「liquid crystal growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GROWTH OF HIGH MELTING POINT SILICIDE CRYSTAL BY USING MOLTEN LIQUID OF INTERMETALLIC COMPOUND例文帳に追加

金属間化合物融液を用いた高融点シリサイド結晶成長法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

半導体結晶薄膜の液相エピタキシャル成長方法及び装置 - 特許庁

The mixture molten liquid coagulates with no stable liquid surface, suppressing crystal growth of the parent material.例文帳に追加

また、混合物融液は安定液面がない状態で凝固し、母材の結晶成長が抑えられる。 - 特許庁

To take a compound semiconductor single crystal out of a growth vessel without damaging the growth vessel after the growth of the compound semiconductor single crystal by preventing a liquid sealant from being scattered from an opening part above the trunk part of the growth vessel.例文帳に追加

成長容器の直胴部上の開口部から液体封止剤を飛散させないようにして、化合物半導体単結晶成長後に成長容器を破損することなく取り出すことを可能とする。 - 特許庁

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 - 特許庁

LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH MACHINE AND PRODUCTION OF OXIDE SINGLE CRYSTAL FILM例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置および酸化物単結晶膜の製造方法 - 特許庁

To reduce the cost required for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。 - 特許庁

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND HEAT TREATMENT APPARATUS USED FOR THE METHOD例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法及びそれに用いられる熱処理装置 - 特許庁

To provide an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide.例文帳に追加

安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 for forming the magnetic garnet single crystal film is used for growing the magnetic garnet single crystal film by liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるための磁性ガーネット単結晶膜形成用基板２である。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

GaAs成長基板１上にAlGaInPマイナス歪層１１及びAlGaAs混晶防止層１２を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層２を液相成長法で成長させる。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

A crystal growth suppressing material suppressing ice crystal growth from liquid water is provided at least in one of the electrodes 21, 22, the gas passage formation parts 23, 24, the wall surfaces of the gas separators 25, 26.例文帳に追加

ここで、電極２１，２２と、ガス流路形成部２３，２４と、ガスセパレータ２５，２６における壁面と、のうちの少なくともいずれかにおいて、液水からの氷の結晶の成長を抑制する氷結晶成長抑制物質を備える。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing a crystal, by which a group III element nitride crystal such as a GaN single crystal formed by liquid phase growth is taken out from a raw material liquid in a short period of time.例文帳に追加

液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

This method for detecting snake growth of a single crystal is one for detecting the snake growth of crystal happening in the process of growing a single crystal 12 which comprises the steps of charging a silicon raw material into a crucible 1 to melt it, dipping a seed crystal 15 in the molten liquid and pulling it up while rotating.例文帳に追加

単結晶くねり成長検出方法は、坩堝１内にシリコン原料を充填して溶解し、その溶融液に種結晶１５を浸漬して回転させながら引上げて単結晶１２を成長させる際に生じる結晶くねり成長を検出する方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor crystal by which the reproducibility of crystal growth conditions is assured and a stable single crystal yield is obtained, in a single crystal pulling method using a liquid encapsulating agent (LEC method).例文帳に追加

液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

GARNET SINGLE CRYSTAL, ITS GROWING METHOD, AND GARNET SUBSTRATE FOR LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD例文帳に追加

ガーネット単結晶、その育成方法及びそれを用いた液相エピタキシャル成長法用ガーネット基板 - 特許庁

The magneto-optical element material comprises a magnetic garnet single crystal formed by liquid phase epitaxial growth on a nonmagnetic garnet substrate.例文帳に追加

非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長させた磁性ガーネット単結晶からなる磁気光学素子材料である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently separating semiconductor ultramicroparticles from an organic liquid phase containing semiconductor ultramicroparticles after crystal growth.例文帳に追加

結晶成長後の半導体超微粒子を含有する有機液層から該半導体超微粒子を効率よく分離する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid-phase epitaxial growth machine that can give an oxide single crystal film of good properties.例文帳に追加

特性の良好な酸化物単結晶膜を得ることができる、液相エピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing the concentration of Pt in magnetic garnet crystals when obtaining the magnetic garnet crystals by a liquid phase crystal growth method.例文帳に追加

液相結晶成長法により磁性ガーネット結晶を得るに際して目的結晶中のPt濃度を低減させる方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for liquid-phase epitaxial growth capable of growing a multilayered crystal and good in uniformity of the film thickness.例文帳に追加

多層の結晶成長が可能な膜厚均一性のよい液相エピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁

To attain unidirectional crystal growth of large size grains by making the recessed surface of a solid-liquid interface into a horizontal surface within a melting furnace.例文帳に追加

溶解炉内において、固液界面が凹面状から水平面状となるようにし、一方向性の大粒径の結晶成長を可能とする、 - 特許庁

To provide a method for producing a magnetic garnet single crystal by a liquid-phase epitaxial growth method using a lead-free flux.例文帳に追加

