「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The primary layer in powder is formed of a transit metal or its alloy except elements of the platinum group.例文帳に追加

粉中の下地層は、白金族元素以外の遷移金属又はその合金から形成される。 - 特許庁

Consequently, the circuit elements are directly connected to the IC component 5 not through the conductor layer 1.例文帳に追加

このため，回路素子は導体層１を介さずＩＣ部品５と直接に接続されている。 - 特許庁

The magnetic-electric conversion elements 21 to 23 are formed on an SOI (semiconductor on insulator) layer 3 of an SOI substrate 10.例文帳に追加

磁電変換素子２１〜２３は、ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層３に形成されている。 - 特許庁

In addition, by forming an insulating layer on the substrate, the wiring between elements, which are connected electrically between two or more fine elements formed on the insulating layer, can be formed using carbon nanotube in the shape to creep on the insulating layer.例文帳に追加

また、基板上に絶縁層を形成して、絶縁層上に形成した２個以上複数の微細な素子同士の間を、絶縁層上を這わせた形のカーボンナノチューブを用いて電気的に結合した素子間配線とすることもできる。 - 特許庁

This magnetic recording medium is provided at least with a substrate 10, the magnetic layer 10 formed on the substrate, and a segregation promotion layer 70 formed on the magnetic layer 60, and the segregation promotion layer 70 contains segregation promotion elements which diffuse on the surface layer part of the magnetic layer and promote the isolation of the magnetic particles of the surface layer part.例文帳に追加

少なくとも、基板10と、この基板上に形成された磁性層60と、この磁性層60上に形成された偏析促進層70とを備え、且つ、前記偏析促進層70は、前記磁性層表層部に拡散し該表層部の磁性粒子の孤立化を促進する、偏析促進元素を含有する。 - 特許庁

In transferring the elements arrayed on a first substrate onto a second substrate, the elements are previously arrayed across a photocatalyst layer and an organic matter layer on the first substrate and are irradiated with UV rays, by which the elements are peeled from the first substrate.例文帳に追加

第１の基板上に配列された素子を第２の基板上に転写するに際し、光触媒層及び有機物層を介して素子を第１の基板上に配列しておき、紫外線を照射することにより素子を第１の基板から剥離する。 - 特許庁

The electromagnetic shield comprises a reflective layer 1 having numerous antenna elements 10 placed on the same plane and a spacer layer 2 with a low dielectric constant overlaid on one of surfaces of the layer 1.例文帳に追加

同一平面状に配設された多数個のアンテナ素子１０を有する反射層１の一面に低誘電率のスペーサ層２を重ね合わせたものである。 - 特許庁

One fixed layer for the two elements is magnetized along a longitudinal direction thereof, and the other fixed layer is magnetized along the direction same to that of the magnetization in the one fixed layer.例文帳に追加

その２個の素子の一方の固定層はその長手方向に磁化されており、他方の固定層はその一方の固定層の磁化と同じ向きに磁化されている。 - 特許庁

The fixed resistance elements 4, 5 are composed of an element part 12 provided with a fixed magnetic layer, nonmagnetic layer and free magnetic layer and a first soft magnetic material 23 positioning above the elementary part 12.例文帳に追加

固定抵抗素子４，５は、固定磁性層、非磁性層及びフリー磁性層を備える素子部１２と、素子部１２の上方に位置する第１軟磁性体２３を備える。 - 特許庁

The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加

活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁

At an interface between the contact layer 113 and the p side electrode 115, there is formed an alloy layer 120, consisting of elements which constitute Ni, Au, Zn and the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 72 is formed on a substrate 70, and light emitting thyristors L as the light emitting elements are formed on the semiconductor layer 72.例文帳に追加

基板７０上に半導体層７２が形成され、半導体層７２に発光素子としての発光サイリスタＬが形成される。 - 特許庁

The plurality of the magnetoresistant elements 26 are not required to be provided with a ferromagnetic layer (fixed layer) for imparting preliminarily magnetization directions different individually.例文帳に追加

