「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A pyroelectric element layer including pyroelectric elements 10, 11, and 12, which include a pyroelectric body 2 where the value of spontaneous polarization varies with increase of temperature to create surface charge, an upper electrode 3 arranged on top surface of the pyroelectric body 2, and a lower electrode 4 arranged on bottom surface of the pyroelectric body 2 configures the infrared detection element 100 containing two or more-layered pyroelectric element layer arranged at upside and downside thereof.例文帳に追加

温度の上昇により自発分極の値が変化し、表面電荷を生じる焦電体２と、焦電体２の上面に配置された上部電極３と、焦電体２の下面に配置された下部電極４を有する焦電素子１０，１１，１２から成る焦電素子層が上下に配置された、２層以上の焦電素子層を含む赤外線検出素子１００を構成する。 - 特許庁

In the light-emitting device having semiconductor light-emitting elements, and a phosphor layer, wherein a plurality of phosphor sections are arranged on a plane without having the same phosphor layers adjacent to each other, having an A zone and a B zone having different light-emitting spectra, an area occupied by the specific phosphor layer in the phosphor sections is arranged so as to be different between the A zone and the B zone.例文帳に追加

半導体発光素子と、複数の蛍光体部を同一の蛍光体部が隣り合うことなく平面上に配置した発光スペクトルの異なるＡ領域、Ｂ領域を有する蛍光体層を備える発光装置であって、蛍光体層おいて特定の蛍光体部の占める面積がＡ領域とＢ領域で異なるように配置することで、課題を解決する。 - 特許庁

The liquid crystal display screen using the touch panel includes: a first element 100 provided with the touch panel 10 having a plurality of transparent electrodes; a second element 200 disposed opposite to the first element and provided with a thin film transistor panel 220 having a plurality of thin film transistors each provided with a semiconductor layer; and a liquid crystal layer 310 provided between the first and second elements.例文帳に追加

タッチパネルを利用した液晶表示装置は、複数の透明電極を有するタッチパネル１０を備える第一素子１００と、前記第一素子と対向設置され、且つ各々半導体層を備える複数の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタパネル２２０を備える第二素子２００と、前記第一素子と前記第二素子の間に設置される液晶層３１０と、を備える。 - 特許庁

The copper foil for laser direct working is provided with a layer of iron of 100 to 1,000 mg/m^2 on at least one side of the copper foil; or alternatively is provided with a layer made of an alloy comprising iron and one or more elements selected from among nickel, cobalt, zinc, chromium and phosphorus, in an amount of 100 to 1,000 mg/m^2.例文帳に追加

銅箔の少なくとも一方の面に１００ 〜１０００ ｍｇ／ｍ^２の鉄の層を設けることを特徴とするレーザーダイレクト加工用銅箔であり、銅箔の少なくとも一方の面に鉄とニッケル、コバルト、亜鉛、クロム、リンの中から選ばれる １種以上の合金からなる１００ 〜１０００ｍｇ／ｍ^２ の層を設けることを特徴とするレーザーダイレクト加工用銅箔である。 - 特許庁

To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、ＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素とＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔのうちから少なくとも１種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a plurality of fuse elements which include first fuse wiring 109 having a fuse cut-off intended portion 111, second fuse wiring 110 connected to an inside circuit, a first impurity diffusion layer 104 electrically connecting the first fuse wiring 109 and the second fuse wiring 110, and a second impurity diffusion layer 105, respectively.例文帳に追加

半導体装置１００は、ヒューズ切断予定部１１１を有する第１のヒューズ配線１０９と、内部回路に接続された第２のヒューズ配線１１０と、第１のヒューズ配線１０９と第２のヒューズ配線１１０とを電気的に接続する第１の不純物拡散層１０４と、第２の不純物拡散層１０５とをそれぞれ含む複数のヒューズ素子部とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic resistance device which can be implemented by using a magnetic multi-layer film manufacturing apparatus having normal configurations, especially, configurations suitable for the manufacturing of a magnetic multi-layer film by a semiconductor device maker in the case of producing a magnetic head or MRAM or the like comprising TMR elements for enhancing film performance, and for improving productivity.例文帳に追加

ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display has pixel electrodes provided in a plurality of pixel regions on the side of a liquid crystal layer of a first substrate; a counter electrode provided on a second substrate and opposed to the pixel electrodes via the liquid crystal layer; switching elements electrically connected to the pixel electrodes; and scanning wiring and signal wiring at least one of which is provided on the first substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板の液晶層側に複数の絵素領域ごとに設けられた絵素電極と、第２基板に設けられ絵素電極に液晶層を介して対向する対向電極と、絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、少なくとも一方が第１基板上に設けられた走査配線および信号配線とを有する。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane has a metal porous substrate, a hydrogen permselective membrane formed on the metal porous substrate and composed of Pd or a Pd alloy, and an intermediate layer formed between the metal porous substrate and the hydrogen permselective membrane, and the intermediate layer contains at least one of the main metal elements constituting the metal porous substrate and Pd.例文帳に追加

金属多孔質基材と、前記金属多孔質基材の上に形成されたＰｄ又はＰｄ合金からなる水素選択透過膜と、前記金属多孔質基材と前記水素選択透過膜との間に形成された中間層とを備え、前記中間層は、前記金属多孔質基材を構成する少なくとも１つの主要金属元素とＰｄとを含む水素分離膜。 - 特許庁

The surface protection sheet used by applying on the element processed surface of an electronic component comprises a base material, an adhesive layer held on one side of the base material, and a magnetic layer having an enough magnetic force to fix the electronic component to a processing apparatus or a necessary magnetic force for supporting the component to be fixed when the electronic component having already processed elements, etc., is additionally processed.例文帳に追加

電子部品の素子加工面に貼付して用いられる表面保護シートにおいて、基材とその片面に支持された粘着剤層とを含むとともに、素子等がすでに加工された電子部品の追加の加工時に電子部品を加工装置に固定するのに十分であるかもしくは固定を補助するのに必要な磁力を有しているように構成する。 - 特許庁

The electron emitting elements comprises at least one or more anode electrodes formed on the second substrate, at least one or more fluorescent layers formed on the anode electrodes, the surface treatment layer formed on the surface of fluorescent layers containing the functional substance that remains even after the baking process for forming the fluorescent layer, and the light-emitting containing one or more metallic thin films formed so as to cover the surface treatment layer.例文帳に追加

本発明の他の実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上のアノード電極；前記アノード電極に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上の金属薄膜を含む発光部；からなる。 - 特許庁

The driving TFT includes a resistive layer between an active layer 113 and at least one of a source electrode 114 and a drain electrode 115, and the pixels have a color filter 17 provided to the side of a luminescent layer of the organic electroluminescent elements from which light is extracted, and emits light of the modified color.例文帳に追加

少なくとも駆動ＴＦＴ、および駆動ＴＦＴと同一基板上に有機電界発光素子よりなる画素を有する有機電界発光表示装置であり、駆動ＴＦＴは、活性層１１３とソース電極１１４及びドレイン電極１１５の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動ＴＦＴであり、且つ画素が有機電界発光素子の発光層の光取りだし面側にカラーフィルター１７を配し発光色を変調させた画素である有機電界発光表示装置。 - 特許庁

In this conductor film, the metal pattern layer 3 is formed on the laminated layer film 4a with a vapor phase film forming method and the laminated layer film 4a is formed of a composition including, as the main structural elements, a melamine system cross linking agent, and a polyester resin having carboxylic acid group and sulfonic acid group in the side chain.例文帳に追加

ポリエステルフィルム４の少なくとも片面に積層膜４ａを有し、該積層膜上に金属層がパターン形状に加工された金属パターン層３を有する導電性フィルムであって、前記金属パターン層３が前記積層膜４ａ上に気相製膜法で形成されたものであり、前記積層膜４ａが、メラミン系架橋剤と側鎖にカルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂を主たる構成成分とする組成物から形成されたものであることを特徴とする、導電性フィルム。 - 特許庁

