「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An exposure device is provided with a luminous matter array constituted of at least an anode layer 3, a cathode layer 6 and a plurality of luminous elements formed of one or a plurality of organic compound layers 7 clamped between the anode layer and the cathode layer and formed on a base 1, and quantities of light emitted by respective luminous elements are uniformized by the adjustment of light emitting characteristics of respective luminous elements.例文帳に追加

基板上１に、少なくとも陽極層３及び陰極層６と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化合物層７より構成される発光素子が複数配列された発光体アレイを有する露光装置であって、各発光素子の発光特性の調整により各発光素子の発光光量が均一化されている露光装置。 - 特許庁

On the exposed surfaces of the transistor elements a first inter-layer film 107 is provided, a first Al layer 108 formed thereon is divided in orthogonal directions and parallel directions to the gates of the transistor elements into a plurality of portions on the first inter-layer film 107, and a second inter-layer film 109 is provided on the first Al layer 108.例文帳に追加

トランジスタ素子の露出面上には、第１の層間膜１０７が設けられ、この第１の層間膜１０７上に第１のアルミニウム層１０８はトランジスタ素子のゲートに対し、直交方向及び平行方向に分割して複数が設けられ、この第１のアルミニウム層１０８上には第２の層間膜１０９が設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device wherein an element is separated by the LOCOS oxide film is provided with an SOI board having an insulating layer and a silicon layer formed thereon, a plurality of semiconductor elements formed on the silicon layer, and an element isolation area that is formed from the surface of the silicon layer up to the insulating layer and isolates the semiconductor elements electrically.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜により素子分離された半導体装置が、絶縁層と絶縁層上に設けられたシリコン層とを含むＳＯＩ基板と、シリコン層に形成された複数の半導体素子と、シリコン層の表面から絶縁層に達するように形成され、半導体素子の間を電気的に分離する素子分離領域とを含む。 - 特許庁

This film with the photocatalytic function layer consists of a substrate 1, an intermediate layer 3 provided on the surface of the substrate, and a photocatalytic layer 4 provided on the intermediate layer 3, wherein the intermediate layer 3 contains vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, or copper having different valencies, or an oxide of each of the above elements, or a mixture of the oxides of the above elements.例文帳に追加

基材１、該基材表面に設けた中間層３、及び該中間層の上に設けた光触媒層４から成り、前記中間層３がバナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、または銅、若しくは前記元素の酸化物あるいは価数の異なる前記元素の酸化物の混合物であることを特徴とする光触媒機能層を備えたフィルム。 - 特許庁

The organic functional layer 5 of respective display elements are selectively coated in one color of red, green, or blue.例文帳に追加

各表示素子の有機機能層５は、赤色、緑色、及び青色のいずれか一色に塗り分けられている。 - 特許庁

Tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3 are arranged at an upper layer side of digit lines DL<0>-DL<3>.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３は、デジット線ＤＬ＜０＞〜ＤＬ＜３＞の上層側に配置される。 - 特許庁

The first metallic layer 210 and other elements put together are disposed on an opposite surface of the dielectric substrate 250.例文帳に追加

第一の金属層２１０および他の要素は、まとめて誘電体基板２５０の反対の表面に配される。 - 特許庁

The element layer 1 has a plurality of organic EL elements 10 arranged on different positions in a flat plane respectively.例文帳に追加

素子層１は、各々が平面内の異なる位置に配置された複数の有機ＥＬ素子１０を有する。 - 特許庁

At least the first to third resistance heating elements 121-123 are covered with a protective layer 19 made of glass.例文帳に追加

ガラス製の保護層１９で少なくとも第１〜第３の抵抗発熱体１２１〜１２３を覆うようにした。 - 特許庁

The light-emitting module (6) comprises a module substrate (25), a light reflection layer (28), a plurality of light-emitting elements (37) and a sealing material (46).例文帳に追加

発光モジュール(6)は、モジュール基板(25)、光反射層(28)、複数の発光素子(37)および封止材(46)を備えている。 - 特許庁

A series of alternating slits and bridging elements are formed in the support layer along a desired predefined tear seam line.例文帳に追加

