「layer elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode active material layer 21B includes Si as a constituent element, and includes metal elements such as Ti, Cr, Fe, Co, Ni, and Zr.例文帳に追加

負極活物質層２１Ｂは、構成元素としてＳｉを含むと共にＴｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｒなどの金属元素を含んでいる。 - 特許庁

An interposer 30 is formed on the resin layer for peeling, and a plurality of semiconductor elements 31 are mounted on the interposer.例文帳に追加

剥離用樹脂層上にインターポーザ３０を形成し、インターポーザ上に複数の半導体素子３１を実装する。 - 特許庁

On a sapphire wafer 20, a group III nitride semiconductor layer 3 is grown that corresponds to a plurality of individual elements 21.例文帳に追加

サファイアウエハ２０上に、複数の個別素子２１に対応したIII族窒化物半導体層３が成長させられる。 - 特許庁

These ribbon elements 70 permitting deformation are fixed on the upper surface of the spacer layer 65 on each side of the channel 67.例文帳に追加

これらの変形可能リボン素子７０は、チャンネル６７のそれぞれの側でスペーサ層６５の上部表面に固定される。 - 特許庁

The adhesive layer contains the Group IV elements in the long-periodic table, and forms carbide with carbon atoms.例文帳に追加

該接着層は、長周期型周期表第４族元素を含み、炭素原子との炭化物を形成する事を特徴とする。 - 特許庁

Many switching elements 103 are formed in a matrix shape by using low-temperature polysilicon in a semiconductor layer on an array substrate.例文帳に追加

アレイ基板上の半導体層に、低温ポリシリコンを用いて多数のスイッチング素子１０３をマトリックス状に形成する。 - 特許庁

Each vector layer includes vector elements corresponding to one of the recognized reference labels and one or more reference lines thereof.例文帳に追加

各ベクタ層は、認識された参照ラベルの１つとそれの１つ以上の参照線とに対応するベクタ要素を含む。 - 特許庁

To improve the long term information hold performance, using nonvolatile memory elements which are formed by the single-layer polyflash technique.例文帳に追加

単層ポリフラッシュ技術で形成された不揮発性記憶素子による長期の情報保持性能を向上させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加

保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

An InGaAs epitaxial layer is provided continuously between the optical semiconductor elements, and a part (more specifically, an aperture or a groove) for exposing a layer underlying the InGaAs epitaxial layer at least to a layer overlying the InGaAs epitaxial layer is provided.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属層若しくはＴｉ合金層からなる緩衝層３０と、絶縁性皮膜層４０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層５０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

In the drive panel 10, organic light emitting elements 10R, 10G and 10B are provided on a driving substrate 11 through a drive element layer 40 and a cover layer 50 that covers it.例文帳に追加

駆動パネル１０は、駆動用基板１１上に、駆動素子層４０およびこれを覆う被覆層５０を介して、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有している。 - 特許庁

Furthermore, as the barrier layer 3 for suppressing the diffusion of 1A base elements, SiON is used and the deterioration of device characteristics with the passage of time can be suppressed by said barrier layer 3.例文帳に追加

また、１Ａ族元素の拡散を抑制するバリア層３としてＳｉＯＮを用いており、このバリア層３により素子特性の経時的劣化を抑制することができる。 - 特許庁

In the memory cell, for example, the wires 20a, 20b of the fourth layer and the wire 21a of the fifth layer are connected respectively through the TMR elements 26a, 26b.例文帳に追加

たとえば、メモリセル部においては、第４層目の配線２０ａ，２０ｂと第５層目の配線２１ａとを、それぞれ、ＴＭＲ素子２６ａ，２６ｂを介して接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic element plating seed layer capable of forming a seed layer on the surface of electronic elements with less devices in a simple manufacturing process.例文帳に追加

少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring layer 8B compound of a flat solid layer made of a conductive material is arranged between a plurality of semiconductor elements 2A and 2B laminated by flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップチップ接合により積層した複数の半導体素子２Ａ，２Ｂの間に導電性材料より形成された平面ベタ層よりなる配線層８Ｂを配置する。 - 特許庁

