layerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 49995件
The gate insulating layer 11 is provided with at least a first insulating layer 7 in contact with the upper surface of the semiconductor layer 6, and a second insulating layer 8 formed on the first insulating layer 7 which has an almost identical form to the semiconductor layer 6.例文帳に追加
ゲート絶縁層11は少なくとも、半導体層6の上面と接する第1絶縁層7と、第1絶縁層7の上に形成された第2絶縁層8とを有する。 - 特許庁
In the barrier layer 14, the nitride layer and the oxide layer of the Ti layer 141, i.e., an extremely thin layer 142 and a TiOX layer 143, are interposed on the contact side with the conductive member.例文帳に追加
さらに、バリア層14は、導電部材16との接触側にTi層141の窒化及び酸化層、すなわち、極薄いTiN層142及びTiO_X層143が介在している。 - 特許庁
The air-gap forming method includes a process in which a coating layer is formed on a sacrifical layer under the condition that the sacrifical layer is solid phase, and the coating layer sublimates the sacrifical layer under the condition that the coating layer is solid phase.例文帳に追加
犠牲層が固相の条件下で前記犠牲層上に被覆層を形成し、前記被覆層が固相の条件下で前記犠牲層を昇華させることを含む。 - 特許庁
A buried conductive layer 23 is buried in a silicon oxide layer 11 under a base lead-out layer 21 while surrounded by a base layer 15, an emitter layer 17 and a p^+ type single crystal silicon layer 19.例文帳に追加
埋込導電層23がベース引出層21下のシリコン酸化層11に、ベース層15、エミッタ層17及びp^+型単結晶シリコン層19を囲んで埋め込まれている。 - 特許庁
The magnetic recording medium 100 has a first orientation controlling layer 2, second orientation controlling layer 4, soft magnetic layer 6, nonmagnetic layer 8, recording layer 12 and carbon protective layer 14 on a substrate 1.例文帳に追加
磁気記録媒体100は、基板1上に、第1配向制御層2、第2配向制御層4、軟磁性層6、非磁性層8、記録層12及びカーボン保護層14を備える。 - 特許庁
A border Mo layer or border Si layer or a border diffusion barrier layer of the alternation layer forms an uppermost layer of the mirror, and the uppermost layer faces the chamber inward.例文帳に追加
該交互層の境界Mo層または境界Si層または境界拡散バリア層は、前記ミラーの最上層を形成し、この最上層は前記チャンバに対して内側に対向する。 - 特許庁
A collector contact layer 33, a collector layer 34, a base layer 35, an emitter layer 36, an emitter cap layer 37, and an emitter contact layer 38 are laminated on the substrate 31 successively by the MBE method.例文帳に追加
この基板31の上に、MBE法によりコレクタコンタクト層33、コレクタ層34、ベース層35、エミッタ層36、エミッタキャップ層37及びエミッタコンタクト層38を順次積層する。 - 特許庁
This test board 1 formed by laminating three substrates comprises a mounting face (first layer) GND solid 8 layer (second layer), an insulating layer (third layer), and a solder face (fourth layer) where a ball grid 7 is formed.例文帳に追加
三枚の基板を積層形成したテストボード1は、実装面(第1層)GNDベタ8層(第2層)、絶縁層(第3層)、ボールグリッド7が形成されたハンダ面(第4層)からなる。 - 特許庁
The magnetic domain control layer 9 includes a layer structure body comprising a base layer 31, a ferromagnetic layer 33 and a hard magnetic layer 35, and is provided on the both sides of the MR film 7 via a protective layer.例文帳に追加
この磁区制御層9は、下地層31と強磁性層33と硬質磁性層35との層構造体を含んでおり、MR膜7の両脇に保護層を介して設けられる。 - 特許庁
An Ti layer, an Al layer, a Mo layer, a Pt layer, and an Au layer are sequentially laminated on the surface of an n-type GaN contact layer (102) to form an electrode structure (112).例文帳に追加
n型GaNコンタクト層(102)に対して、コンタクト層表面からTi層、Al層、Mo層、Pt層、Au層を順次積層して電極構造(112)を作製する。 - 特許庁
The layer thickness of the first p-clad layer occupies 50% or more and 80% or less of the total layer thickness of a p-clad layer including the first p-clad layer and the second p-clad layer.例文帳に追加
第1のpクラッド層と第2のpクラッド層からなるpクラッド層全体の層厚のうち第1のpクラッド層の層厚が占める割合は50%以上80%以下である。 - 特許庁
This indoor building material comprises the carpet layer formed of the nylon, PP, PTT, acrylic or PET material, an absorbing layer connected to the carpet layer, and an adhesive layer for connecting the carpet layer to the absorbing layer.例文帳に追加
