「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming a functional layer which restrains a coating liquid for a functional layer both from remaining on the coated surface of a coating film and from injuring the coated surface concerned and forms a functional layer which is controlled in variations of film thickness.例文帳に追加

機能層用塗布液の塗膜の被塗布面に対する残存及び損傷を抑制すると共に、膜厚のバラツキが抑制した機能層を形成する機能層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

A inner rib 23 being composed of a solid layer along the panel thickness direction and extending along the plane face part 17 is formed in the inflated layer 21 so that its both ends in the longitudinal direction are continued on the skin layer 19 of the lateral face parts 15.例文帳に追加

平面部１７に沿って延びかつパネル厚み方向に沿うソリッド層からなる内リブ２３を長手方向両端が側面部１５のスキン層１９に連続するように膨張層２１内に形成する。 - 特許庁

To provide an optical information recording and reproducing apparatus capable of accurately focusing a recording layer regardless of the thickness irregularities of the cover layer and intermediate layer, etc., of an optical disk thereby accurately recording or reproducing information.例文帳に追加

光ディスクのカバー層や中間層等の厚みむらによらず正確に記録層にフォーカスを合わせることができ、情報の記録又は再生を正確に行うことが可能な光情報記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The average thickness of the zirconia layer 2 is 2-30 μm, or the amount of the carried zirconia layer is 2-30 wt.% to the total catalyst carrier, and the particle size of the raw materials composing the zirconia layer is 5 μm or less.例文帳に追加

ジルコニア質層２の平均厚みが２〜３０μｍ、又はジルコニア質層の担持量が触媒担体全体に対して２〜３０ｗｔ％であり、更にジルコニア質層を形成する原料の粒子径が５μｍ以下である。 - 特許庁

Nuclear layer thickness and aluminum composition are selected so that there is agreement between the substrate and the device layer in terms of refraction factor, and this allows 90% of the light entering the nuclear layer to be outputted into the substrate.例文帳に追加

この核形成層の厚さとアルミニウム組成は、基板とデバイス層の屈折率を一致させるように選択されて、デバイス層から核形成層に入射する光の９０％が基板内に取り出されるようになる。 - 特許庁

In the semiconductor device; concentration of impurities is adjusted in a silicon substrate supporting a SOI layer, and a thickness is controlled in an embedded insulation layer formed on the surface of the silicon substrate in contact with the SOI layer.例文帳に追加

SOI層を支持するシリコン基板の不純物濃度を調整すると共に、SOI層と接するシリコン基板表面に形成された埋込絶縁層の厚さを制御することにより、閾値を調整できるトランジスタが得られる。 - 特許庁

A substrate constituted by laminating a plurality of layers upon another is provided with a semiconductor layer 1a, and a high-temperature oxidized film layer 12b which is formed as the substrate of the semiconductor layer 1a and has a thickness of ≥50 nm.例文帳に追加

複数の層が積層された基板において、半導体層１ａと、前記半導体層１ａの下地として形成される５０ｎｍ以上の厚さの高温酸化膜層１２ｂとを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

At least one among the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer has layer thickness thicker than that giving largest resistance change rate or largest resistance variation when electric current is made to flow in an intraplane direction.例文帳に追加

フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有している。 - 特許庁

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B.例文帳に追加

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。 - 特許庁

The laminated polyester film comprises a polyester B-layer, of which the Tg is different from that of the polyester of an A-layer by 5°C or above on at least one side of the polyester A layer and characterized in that the thickness irregularity of the film is below 8%.例文帳に追加

ポリエステルＡ層の少なくとも片面に、Ａ層を構成するポリエステルとＴｇが５℃以上異なるポリエステルＢ層を有し、フィルムの厚みムラが８％未満であることを特徴とする積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The suction belt 2 is constituted as a layer out of a construction material in different two colors, and is set in a thickness of substantially making a B color layer 2B appear on a surface when abrasion advances at a level where a friction coefficient of an A color layer 2A reduces.例文帳に追加