After defining a distance between the contact holes adjacent to each other on the polysilicon resistance layer 4 as the lengths L1 and L2 of resistance elements, the patterning dimension of the polysilicon resistance layer 4 is set.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗層４上で隣り合うコンタクトホール間を抵抗素子の長さＬ１，Ｌ２と定義した上でポリシリコン抵抗層４のパターニング寸法を設定する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer group comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all the group III elements is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

次いで、前記発光層上に全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

Thereby, compared with conventional tunnel-type magnetic detecting elements in which the protection layer is formed of Ta, a high resistance change rate is obtained and magnetostriction in the free magnetic layer is reduced.例文帳に追加

これにより、保護層をＴａで形成した従来のトンネル型磁気検出素子に比べて、高い抵抗変化率が得られ、かつフリー磁性層の磁歪が低減できる。 - 特許庁

Then, a metallic layer is formed on the thermoelectric elements on one surface of the plate-like solid material, and the metallic layer and an electrode formed on a substrate are joined with solder.例文帳に追加

その後、板状固形物の一方の面の熱電素子上に金属層を形成し、この金属層と基板上に形成された電極とをはんだにより接合する。 - 特許庁

The porous layer 8 has a molecular sieve effect, and thereby, the layer passes only the required elements for growth of the silicon carbide single crystal but does not allow impurities such as nitrogen to pass through.例文帳に追加

この多孔層８は分子篩効果を有するので、炭化珪素単結晶の成長に必要な構成要素のみを通し、窒素等の不純物を通さない。 - 特許庁

The sealing body comprises an insulating resin layer 1 on one face of which a metal gas barrier layer 2 and on the other face of which a conductive wiring 3 for supplying power to the light emitting elements 6 are provided.例文帳に追加

絶縁樹脂層１を介した一面側に金属製のガスバリア層２が、他面に発光素子６への給電用の導体配線３が設けられている。 - 特許庁

A coating layer 27 containing a variety of metal elements other than copper and nickel, which can be alloyed with copper and nickel is formed on the surface of the negative electrode active material layer 26.例文帳に追加

負極活物質層２６の表面に、銅またはニッケルとの合金化が可能である、銅およびニッケル以外の異種金属元素を含む被覆層２７を形成する。 - 特許庁

A driving voltage adjustment film 4 which has been set according to a suitable driving voltage of a display layer 2 containing display elements 7 is disposed on one surface of the display layer 2.例文帳に追加

表示素子７を含有する表示層２の一面に、表示層２の適正駆動電圧に合わせて設定された駆動電圧調節フィルム４を配設する。 - 特許庁

In the elements relative to the pixels in a non-emitting time, even if external light enters into the layer 14, it is absorbed by the layer 14, so that the black level is improved.例文帳に追加

他方、非発光時の画素に係る素子では、外光が陰極層１４に入射しても、陰極層１４において吸収されるため、黒レベルが向上する。 - 特許庁

It is a method of inspecting the piezo-electric/electrostrictive device in which a plurality of piezo-electric/electrostrictive elements each having a piezoelectric/electrostrictive layer and an electrode layer formed by printing are arranged in a columnar structure.例文帳に追加

印刷によって形成された圧電／電歪層及び電極層を具備する複数の圧電／電歪素子が、列状に配設された圧電／電歪デバイスの検査方法である。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 3 is annealed, the composition is corrected and the optimum composition is obtained by diffusing diffusion elements in the first piezoelectric layer 3A.例文帳に追加

この圧電層３に対してアニール処理を施すと、第１の圧電層３Ａにおいては拡散元素が拡散することによって、組成が修正されて最適組成となる。 - 特許庁

The Schottky barrier electrode 8a is composed of a first layer 11a composed of a titanium film containing nitrogen or oxygen or both elements and a second layer 12 made of a metal.例文帳に追加