連続した交互のスリットと架橋要素が、所望の所定の破断縫目線に沿って支持層に形成される。 - 特許庁

A Zn-doped InP layer 14 is formed on the active layers 12a and 12b of the optical elements 21 and 22, respectively.例文帳に追加

これらの光素子の活性層１２ａ、１２ｂ上には、ＺｎドープＩｎＰ層１４が形成されている。 - 特許庁

To obtain an electric double layer capacitor that is reliably used for a long time by suppressing the amount of the gas generated inside the capacitor elements.例文帳に追加

キャパシタ素子内部に発生するガス量を抑え、長期信頼性の優れた電気二重層キャパシタを得る。 - 特許庁

A plurality of open areas 19 for forming air layer elements 18 are provided by the inner partitions 17.例文帳に追加

この内部隔壁（１７）により空気層要素（１８）を形成するための複数の開放エリア（１９）が設けられる。 - 特許庁

Magnetic flux produced by a current passed through the conductor layer 5 is applied to the first and second Hall elements 2 and 3.例文帳に追加

導体層５を流れる電流で発生した磁束を第１及び第２のホール素子２及び３に与える。 - 特許庁

The light shielding layer 20 has apertures 30 corresponding to the plurality of light receiving elements 11.例文帳に追加

ここで、遮光層２０は複数の受光素子１１にそれぞれ対応して設けられた開口部３０を備える。 - 特許庁

The elements having the different applications can be formed in the active layer having the thickness suitable for the application.例文帳に追加

用途の異なる半導体素子をその用途に適した厚みを有する活性層内に形成することができる。 - 特許庁

The elements covering the diodes are formed on the upper side of a buried insulating layer provided in the intermediate part of the substrate.例文帳に追加

これらのダイオードで覆った素子を基板の昼間部に設けた埋込絶縁層の上側に形成させた。 - 特許庁

A pixel driving element is formed on the substrate in each active region and an insulating layer is formed between pixel driving elements.例文帳に追加

画素駆動素子を各活性領域の基板上に形成し、絶縁層を各画素駆動素子間に形成する。 - 特許庁

The electron emission elements are capacitive ones each with an insulating layer pinched between two metal layers.例文帳に追加

上記電子放出素子は、２つの金属層間に絶縁層を挟んだ容量性の電子放出素子である。 - 特許庁

Then, a heat treatment is performed for activation of the above impurity elements and crystallization of the semiconductor layer.例文帳に追加

そして、加熱処理を行なって、前記不純物元素の活性化および半導体層の結晶化を行なう。 - 特許庁

The magnetization direction of a bias magnet 5 is substantially vertical to the pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R1-R4.例文帳に追加

バイアス磁石５の着磁方向はＳＶ−ＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４のピン層磁化方向と略垂直である。 - 特許庁

A plurality of types of essential trace elements for the human body are thermally sprayed on the surface of a base material to form a coating layer 3.例文帳に追加

基材２の表面に、複数種類の人体必須微量元素を溶射してコーティング層３を形成する。 - 特許庁

In order to enhance sensitivity, the conductor layer 5 is so arranged that it extends along the first and second Hall elements 2 and 3.例文帳に追加

感度を高めるために導体層５を第１及び第２のホール素子２及び３に沿うように配置する。 - 特許庁

A conductive covering layer 4 is provided at a rare earth-added optical fiber 9 where rare earth elements have been added into a core 1.例文帳に追加

コア１内に希土類元素が添加された希土類添加光ファイバ９に、導電性被覆層４を設ける。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, and a plurality of picture elements 51.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の絵素５１と、を備えている。 - 特許庁

The structure of each electrode is the laminated structure comprising a first layer made of the nitride or composite nitride of periodic-table IVa-group elements, the nitride or composite nitride of periodic-table Va-group elements, or the nitride or composite nitride of periodic-table VIa-group elements, and comprising a second layer made of periodic-table IVa-, Va-, or VIa-group elements.例文帳に追加

前記電極の構造は、周期律表ＩＶａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Ｖａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表ＶＩａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第１の層と、周期律表ＩＶａ、Ｖａ又はＶＩａ属元素からなる第２の層と、の積層構造である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an intermediate layer of an oxide containing a first element, i.e. one of group III elements or group V elements formed on a semiconductor substrate, an insulating film of an oxide containing a second element, i.e. the other of group III elements or group V elements formed on the intermediate layer, and an electrode formed on the insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の一方である第１の元素を含む酸化物より成る中間層と、中間層上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の他方である第２の元素の酸化物より成る絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極とを有している。 - 特許庁

