「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor elements 4 and 5 are mounted on an insulating substrate 2 comprising a metal layer 3.例文帳に追加

半導体素子４、５は金属層３を有する絶縁基板２上に搭載される。 - 特許庁

An organic EL layer 27 is arranged between both electrodes 24, 25, to form organic EL elements 27.例文帳に追加

両電極24，25間に有機ＥＬ層26が配置されて有機ＥＬ素子27が構成されている。 - 特許庁

A semiconductor element mounted on the substrate side is made thicker than upper layer semiconductor elements.例文帳に追加

基板側に搭載される半導体素子を上層の半導体素子より厚くする。 - 特許庁

Each of the resistance elements R1 to R4 composing respective resistor networks 20, 24 is composed of a two-layer lamination structure of a tantalum nitride layer 30 and a tantalum layer 28.例文帳に追加

抵抗回路網２０，２４を構成する抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ窒化タンタル層３０とタンタル層２８の二層積層構造で構成されている。 - 特許庁

This steel wire comprises a metal plated layer of two layers on a surface, consisting of a plated layer of nickel inside and a plated layer of a three elements alloy of copper-zinc-nickel outside.例文帳に追加

内側のニッケルめっき層と外側の銅−亜鉛−ニッケルの三元合金めっき層からなる内外２層の金属めっき層を表面に設けてなる。 - 特許庁

The lower-layer chip and intermediate-layer chip are composed of power semiconductor elements, and the upper-layer chip is composed of a control circuit element or sensor circuit.例文帳に追加

前記下層チップと前記中間層チップをパワー半導体素子により構成し、前記上層チップを制御回路素子または、センサ回路により構成している。 - 特許庁

The MR elements 42A to 42D including a magnetic reference layer are formed on the same substrate 35 and a protective layer and a hard magnet layer are formed to cover them.例文帳に追加

同一基体３５上に、磁気リファレンス層を含むＭＲ素子４２Ａ〜４２Ｄを形成し、それらを覆うように保護層とハードマグネット層とを形成する。 - 特許庁

A soft magnetic layer 3F (or a hard magnetic layer) for obtaining the single magnetic domain of the free-layer 3A in the same plane shape is arranged at the lower part of the plurality of SV/GMR elements 3.例文帳に追加

複数のSV-GMR素子３の下部には同一平面形状で自由層３Ａの単磁区化を行う軟磁性層３Ｆ（又は硬磁性層）が配設される。 - 特許庁

Each layer in the laminate 68 is formed by at least one or more constituent elements chosen from the constituent elements of the Heusler metal.例文帳に追加

積層体６８の各層は、ホイスラー金属の構成元素から選択される少なくとも１以上の構成元素で形成される。 - 特許庁

Multiple electrically isolated conductive particles 54 in the interstitial layer electrically couple the multiple conductive elements to the multiple piezoelectric elements.例文帳に追加

侵入型層内の複数の電気絶縁される導電粒子５４は、複数の導電素子を複数の圧電素子へ電気結合する。 - 特許庁

And the grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer 12 contains at least one kind element of rare earth elements or alkaline earth elements.例文帳に追加

そして、その粒界相豊富層１２における粒界相は希土類元素又はアルカリ土類元素の少なくとも１つを含有する。 - 特許庁

The object added by the edition processing is separated into configuring elements, and assigned to each layer configuring the multi-layer image data by a layer separation/composition part 74, and the separated configuring elements are compounded with the document data 68 for every layer so that edited data 76 can be generated.例文帳に追加

レイヤ分離合成部７４で、編集処理で追加されたオブジェクトを構成要素に分離して多層画像データを構成する各層に割り当て、分離された構成要素を文書データ６８に層毎に合成して編集データ７６を生成する。 - 特許庁

A first protective layer 31 is formed on the surface of a photoelectric conversion substrate 2, on which photoelectric conversion elements have been provided, and then, the scintillator layer 32 is formed thereon, whereby degradation of the photoelectric conversion elements, due to the contact with the scintillator layer 32, is prevented.例文帳に追加

光電変換基板２の光電変換素子を設けた表面に第１の保護層31を形成したうえでシンチレータ層32を形成し、シンチレータ層32との接触による光電変換素子の劣化を防止する。 - 特許庁

A method comprises a step of generating an auxiliary graph for a network comprising a plurality of network elements having an Internet Protocol layer, a lower layer, and a wavelength layer, the auxiliary graph including a plurality of directed edges indicative of connectivity of components of the plurality of network elements.例文帳に追加

ＩＰレイヤ、下位レイヤ、および波長レイヤを有する複数のネットワーク装置を含むネットワークについて、ネットワーク装置のコンポーネント間の接続を表す複数の有向エッジを含む補助グラフを作成する。 - 特許庁