吸引ベルト２は異なる２色の材質で層構成とし、Ａ色層２Ａの摩擦係数が低下するレベルで磨耗が進行するとＢ色層２Ｂが表に出てくるくらいの厚さに設定する。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor layer 14 is set on the substrate for the heterojunction field-effect transistor, in such a way that a thickness T1 is equal to a recess etching depth; then a part of the group-III nitride semiconductor layer 14 exposed in an opening of a photoresist mask 27 is subjected to plasma-etching, until components of the growth inhibiting layer is detected.例文帳に追加

次にプラズマエッチングにより、フォトレジストマスク２７の開口部より露出しているＩＩＩ族窒化物半導体層１４の１部を、成長抑制層の成分を検出するまで、エッチングする。 - 特許庁

A luminescent dopant material included in a luminescent layer 6 has a concentration gradient in accordance with a relationship between electron mobility and hole mobility of the luminescent dopant material included in the luminescent layer 6 in the thickness direction of the luminescent layer 6.例文帳に追加

発光層６の含有する発光ドーパント材料は、発光層６の含む発光ドーパント材料の電子移動度と正孔移動度との関係に応じた濃度勾配を発光層６の厚さ方向に有している。 - 特許庁

This magnetic recording medium comprises a magnetic recording layer having a ferro-magnetic host layer 15 and a ferro-magnetic overlay 17 which is attached in direct on the host layer 15 and has an effective thickness in the range of 1 to 40 Å.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、強磁性ホスト層と、前記ホスト層上に直接付着された、１〜４０オングストロームの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイとを含む磁気記録層を有する。 - 特許庁

When the groove 10 is formed with the laser irradiated from the substrate side, the film thickness capable of removing the layer 5 and the layer 9 in place with the laser is provided, without affecting the layer 3.例文帳に追加

分離溝１０を記基板側がら照射したレーザで形成するとき、表面電極層３へ影響を与えずに、位置の光発電層５と裏面電極層９とをレーザで除去可能とする膜厚を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device for a magnetic recording medium in which a problem of seam formation is suppressed in a thin layer coating less than 0.05 μm in terms of magnetic layer thickness and stable thin layer application is made possible.例文帳に追加

磁性層厚みが0.05μmを下回るような薄層塗布において問題となっているスジ発生を抑制し安定的な薄層塗布を行う事が可能となる磁気記録媒体の製造装置を提供する。 - 特許庁

The disk-shaped optical information recording medium has a signal recording layer for recording or reproducing information by irradiation with light and the transparent protective layer of 10 to 200 μm in thickness disposed on the signal recording layer.例文帳に追加

この円盤状の光情報記録媒体は、光を照射して情報の記録又は再生を行う信号記録層と、前記信号記録層の上に設けられた厚みが１０〜２００μｍの透明保護層とを有する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor device, the remaining layer 21c of an etching mask layer 21 remains in a thickness of ≥10 nm when the stamping face 31 of the nano-stamper 30 is pressed on the surface of the etching mask layer 21.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法では、ナノスタンパ３０の押印面３１をエッチングマスク層２１の表面に押し付ける際、エッチングマスク層２１の残層２１ｃが１０ｎｍ以上の厚さで残るようにしている。 - 特許庁

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness.例文帳に追加

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。 - 特許庁

An etching stop layer 19A in which composition of aluminum is greater than that of a P-type first clad layer 18, whose thickness is almost 50 nm and which is composed of P-type Al0.10Ga0.90N is grown on the P-type first clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型第１クラッド層１８の上に、アルミニウムの組成がｐ型第１クラッド層１８よりも大きく且つ厚さが約５０ｎｍのｐ型Ａｌ_0.10Ｇａ_0.90Ｎからなるエッチング停止層１９Ａを成長する。 - 特許庁