それら複数個の磁気抵抗素子２６は、個々に異なる磁化方向を予め与える強磁性層（固定層）を備える必要がない。 - 特許庁

In this illuminator with a reflection layer, electroluminescent elements are formed respectively at the back of the reflection layer having a plurality of through-holes by being confronted with the through-holes.例文帳に追加

複数の貫通孔を有する反射層の背面に前記貫通孔に対向してそれぞれエレクトロルミネッセント素子を形成する。 - 特許庁

At least some of the constituent elements of the insulation layer 222 overlap at least some of those of the ferroelectric layer 214a.例文帳に追加

絶縁層２２２の構成元素の少なくとも一部は、強誘電体層２１４ａの構成元素の少なくとも一部と同じである。 - 特許庁

A second insulating material layer is interposed between the first insulating material layer with the antenna elements formed thereon and a ground conductor plate.例文帳に追加

アンテナエレメントが形成されている第１絶縁材料層と、接地導体板との間に、第２絶縁材料層が介装されている。 - 特許庁

The antenna elements are formed on both sides of the first insulating material layer by applying selective etching to the conductive material layer.例文帳に追加

それらアンテナエレメントは、導電材料層に選択的エッチング法を施すことによって、第１絶縁材料層の両面に形成される。 - 特許庁

Consequently, the contact resistance between the chromium layer 32a and ITO layer 32b, etc., as elements of the wiring for external connection is held low.例文帳に追加

よって、外部接続用配線の要素であるクロム層３２ａとＩＴＯ層３２ｂ等との間のコンタクト抵抗が低く維持される。 - 特許庁

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

Each compound layer contains one or more kinds of elements selected from the groups consisting of the group 4a, 5a and 6a elements in the Periodic Table, Al, Si and B and one or more kinds of elements selected from B, C, N and O as the main components.例文帳に追加

各化合物層は、周期律表4a、5a、6a族元素、Al、Si、Bからなる群の中から選択される１種以上の元素とB、C、NおよびOから選択される１種以上の元素とを主成分とする。 - 特許庁

To alter a circuit only by modifying the layout of a wiring layer, even when only preliminary elements disposed in the early layout designing time of the circuit does not saffice the number of elements, resulting in the requirement of additional elements by altering the circuit.例文帳に追加

回路変更によって追加素子が必要となり、初期レイアウト設計時に配置した予備の素子だけでは素子が不足する場合でも、配線層のみのレイアウト修正で回路変更を可能にする。 - 特許庁

In the insulating film layer, the conductive patterns b are each formed, and they are capacitance elements C and inductive elements L to form a two-stage LC filter.例文帳に追加

絶縁膜層にはそれぞれ導体パターンｂを形成し、それらは容量素子Ｃおよび誘導素子Ｌとし、２段のＬＣフィルタの構成にする。 - 特許庁

A plurality of elements arranged on a temporary holding substrate is held by embedding to an adhesive layer formed on a transfer substrate and the elements are peeled from a temporary holding substrate.例文帳に追加

仮保持基板に配列された複数の素子を、転写基板上に形成された粘着層に埋入して保持し、素子を仮保持基板から剥離する。 - 特許庁

The electrode pads 16 of the plurality of semiconductor elements 9 are electrically connected to the relay pads 17 of the relay elements 15 with the conductive layer 19.例文帳に追加

複数の半導体素子９の電極パッド１６と中継素子１５の中継パッド１７とは導電層１９で電気的に接続されている。 - 特許庁

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

The ends of the resistor elements 5 and the resistor elements 5a are connected to a grounding potential through a wide interconnect line which is continuously formed on the same layer.例文帳に追加

抵抗素子５および抵抗素子５ａの一端は、同層で連続的に形成された幅広の配線４４ａにより接地電位に接続される。 - 特許庁

Thickness of a hole injecting electrode layer of the respective picture elements is adjusted so that the transmissivity of the light in the respective picture elements of red, green, and blue becomes 70% or more.例文帳に追加