The composite spacer layer 6 is provided with a metallic connection part 14 having magnetic elements to be segregated so that the magnetization fixed layer 5 and the magnetization free layer 7 may be connected in an insulating layer 13.例文帳に追加

複合スペーサ層６は絶縁層１３内に磁化固着層５と磁化自由層７とを接続するように偏析する磁性元素を有する金属接続部１４を備える。 - 特許庁

In that case, a grain element layer is provided on the back surface of the skin layer 13, and the deformation degree of grain elements structuring the grain element layer is changed to adjust the permeability of the skin layer 13.例文帳に追加

この場合、表皮層１３の裏面に粒体層を設け、その粒体層を構成する粒体の変形度合いを変化させることにより、表皮層１３の通気度を調整する。 - 特許庁

The light emitting device has a ceramic substrate, a metal heat conduction layer which is formed on the ceramic substrate and is not electrically connected, light emitting elements mounted on the metal heat conduction layer, a metal joining layer disposed between the metal heat conduction layer and the light emitting elements and joining the light emitting elements to the metal heat conduction layer.例文帳に追加

発光装置は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板上に形成された、電気的に非接続の金属熱伝導層と、前記金属熱伝導層上に実装された発光素子と、前記金属熱伝導層と前記発光素子との間に介在して、前記発光素子を前記金属熱伝導層に接合する金属接合層とを有する。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor.例文帳に追加

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。 - 特許庁

This light emitting device includes a plurality of light emitting elements 2 formed on a substrate 10 to form a line, and light detecting elements 20 formed on a layer between the light emitting elements 2 and the substrate 10.例文帳に追加

発光装置は、基板１０上に列をなすように形成された複数の発光素子２と、発光素子２と基板１０との間の層に形成された光検出素子２０とを備える。 - 特許庁

The thermoelectric element layer 41 is constituted as a skeleton type thermoelectric element made by bonding p-type elements and n-type elements with a soft layer, and is fixed to an inner face of the bellows 36.例文帳に追加

この熱電素子層４１は、ｐ型素子とｎ型素子とが柔軟層により拘束されたスケルトン型の熱電素子として構成されており、ベローズ３６の内側の面に固定されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit which uses a polysilicon layer, corresponding to upper electrodes of two-layer polysilicon capacitor elements as resistance elements to reduce the chip area.例文帳に追加

２層ポリシリコン容量素子において、上部電極に相当するポリシリコンレイヤを抵抗素子として用いることによりチップ面積の縮小を図ることができる半導体集積回路を得る。 - 特許庁

Since the air layer is dispersed into the plurality of small air layer elements, the quantity of air penetrating the fluid can be reduced.例文帳に追加

空気層が複数の小さな空気層要素（１８）に分散しているので流体中への空気の溶け込み量が少なくなる。 - 特許庁

A first layer 50 and a second layer 60 respectively have respectively different arrangement angles of the first elements 51, 52, 61, 62 to the first direction.例文帳に追加

第１層（５０）と第２（６０）とは、第１方向に対する第１要素（５１，５２，６１，６２）の配設角度が互いに異なる。 - 特許庁

An integrated circuit manufacturing technology by which a protective layer is deposited on the conductive elements of a specific layer in a multilayered integrated circuit is disclosed.例文帳に追加

保護層を多層集積回路の特定層の導電性エレメント上に堆積する集積回路の製造技術を開示する。 - 特許庁

The electron emitting elements are exposed through gate electrodes (50) in pattern which form a further upper layer of the insulating layer.例文帳に追加

電子放出性素子は、絶縁性層の更に上層をなすパターニングされたゲート電極（５０）を通して露出されている。 - 特許庁

On the intense electric field drift layer 6, an insulation layer 8 having window holes in parts corresponding to electron source elements is formed (fig. (e)).例文帳に追加

強電界ドリフト層６上に、電子源素子に対応する部位に窓孔を有する絶縁層８を形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: a heat dissipating member 10; a wiring layer 20, formed on the heat dissipating member 10, including a circuit pattern 21 and an insulating layer 22 containing resin; and semiconductor elements 30 and 40, mounted on the wiring layer 20, containing electronic elements and sealing resin for sealing the electronic elements.例文帳に追加

半導体装置１は、放熱部材１０と、放熱部材１０上に形成され、回路パターン２１と、樹脂を含む絶縁層２２とを含む配線層２０と、配線層２０上に実装され、電子素子とそれを封止する封止樹脂とを含む半導体素子３０，４０とを有している。 - 特許庁

An array substrata 100 is provided with a wiring part X, switching elements, an insulation layer 24 formed by covering the wiring part and the switching elements and pixel electrodes 151, formed on the insulation layer in a matrix and connection to the switching elements, via contact holes formed on the insulation layer.例文帳に追加