In the electrolytic capacitor, anode parts of a plurality of electrolytic capacitor elements constituting the stack are stacked on the connection terminals, and the joint 51 of the connection terminal and the anode part of an electrolytic capacitor of lowermost layer is located between the lower surface 21 and the upper surface 22 of the stack.例文帳に追加

電解コンデンサにおいては、接続端子上に、積層体を構成する複数の電解コンデンサの陽極部が積層されており、接続端子と最下層の電解コンデンサの陽極部との接続部５１が、積層体の下面２１と上面２２との間に位置している。 - 特許庁

In an electromechanical conversion device 10, a plurality of electromechanical conversion elements 2, which include a first electrode 3 and a second electrode 6 that are provided so as to face each other via an insulator 7, are formed on an insulating layer 5 formed on one surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。 - 特許庁

The resin-coated inorganic powder composition for sealing electronic elements comprises an aggregate composed of an inorganic powder coated with a resin layer comprising the following components (A) and (B), where the content ratio of the inorganic powder is set to 80-95 wt.% based on the whole composition.例文帳に追加

下記の（Ａ）および（Ｂ）成分を含有する樹脂層によって被覆された無機粉末の集合体からなり、上記無機粉末の含有割合が、組成物全体に対し８０〜９５重量％に設定されている電子素子封止用樹脂被覆無機粉末組成物である。 - 特許庁

The second permanent magnet 25 is provided on a reverse face of a substrate 23, and a magnetization direction 33a of free magnetic layers for all the magnetoresistance effect elements formed on a surface 23a of the substrate 23 are directed to a direction orthogonal to a magnetization direction (PIN direction) of a fixed magnetic layer 31 and along the same direction.例文帳に追加

基板２３の裏面に第２の永久磁石２５を設け、前記基板２３の表面２３ａに形成された全ての磁気抵抗効果素子のフリー磁性層の磁化方向３３ａを、固定磁性層３１の磁化方向（ＰＩＮ方向）と直交する方向で且つ同一方向に向ける。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 where the separation grooves 2 in which insulating members 2a are buried and the elements 3 are formed is made thin until bottoms of the insulating members 2a project from the side of a reverse surface 1b, and then the reverse surface 1b and a support 6 are joined together through an insulating layer 4.例文帳に追加

絶縁部材２ａで埋設された分離溝２と素子３とが形成された半導体基板１を、裏面１ｂ側から絶縁部材２ａの底部が突出するまで半導体基板１を薄厚化した後、絶縁層４を介して裏面１ｂを支持体６と接合する。 - 特許庁

The spherical aberration including the thickness error of the protective layer of the surface of an optical disk 102, which is formed on the board surface the optical disk 102 is detected by detecting a reflective laser beam which is reflected on the board surface of the optical disk 102 and is diffracted with photodetecting elements 21, 22, 23 and calculating a sum signal.例文帳に追加

光ディスク１０２の盤面にて反射され、回折された反射レーザ光を光検出素子２１，２２，２３にて検出し、和信号を算出することにより、光ディスク１０２の盤面に形成された光ディスク表面保護層の厚み誤差を含む球面収差を検出する。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

When the ceramic element 1 contains BaTiO_3 as a main constituent like a ceramic capacitor or the like, the diffusion layer 12 is produced by chemically reacting at least a part of elements included in the ceramic element 1 with at least one kind selected from Al, Si, Li and B.例文帳に追加

セラミックコンデンサ等のように、セラミック素体１が、BaTiO_3を主成分とする場合は、拡散層１２は、セラミック素体１に含まれる元素の少なくとも一部が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌｉ又はＢから選択された少なくとも一種と化学的に反応して生成されたものとなる。 - 特許庁

An SED is constituted by sealing a front substrate 10 in which an image display unit 20 having a phosphor layer is formed inside, and a back surface substrate in which many electron emission elements and its drive wiring 19a, 19b are formed inside through a rectangular frame-like side wall 14.例文帳に追加