赤、緑、青色それぞれの画素における光の透過率が７０％以上となるように、各画素のホール注入電極層の厚さを調整する。 - 特許庁

A plurality of elements arranged on a temporary holding substrate is held by being embedded to an adhesive layer formed on a transfer substrate and the elements are peeled off from a temporary holding substrate.例文帳に追加

仮保持基板に配列された複数の素子を、転写基板上に形成された粘着層に埋入して保持し、素子を仮保持基板から剥離する。 - 特許庁

In this balance weight connecting body 1 formed by connecting a plurality of balance weight elements 2, the circumferences of the balance weight elements 2 are covered and sealed with a surface layer 9.例文帳に追加

複数のバランスウェイト要素２が連結されたバランスウェイト連結体１において、バランスウェイト要素２の周囲を表面層９で覆い密封する。 - 特許庁

The EL light emitting elements 24, 25 are linearly extended along a scanning direction and a heat diffusion layer 48 is formed between the EL light emitting elements 24, 25 and the housing 11.例文帳に追加

ＥＬ発光素子24, 25は、走査方向に沿ってライン状に延びるとともに、このＥＬ発光素子24, 25とハウジング11との間に熱拡散層48が介在されている。 - 特許庁

Laser oscillation of the laser elements generated by that reflected light from the recording layer are made incident on each of the semiconductor laser elements is monitored and information is reproduced.例文帳に追加

記録層からの反射光が半導体レーザ素子の夫々に入射して生じるレーザ素子のレーザ発振が監視されて情報が再生される。 - 特許庁

A planarizing plate is settled in contact with a ununiform outer surface of a dielectric layer covering underlying functional circuit elements and filler circuit elements.例文帳に追加

下側に存在する機能回路要素及びフィラー回路要素を被覆する誘電体層の不均一な外部表面と接触して平坦化プレートを配置させる。 - 特許庁

This detector 20 is constituted by layering the first electrode layer 21, a photo-conductive layer 22 for recording, a charge transport layer 23, a photo-conductive layer 24 for reading, the second electrode layer 25 having the stripe electrode 26 comprising elements 26a in this order.例文帳に追加

検出器２０は、第１電極層２１、記録用光導電層２２、電荷輸送層２３、読取用光導電層２４、エレメント２６ａから成るストライプ電極２６を有する第２電極層２５をこの順に積層してなる。 - 特許庁

A part of a ceramic layer 13 for elements is composed of an insulator 31 around a via conductor 22, piercing the ceramic layer 13 for elements containing, e.g. a dielectric ceramic material.例文帳に追加

たとえば誘電体セラミック材料を含む素子用セラミック層１３を貫通するように設けられるビアホール導体２２の周囲において、素子用セラミック層１３の一部を、絶縁体３１によって構成する。 - 特許庁

A mole ratio A of the lithium to the electron donative elements in the solid electrolyte layer is greater than a mole ratio B of the lithium to the electron donative elements in the positive electrode active material layer.例文帳に追加

固体電解質層中における電子供与性元素に対するリチウムのモル比Ａは、正極活物質層中における電子供与性元素に対するリチウムのモル比Ｂよりも大きい。 - 特許庁

Elements out of elements included in the protective film 4 and those included in the etching detection layer 3 which are not common to both of them are included at least in either of the protective film 4 and the etching detection layer 3.例文帳に追加

保護膜４とエッチング検出層３の少なくとも一方には、保護膜４に含まれる元素とエッチング検出層３に含まれる元素のうち両方に共通しない元素が含まれている。 - 特許庁

In the display device with a plurality of organic EL elements formed on a substrate (10), a protective layer is formed on the organic EL elements, and the protective layer includes a first protective layer (15) made of an inorganic material, a second protective layer made of resin and with concave microlenses (16a) formed, and a third protective layer (17) made of an inorganic material.例文帳に追加

有機ＥＬ素子が基板（１０）上に複数形成された表示装置において、有機ＥＬ素子の上に保護層を形成し、その保護層は、無機材料からなる第１の保護層（１５）と、樹脂からなり、凹状のマイクロレンズ（１６ａ）が形成された第２の保護層と、無機材料からなる第３の保護層（１７）とを有する。 - 特許庁