アレイ基板１００は、配線部Ｘと、スイッチング素子と、配線部及びスイッチング素子を覆って形成された絶縁膜２４と、絶縁膜上にマトリクス状に形成され絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子に接続された画素電極１５１と、を有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of fuse elements 101-109 which can be cut by laser beam irradiation, lower layer interconnects 111-123 located on a layer lower than the fuse elements 101-109, and a plurality of through hole electrodes 131-139 for connecting the fuse elements 101-109 and the lower layer interconnects 111-123.例文帳に追加

レーザビームの照射により切断可能な複数のヒューズ素子１０１〜１０９と、ヒューズ素子１０１〜１０９よりも下層に位置する下層配線１１１〜１２３と、ヒューズ素子１０１〜１０９と下層配線１１１〜１２３とを接続する複数のスルーホール電極１３１〜１３９とを備える。 - 特許庁

The illuminating device is equipped with light-emitting elements 2 and a fluorescent layer 3 which is arranged on a side of light emitting surfaces of the light-emitting elements and contains the fluorescent complex.例文帳に追加

照明装置は、発光素子２と発光素子の発光面側に配置された、該蛍光性錯体を含む蛍光層３とを具備している。 - 特許庁

Conductive elements 66 and 72 are provided on and under the first dielectrics layer to form an input capacitor while forming a shunt capacitor of conductive elements 84 and 102.例文帳に追加

第１誘電体層の上下に導電要素66、72を設けて入力コンデンサを形成し、導電要素84、102で分流コンデンサを形成する。 - 特許庁

Electrode pads for mounting LED elements and a through wiring layer are formed on a sub-mount board mounting the LED elements having different luminous wavelengths.例文帳に追加

発光波長の異なるＬＥＤ素子を実装したサブマウント基板上に、ＬＥＤ素子実装用の電極パッドとスルー配線層を形成する。 - 特許庁

A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.例文帳に追加

インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁

In the optical recording medium, a transparent substrate 1, a photoabsorption layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5 and a reflecting layer 6 are laminated to one another by the order named, the recording layer includes Ag, In, Sb, Te and Ge as constituent elements.例文帳に追加

透明基板１、光吸収層２、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、及び、反射層６を順次有する光記録媒体において、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んでいる。 - 特許庁

The magnetization fixed layer 63 of the first and second MR elements has synthetic structure that contains a pinned layer 631, a coupling layer 632, and a pinned layer 633 coupled to the pinned layer 631 by antiferromagnetic manner, in the order starting from the intervention layer 62.例文帳に追加

第１および第２のＭＲ素子における磁化固着層６３が、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。 - 特許庁

This light-emitting device includes: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; an organic buffer layer 19 that covers the plurality of organic EL elements P1; and a first gas barrier layer 20 and a second gas barrier layer 21 that are disposed on the organic buffer layer 19.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１と、複数の有機ＥＬ素子Ｐ１を覆う有機緩衝層１９と、有機緩衝層１９上に配置された第１のガスバリア層２０および第２のガスバリア層２１を備える。 - 特許庁

The organic electroluminescent elements using the compound in the luminescent layer exhibits remarkable stability.例文帳に追加

発光層内前記新規化合物を使用する有機電界発光素子は顕著な安定性を示す。 - 特許庁

A plurality of electric double-layer capacitor elements are laminated and parallel-connected via a terminal plate.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ素子を端子板を介して複数個積層して並列に接続する。 - 特許庁

The chemical compound 49 contains at least one kind of elements included in the Heusler alloy layer.例文帳に追加

化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 7 is an active area and consists of a semiconductor containing the indium elements.例文帳に追加

III族窒化物半導体層７は活性領域であり、インジウム元素を含む半導体から成る。 - 特許庁

The layer 8B is connected to grounding terminals 8C of the elements 2A and 2B or to a power source terminal.例文帳に追加

配線層８Ｂを半導体素子２Ａ，２Ｂの接地端子８Ｃ又は電源端子に接続する。 - 特許庁

The magnetic resistance elements R_1, R_2 and the wiring layer 32 are covered to form a passivation insulation film 34.例文帳に追加

素子Ｒ_１，Ｒ_２及び配線層３２を覆ってパッシベーション用絶縁膜３４を形成する。 - 特許庁

The Ag layer 24 and the semiconductor elements 2 are connected with one another through wires 5 by wire bonding.例文帳に追加

そして、ワイヤボンディングによって、Ａｇ層２４と半導体素子２とをワイヤ５によって接続する。 - 特許庁

A rewiring layer is formed in at least one of stacked semiconductor elements.例文帳に追加

積層された半導体素子の少なくとも一つに再配線層が形成された素子を使用する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 11 connected to GND line 19 is extracted from among a plurality of elements.例文帳に追加

複数の素子のうち、ＧＮＤライン１９と接続されたＰ型拡散層１１を抽出する。 - 特許庁