| 例文 |
layer elementsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2250件
To provide a sheet-like thermosetting resin composition excellent in relaxation effect for stress appeared in semiconductor elements, wiring circuit boards and connector electrodes, easily formable a sealing resin layer in a space between the semiconductor element and the wiring circuit board, requiring no cleaning process for flux and having flux activity.例文帳に追加
半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との空隙に容易に封止樹脂層を形成することができかつフラックスの洗浄工程を必要としない、フラックス活性を有するシート状の熱硬化性樹脂組成物の提供をその目的とする。 - 特許庁
To provide a halftone phase shift mask having a single layer film or multilayered film containing metals and silicon as the main structural elements on a glass substrate in such a manner that the latitude for the optical constants used for designing the film is large, that minute defects are hardly caused in the film after the film is formed and that the film has resistance against laser light.例文帳に追加
ガラス基板上に金属およびシリコンを主たる構成元素として含む単層膜若しくは多層膜を設けたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、膜設計に用いる光学定数の自由度が大きく成膜後に膜に微小欠陥が発生しにくくレーザー光に対する耐性のあるハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁
Also, a high frequency circuit element 2 is mounted on one grounding conductor on the outermost side of a multilayer substrate 1, a power source/control circuit element 3 is mounted on a position facing the high frequency circuit element on the other grounding conductor, and the power source/control circuits are intensively arranged inside the layer of the dielectric at a part held between the two elements.例文帳に追加
また、多層基板1の最も外側にある一方の接地導体上に高周波回路素子2を実装し、他方の接地導体上には高周波回路素子と対向した位置に電源・制御回路素子3を実装し、これら2つの素子に挟まれた部位の誘電体の層内に、電源・制御回路を集中して配置する。 - 特許庁
The Faraday rotation element 2 arranged between both polarization control elements 9, 9 has fiber type constitution consisting of a core 21 having a non-reciprocal effect and a clad 23 formed on the outer periphery of the core 21 and a coat layer 10 consisting of a magnetic material for applying a magnetic field to the element 2 is formed on the outer periphery of the element 2.例文帳に追加
偏波制御素子9,9の間に配設するファラデー回転素子2を、非相反効果を有するコア21と、このコア21の外周に設けられたクラッド23とからなるファイバー型の構成とし、さらにこのファラデー回転素子2の外周面上に、ファラデー回転素子2に磁界を作用させる磁性材からなる被覆層10を設ける。 - 特許庁
In adjacent light-emitting units 160, each color element 92 of the light-emitting element 90, and a frequency 170 of a vibration added for formation of the ruggedness on the interface of a hole transport layer 54 are arranged in a given alignment pattern so that frequencies 170 of the vibration given at least one or more color elements of the same color are to be different.例文帳に追加
隣接する発光単位160において、少なくとも1つ以上の同一色の色要素92に与える振動の周波数170を異なるようにすべく、発光層90の各色要素92と、正孔輸送層54の界面に凸凹を形成すべく付加する振動の周波数170とを所定の配置パターンに従い配置する。 - 特許庁
The process (a) of forming an electrode made of inorganic oxide as a continuous layer among the plurality of electroluminescent elements, and a process (b) of irradiating light on the electrode made of the inorganic oxide and making an electric resistance of all or a part of areas where light irradiation is carried out higher than before the irradiation and carrying out patterning.例文帳に追加
(a)該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程 (b)酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしたパターニングする工程 - 特許庁
Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加
左右上側の3個の半導体レーザ素子10は、断面L字状のN型GaAs基板11と、このN型G aAs基板11の左側上面11aに順次積層された発光層12及び電極15と、N型G aAs基板11の右側上面11bに形成された電極15とをそれぞれ有する。 - 特許庁
