「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a wire plating device for consistently manufacturing a plated wire having a uniform plated layer of the thickness deviation ratio of ≤2.0 by adequately cooling a range of the plated layer which is hot, has high fluidity and easily produces thickness deviation immediately after the plating and a range of the plated layer which is cold, has low fluidity and less easily produces thickness deviation.例文帳に追加

メッキ直後における高温で流動性が大きくて偏肉を発生し易いメッキ層の範囲と、低温で流動性が低くて偏肉を発生しにくいメッキ層の範囲をそれぞれ適正に冷却することで、生産性が高く、偏肉比が２．０以下の値である均一なメッキ層を有するメッキ線材を安定して製造可能な線材メッキ装置を提供する。 - 特許庁

At a point where there is no pixel electrode 17 or no common electrode 18, at least part of the reformed layer 14 is removed in the thickness direction, and the thickness of the reformed layer 14 in an area, wherein it does not overlap with the both electrodes 17 and 18, is smaller than the thickness of the reformed layer 14 in an area wherein it overlaps with the both electrodes 17 and 18.例文帳に追加

画素電極１７と共通電極１８が存在しない箇所では、改質層１４の少なくとも一部がその厚さ方向に除去されていて、両電極１７および１８と重なっていない領域における改質層１４の厚さが、両電極１７および１８と重なっている領域における改質層１４の厚さよりも小さい。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot element comprises a first semiconductor layer 3, an active layer 13 provided on the first semiconductor layer 3, and a second semiconductor layer 6 provided on the active layer 13 wherein the active layer 13 comprises a quantum dot layer 4 having a plurality of unit quantum dots and a film thickness adjusting layer 5 provided to fill the gap between the plurality of unit quantum dots.例文帳に追加

本発明の半導体量子ドット素子は、第１の半導体層３と、前記第１の半導体層３の上に設けられた活性層１３と、前記活性層１３の上に設けられた第２の半導体層６とから成り、前記活性層１３が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層４と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層５とから成る事を特徴とする。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 1 for the fuel cell has an electrolyte 2 having proton conductivity, a cathode catalyst layer 3 bonded with one surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, an anode catalyst layer 4 bonded with the other surface of the electrolyte membrane 2 in the thickness direction, a cathode diffusion layer 5 laminated outside the cathode catalyst layer 3, and an anode diffusion layer 6 laminated outside the anode catalyst layer 4.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体１は、プロトン伝導性をもつ電解質２と、厚み方向において電解質膜２の一方の表面に接合されたカソード触媒層３と、厚み方向において電解質膜２の他方の表面に接合されたアノード触媒層４と、カソード触媒層３の外側に積層されたカソード拡散層５と、アノード触媒層４に外側に積層されたアノード拡散層６とを有する。 - 特許庁

The metal liner is prepared inside the fiber-reinforced plastic layer and the metal liner has a cylinder part, a dome part with thicker wall thickness than the wall thickness of a cylinder part and the wall thickness change part provided between the cylinder part and the dome part, which is the pressure vessel that the boundary line between the cylinder part and the wall thickness change part is in a wave form.例文帳に追加

繊維強化プラスチック層の内側に金属製ライナを備え、金属製ライナは、シリンダ部と、シリンダ部の肉厚よりも厚い肉厚を有するドーム部と、シリンダ部とドーム部との間に設けた肉厚変化部を有し、シリンダ部と肉厚変化部との境界線が波形状を成している圧力容器。 - 特許庁

In this lid comprising a base material layer and a heat seal layer 6 which are integrated via an anchor coat layer 4, the heat seal layer 6 having the thickness exceeding 10 μm is formed of polyolefin containing at least one kind of a nonionic surfactant or a hydrophobic additive, and an intermediate layer 5 formed of polyolefin is provided between the anchor coat layer 4 and the heat seal layer 6.例文帳に追加

アンカーコート層４を介して一体化された基材層とヒートシール層６とを備えた蓋材において、ヒートシール層６を、付着防止効果を有する非イオン界面活性剤又は疎水性添加物の少なくとも１種を含むポリオレフィンから形成し、厚さを１０μｍよりも厚くし、アンカーコート層４と該ヒートシール層６との間にポリオレフィンからなる中間層５を設ける。 - 特許庁

Because the quantity of coarse aggregate G is increased, the formation of a mortar layer 2 is suppressed to improve the thickness precision.例文帳に追加

粗骨材Ｇの量を増加させることができるので、モルタル層２の形成が抑制され、肉厚精度を高くすることができる。 - 特許庁

A distribution of a thermal deformation characteristic in the direction of the thickness of the layer 20 (or in the planar direction) is thereby formed.例文帳に追加