ナイロン、PP、PTT、アクリルおよびPET素材のカーペット層と、カーペット層に結合された吸収層と、カーペット層と吸収層を結合させる接着層とを含む。 - 特許庁
The coil layer 14 and a coil insulating layer 15 are formed on the lower core layer 10, and the upper core layer 16 is formed from above the lower magnetic pole layer 11 onto the coil insulating layer 15.例文帳に追加
前記下部コア層10上にコイル層14及びコイル絶縁層15を形成し、上部コア層16を下部磁極層11上からコイル絶縁層15上にかけて形成する。 - 特許庁
The n-type-layer-side cladding layer 103 is a superlattice layer having a periodic structure of In_yGa_1-yN (0<y<1) layer 131, Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 and a GaN layer 133.例文帳に追加
n層側クラッド層103は、In_y Ga_1-y N(0<y<1)層131、Al_x Ga_1-x N(0<x<1)層132、及び、GaN層133の周期構造から成る超格子層である。 - 特許庁
The Schottky metal layer 15 includes a barrier layer comprising a metal-nitride containing polycrystalline metal layer 32 containing a metal nitride layer 32b, and a metal layer 31 laminated on the barrier layer.例文帳に追加
ショットキ金属層15は、金属窒化物層32bを含む金属窒化物含有多結晶金属層32からなるバリア層と、これに積層された金属層31とを有している。 - 特許庁
The sheet includes a resin layer, a metal layer formed on the resin layer, and an adhesive layer containing metal powder on the metal layer so that the adhesive layer adheres to the back electrode.例文帳に追加
そのシートは、樹脂層と、樹脂層上に形成された金属層と、金属層上に形成された金属粉を含有する粘着層と、を有し、粘着層と裏面電極とが固着される。 - 特許庁
Further the laminated material for the paper vessel for liquid comprises, from the outer layer: the thermoplastic resin layer; the paper layer; a vapor deposition film layer; the oxygen-absorbing resin composition layer; and the thermoplastic resin layer.例文帳に追加
さらには、少なくとも外層より、熱可塑性樹脂層、紙層、蒸着フィルム層、酸素吸収性樹脂組成物層、熱可塑性樹脂層の層構成としたことを特徴とする。 - 特許庁
The thermal transfer sheet includes a base layer, a releasing layer provided on the base layer, and a transfer layer provided on the releasing layer in a releasing manner, wherein the releasing layer contains polyamide resin.例文帳に追加
基材と基材上に設けられた離型層と、離型層上に剥離可能に設けられた転写層とを備える熱転写シートであって、離型層が、ポリアミド系樹脂を含有する。 - 特許庁
Furthermore, a non-magnetic spacer layer 23, a magnetic field generation layer (FGL) 24 including a high saturation magnetic flux density layer (high Bs layer), and a cap layer 25 are sequentially formed on the spin injection layer 22.例文帳に追加
さらに、スピン注入層22の上に、非磁性スペーサ層23、高飽和磁束密度層(高Bs層)を含む磁界発生層(FGL)24およびキャップ層25を順次形成する。 - 特許庁
The protective layer 10 comprises an organic material layer 11 formed on the components of the element, an inorganic material layer 12 formed on the organic material layer 11, and a coating layer 13 formed on the inorganic material layer 12.例文帳に追加
保護層10は、素子の構成要素上部に形成された有機物層11、有機物層上に形成された非有機物層12、及び非有機物層上に形成されたコーティング層13からなる。 - 特許庁
A lower electrode 39a and a wire 39b of the capacitance element 44 are formed in a wiring layer (a third wiring layer) 39 which is located one layer lower than a wiring layer (a fourth wiring layer) 43 as the outermost layer.例文帳に追加
最上層の配線層(第4配線層)43よりも一つ下の配線層(第3配線層)39に容量素子44の下部電極39aと配線39bを形成する。 - 特許庁
The optical writing display element has on a support a barrier layer, an organic layer and a layer containing a photochromic dye, wherein the barrier layer and the organic layer are alternately stacked by at least one layer each.例文帳に追加
支持体上に、バリア層と、有機層と、フォトクロミック色素を含む層と、を有し、前記バリア層と前記有機層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層してなる光書込み表示素子。 - 特許庁
The intermediate layer is arranged between the first material layer and the second material layer, and a refractive index of the intermediate layer is smaller than those refractive indexes of the first material layer and the second material layer.例文帳に追加
該間隔層は該第1物質層と該第2物質層の間に配置され、該間隔層の屈折率は該第1物質層の屈折率及び該第2物質層の屈折率より小さい。 - 特許庁
A lid 4 includes the outermost layer 41 made of a polyethylene-based resin, an adhesive layer 42, a gas barrier layer 43, an adhesive layer 44, the oxygen absorbent layer 45, and a heat-sealable layer 46.例文帳に追加