This optical sheet 40 includes: a body part 42; a plurality of unit shape elements 45 disposed side by side at the light emission side of the body part and respectively extended linearly in the direction intersecting the array direction; and a reflection layer 50 provided on a first area including the apex most separated from the body part in the light emission surface of the unit shape element.例文帳に追加
光学シート40は、本体部42と、本体部の出光側に並べて配置され、各々が配列方向と交差する方向に線状に延びる、複数の単位形状要素45と、単位形状要素の出光面のうちの本体部から最も離間した頂部を含む第1領域上に設けられた反射層50と、を有する。 - 特許庁
In the ultrasonic array sensor 1 having a plurality of sensor elements 100, a recess 12 is formed on a base 10 mainly formed of silicon, a vibration detecting layer 40 having a piezoelectric film 41 is provided on the bottom of the recess 12, and an opening plate 13 having a minute opening 131 formed thereon is attached to the opening of the recess 12, thereby forming a resonant cavity 140.例文帳に追加
センサ素子100を複数の有する超音波アレイセンサ1において、主としてシリコンにより形成されるベース部10に凹部12を形成し、凹部12の底部に圧電膜41を有する振動検出層40を設け、さらに、凹部12の開口に微小な開口131が形成された開口板13を取り付けて共鳴空洞140を形成する。 - 特許庁
A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.例文帳に追加
本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング(footing)を減らすことができる。 - 特許庁
The step of making the mother alloy includes a step of forming a solidified alloy layer which contains several R_2Fe_14B type crystals (R is at least one element selected from the group consisting of rare earth elements and yttrium) having rare earth-rich phases dispersed inside, by cooling the molten alloy through contacting it with a cooling member.例文帳に追加
母合金を作製する工程は、合金の溶湯を冷却部材に接触させることにより、合金の溶湯を冷却し、内部に希土類リッチ相が分散した複数のR_2Fe_14B型結晶(Rは希土類元素およびイットリウムからなる群から選択された少なくとも1種の元素)を含む凝固合金層を形成する工程を含む。 - 特許庁
In the light-emitting element group, electrical connection with the respective common electrodes 5 is formed, in such a manner that electrode intervals S from the common electrodes are different in the extending part 7 of the reverse conductivity-type semiconductor layer 3 between the respective light emitting element; and the electrode intervals S become equal in parts from the light-emitting elements of the other light-emitting element group.例文帳に追加
発光素子群においては、各発光素子間において逆導電型半導体層3の延在部7における共通電極5に至る電極間隔Sが異なり、そして、他方の発光素子群の発光素子との間にて、その電極間隔Sが同じになるように各共通電極5との間を電気的に接続している。 - 特許庁
This tool 10 is manufactured in a process for applying a mixture including ceramic particles and a solvent onto the base material 11 including the high-melting point metal and the elements in the group 3A of the periodic table, and a process for vaporizing the solvent by a high-temperature atmosphere and forming the ceramic layer 12 on the base material 11 by sintering the ceramic particles.例文帳に追加
高融点金属と周期律表第3A族元素とを含む基材11上に、セラミック粒子と溶媒とを含む混合物を塗布する工程と、高温雰囲気で溶媒を蒸発させるとともにセラミック粒子を焼結して基材11の上にセラミック層12を形成する工程とにより治具10は製造される。 - 特許庁
The transparent protective film for the polarizing plate is disposed on at least one surface of a polarizer via an adhesive layer and is characterized by having >0.75 ratio of constitutive elements (oxygen ratio/carbon ratio) on a surface of the transparent protective film for the polarizing plate adhering to the polarizer measured by X-ray photoelectron spectroscopy.例文帳に追加
偏光子の少なくとも一方の面に接着層を介して設けられる偏光板用透明保護フイルムであって、偏光板用透明保護フイルムの偏光子と接着する面のX線光電子分光法による構成元素比率が、(酸素の比率/炭素の比率)>0.75であることを特徴とする偏光板用透明保護フイルム。 - 特許庁
This liquid crystal display device 100 has a backlight unit 10, the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of picture elements (dots) arranged in the shape of a matrix having columns and rows, and a light diffusion layer 30a having the stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction.例文帳に追加
本発明の液晶表示装置100は、バックライトユニット10と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素(ドット)の配列パターン22aを有する液晶表示パネル20aと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層30aとを有する。 - 特許庁