ショットキバリア電極８ａを、窒素又は酸素又はこれ等の両方を含有するチタン膜から成る第１の層１１ａと金属から成る第２の層１２とで構成する。 - 特許庁

To eliminate the pattern forming failure of a wiring conductor layer of a multilayer thin film wiring layer, the difficulty of mounting semiconductor elements, etc., due to warp of a ceramic multilayer wiring board.例文帳に追加

セラミック多層配線基板の反りによる、薄膜多層配線層の配線導体層のパターン形成不良および半導体素子の実装の困難性等を解消すること。 - 特許庁

Further, the oxide layer containing Zn and Al as essential elements of ≥10 nm is provided on a surface layer of a flat part.例文帳に追加

また、上記製造方法により生産され、ZnおよびAlを必須成分として含む酸化物層を平坦部表層に10nm以上有する合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

The electrically conductive antireflection film comprises a colored layer containing at least one selected from gold, silver, elements of the platinum group and their compounds and a cobalt-containing inorganic pigment as a 1st layer and a transparent layer having a refractive index of 1.3-1.6 to visible light as a 2nd layer.例文帳に追加

第１の層は、金、銀、白金族の元素およびそれらの化合物から選ばれる少なくとも１種と、コバルト含有無機顔料を含む着色層であり、第２の層は、可視光の屈折率が１．３〜１．６の透明層である。 - 特許庁

AlCu alloy wiring 100 constituted of a TiN barrier layer 110, a lower part Ti metal layer 120, an AlCu layer 130 and a TiN cap layer 140 is formed on a plasma oxide film formed on a semiconductor substrate in which elements are formed.例文帳に追加

素子が形成された半導体基板上に形成されたプラズマ酸化膜上に、ＴｉＮバリア層１１０、下部Ｔｉ金属層１２０、ＡｌＣｕ１３０層、ＴｉＮキャップ層１４０からなるＡｌＣｕ合金配線１００を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method is characterized by adding one or more low melting elements selected from Sn, In, or Pb, of 0.4-5 mass% (the adhesion layer) and 0.4-25 mass% (the sacrificial layer) to the raw powder for forming the adhesion layer and the sacrificial layer which are surface layers.例文帳に追加

表面層である密着層および犠牲層を形成する原料粉末に低融点元素であるＳｎ、Ｉｎ、Ｐｂから選ばれた１種以上を、それぞれ０．４〜５質量％（密着層）、０．４〜２５質量％（犠牲層）だけ配合する。 - 特許庁

The radial transverse electric polarizer device includes: a first layer of a material having a first refractive index; a second layer of a material having a second refractive index; and a plurality of elongated elements azimuthally and periodically spaced apart and disposed between the first layer and the second layer.例文帳に追加

ラジアル横方向電気偏光器は、第１屈折率を有する材料の第１層と、第２屈折率を有する材料の第２層と、方位角で周期的に隔置され、第１層と第２層との間に配置された複数の細長い要素とを含む。 - 特許庁

An impurity diffusing layer which may be used for isolation of elements is formed of a back gate, and a diffusing layer adjacent to the diffusing layer to form the back gate is formed of a drain, a source and a gate of the wiring layer bridging over the drain, source and back gate.例文帳に追加

素子分離として用いることのできる不純物拡散層をバックゲート、バックゲートを形成する拡散層に隣接した拡散層をドレイン及びソース、ドレイン、ソース及びバックゲート上を跨ぐ配線層のゲートからなる構成を有している。 - 特許庁

A surface of one layer of adjacent two layers is provided with a number of projecting rib elements 8 to be partially intruded into the other layer at a boundary part of a core 2 and an intermediate layer 4, or a boundary part of the intermediate layer 4 and a cover 6.例文帳に追加

コア２と中間層４との境界部分又は中間層４とカバー６との境界部分において、隣接する一方の層の表面に、この層の一部が他方の層内に部分的に侵入する多数の凸型リブ要素８を形成する。 - 特許庁

(2) A quantum bit energy generating device is constituted by stacking the paper coil described by (1), a layer (laminated element layer) formed by laminating a plurality of thin films each having a spiral thin layer containing one kind of element on its surface while kinds of elements are changed, and a color material layer in this order.例文帳に追加