蓋材4は、ポリエチレン系樹脂からなる最外層41と、接着層42と、ガスバリア層43と、接着層44と、酸素吸収性層45と、ヒートシール層46とを備えている。 - 特許庁
A first intermediate layer 151b interposed between a first semiconductor layer (151a), and the light receiving layer 151c constitutes the first semiconductor layer 151a, the light receiving layer 151c and a bonding layer.例文帳に追加
第1半導体層151a及び受光層151c間に介在する第1中間層151bは、、第1半導体層(151a)及び受光層151cと接合層を構成している。 - 特許庁
The phosphor layer 14 has a spherical crystal layer 24, a domain layer 26 composed of masses of fused spherical crystals on the spherical crystal layer 24 and a columnar layer 28 on the layer 26.例文帳に追加
蛍光体層14が、球状結晶層24と、その上の複数の球状結晶が融着した塊からなるドメイン層26と、その上の柱状結晶層28とを有する。 - 特許庁
The cathode 50 comes in contact with the organic layer 40 and has a three-layer structure comprising an electron-injection layer 51, a first metal layer 52 and a second metal layer 53 from an organic layer 40 side.例文帳に追加
陰極50は、有機層40に接するとともに、有機層40側から、電子注入層51、第1金属層52、第2金属層53の3層構造をなしている。 - 特許庁
A wood wool/wood piece/pearlite cement plate 10 is constituted of three layers of a cement layer 12 as a back layer, a wood wool/cement/ pearlite layer 14 as an intermediate layer and a wood piece/cement layer 16 as a surface layer.例文帳に追加
木毛・木片・パーライトセメント板10は、裏層であるセメント層12、中間層である木毛・セメント・パーライト層14、及び表層である木片・セメント層16の3層からなる。 - 特許庁
The multi-layer structure is constituted to have an oxygen barrier layer, a moisture barrier layer positioned inside the oxygen barrier layer and an anti-contents barrier layer positioned inside the moisture barrier layer.例文帳に追加
多層構造は、酸素バリア層と、該酸素バリア層よりも内側に位置する水分バリア層と、該水分バリア層よりも内側に位置する耐内容物バリア層とを有して構成されている。 - 特許庁
The deep draw molding film comprises a polylactic acid resin (PLA) layer as its outer layer, at least one polyamide resin (PA) layer as its intermediate layer, and a heat seal resin layer as its inner layer.例文帳に追加
外層としてポリ乳酸(PLA)系樹脂層、中間層として少なくとも1層のポリアミド樹脂(PA)層、内層としてヒートシール樹脂層を有する深絞り成形用フィルムとする。 - 特許庁
The AP1 layer in the SyAF pinned layer 27 includes a two-layer structure of an amorphous CoFeB layer and a crystalline CoFe layer laminated in order from the side of the antiferromagnetic layer 26.例文帳に追加
SyAFピンド層27におけるAP1層は、反強磁性層26の側から順に積層された非晶質CoFeB層と結晶質CoFe層との2層構造を含む。 - 特許庁
Moreover, the deposited layer 31 constituting a first piezoelectric layer 32 is shifted in the crossing direction with respect to the deposited layer 31 constituting a second piezoelectric layer 33 laid upon the deposited layer 31 constituting the first piezoelectric layer 32.例文帳に追加
さらに、第1の圧電層32を構成する堆積層31が、これと重ねられる第2の圧電層33を構成する堆積層31に対して交差方向ににずれるようにする。 - 特許庁
A water-retention layer 60 is disposed between the catalyst layer 26 and gas diffusion layer 28 of an anode 22, and a water-retention layer 70 is disposed between the catalyst layer 30 and gas diffusion layer 32 of a cathode 24.例文帳に追加
アノード22の触媒層26とガス拡散層28との間に保水層60を設け、カソード24の触媒層30とガス拡散層32との間に保水層70を設ける。 - 特許庁
The piezoelectric field in a well layer W3 is directed toward the p layer from the n layer, and the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer P is directed toward the n layer from the p layer.例文帳に追加
井戸層W3におけるピエゾ電界の向きはn層からp層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Pにおけるピエゾ電界の向きはp層からn層への方向である。 - 特許庁
As the zinc-based plating layer, an electrogalvanizing layer, a hot dip galvanizing layer, an alloyed hot dip galvanizing layer, a hot dip Zn-Al alloy plating layer, a hot dip Zn-Al-Mg alloy plating layer or the like can be given.例文帳に追加
亜鉛系めっき層には、電気亜鉛めっき層,溶融亜鉛めっき層,合金化溶融亜鉛めっき層,溶融Zn-Al合金めっき層,溶融Zn-Al-Mg合金めっき層等がある。 - 特許庁
The function layer is constituted of a lower layer and an upper layer, and a density ratio of the function layer constitution material forming the lower layer to that forming the upper layer is 3:2 to 3:1.例文帳に追加