In the liquid crystal display device constructed by sealing a liquid crystal with negative dielectric anisotropy therein, on an element substrate of a lower side substrate, data lines, TFD elements, and auxiliary electrodes are formed, and on them an over layer is formed, and a pixel electrode with a planar shape of nearly three circular pieces is formed in a sub-pixel region thereon.例文帳に追加
負の誘電率異方性を有する液晶が封入されてなる液晶表示装置において、下側基板の素子基板上には、データ線、TFD素子及び補助電極が形成され、それらの上にはオーバーレイヤーが形成され、その上のサブ画素領域内には、略三串団子状の平面形状をなす画素電極が形成されている。 - 特許庁
A method of manufacturing a wafer processing apparatus comprises: a step of depositing a film electrode onto the surface of a base substrate; and a step of overcoating the structure with a protective coating film layer comprising at least one of a nitride, a carbide, a carbonitride, and an oxynitride of elements selected from a group consisting of B, Al, Si, Ga, refractory hard metals, transition metals, and combinations thereof.例文帳に追加
ウェーハ加工装置の製造に当たり、ベース基板の表面上にフィルム電極を堆積し、この構造を次にB、Al、Si、Ga、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも1種を含んでなる保護コーティングフィルム層で被覆する。 - 特許庁
In the heat exchanging unit 10, paired thermoelectric elements 14 are joined to upper and lower paired electrode groups comprising a plurality of rectangle-form electrodes 13 (15), by series connections, and at least one of the upper and lower paired electrode groups is disposed on the surface of a heat exchanger 11 (16) through an insulating layer 12 (17).例文帳に追加
本発明の熱交換ユニット10は、複数の長方形状の電極13(15)からなる上下一対の電極群に一対の熱電素子14が直列接続されて接合されているとともに、上下一対の電極群の少なくとも一方が熱交換器11(16)の表面に絶縁層12(17)を介して配置されている。 - 特許庁
The electrophotographic toner grinder of the invention which has a grinding chamber where at least a rotor and a stator are arranged, is characterized by having a chromium-plated layer containing Cr as main component, and elements of Mg, Al, Si, Ti, Mn, Fe and C on at least either of the surfaces of the rotor and the stator.例文帳に追加
本発明の電子写真トナー粉砕機は、ロータとステータとが少なくとも配置された粉砕室を有する電子写真トナー粉砕機において、前記ロータ及び前記ステータの少なくともいずれかの表面に、Crを主成分として、Mg、Al、Si、Ti、Mn、Fe、及びCの元素を含むクロムメッキ層を有することを特徴とする。 - 特許庁
In the pyroelectric infrared sensor, a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light receiving element, a pyroelectric substrate where one or more light receiving elements are arranged on a substrate for the pyroelectric element is mounted on a support substrate, and a heat insulation region is disposed on the support substrate side of the pyroelectric substrate.例文帳に追加
下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に1個または2個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。 - 特許庁
In the liquid droplet ejecting head 1 in which a plurality of pressurization liquid chambers 5 with nozzle holes 6 are arranged on a diaphragm 3 with piezoelectric elements 2, a partition wall 4a partitioning adjacent pressurization liquid chambers 5 and a nozzle layer 4b of the pressurization liquid chamber 5 are integrally formed of inorganic materials of larger Young's modulli than that of single crystal silicon.例文帳に追加
圧電体素子2を有する振動板3上に、ノズル孔6を有する複数の加圧液室5が配列されてなる液滴吐出ヘッド1において、隣接する加圧液室5の間を仕切る隔壁4aと、前記加圧液室5のノズル層4bが、単結晶シリコンよりもヤング率の大きな無機材料で一体的に形成されてなる。 - 特許庁
The power module 10 includes semiconductor chips 11a and 11b where semiconductor elements are formed, a heat sink member 21 which dissipates heat generated by the semiconductor chips 11a and 11b to a heat exchanging medium, and metal wiring 23 and an insulating resin layer 26 interposed between the heat sink member 21 and semiconductor chips 11a and 11b.例文帳に追加
パワーモジュール10は、半導体素子が形成された半導体チップ11a,11bと、半導体チップ11a,11bで発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材21と、ヒートシンク部材21と半導体チップ11a,11bとの間に介在する金属配線23及び絶縁樹脂層26とを備えている。 - 特許庁