A metal layer 12 composed of silver is deposited on a substrate 11 by a sputtering method and subsequently fine protrusions and recessions are formed on a surface of the metal layer 12 by applying an electric field 13 in the film thickness direction of the metal layer 12.例文帳に追加

基板１１上に銀からなる金属層１２をスパッタ法により成膜し、次に、金属層１２の膜厚方向に電界１３を印加して金属層１２の表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

When the thickness of the intermediate layer 120 of the transfer belt 10 is defined as t [μm], the maximum height Rz [μm] of the roughness of the surface on the intermediate layer side of the base layer 130 is preferably in a range of 3≤Rz<(t/2).例文帳に追加

この転写ベルト１０中間層１２０の厚さをｔ［μｍ］としたとき、基層１３０の中間層側の表面の粗さの最大高さＲｚ［μｍ］は、３≦Ｒｚ＜（ｔ／２）の範囲にあるのが好ましい。 - 特許庁

In the optical recording medium provided with at least a recording layer and a reflective layer successively on a base and which performs recording and reproduction by the CAV or ZCAV method, the film thickness of the recording layer is made thinner toward the outer periphery.例文帳に追加

少なくとも基板上に記録層および反射層が順次設けられ、記録再生をＣＡＶ方式もしくはＺＣＡＶ方式で行う光記録媒体において、記録層膜厚を外周ほど薄くする。 - 特許庁

An equivalent conversion thickness theory provided by generalizing a Barber method for a two-layer ground to a method for the multi-layer ground is adopted to a vertical stress analysis for the multi-layer ground to provide an analysis method using stress distribution width.例文帳に追加

二層地盤におけるBarberの方法を多層地盤に一般化した等価換算厚理論を、多層地盤の鉛直応力解析において適用し、応力分散幅を用いた解析方法を提案する。 - 特許庁

In a feed through capacitor 10, the thickness or electrode width of a feed through conductor layer 4 is made thicker or broader in areas where the layer 4 does not lie below and above ground electrodes 3a and 3b than the area, where the layer 4 lies below and above the electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

貫通型コンデンサ１０において、貫通導体層４が、グランド電極３ａ，３ｂと重なり合わない領域の厚み、電極幅を、重なり合う領域に比べて、厚く又は広くなっている。 - 特許庁

For example, by forming the surface of the second transparent electrode 4 in a rugged shape, the layer thickness d1 and d2 of the liquid crystal layer 7 partially differ from each other and intensity values of the electric field in the liquid crystal layer 7 partially differ from one another.例文帳に追加

例えば、第二透明電極４の表面を凹凸状とすることで、液晶層７の層厚がｄ１，ｄ２と部分的に相違され、液晶層７における電界強度が部分的に相違される。 - 特許庁

The thickness of the elastic layer is ≥100μm and the surface resistivity of the surface layer is ≥1×10^7Ω and ≤1×10^12Ω, then the surface roughness of the surface layer is ≥0.5μm and ≤2μm.例文帳に追加

また、前記弾性層の厚さは１００μｍ以上、前記表層の表面抵抗率は１×１０^７ Ω以上１×１０^１２Ω以下、前記表層の表面粗さは０．５μｍ以上２μｍ以下とするとよい。 - 特許庁

In the metallic tone butt end material 1 to be stuck on the butt end face 2a of furniture 2, an aluminum foil layer 12 with a thickness of 10-200 μm is laminated on a thermoplastic resin substrate layer 11 through an adhesive layer 14.例文帳に追加

家具２の木口面２ａに貼付される金属調木口材１において、熱可塑性樹脂基材層１１に接着剤層１４を介して厚みが１０〜２００μｍのアルミニウム箔層１２を積層する。 - 特許庁

To prevent irregularities from being generated in display by stabilizing the layer thickness of the layer of an electrooptical substance such as a liquid crystal layer in the entire area in an electrooptical apparatus in the structure of forming a spacer in a sealant.例文帳に追加