上記機能層が下層と上層から構成され、下層を形成する機能層構成材料と上層を形成する機能層構成材料との密度比が3:2〜3:1である。 - 特許庁
A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加
選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁
The second insulating layer is etched, a collar insulating layer is formed on the pad layer structure in the trench and a side wall of the pad oxide layer, and the bottom insulating layer is eliminated in accordance with the formation of the collar insulating layer.例文帳に追加
次に第2絶縁層をエッチングして、トレンチ内のパッド層構造及びパッド酸化物層側壁にカラー絶縁層を形成し、これに伴って底部絶縁層を除去する。 - 特許庁
The fixed layer 23 includes a first layer 311, a second layer 312, a third layer 313, a non-magnetism interlayer 32 and an inner layer 33, which are arranged sequentially in order of distance near to the anti-ferromagnetic layer 22.例文帳に追加
固定層23は、反強磁性層22に近い順に配置された第1層311、第2層312、第3層313、非磁性中間層32およびインナー層33を含んでいる。 - 特許庁
The path of the 2nd coil extends in the order of an upper-layer lead-out electrode 2f, an upper-layer lead-out line 2d, a lower-layer coil 2a, an upper-layer coil 2c, a lower-layer lead-out line 2b, and a lower-layer lead-out terminal 2e.例文帳に追加
また、第2コイルの経路は、上層の引出電極2f—上層引出線2d−下層コイル2a−上層コイル2c−下層引出線2b—下層の引出端子2eとなる。 - 特許庁
An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加
n型基板1上に、n型クラッド層2、n型導波層3、n型キャリアブロック層4、活性層5、p型キャリアブロック層6、p型導波層7が順次積層されている。 - 特許庁
The styrene resin laminated film is composed of a layer A and a layer B, which are arranged in a structure of the layer A/layer B/layer A and has a layer ratio of 1/18 to 2/1/2 and a total haze of 10% or lower.例文帳に追加
下記のA層及びB層から成るA層/B層/A層の層構成であり、層比が1/18/1〜2/1/2、全ヘイズが10%以下であるスチレン系樹脂積層フィルム。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit is provided with a wiring layer in the second layer and a wiring layer in the fourth layer, and a wiring layer in the third layer arranged between those wiring layers.例文帳に追加
半導体集積回路は、2層目の配線層と4層目の配線層と、これらの配線層の間に設けられる3層目の配線層とを備える多層配線構造を有している。 - 特許庁
An AlN/GaN superlattice buffer layer 2, an undoped GaN layer 3 and an undoped InGaN layer 4 are grown in the order of the layer 2, the layer 3 and the layer 4 on a sapphire substrate 1 by an MOCVD method.例文帳に追加
MOCVD法により、サファイア基板1上にAlN/GaN超格子バッファ層2、アンドープGaN層3およびアンドープInGaN層4を順に成長させる。 - 特許庁
The layer thickness of the first n-clad layer occupies 80% or more of the total layer thickness of the n-clad layer, and the second n-clad layer has a layer thickness of 100 nm or more.例文帳に追加
nクラッド層全体の層厚のうち第1のnクラッド層の層厚が占める割合は80%以上であり且つ第2のnクラッド層の層厚は100nm以上である。 - 特許庁
Next, a hole-transportation layer, a first light-emitting layer 5a, a thin film layer 5c, a second light-emitting layer 5b and an electron transportation layer are sequentially formed on the hole-injecting layer by vacuum deposition.例文帳に追加
次に、ホール注入層上に、ホール輸送層、第1の発光層5a、薄膜層5c、第2の発光層5bおよび電子輸送層を真空蒸着により順に形成する。 - 特許庁
A gray layer 13a used as a shading layer is stacked on the back side of the white-colored layer 12, and a black layer 13b used as a shading layer is stacked on the back side of the gray layer 13a.例文帳に追加
白色着色層12の裏側には遮光層となるグレー層13aを積層し、グレー層13bの裏側には遮光層となる黒色層13bを積層する。 - 特許庁
A base sacrifice layer 14, a first metal layer 16, a first sacrifice layer 20, a second metal layer 22, a second sacrifice layer 26 and a third metal layer 28 are sequentially laminated on a silicon substrate 12.例文帳に追加
シリコン基板12の上に、ベース犠牲層14,第1金属層16、第1犠牲層20、第2金属層22、第2犠牲層26、第3金属層28を順に積層する。 - 特許庁
A lower layer wiring layer 6 comprising a barrier metal layer 4 and a metal wiring layer 5 is formed in a lower layer wiring trench 3 formed in a lower layer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上の下層用絶縁膜2に設けられた下層配線溝3内にバリアメタル層4及び金属配線層5からなる下層配線層6を形成する。 - 特許庁
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