first set) is in the direction reverse to the direction where the soft magnetic body gear 1 exists, and a pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R2, R4 (second set) is a direction where the soft magnetic body gear 1 exists.例文帳に追加

SV−GMR素子R1,R3(第1組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向の逆方向であり、SV−GMR素子R2,R4(第2組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向である。 - 特許庁

The content of the elements other than Ni and having a Goldschmidt radius larger than Ni, in the Ni alloys forming the second seed layer is larger than the content of elements other than Ni and having Goldschmidt radius larger than Ni in the Ni alloys in the first seed layer.例文帳に追加

第2のシード層を形成するNi合金中、Ni以外の元素でNiよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量は、第1のシード層中のNi以外の元素でNiよりゴールドシュミット半径が大きい元素の含有量より多い。 - 特許庁

Organic EL elements using the chemical compounds in an organic compound layer, particularly preferably in electron hole injecting and transporting layer thereof provide uniform surface emission without unevenness, and high luminance can be obtained in stable manner over a long term, thus the elements excel in durability and reliability.例文帳に追加

本発明の有機EL素子は、上記化合物を有機化合物層、特に好ましくは正孔注入輸送層に用いるため、ムラのない均一な面発光が可能であり、高輝度が長時間に渡って安定して得られ、耐久性・信頼性に優れる。 - 特許庁

The illuminator 1 comprises a plurality of semiconductor light-emitting elements 2, a translucent substrate 3, a translucent adhesive layer 4, a translucent sealing member 5, a reflective part 6, and a phosphor layer 7.例文帳に追加

照明装置1は、複数の半導体発光素子2、透光性基板3、透光性接着層4、透光性封止部材5、反射部6、蛍光体層7を具備する。 - 特許庁

In comparison with conventional EL elements, this EL element has a configuration of inverted lamination order of the luminescent layer and the insulating layer so as to afford excellent effects on a longer service life and high luminance.例文帳に追加

従来のEL素子と比較して,発光層と絶縁層の積層順序を反転した構造体を有しており,EL素子の長寿命化,高輝度化に優れた効果がある。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device equipped with a reflection layer with low heat resistance and switching elements and further constructed so as to prevent characteristics of the reflection layer from being deteriorated due to heat application in manufacturing.例文帳に追加

耐熱性の低い反射層とスイッチング素子を具備し、かつ製造時の加熱による前記反射層の特性劣化を防止し得る構成を備えた液晶表示装置を提供する - 特許庁

After an adhesive agent layer 33 is disposed on the bases 32, the temporarily holding substrate 21 and the element disposition substrate 31 are made close to each other, and partial elements 5a are caused to come in contact with the adhesive agent layer 33.例文帳に追加

台座32上に接着剤層33を配置した後、一時保持用基板21と素子配置基板31とを接近させ、一部の素子5aを接着剤層33に接触させる。 - 特許庁

Further, the conductive layer 36 has the same composition as that of the functional layer 34 and the smaller ratio of the non-metallic elements, so that degradation in the coating film performance and the productivity can be minimized.例文帳に追加

しかも、導電層36は、機能層34と同じ組成で非金属元素の割合を低くしただけであるため、被膜性能や生産性の低下を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Al配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An optical waveguiding unit equipped with an ooptical waveguiding channel layer has a light emitting device where multiple lenses 102 and 104 and multiple light emission elements 100 are integrated on or within the optical waveguiding channel layer.例文帳に追加

光導波路層を備える光導波装置は、光導波路層上ないしは内部に、複数のレンズ102、104と複数の発光素子100とが集積された発光素子装置を有する。 - 特許庁

Since light passes only through the optical elements and airspace and does not pass through the adhesive layer, the occurrence of defects such as noise arising from optical reflection at the adhesive layer portion can be prevented.例文帳に追加

従って、光が光学素子と空気層のみを通過し、接着層を通過しないので、接着層部分での光の反射に起因したノイズ等の不具合の発生を防止できる。 - 特許庁

例文

A thermoplastic insulating resin layer 22 is formed on or between EL elements of an image display panel having contact holes for exposing an ITO electrode layer and is hardened through heating.例文帳に追加

ITO電極層10を露出するコンタクトホールを有する映像表示パネル20のEL素子の素子上及び素子間に、熱硬化性の絶縁性樹脂層22を成膜して熱硬化させる。 - 特許庁




  
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