シール材の中にスペーサを形成する構造の電気光学装置において、液晶層等といった電気光学物質の層の層厚を全域で一定に保持することにより、表示にむらが発生するのを防止する。 - 特許庁

The lower part magnetic shield 10 is flattened, and a flat insulating layer 24, a thin and flat GMR sensor layer 26 and a flat PMGI layer 28 having uniform thickness are formed on the lower part magnetic shield 10 thus flattened.例文帳に追加

下部磁気シールド１０が平坦化され、その平坦な下部磁気シールド１０上に平坦な絶縁層２４、薄い平坦なＧＭＲセンサ層２６および均一な厚さの平坦なＰＭＧＩ層２８が形成される。 - 特許庁

The mask includes a mask layer 1 with a thickness of 1 to 50 μm having at least one through-hole 1, and the surface of the mask layer 1 is provided with a magnetic mask 2 without clogging the through-hole in the mask layer 1.例文帳に追加

少なくとも１つの貫通孔１を有する厚みが１μｍ以上５０μｍ以下のマスク層１を有し、上記マスク層１上に、該マスク層１が有する貫通孔１を塞ぐことなく磁性マスク２を有する。 - 特許庁

A tinned layer 3 is so formed that the tinned layer 3 on the surface of an internal layer conductor pattern 2 has a thickness of, practically, 0.05-0.27 μm, desirably 0.08-0.27 μm, more desirably 0.10-0.25 μm.例文帳に追加

内層導体パターン２の表面の錫メッキ層３の厚さが、実用上、０．０５〜０．２７μｍ、好ましくは、０．０８〜０．２７μｍ、さらに好ましくは、０．１０〜０．２５μｍとなるよう、錫メッキ層３を形成する。 - 特許庁

The Zabuton includes a face layer made of a material having a large coefficient of friction, an intermediate layer having a cushioning characteristic in the thickness direction thereof and a flexibility in the surface direction thereof, and a soft, smooth rear surface layer, the coefficient of friction of which is made smaller.例文帳に追加

摩擦係数の大きな素材からなる柔軟な表層と、厚さ方向のクッション性及び面方向の可撓性を備えた中間層と、低摩擦処理した柔軟で滑らかな裏面層とを備えている。 - 特許庁

Further, the thickness T_2 of the heat insulating layer 12 is larger than (0.04×(T_1)^2/δ_1), so the mandrel layer 11 is prevented from generating heat and efficiency of heat generation of the electromagnetic heating layer 13 can be prevented from decreasing.例文帳に追加

また、断熱層１２の厚さＴ_2は、（０．０４×（Ｔ_1）^2／δ_1）よりも大きいので、芯金層１１での発熱を防止し、電磁誘導発熱層１３で発熱する発熱効率の低下を防止することができる。 - 特許庁

In the ceramic block, 5-35% of the thickness of the block is a surface layer comprising glass aggregate bonded by a sintered binder of a glass powder, and the surface layer is stacked on a base layer.例文帳に追加

ブロックの厚さの５〜３５％が、主としてガラス粉末焼結バインダにより結合されたガラス骨材で構成されている表層であり、その表層は、基層と積層されていることを特徴とするセラミックブロック。 - 特許庁

This electromagnetic-wave shield film is characterized in that an adhesive layer, the metalclad layer and the metallized layer are sequentially formed on at least one side of the plastic film of a thickness of ≥2 μm and <12 μm.例文帳に追加

本発明は、少なくとも厚さ２μｍ以上１２μｍ未満のプラスチックフイルムの片面に、接着層、金属メッキ層、及び金属蒸着層が順次形成されていることを特徴とする電磁波シールドフイルムである。 - 特許庁

Even if a gas-barrier layer is disposed inside the container, the foaming layer 16a of closed cells having a large wall-thickness can be shaped by subjecting the mixture coating layer 15 of water-containing starch and adhesive to heating and decompression suction from outside.例文帳に追加