鉛フリーフラックスを使用した液相エピタキシャル成長法による磁性ガーネット単結晶の製造方法を提。 - 特許庁

And the produced group III metal and nitrogen are supplied to Na molten liquid 17 in the lower part of the crystal growth container 12 through a mesh 14, and reacted in the Na molten liquid to make GaN crystal grown up.例文帳に追加

そして、生成されたIII族金属と窒素は、メッシュ１４を通して結晶成長容器１２の下部のＮａ融液１７に供給され、Ｎａ融液１７中で反応し、ＧａＮの結晶が成長する。 - 特許庁

Therefore, when the liquid surface is lowered by the crystal growth, the seed crystal 9 is automatically lowered to keep a distance from the liquid surface at a constant level automatically and a complicated control of the height is not needed.例文帳に追加

したがって、結晶が成長し、液面が下がっても自動的に種結晶９も下がり、液面からの距離を自動的に一定に保つことができ、複雑な高さ制御が不要である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic semiconductor crystal by which the organic semiconductor crystal is formed by a liquid phase growth, and to provide the organic semiconductor crystal manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

液相成長で有機半導体の結晶を得ることが可能な有機半導体の結晶の製造方法及びその有機半導体の結晶の製造方法によって製造される有機半導体の結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon carbide substrate where the small piece of the seed crystal of the single crystal silicon carbide is grown in a horizontal direction by liquid phase epitaxial growth and which has a large area.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。 - 特許庁

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。 - 特許庁

This apparatus for liquid-phase epitaxial growth is obtained by installing an upper member 6 in which a melt reservoir 8 for storing a melt of a crystal raw material is formed and a boat 2 for growth arranged on the lower side of the upper member 6 and having growth chambers 3 for accommodating a semiconductor substrate 1 formed therein.例文帳に追加

結晶原料の融液を貯溜する融液溜め８が形成された上部部材６と、上部部材６の下側に配置され、半導体基板１を収容する成長室３が形成された成長用ボート２とを備える。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

By thermal decomposition of the vapor phase growth gas, silicon is introduced from the atmosphere to the liquid drops, and since a liquid is more liable to absorb a silicon atom than a solid, gradually the silicon exceeds in the liquid drops of the Si/Au alloy 28 and the silicon single crystal grows in a tube.例文帳に追加

この成長種を有するシリコン基板１０を気相成長装置にセットし、高温下でシリコン気相成長ガスを導入すると、環状の金層の部分はＳｉ−Ａｕ合金２８の液滴となる。 - 特許庁

To suppress the growth failure of a crystal thin film on a wafer surface caused by undesired polycrystalline deposits, and to grow a semiconductor single crystal thin film with an excellent yield without complicating device constitution in liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。 - 特許庁

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal.例文帳に追加

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。 - 特許庁

The SiC single crystal is produced by a liquid phase growth method for epitaxially growing SiC on a substrate by bringing a seed crystal substrate into contact with an SiC solution in which a melt of an Si alloy held in a crucible is used as a solvent, wherein a sapphire crystal substrate is used as the seed crystal substrate.例文帳に追加

坩堝に収容されたＳｉ合金の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液に種結晶基板を接触させて基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる液相成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。 - 特許庁

To provide a method of suppressing the occurrence of defects without using an off-angle in the growth of bulk single crystal by the liquid-phase epitaxial method comprising bringing a seed crystal substrate into contact with the melt of a single crystal material housed in a crucible to grow the single crystal.例文帳に追加

坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown.例文帳に追加

単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, in which it is possible to prevent the solid-liquid interface from becoming a recessed face by accelerating radiation heat transfer and heat dissipation from the upper part of the crystal shoulder part by regulating the crystal diameter after seed crystal growth.例文帳に追加

種結晶成長後の結晶径を規定することにより、結晶肩部上部からの輻射伝熱および放熱を促進させ、固液界面の凹面化を抑止することができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the process for purifying the gallium solution, the liquid which was used for electrolysis is cooled and stirred to achieve a high flow rate of the liquid inside a tank to inhibit crystal growth and deposit a crystal containing the impurities for obtaining the desired metal (e.g. gallium) in the residual liquid.例文帳に追加

電解に使用済みの液を冷却しながら撹拌することで、槽内で液の流速を高速化し、結晶成長を抑制し、析出した結晶に不純物を含有させ、残った液側に所望の金属（例えば、ガリウム）を得るガリウム溶液の浄液方法を見出した。 - 特許庁

This seed material 12 for liquid phase epitaxial growth of single crystal silicon carbide has a surface layer including polycrystalline silicon carbide having a crystal polymorph of 3C.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。 - 特許庁

For instance, the single crystal is pulled-up under the conditions that the intensity of magnetic field in the single crystal growth equipment is kept at 1000-2000 gauss and the heating time of silicon melting liquid is continued for 100 hours or more.例文帳に追加

例えば、単結晶成長装置内の磁場の強度を１０００〜２０００ガウス、シリコン融液の加熱時間を１００時間以上として、単結晶の引上げを行う。 - 特許庁