それにより，感光性樹脂層の厚さ方向（または平面方向）に熱的変形特性の分布を形成することができる。 - 特許庁

In a semiconductor device, an insulating film 7a is disposed directly below a source wiring layer 8 wired toward a ground line, and has a thickness of several tens of nanometers.例文帳に追加

アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。 - 特許庁

To enable color control of a copy in a base material looking dark by a color measurement according to a specification and especially by a layer thickness measurement.例文帳に追加

規格に準ずる色測定で、特に層厚測定によって、暗く見える基材での複製品の色制御を可能にする。 - 特許庁

A layer 32E consisting of lubricating oil or grease is provided on the anodic oxide coating film 32C in a thickness of 0.01-1μm.例文帳に追加

更に、アルマイト皮膜３２Ｃ上には、膜厚０．０１〜１μｍの潤滑油又はグリースからなる層３２Ｅが設けられている。 - 特許庁

The thickness between the surface of the first conductor wiring and the surface of the second insulating layer is in a range of 5-30 μm.例文帳に追加

前記第一の導体配線の表面から前記第二の絶縁層の表面までの厚みが５〜３０μｍの範囲である。 - 特許庁

In the separator for electric double layer capacitor, it is desirable that thickness is not more than 30μm and a percentage of voids is 50 to 80%.例文帳に追加

これら電気二重層キャパシタ用セパレータは、厚さが３０μｍ以下、かつ空隙率が５０〜８０％であるのが好ましい。 - 特許庁

Accordingly, the foam core layer 34b is formed inside the base plate 32 to increase the board thickness of the base plate 32.例文帳に追加

このため、底板３２の内部に発泡心層３４ｂを形成することで底板３２の板厚を大きくすることができる。 - 特許庁

On the protective film 2 with a thickness below 1 mm, the phosphor layer 1 is formed by accumulating phosphor through an air phase deposition method.例文帳に追加

厚さ１mm未満の保護膜２上に、気相堆積法により蛍光体を堆積させて蛍光体層１を形成する。 - 特許庁

To reduce the thickness of a PC curtain wall to be adaptable to low and medium layer buildings and easily mounting the same, accordingly.例文帳に追加

ＰＣカーテンウォールの厚みを、低、中層建築物に適うように薄くし、それに合わせて取付を容易にできるようにすること。 - 特許庁

A sheet resistance of the layer 504 is 30 Ω/(square) or more, and a resistance in a thickness direction is 3 Ω.cm2 or less.例文帳に追加

透明導電膜層５０４のシート抵抗が３０Ω／□以上、かつ膜厚方向の抵抗が３Ω・ｃｍ^２以下である。 - 特許庁

The volume resistance of the light shielding part 3 is not less than 107Ωcm, and the thickness of the overcoat layer 6 is not more than 5μm.例文帳に追加

上記遮光部３の体積抵抗が１０7Ω・ｃｍ以上で、上記オーバーコート層６の厚みが５μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a fishing rod body for an interline rod forming a thin film layer that is thin on the inner peripheral surface of a rod material and includes a uniform thickness.例文帳に追加

竿素材の内周面に薄くかつ厚さが均一な薄膜層を形成した中通し竿用の竿体を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium having excellent production aptitude and easily handled since the thickness of an optical information recording layer is uniform.例文帳に追加

光情報記録層の厚さが均一であるため、生産適性に優れ、取り扱いが容易な光記録媒体を提供する。 - 特許庁

Each layer thickness of the laminated oxide superconductor is between 0.1 and 0.4 μm.例文帳に追加

また、本発明は、前記積層された酸化物超電導層が各々０.１〜０.４μｍの範囲の厚さにされてなることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the adhesive layer 4 is thin in membrane thickness and is only formed partially, thereby keeping high heat dissipation characteristics.例文帳に追加

また、接着層４の膜厚は薄く、且つ、部分的に形成されているのみであるので、高い放熱性を保つことができる。 - 特許庁

To provide a coaxial cable with very small diameter having a shield layer with a thickness of less than 10μm, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

層厚が10μｍ未満のシールド層を備えた極細径同軸ケーブル及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Besides, the layer 11 is constituted so that the thickness of the outer peripheral part becomes thicker than that of the center part.例文帳に追加

また、偏光選択反射層１１は、その厚さが中央部側に比べて外周部側で厚くなるように構成されている。 - 特許庁

The thickness of the coating layer 20 formed on the super abrasive grain 16 is set smaller than 0.1μm, preferably 0.05μm or less.例文帳に追加

超砥粒１６に形成された被覆層２０の厚さは、０．１μｍ未満、より好ましくは０．０５μｍ以下と薄くされている。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

The plastic coated optical fiber is obtained, by coating the POF 12 with the resin 42 and forming a protective layer 49 whose thickness L is 225μm.例文帳に追加

樹脂４２は、ＰＯＦ１２を被覆して厚みＬが２２５μｍの保護層４９を形成して、プラスチック光ファイバ心線を得る。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。 - 特許庁