A collector electrode made of ITO membrane is formed on the face plate 30 on the opposing face to the rear plate 20, and a plurality of pixels (picture elements) are formed on the opposing face to the rear plate 20 of the collector electrode, and each electron source element 10 is arranged for each sub pixel 32 made of one phosphor cell (phosphor layer) respectively.例文帳に追加
フェースプレート30におけるリヤプレート20との対向面にはITO膜よりなるコレクタ電極が形成されるとともに、コレクタ電極におけるリヤプレート20との対向面に、複数のピクセル(画素)が形成されており、各電子源素子10はそれぞれ1つの蛍光体セル(蛍光体層)からなるサブピクセル32毎に配設されている。 - 特許庁
A light emitting layer 103 is made from two kinds of organic substances of triphenyldiamine(TPD) having a positive hole carrier, and tris(8- hydroxy-quinolate)aluminum (Alq) having an electron carrying property and light emitting property, a composition ratio (mol ratio) of the TPD and Alq is varied gradually from a positive electrode to a negative electrode to realize high reliability of display elements.例文帳に追加
発光層103が、正孔輸送性を有するトリフェニルジアミン(TPD)と、電子輸送性及び発光性を有するアルミキノリノール錯体(Alq)の二種類の有機材料でなり、AlqとTPDの組成比(モル比)は陽極近傍から陰極近傍にかけて徐々に変化している構成により、高信頼性の表示素子を実現する。 - 特許庁
A conductive layer 2 is formed on the surface of a ceramic substrate 3, and plural concentric circular grooves 7 are formed on the ceramic substrate 3, and through-holes 8 are formed at one pert of the grooves 7, and concentric circular heating elements 41 are arranged on the bottom face of the ceramic substrate 3 so that a ceramic substrate 3 to be used for a wafer prober 101 can be constituted.例文帳に追加
セラミック基板3の表面に導体層2が形成されてなるとともに、セラミック基板3には複数の同心円状の溝7が形成されその溝7の一部に貫通孔8が設けられ且つ、底面には同心円状の発熱体41が設けられていることを特徴とするウエハプローバ101に使用されるセラミック基板3。 - 特許庁
This device is a liquid crystal display device having matrix-form pixel electrode 2 groups formed in such a manner that the electric fields impressed to a liquid crystal layer are nearly parallel with substrate surfaces, active elements and prescribed driving means and is so constituted that an initial alignment direction 6 of liquid crystals is determined as one direction and that one pixel has plural driving directions for the liquid crystals therein.例文帳に追加
液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行となるように形成された、マトリクス状の画素電極2群とアクティブ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表示装置で、液晶の初期配向方向6を一方向としかつ一画素内に複数の液晶の駆動方向を有するようにする。 - 特許庁
The display device 10 is provided with: an EL display panel 2 which is provided with an electrode 3 in its end and in which a plurality of EL elements driven by AC voltage to be applied from the electrode 3 are two-dimensionally arranged; and a cutting sheet 1 from which characters, codes or graphics to be joined to the EL display panel via an adhesive layer are clipped.例文帳に追加
本発明の表示装置10は、端部に電極3を備え、該電極3から印加される交流電圧によって駆動される複数のEL素子を二次元的に配列したEL表示パネル2と、該EL表示パネルに接着剤層を介して接合される文字、符号、又は図形が切り抜かれたカッティングシート1と、を備えて構成される。 - 特許庁
The organic light-emitting display device has a first substrate including a plurality of organic light-emitting elements having a light-emitting region, and a second substrate including a light-absorbing layer pattern separating the light-emitting region of the organic light-emitting element into a plurality of sub light-emitting regions, and disposed opposite to the first substrate.例文帳に追加
本発明は有機発光表示装置に関するものであり、本発明による有機発光表示装置は発光領域を有する複数の有機発光素子を含む第1基板、前記有機発光素子の発光領域を複数のサブ発光領域に分割する光吸収層パターンを有して前記第1基板に対向配置される第2基板を含む。 - 特許庁
In this hot dip aluminum plated steel sheet excellent in corrosion resistance and appearance, the surface of a steel sheet is provided with a zinc- aluminum plating layer containing 26 to 65% Zn, 1.6 to 65% Al, 1 to 15% Mg, 0.3 to 10% Si and 0.005 to 5% alkaline-earth elements other than Mg, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加