ガスバリア層が容器内側に配置されても、含水澱粉と接着剤との混合塗工層１５を外部から加熱、減圧吸引して厚さの高い独立気泡の発泡層１６ａが形成される。 - 特許庁

In the semiconductor-carrier film, a nickel-chromium-alloy sputtered layer having a thickness of 70 to 500 Å and a copper plated layer are formed on a surface of polyamide film, and a copper layer is formed on it.例文帳に追加

ポリイミド系フィルムの表面に、厚さ７０〜５００Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層及び銅のメッキ層が設けられ、さらにその上に銅層が設けられていることを特徴とする半導体キャリア用フィルム。 - 特許庁

The outermost circumferential chromium plating layer 3B is thicker than each chromium plating layer 3a or the like composing the laminated plating 3A, and the thickness of the outermost circumferential chromium plating layer 3B is within the range of 1 to 80 μm.例文帳に追加

ここで、最外周クロムメッキ層３Ｂは、積層メッキ３Ａを構成する各クロムメッキ層３ａ等と比較して厚さが厚く、かつ、最外周クロムメッキ層３Ｂの厚さは１μｍ乃至８０μｍの範囲内である。 - 特許庁

The galvannealed steel sheet has a flat part on the surface of an iron-zinc alloy plating layer; a Zn oxide layer of ≥10 nm thickness is formed on the surface of the flat part; and P is contained in the oxide layer.例文帳に追加

鉄−亜鉛合金めっき層の表面に平坦部を有し、その平坦部の表層に厚さが10nm以上のZnの酸化物層が形成され、該酸化物層にPを含有する合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

There are formed sequentially on a host material substrate 11 a first nitride semiconductor layer 12 comprising gallium nitride including an active layer, and a second nitride semiconductor layer 13 comprising aluminum gallium nitride having a thickness of about 25 nm.例文帳に追加

母材基板１１の上に、活性層を含む窒化ガリウムからなる第１の窒化物半導体層１２と、厚さが約２５ｎｍの窒化アルミニウムガリウムからなる第２の窒化物半導体層１３を順次形成する。 - 特許庁

A second free magnetic layer 51 is embedded in a space A, and the thickness t1 of a free magnetic layer 70 at an element center part D is set larger than that t2 of the magnetic layer 70 at side ends C located on the sides of the center part D.例文帳に追加

間隔Ａ内に第２フリー磁性層５１が埋められており、前記素子中央部Ｄのフリー磁性層７０の膜厚ｔ１が、素子両側端部Ｃの膜厚ｔ２よりも厚く形成されている。 - 特許庁

The padding welding process includes a temper bead multi-layered padding welding process to the first member 1, and thickness of a padding layer based the temper bead multi-layered padding welding process is thinner at a lower layer section rather than that of an upper layer section.例文帳に追加

肉盛溶接工程は、第１の部材１へのテンパービード多層肉盛溶接工程を含み、当該テンパービード多層肉盛溶接工程による肉盛積層の厚さが、上層部よりも下層部で薄い。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device enabling the forming of a gate insulation layer different in thickness of the gate insulation layer and in density of a high dielectric constant material, in the gate insulation layer for a shorter manufacturing process than the conventional one.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の膜厚およびゲート絶縁膜中の高誘電率材料の濃度が異なるゲート絶縁膜を、従来よりも短い製造工程で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nap layer 2b, a foam 3 having a length almost over the whole of thickness of the nap layer 2b and fine foaming 4 having a length shorter than that of the foam 3 at a position deviated to the skin layer 2a side is substantially uniformly formed.例文帳に追加

ナップ層２ｂには、ナップ層２ｂの厚さのほぼ全体に亘る長さの発泡３と、スキン層２ａ側に偏った位置で発泡３より長さが小さい微細発泡４とが略均等に形成されている。 - 特許庁