In the semiconductor device having fuse elements, the fuse elements are formed in a wiring layer present on the side of the lower layer than the uppermost wiring layer of the semiconductor device, and at the time point when completing the manufacturing process of the wiring layer, a fuse trimming is performed, and thereafter, the manufacturing processes of residual wiring layers are completed constitutionally.例文帳に追加

ヒューズ素子を備えた半導体装置において、前記ヒューズ素子を半導体装置における最上配線層よりも下層側の配線層にて形成し、その配線層の製造工程が完了した時点で、ヒューズトリミングを行い、その後に残りの配線層の製造工程を完了する構成とする。 - 特許庁

The Mo material has a structure in which the outer most layer is composed of a dense welding preventive layer composed of the oxide of the constituting elements of the above metal powder, the lower part thereof is composed of an alloy layer in which the above constituting elements are diffused into the Mo or Mo alloy, and the lower part thereof is composed of an Mo or Mo alloy layer.例文帳に追加

このＭｏ材料は、最外層が前記金属粉末の構成元素の酸化物からなる緻密な溶着防止層であり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金に前記構成元素が拡散した合金層からなり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金層からなる構造を有する。 - 特許庁

This device has an electron source substrate equipped with plural electron emitting elements on a substrate, and a face plate equipped with a phosphor layer, a metal back layer 4009 and a wiring 4021 for connecting the metal back layer 4009 to a power supply on a transparent substrate arranged oppositely to the electron emission elements, and the wiring 4021 and the metal back layer 4009 are connected through a conductive film 4025.例文帳に追加

基体上に複数の電子放出素子を備える電子源基板と、電子放出素子と対向して配置される透明基板上に蛍光体層、メタルバック層およびメタルバック層を電源に接続する配線を備えるフェースプレートとを有し、配線とメタルバック層が導電膜を介して接続する。 - 特許庁

The display includes organic light-emitting elements 10R, 10G, 10B having sequentially the first electrode layer 13, a lower organic layer 14, an upper organic layer 15 including a light-emitting layer, and the second electrode layer 16, on a base body 11 embedded with a drive transistor Tr1.例文帳に追加

この表示装置は、駆動トランジスタＴｒ１が埋設された基体１１の上に、第１電極層１３、下部有機層１４、発光層を含む上部有機層１５、および第２電極層１６を順に有する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備える。 - 特許庁

A functional layer 8 is provided partially on a single-crystal substrate 1, and an insulating layer 9 is formed so as to cover the functional layer 8 to improve the optical output and the characteristics by the selection of constituting elements of the functional layer and the configuration of the insulating layer.例文帳に追加

単結晶の基板１の上に部分的に機能層８を設け、この機能層８を覆うように絶縁層９を形成し、機能層の構成要素の選択と絶縁層の形状により光出力の向上、特性改善を行うものである。 - 特許庁

It is respectively preferable that the film thickness of the phase change material layer is 10 nm or less, the total film thickness of the phase change recording layer and the phase change material layer is 30 nm or less and 80% or more of the constituting elements of the phase change recording layer and the phase change material layer are Sb and Te.例文帳に追加

相変化材料層の膜厚は10nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層との合計膜厚は30nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層の構成元素の80％以上がSbとTeであることがそれぞれ好ましい。 - 特許庁

The metal layer coating the surface of the porous base material has double layer structure consisting of a lower layer of high melting metals such as W, Mo and Re and an upper layer of elements of the platinum group such as Ir, Os and Ru, except platinum.例文帳に追加

多孔質基材の表面を被覆する金属層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅなどの高融点金属からなる下層と、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｕなどの白金を除く白金族元素からなる上層との二層構造を有している。 - 特許庁

The average coordination number of the intermediate layer (B) is smaller than that of the uppermost layer (C) and that of the lowermost layer (A) regarding the average coordination number of elements of an insulating film material configuring each layer of the second insulating film.例文帳に追加