鋼板表面に質量%で、Zn:26〜65%、Al:16〜65%、Mg:1〜15%、Si:0.3〜10%、Mg以外のアルカリ土類元素を0.005〜5%含有し、残部Al及び不可避的不純物からなる亜鉛−アルミめっき層を有することを特徴とする耐食性、外観に優れた溶融アルミめっき鋼板。 - 特許庁
The waveguide is characterized in that the lower and the upper clad layer are formed by the heat treatment of 800-1,000°C, that the sum of the weight concentrations of P and B elements added into the film is in the range of 8.8-15 wt%, and that the deviation of a transmitting center wavelength dependent on the polarization of the array waveguide grid device is ≤0.03 nm.例文帳に追加
下部及び上部クラッド層はび800〜1000℃以下の熱処理によって形成され、膜中に添加されているP元素とB元素の重量濃度の和は8.8wt%以上15wt%以下の範囲であり、アレー導波路格子デバイスの偏光に依存する透過中心波長のずれが0.03nm以下であることを特徴とする。 - 特許庁
Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.例文帳に追加
GaN系LED素子1は、基板の表面上に発光(活性)層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたP電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたN電極とを備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a recording material having gloss even in either of a picture part and a non-picture part by conquering a defect of lowering of pattern clearness based on staining of printing elements or fixing inferiority generated by not quick absorbing of a solvent in an ink receptive layer when the pattern is formed by using color ink.例文帳に追加
顔料インクを用いてパターンを形成したときにインクの溶媒が速やかにインク受容層に吸収されないために生じる画線の滲みや定着不良に基づくパターンの鮮明性が低下するという欠点を克服し、かつ画像部及び非画像部のいずれにおいても光沢を有する記録材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide such a semiconductor laser in a normal mesa ridge buried waveguide semiconductor laser that can reduce a resistance in elements on the top of the normal mesa ridge pinched by current block layers and realize a high output, by ensuring the stability in the horizontal mode by reducing a width of the bottom of the normal mesa ridge and by eliminating optical absorption loss by ensuring enough thickness of a clad layer.例文帳に追加
順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
This multilayer ceramic capacitor comprises a multilayer dielectric element body 2 formed by alternately piling up dielectric layers 1, composed of mainly of barium titanate and inner an electrode layer 3 which is composed of mainly of Ni, and has a first heterophase 6 containing Mg-Si-O as constituting elements.例文帳に追加
本発明に係る積層型セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体からなる誘電体層1とNiを主成分とした内部電極層3とが交互に積層された積層誘電体素子本体2を有する積層型セラミックコンデンサにおいて、構成元素としてMg−Si−Oを含む第1異相6が存在することを特徴とする。 - 特許庁
This sliding member with a hard carbon film used in a lubricating oil is prepared by forming a hard carbon film 12 on a backing 11, wherein at least the surface layer of the film 12 contains 5-70 atm.% of at least one metal element selected from the group consisting of group IIb, III, IV, Va, VIa, VIIa and VIII elements in the periodic table.例文帳に追加
基材11の上に硬質炭素皮膜12を形成しかつ潤滑油中で使用される硬質炭素皮膜摺動部材において、少なくとも表面層に元素周期律表の第IIb,III,IV,Va,VIa,VIIaおよびVIII族のうちから選ばれる少なくとも1種の金属元素を5〜70at%含むものとした硬質炭素皮膜摺動部材。 - 特許庁
In the electronic component having a plurality of circuit elements 2 provided on a substrate 1, conductive ink containing metallic fine nanoparticles is coated, for example, by ink jet method on a specific desired site on the substrate, and then sintered to provide a shield member 11 made of a metallic thin layer.例文帳に追加
この発明における電子部品は、基板1上に複数の回路素子2が設けられた電子部品において、上記基板上の特定の所望の部位に、金属ナノ微粒子を含む導電性インクを例えばインクジェット方式によって塗布した後、焼成して金属薄層からなるシールド部材11を設けるようにして、上記課題を解消したものである。 - 特許庁
The liquid crystal display device having matrix-form pixel electrode 2 groups formed in such a manner that the electric fields impressed to a liquid crystal layer are nearly paralleled with substrate surfaces, active elements, and prescribed driving means is so constituted that an initial alignment direction 6 of liquid crystals is determined as one direction and that one pixel has plural driving directions for the liquid crystals therein.例文帳に追加