A first pattern is formed by a plurality of the first elements arranged in a first direction on at least one side of a laminated body formed by laminating a lower layer, a middle layer, and an upper layer, and a second pattern is formed by a plurality of the second elements arranged in a second direction on a light shielding layer constituting the middle layer.例文帳に追加

下層、中間層、上層が積層されて成る積層体の少なくとも一方の面に、第１の方向に複数配置された第１の要素によって第１の模様を形成し、中間層を構成する光遮蔽層に、第２の方向に複数配置された第２の要素によって第２の模様を形成する。 - 特許庁

The fuel tank 10 comprises: an inner layer 21 made from polyethylene; a barrier layer 23 laminated on the inner layer 21 and having fuel permeability resistance superior to the inner layer 21; a heat insulating layer 25 imposed between the barrier layer 23 and an outer layer 26 and made by mixing minute hollow elements into polyethylene; and the outer layer 26 laminated on the barrier layer and made from polyethylene.例文帳に追加

燃料タンク１０は、ポリエチレンからなる内層２１と、内層２１上に積層され内層２１より耐燃料透過性に優れたバリア層２３と、バリア層２３と外層２６との間に介在しポリエチレンに微小中空体を混入した断熱層２５と、バリア層２３に積層されポリエチレンからなる外層２６とを備えている。 - 特許庁

TFD elements 4 and data lines 13 for sending signals to the TFD elements 4 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the element substrate 110, the interlayer insulating layer 34 is formed so as to cover the TFD elements 4, the data lines 13 and the wirings 207 and pixel electrodes 9 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the interlayer insulating layer 34.例文帳に追加

また、素子基板１１０の液晶層５０側には、ＴＦＤ素子４と、ＴＦＤ素子４に信号を送信するためのデータ線１３とが形成されなり、ＴＦＤ素子４及びデータ線１３と配線２０７とを覆う形にて層間絶縁層３４が形成され、該層間絶縁層３４の液晶層５０側に画素電極９が形成されている。 - 特許庁

The MRAM element part includes: a plurality of MRAM elements each of which is provided with a magnetization fixed layer in which magnetization is fixed and a magnetization free layer in which magnetization can be inverted; a lower connection part for connecting each of the plurality of MRAM elements to the lower wiring layer; and an upper connection part for connecting each of the plurality of MRAM elements to the upper wiring layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ素子部は、磁化が固定された磁化固定層と磁化が反転可能な磁化自由層とを備える複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子と、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子の各々と下部配線層とを接続する下部接続部と、複数のランダムアクセスメモリ素子の各々と上部配線層とを接続する上部接続部とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device has joint structures in which a joint layer 7 provided between an underlying conductive layer and a lead-free solder layer and substantially not containing sulfur and, and an alloy layer 9a provided between the joint layer and the lead-free solder layer containing elements of these layers are formed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層７が設けられ、かつ接合層と鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層９ａが形成された接合構造を有する。 - 特許庁

The optical sheet 10 has: a sheet-like base layer 32; a light control layer 35 including a plurality of unit shape elements 38 arranged in a direction parallel to a sheet surface of the base layer 32; and a light diffusing layer 40 disposed between the base layer and the light control layer.例文帳に追加

光学シート１０は、シート状の基部層３２と、基部層のシート面と平行な方向に並べられた複数の単位形状要素３８を有する光制御層３５と、基部層と光制御層との間に配置された光拡散層４０と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor device has such a bonding structure that a bonding layer essentially containing no sulfur is disposed between a base conductor layer and a lead-free solder layer, and between the bonding layer and the lead-free solder layer, an alloy layer containing elements contained in these layers is disposed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, between a ground conductor layer and a lead free solder layer, a bonding layer which does not contain sulfur substantially is prepared, and between the bonding layer and the lead free solder layer, the bonding structure forming an alloy layer with these elements is prepared.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