第２絶縁膜の各層を構成する絶縁膜材料の元素の平均配位数について、中間層（Ｂ）の平均配位数は、最上層（Ｃ）の平均配位数及び最下層（Ａ）の平均配位数のいずれよりも小さい。 - 特許庁

The light diffusion plate 25 is constituted of at least two light deflection elements 28 having different ejection distributions and a light diffusion layer 24 composed of three layers; a first light scattering layer 27, a light transmission layer 23 and a second light scattering layer 26.例文帳に追加

光拡散板２５は、少なくとも２つ以上の射出分布の異なる光偏向素子２８と、第１の光散乱層２７と光透過層２３と第２の光散乱層２６の３層からなる光拡散層２４で構成される。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium, an under layer having crystal particles and a carbide or boride contained separation phase is provided under the perpendicular magnetic recording layer and an another under layer containing one of elements which constitute the crystal particles is provided under the under layer.例文帳に追加

垂直磁気記録層の下に、結晶粒子と炭化物またはホウ化物を含む分離相とを有する下地層、及びその下に結晶粒子を構成する元素の１つを含む下地層を設けた垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

In converting the layer structure, the data processor 2 acquires the image data(PDL file or the like) including a plurality of image elements and attribute information showing the attributes of the image elements, and assigns the acquired image elements to any layer according to the acquired attribute information, and generates the image data of the selected layer structure.例文帳に追加

レイヤ構造を変換する場合に、データ処理装置２は、複数の画像要素とこれらの画像要素の属性を示す属性情報とが含まれた画像データ（ＰＤＬファイルなど）を取得し、取得された画像要素を、取得された属性情報に応じていずれかのレイヤに割り当てて、選択されたレイヤ構造の画像データを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a depletion layer which spreads between adjoining elements is restrained, and mutual affection of the elements is eliminated, so that spacing between semiconductor elements is narrowed, integration degree is increased, and flexibility of circuit lay out is enlarged.例文帳に追加

隣接する素子間に広がる空乏層を抑制し、相互に影響を与えないようにすることによって半導体素子間の間隔を狭くし、集積度を上げ、回路レイアウトの自由度の大きい半導体装置を提供する。 - 特許庁

To make the intervals of light emission points between semiconductor element small and prevent the influence of heat generated by the heat generating semiconductor laser elements on the other semiconductor layer elements in a semiconductor device which comprises a plurality of such semiconductor laser elements.例文帳に追加

複数の半導体レーザ素子を有する半導体装置において、半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくすると共に、半導体レーザ素子から発生する熱が他の半導体レーザ素子に及ぶことを防止する。 - 特許庁

Serial noise filters are constituted by alternately stacking a dielectric layer 1a where signal-potential side coil patterns 21a to 21d constituting 1st to 4th noise filter elements are arranged and a dielectric layer 1b where ground-potential side coil patterns 32a to 32d constituting 1st to 4th noise filter elements are arranged.例文帳に追加

積層体内に、信号側コイルＬｓ_1 〜Ｌｓ_4 とグランド側コイルＬｇ_1 〜Ｌｇ_4 と、該コイルＬｓ_1 〜Ｌｓ_4 とＬｇ_1 〜Ｌｇ_4 との間で容量成分が形成されて成るノイズフィルタ素子が複数併設されて成る多連型ノイズフィルタである。 - 特許庁

This magnetometric sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, normal GMR elements 11, 12 comprising respectively a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF elements 13, 14 comprising respectively a synthetic spin valve film equipped with a multilayer film-laminated fixed layer.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１，１２と、多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はＧｄ（ガドリニウム）の酸化膜により形成され、イオン源層は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）などのカルコゲナイド元素と共に、Ｃｕ（銅），Ｚｒ（ジルコニウム），Ａｌ（アルミニウム）などの金属元素を含有する。 - 特許庁

Between an outside resin layer 29 on the side of an opening 7 of the case 1 and an inside resin layer 28 on the side of capacitor elements 2A and 2B, an interposed resin layer 30 of the resin different from those of them is arranged.例文帳に追加

ケース１の開口部７側の外側樹脂層２９とコンデンサ素子２Ａ、２Ｂ側の内側樹脂層２８との間にこれら両方の樹脂とは異なる樹脂の介在樹脂層３０を配置する。 - 特許庁