液晶層に印加される電界がほぼ基板表面に平行となるように形成された、マトリクス状の画素電極2群とアクティブ素子及び所定の駆動手段を有する液晶表示装置で、液晶の初期配向方向6を一方向としかつ一画素内に複数の液晶の駆動方向を有するようにする。 - 特許庁
This printing head 20 has ink supply grooves 22 and ink supply holes 23 bored to a chip substrate 21, a driving circuit (logic circuits 24 and drivers 25) formed to a surface layer, resistance heating elements 27-1, individual wiring electrodes 28 and a common electrode 29 disposed on an insulating film 26, and an orifice plate 32 with orifices 33 stacked on diaphragms 31.例文帳に追加
印字ヘッド20はチップ基板21にインク供給溝22とインク供給孔23を穿設され、表層に駆動回路(論理回路24、ドライバ25)を形成され、絶縁膜26の上に抵抗発熱素子27−1、個別配線電極28、共通電極29が配設され、隔壁31の上にオリフィス33を形成されたオリフィスプレート32が積層される。 - 特許庁
The radiation image conversion panel is characterized in that its support has a phosphor layer which includes the particles of spherical phosphors which contain at least one selected among such rare-earth elements as Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb, whose crystal sizes are 10 to 100 nm and which have two or more peaks of their luminescence.例文帳に追加
支持体上に、希土類元素のNd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選ばれる少なくとも1つを含有し、結晶子サイズが10〜100nmであって、複数の発光ピークを有する球状蛍光体粒子を含有する蛍光体層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
To provide a film comprising an organic-inorganic composite material having excellent surface smoothness, excellent heat resistance, excellent solvent resistance and low thermal expansivity and useful as a flat panel display element substrate or the like, to provide a transparent conductive film obtained by laminating a transparent conductive layer to the film or the like, and to provide a flat panel display having the transparent conductive film and the like as constituting elements.例文帳に追加
表面平滑性、耐溶剤性、低熱膨張性及び耐熱性に優れ、フラットパネルディスプレイ素子基板等として有用な有機・無機複合体からなるフィルム等、該フィルム等上に透明導電層が積層された透明導電性フィルム等、及びこの透明導電性のフィルム等を構成要素とするフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁
In a nonaqueous electrolyte secondary battery including a positive electrode containing a lithium-containing transition metal oxide having layer structure as a positive active material, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte, the negative electrode contains a compound containing Si and O as constituent elements (0.5≤Si/O≤1.5)例文帳に追加
層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極および非水電解質を備えた非水電解質二次電池において、前記負極に、SiとOを構成元素に含む化合物(ただし、0.5≦Si/O≦1.5)と導電性材料とを含有させ、前記非水電解質に、下記一般式(1)で表されるシロキサン誘導体を含有させる。 - 特許庁
A laminating structure 40 comprises a GaAs substrate 42, whose substrate surface is a main surface comprising (001) plane and a slope in a (111)-A plane direction or a (111)-B plane direction provided continuously with the (001) plane, and an epitaxial growth layer 46 which comprises, provided along a substrate surface in one epitaxial growth process, a compound semiconductor containing specific elements.例文帳に追加
本積層構造40は、(001)面からなる主面と、(001)面に連続して設けられた(111)A面方向、又は(111)B面方向の傾斜面とを基板面とするGaAs基板42と、一つのエピタキシャル成長工程で基板面に沿って設けられた、特定元素を含む化合物半導体からなるエピタキシャル成長層46とを備えている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a PDP having such high sensitivity that can form a pattern even by a direct imaging method, excellent in workability, further, capable of suitably forming elements constituting the PDP, and excellent in pattern form (for example, dielectric layer, barrier rib, electrode, resistor, phosphor, color filter, black matrix), and to provide a transfer film suitably used for the manufacturing method.例文帳に追加