（２） （１）記載のペーパーコイル、一種類の元素を含む螺旋状の薄層を表面に設けた薄膜が、元素の種類を変えて複数積層された層（積層元素層）、及び色料層をこの順に積層したカンタムビットエネルギー発生装置。 - 特許庁

A method of forming an ink jet print head can include a step of attaching multiple piezoelectric elements 20 to a diaphragm 36, a step of dispensing an interstitial layer 50 over the diaphragm, a step of electrically coupling multiple conductive elements 62 to the multiple piezoelectric elements, and a step of curing the interstitial layer.例文帳に追加

インクジェットプリントヘッドを形成するための方法は、複数の圧電素子２０をダイヤフラム３６へ付着することと、前記ダイヤフラムを覆って侵入型層５０を計量分配することと、複数の導電素子６２を複数の圧電素子へ電気結合することと、侵入型層を硬化することと、を含むことができる。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element 1, a semiconductor area 5 consists of a first III-V compound semiconductor, and the layer of the first III-V compound semiconductor consists of a semiconductor containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements and nitride elements.例文帳に追加

窒化物半導体素子１では、半導体領域５は、第１のIII−Ｖ化合物半導体から成り、第１のIII−Ｖ化合物半導体の層はインジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含む半導体から成る。 - 特許庁

The method for manufacturing the scintillator array includes: forming the scintillator array joined through an adhesive layer by adjacent scintillator elements of a plurality of scintillator elements (801); etching the adhesive layer (802), and manufacturing the scintillator array by filling a gap generated by etching with a partition wall material (803).例文帳に追加

複数のシンチレータ素子の隣り合うもの同士が接着層を介して接合されたシンチレータアレイを形成し(801)、前記接着層をエッチングし(802)、前記エッチングによって生じる隙間に隔壁材を充填する(803)ことによってシンチレータアレイを製造する。 - 特許庁

In the thermoelectric module comprising N type and P type thermoelectric elements, a titanium layer or a titanium alloy layer having a thickness of 10 μm or above is formed in at least one of the N type and P type thermoelectric elements.例文帳に追加

Ｎ型の熱電素子とＰ型の熱電素子とを備えた熱電モジュールにおいて、Ｎ型の熱電素子とＰ型の熱電素子との内の少なくとも一方に１０μｍ以上の厚さを有するチタン層又はチタン合金層が形成されている。 - 特許庁

The organic EL device is provided with a plurality of organic EL elements having an organic functional layer including at least an organic light emitting layer between a pixel electrode and a counter electrode and has a can-sealing structure covering the organic EL elements by a sealing substrate 90.例文帳に追加

画素電極と対向電極との間に、少なくとも有機発光層を含む有機機能層を有してなる有機Ｅ素子を複数備え、有機ＥＬ素子上を、封止基板９０で覆った缶封止構造の有機ＥＬ装置である。 - 特許庁

A supporting film 1 is provided, on one side thereof, with conductive elements 2 patterned to correspond with the frequency of an electromagnetic wave to be reflected and an adhesive layer 4 covering the conductive elements 2 and, on the other side thereof, with a gas barrier layer 3.例文帳に追加

支持フィルム１の一方の面には、反射させようとする電磁波の周波数に対応した特定のパターンの導電性素子２とこの導電性素子２を覆うように粘着剤層４を設け、他方の面には、ガスバリア性層３を設ける。 - 特許庁

The ceramic module substrate consisting of a plurality of ceramic substrates that are laminated and integrated comprises a hetero material layer 24 for passive elements that is buried into a substrate 23 of at least one layer of the ceramic module substrate, and a stress relief layer 25 that is interposed between the substrate 23 and the hetero material layer 24 for passive elements and is buried in the substrate 23.例文帳に追加

積層一体化された複数層のセラミック基板からなるセラミック・モジュール基板に於いて、該セラミック・モジュール基板の少なくとも一層の基板２３に埋め込まれた受動素子用異種材料層２４と、該基板２３と該受動素子用異種材料層２４との間に介在して該基板２３に埋め込まれた応力緩和層２５とを備える。 - 特許庁