That is, in the case of envisioning the center line of the wall thickness the pipes 3a, 3b, the center line is formed in the outer layer 9 sides.例文帳に追加

すなわち、配管３ａ、３ｂの肉厚の中心線を仮想した場合、当該中心線は外層９側に形成される。 - 特許庁

The thickness of the layer 3 is about 0.3 to 2.0 (μm), and preferably formed to become about 1.26 (μm).例文帳に追加

当該アルミニウム（Ａｌ）層３の膜厚は、０．３〜２・０（μｍ）程度であり、好適には１．２６（μｍ）程度と成るように形成する。 - 特許庁

Moreover, in the insulating layer 2, an oxide film with a thickness of 0.1 μm-1 μm is applicable, and, also, a nitride film can also be used.例文帳に追加

また絶縁層２には、厚さ０．１μｍ〜１μｍの酸化膜を適用することができる他、窒化膜を用いることもできる。 - 特許庁

The thickness of the intermediate metal layer 15 is set to be about 5 μm for instance so as not to let a probe for inspections/measurement pass through.例文帳に追加

中間金属層１５の厚さは、検査・測定用のプローブが貫通しないように例えば５μｍ程度に設定している。 - 特許庁

The average dimension of the thickness dimension Tsn of the Sn plated layer is set in a range of 0.2 μm or more and 0.6 μm or less.例文帳に追加

Ｓｎめっき層の厚み寸法Ｔｓｎの平均寸法が、０．２μｍ以上で０．６μｍ以下の範囲に設定される。 - 特許庁

To provide a technique capable of effectively coping with the problem that the thickness of the liquid layer introduced by a recoater does not become uniform.例文帳に追加

リコータで導入した液層の厚みが均一とならないという問題に効果的に対処できる技術を提供する。 - 特許庁

Inside of the hard Cr plated layer 2, fine cavities 5 are formed in such distribution that each cavity is independent in the thickness direction.例文帳に追加

硬質Ｃｒめっき層２の内部には厚さ方向に独立している微細な空洞５が分布して形成されている。 - 特許庁

The ceramics layer 1 is used as a supporting substrate, and the semiconductor wafer 2 is made thin into ≤50μm, preferably ≤25μm thickness.例文帳に追加

セラミックス層１を支持基板として、半導体ウエハ２を５０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下の膜厚に薄膜化する。 - 特許庁

(4) The gas channel cross section area is varied by varying the thickness of a surface treatment layer 40 formed in the gas channel groove.例文帳に追加

（４）ガス流路断面積の変化が、ガス流路溝に施された表面処理層４０の厚さの変化で行われている。 - 特許庁

On a sapphire base material substrate 11, an n-type GaN contact layer 12, having a thickness of about 5 μm, is grown.例文帳に追加

サファイアからなる母材基板１１の上に、厚さが約５μｍのｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１２を成長する。 - 特許庁

Next, a maximum flow rate generated position δUmax is calculated as one third of the thickness δ of the boundary layer from the wall of the fin (step S64).例文帳に追加

次に最大流速発生位置δ_Umaxをフィンの壁から境界層厚さδの３分の１として求める（ステップＳ６４）。 - 特許庁

To provide a laminated wafer manufacturing method for inexpensively manufacturing a laminated wafer having excellent film-thickness uniformity of an active layer.例文帳に追加

活性層の膜厚均一性に優れた貼り合わせウェーハを安価に製造できる貼り合わせウェーハの製造方法を提案する。 - 特許庁

To realize a device capable of controlling the thickness of an adhesive layer with high precision when an optical disk is manufactured by a sticking method.例文帳に追加

光ディスクを貼り合わせで製造する場合において、接着層厚みを高精度に制御できる装置を実現する。 - 特許庁

The colored layer 8 is printed and formed by using an ink jet printer and is thereby controlled in the place of formation and in the thickness of formation.例文帳に追加

着色層８は、インクジェットプリンタを用いて印刷形成することにより、形成場所と形成厚さとを制御した。 - 特許庁

To further improve the quality of a formed image by uniformly regulating the layer thickness of developer on a developing roller.例文帳に追加

現像ローラ上の現像剤の層厚をより均一に規制することにより、形成される画像の品質をより向上させる。 - 特許庁

A short fiber mat M is cut along a direction orthogonal to a length direction, so that the thickness of the heat insulating material layer 4 can be determined.例文帳に追加

短繊維マットＭを長さ方向と直交する方向に沿って切断することで、断熱材層４の厚みを決定する。 - 特許庁

To improve the thermal insulation of a substrate coating with high transmission of visible light without increasing the thickness of a layer reflecting heat radiation.例文帳に追加

熱放射線を反射する層を厚くしないで、可視光線をよく透過する基板コーティングの断熱性を改善すること。 - 特許庁