ダイレクト・イメージング法によってもパターンを形成できる高感度を有し、作業性に優れ、さらにパターン形状に優れたPDPの構成要素(例えば、誘電体層、隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス)を好適に形成することができるPDPの製造方法および当該製造方法に好適に用いられる転写フィルムを提供すること。 - 特許庁
To provide a treatment method in which defects remaining/generated inside an injection layer are compensated/generated-suppressed by a method wherein, when valence electrons in a compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a process in which particles containing an element belonging to a larger group from among elements constituting the compound semiconductor are accelerated and irradiated is added.例文帳に追加
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体の価電子制御を行なう際、前記化合物半導体を構成する元素のうち大きな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで、注入層内に残留/生成される欠陥を補償/生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁
When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.例文帳に追加
ELパネル1において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ5、駆動トランジスタ6などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜5b、6bとなる結晶性シリコンの半導体層9bを成膜する前処理として下地膜16にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜5b、6bを形成することができる。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device comprises a connection target including at least one of an electrostatic protection element and an input/output circuit element, two or more elements selected from one or more power supply wire and one or more pad, a plurality of wires formed on the same layer, a first contact for electrically connecting at least one wire among the plurality of wires with the connection target.例文帳に追加
半導体集積回路装置は、静電気保護素子及び入出力回路素子のうちの少なくとも1つを含む接続対象と、1以上の電源配線及びパッドから選択される2以上の要素と、同一層に形成された複数の配線と、複数の配線のうちのいずれか1つの配線と、接続対象とを電気的に接続する第1コンタクトと、を備える。 - 特許庁
To provide a color solid-state imaging element that has a pixel portion where a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on a plane in a recess region on a semiconductor substrate, the color solid-state imaging element being characterized in securing a wide normal film formation region free of a quality defect such as frame color unevenness, peeling, etc., of a color filter colored layer, having excellent color characteristics, and being made fine.例文帳に追加
半導体基板上の凹部領域に複数の光電変換素子を平面配置した画素部を有するカラー固体撮像素子において、カラーフィルタ着色層の枠色ムラや剥がれ等の品質不良の生じない正常な膜形成領域を広く確保するとともに、良好な色特性を有する微細化したカラー固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁
The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.例文帳に追加
絶縁膜202上の結晶性半導体膜からなる活性層207を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁
A thermal type air flow rate sensor is configured to carry out ion implanting by using at least any one atom or molecule from among inactive elements such as silicon, oxygen, argon, or nitrogen to a silicon oxide film 4 formed most closely to the surface (in the uppermost layer), and to make the density of the atom contained in the silicon oxide film 4 higher than that before carrying out ion implanting.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明の熱式空気流量センサは、表面の最も近く(最上層)に形成されるシリコン酸化膜4に、シリコン,酸素又はアルゴンや窒素等の不活性元素の中から少なくともいずれか一つの原子又は分子を用いてイオン打ち込みを行い、シリコン酸化膜4に含まれる原子の濃度をイオン打ち込みを行う前よりも高める。 - 特許庁
The array substrate 100 comprises an organic EL element 40 that is constructed of a first electrode 60 that is arranged in matrix-form and formed in a separated island shape for each picture element, a second electrode 66 that is arranged opposed to the first electrode 60 and formed in common for all picture elements, and a luminous layer 64 that is held between the first electrode 60 and the second electrode 66.例文帳に追加
アレイ基板100は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極66と、第1電極60と第2電極66との間に保持された発光層64と、によって構成された有機EL素子40を備えている。 - 特許庁
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