ＳＥＤは、蛍光体層を有する画像表示部２０を内側に形成した前面基板１０と、多数の電子放出素子およびその駆動配線１９ａ、１９ｂを内側に形成した背面基板と、を矩形枠状の側壁１４を介して封着して構成されている。 - 特許庁

The electric heater is composed of cylindrical protecting tubes 12 made of ceramic, resistive heating elements 14 spirally wound and inserted into the protective tubes 12, and an insulating layer 16 with a castable material 16a poured into the tube 12 to be solidified to seal the inside of the tube 12.例文帳に追加

セラミックからなる筒状の保護管１２と、螺旋状に巻回され、保護管１２内に挿入されてなる発熱抵抗体１４と、保護管１２内に流し込まれたキャスタブル１６ａが固化して保護管１２内部を密閉した絶縁層１６とで構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The focusing position of a spot formed inside an optical recording medium is adjusted by moving one or both of the lens elements 33a and 33b included in the beam expander 33 in the optical axis direction, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.例文帳に追加

ビームエクスパンダー３３に含まれるレンズ素子３３ａ及び３３ｂの一方または両方を、光軸方向に移動させることによって、光記録媒体内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁

To solve the problem of a crystalline silicon film being formed at low temperatures, e.g. by a high density plasma, etc., without having to use a crystallizing means such as a laser, but a transition layer exists between a substrate and the crystalline silicon film to result in deterioration of the characteristics/reliability and productivity of thin-film semiconductor elements.例文帳に追加

レーザー等による結晶化の手段を用いずに、例えば高密度プラズマ等で低温で結晶性のシリコン膜を形成する場合、基体と形成した結晶性のシリコン膜との間に、遷移層が存在し、薄膜半導体素子の特性・信頼性や生産性を下げる。 - 特許庁

A photoelectric conversion element, which is formed by forming a metal electrode, a photoelectric conversion layer and a transparent electrode on a flexible film substrate with a stepping roll system or roll-to-roll system, is heated in the form of a roll within a heating furnace under the condition where the flexible substrate having formed the elements up to the transparent electrode is wound around a winding roll.例文帳に追加

ステッピングロール方式もしくはロールツーロール方式により、可とう性のフィルム基板に、金属電極、光電変換層、透明電極を形成した光電変換素子を、透明電極まで形成して可とう性基板が巻取りロールに巻かれた状態で、ロールごと加熱炉で加熱する。 - 特許庁

The semiconductor device is so formed on at least a single-sized surface of a semiconductor wafer wherein the polyimide layer having a tensile elastic modulus not smaller than 4 GPa, a linear expansion coefficient not larger than 25 ppm, and a moisture absorbing expansion coefficient not larger than 35 ppm is formed directly as to form its functional elements on at least a single-sized surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

少なくとも片面に機能素子が形成された半導体ウエハの少なくとも片面に、引張弾性率が４ＧＰａ以上、線膨張係数が２５ｐｐｍ以下、吸湿膨張係数が３５ｐｐｍ以下のポリイミド層を直接形成した半導体装置。 - 特許庁

A carcass ply is manufactured by disposing a strip-like part having thread-like elements of longitudinal direction associated in a layer of elastomer material of first and second series strip-like sections 13, 14 cut in a predetermined size.例文帳に追加

所要寸法に切断された第一及び第二の系統のストリップ状部分１３、１４であって、各々がエラストマー的材料の層内に組み込まれた長手方向の糸状要素１５を備える、上記ストリップ状部分を円環状の支持体の上に配置することにより、カーカスプライの製造が為される。 - 特許庁

This ink jet printing method consists of (a) the preparation of ink jet recording elements including supports having porous image accepting layers with continuous voids and (b) the image-like application of droplets of liquid ink including the water, a moisture keeping agent and a metallized phthalocyanine coloring matter on the image accepting layer.例文帳に追加

a)連続したボイドを有する多孔性画像受容層を上に有する支持体を含んで成るインクジェット記録要素を用意し、b)前記画像受容層の上に、水、保湿剤、及び金属化フタロシアニン色素を含む液体インクの小滴を像様に適用するインクジェット印刷方法。 - 特許庁

To provide a highly reliable manufacturing method of a component built-in substrate with built-in electronic components such as semiconductor elements, which can avoid breakage of the built-in electronic components and obtain excellent electrical connection between the electronic components and inner layer circuit electrodes of the substrate.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品が内蔵される部品内蔵基板であって、内蔵された電子部品の損傷を招くことなく、且つ、電子部品と当該基板の内層回路電極との良好な電気的接続を得ることができる信頼性の高い基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ratio of silicon to the principal constituent metal element contained in the translucent film layer is higher than the stoichiometric ratio of the silicide compound having the highest silicon content among silicide compounds which can be formed by the two elements.例文帳に追加

半透明膜層に含まれる主要構成金属元素に対するシリコン元素の含有比率が、それら２元素が構成し得るシリサイド化合物のうち最もシリコンの含有比率が高い化学量論比率よりも、シリコンの含有比率が高くなっていることを特徴とする。 - 特許庁

The ceramic catalyst body is obtained by making the ceramic carrier formed so as to directly carry the catalyst by substituting a part of the constituent elements of cordierite directly carry a main catalyst component and a catalyst component and a trap layer for collecting sulfur being a catalyst poisoning component in exhaust gas is provided to the catalyst body on the upstream side thereof.例文帳に追加

コーディエライトの構成元素の一部を置換して触媒を直接担持可能としたセラミック担体に、主触媒成分と助触媒成分を直接担持させてセラミック触媒体とし、その上流側に、排ガス中の触媒被毒成分である硫黄を捕集するトラップ層を設ける。 - 特許庁

To achieve a method of bonding a semiconductor wafer to a sheet which can improve yield of semiconductor chips to be obtained by separating a semiconductor wafer, and prevent the powder of an adhesive layer from adhering to the semiconductor elements in separating the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体基板を分割して得られる半導体チップの歩留まりを向上させることができ、かつ、半導体基板分割時において接着層の粉末が半導体素子に付着しないようにすることができる半導体基板およびシートの接着方法を実現する。 - 特許庁

This element 10b is formed by baking a green laminate laid on a vanishing layer sublimatively dissipative by combustion to form a large-area thin element mother board 10a and cutting this board into many elements.例文帳に追加

当該薄型積層圧電／電歪素子１０ｂは、未燃焼積層体を、燃焼により昇華して消失する消失層上に載置した状態で焼成して形成される大面積の薄型素子原板１０ａを縦横に切断することにより、多数個取りにより形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer which comprises an epitaxial layer with a desired resistance rate and a silicon wafer with a still lower resistance rate than a conventional one, which improves electrical characteristics of elements, and which suppresses autodoping during epitaxial growth more easily than before.例文帳に追加

所望の抵抗率のエピタキシャル層と従来より更に低抵抗率なシリコンウエーハからなり、素子の電気的特性の向上を実現できる、エピタキシャル成長中のオートドープを従来に比べて容易に抑制できるシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a structure in which a multilayer wiring layer is further formed on a peripheral circuit formed on a semiconductor substrate, such that a defect of the peripheral circuit is analyzed without changing characteristics of elements constituting the peripheral circuit.例文帳に追加

半導体基板上に形成された周辺回路上にさらに多層配線層が形成された構造の半導体装置において、周辺回路を構成する素子の特性を変化させずに周辺回路の不良解析を行うことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加

従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁

With regard to layers 11, 12 to be patterned before the layer 12 is formed that contains such interconnections as to exercise a substantial influence on behavior of the semiconductor device 10 if there is a difference between elements in parasitic capacity values depending on positional relationship with other interconnections, these layers are formed by batch exposure.例文帳に追加

他の配線との位置関係によって生じる寄生容量の値に素子間で差があると半導体装置１０の動作に実質的な影響を与えるような配線を含む層１２以前にパターン形成する層１１、１２については一括露光でパターン形成する。 - 特許庁

Many protrusions 6 are formed at the sample-mounting side of a mounting plate 2, and a sample-holding layer 7 (holding region 6a) having top surfaces of the protrusions 6 contains a fluoride of elements selected from the group consisting of yttrium and a lanthanoid or two or more types of complex substances of the fluorides as main components.例文帳に追加

載置板２の試料載置側に多数の突起６が形成され、突起６の頂面を含む試料保持層７（保持領域６ａ）はイットリウム及びランタノイド元素から選ばれた元素のフッ化物、又はこれらフッ化物の２種以上の複合物を主成分とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stacked photoelectromotive element with which shunting of the stacked photoelectromotive element where a transparent conductive layer is installed between a plurality of photoelectromotive elements having pin junction is solved and a stacked solar battery having a satisfactory characteristic and high yield is realized.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する複数の光起電力素子の間に透明導電層を設けた積層型光起電力素子のシャントを解決し、良好な特性及び高い歩留りを有する積層型太陽電池を実現しうる積層型光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Two QPM elements 4a, 4b are used as a wavelength conversion element 4, upper surfaces opposite to an upper part of a bulk crystal of parts having good uniformity of a period of a polarization inversion layer of each QPM element are disposed opposite to each other and brought into contact with each other, and substantially functioned as one QPM element.例文帳に追加

波長変換素子４として２個のＱＰＭ素子４ａ，４ｂを用い、各ＱＰＭ素子において分極反転層の周期の均一性が良好な部分である、バルク結晶の上部に面する上面同士を対向して密着させ、実質的に１個のＱＰＭ素子として機能させる。 - 特許庁

In the mounting method and the mounting device ZD, a mounting substrate 3 in which a plurality of switching elements 32 for each of the micro vibrators 10 one-to-one are arrayed is pressure-bonded on the side of the piezoelectric vibrator PE where the electrode layer 2 having anisotropic conductive characteristics is formed, while aligning.例文帳に追加

実装方法および実装デバイスＺＤは、圧電振動子ＰＥの、異方導電特性を有する電極層２を形成した側に、個々の微小振動体１０に１対１で対応する複数のスイッチング素子３２を配列した実装基板３を、位置合わせしながら圧着する。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with: a plurality of signal lines 22; a plurality of scanning lines; a plurality of auxiliary capacity lines 23; a plurality of switching elements; an array substrate having an insulating membrane and a plurality of pixel electrodes; an opposing substrate; a plurality of spherical spacers 32; and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、複数の信号線２２と、複数の走査線と、複数の補助容量線２３と、複数のスイッチング素子と、絶縁膜と、複数の画素電極とを有したアレイ基板と、対向基板と、複数の球状スペーサ３２と、液晶層と、を備えている。 - 特許庁

A conductive film for passive elements, which are to become resistors and inductors or the like, is formed by etching the surface of oxide film to leave a plurality of flat surfaces which are identical to or larger than the width of the element on the base layer having a structure such that the flat surface and etching surface are allocated alternately.例文帳に追加

素子の幅と同等もしくはより大きい平面が複数個残るように酸化膜の表面をエッチングし、この平面とエッチング面が交互に並ぶような構造を下地にして、その上に抵抗やインダクタンス等になる受動素子用導電膜を堆積形成する。 - 特許庁

The dielectric layer 11a contains a large number of the dielectric grains G1 having a non-core shell structure using a dielectric as a chief material, and each dielectric grain G1 is formed in a shape surrounded by a plurality of diffusion-phase grains G2 having the non-core shell structure in which one kind or more of metallic elements are diffused to the dielectric.例文帳に追加

誘電体層１１ａは、誘電体を主成分とする非コアシェル構造の多数の誘電体グレインＧ１を含み、各誘電体グレインＧ１は、誘電体に１種以上の金属元素が拡散した非コアシェル構造の複数の拡散相グレインＧ２によって囲まれた形態にある。 - 特許庁